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中长波Cr^(2+)/Fe^(2+)∶CdSe激光晶体生长及元件制备
1
作者 黄昌保 胡倩倩 +5 位作者 朱志成 李亚 毛长宇 徐俊杰 吴海信 倪友保 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期551-553,共3页
本文采用自主研发的双温区真空石墨加热单晶炉,通过钼坩埚密封布里奇曼法成功生长出了Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体,晶体尺寸达Φ51 mm×110 mm。Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体分别在1400~2400 nm和2500~5200 nm... 本文采用自主研发的双温区真空石墨加热单晶炉,通过钼坩埚密封布里奇曼法成功生长出了Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体,晶体尺寸达Φ51 mm×110 mm。Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体分别在1400~2400 nm和2500~5200 nm波段存在明显的吸收,同时,Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体在7~15μm波段透过率均接近CdSe晶体透过极限(~70%),换算吸收系数约为0.005 cm^(-1)。采用钼坩埚密封布里奇曼法制备的Cr^(2+)/Fe^(2+)∶CdSe晶体具有过渡金属离子掺杂浓度可控、掺杂均匀、晶体品质高等优点,可同时作为中波红外激光晶体和长波红外非线性光学晶体材料。 展开更多
关键词 中远红外激光 非线性光学晶体 激光晶体 过渡金属掺杂 CdSe晶体 晶体生长 布里奇曼法
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Pr,Yb,Ho:GdScO_(3)晶体生长及光谱性能
2
作者 孙贵花 †张庆礼 +2 位作者 罗建乔 王小飞 谷长江 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期369-374,共6页
2.7-3.0μm波段激光在很多领域具有重要应用,为探索和发展该波段新型晶体材料,本文采用提拉法生长出Pr,Yb,Ho:GdScO_(3)晶体,通过共掺入Pr3+离子以达到衰减Ho^(3+):^(5)I_(7)能级寿命的目的.采用X射线衍射测试得到了晶体的粉末衍射数据... 2.7-3.0μm波段激光在很多领域具有重要应用,为探索和发展该波段新型晶体材料,本文采用提拉法生长出Pr,Yb,Ho:GdScO_(3)晶体,通过共掺入Pr3+离子以达到衰减Ho^(3+):^(5)I_(7)能级寿命的目的.采用X射线衍射测试得到了晶体的粉末衍射数据,测量了拉曼光谱,并对晶体的拉曼振动峰进行指认,对Pr,Yb,Ho:GdScO_(3)晶体的透过光谱、发射光谱和荧光寿命进行表征.Yb^(3+)的最强吸收峰在966 nm,吸收峰半峰宽为90 nm;2.7-3.0μm波段最强发射峰在2850 nm,半峰宽为70 nm;Ho^(3+):^(5)I_(6)和^(5)I_(7)能级寿命分别为1094μs和56μs.与Yb,Ho:GdScO_(3)晶体相比,Yb^(3+)的吸收峰和2.7-3.0μm的发射峰半峰宽明显展宽,同时下能级寿命显著减小,计算表明Ho^(3+):^(5)I_(7)与Pr^(3+):^(3)F_(2)+^(3)H_(6)能级之间能实现高效的能量传递.以上结果表明Pr,Yb,Ho:GdScO_(3)晶体是性能更优异的2.7-3.0μm波段激光材料. 展开更多
关键词 2.7—3.0μm激光 Pr Yb Ho:GdScO_(3)晶体 晶体生长 光谱性能
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碲锌镉晶体生长温度梯度与界面形状稳定性关系的研究
3
作者 曹聪 刘江高 +4 位作者 范叶霞 李振兴 周振奇 马启司 牛佳佳 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期641-648,共8页
碲锌镉晶体被广泛用作红外探测器碲镉汞薄膜的外延衬底和制造室温核辐射探测器。在晶体生长过程中,界面形状与热量传输状态密切相关。本文结合数值模拟技术控制碲锌镉晶体生长过程中温度场分布,设计了垂直布里奇曼法和垂直温度梯度凝固... 碲锌镉晶体被广泛用作红外探测器碲镉汞薄膜的外延衬底和制造室温核辐射探测器。在晶体生长过程中,界面形状与热量传输状态密切相关。本文结合数值模拟技术控制碲锌镉晶体生长过程中温度场分布,设计了垂直布里奇曼法和垂直温度梯度凝固法微凸固液界面的晶体生长程序,并根据实际晶体生长实验,分析了晶体生长方法差异与碲锌镉晶体单晶率之间的关系。通过光致发光谱进行成分测试获得了碲锌镉晶体等径段纵截面中Zn值分布谱图,以研究固液界面温度场分布与晶体Zn值宏观偏析之间的关系。结果表明,在晶体生长过程中固液界面两侧温场梯度分布对界面的形状选择和稳定性有重要影响,更大的固相侧温度梯度有助于实现稳定的凸界面晶体生长,从而提高晶体成晶率。 展开更多
关键词 碲锌镉晶体 数值模拟 晶体生长 界面形状 界面稳定性 宏观偏析
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基于模糊解耦的坩埚下降法晶体生长炉温度控制系统
4
作者 陈祥烨 王森林 陈豪 《自动化与仪表》 2024年第4期37-41,共5页
针对坩埚下降法晶体生长炉温度控制系统存在的非线性、滞后性、多温区耦合性等问题。设计了模糊解耦控制器来对生长炉上、下两个温区的温度进行控制,该控制器能够根据上、下温区的实时温度误差以及温度误差变化率,调节两个温区加热棒的... 针对坩埚下降法晶体生长炉温度控制系统存在的非线性、滞后性、多温区耦合性等问题。设计了模糊解耦控制器来对生长炉上、下两个温区的温度进行控制,该控制器能够根据上、下温区的实时温度误差以及温度误差变化率,调节两个温区加热棒的功率。与传统解耦和PID算法相比,该方法具有不依赖被控对象的精确数学模型,计算量小,算法设计简单等特点。通过仿真将该方法分别与传统PID算法和传统解耦PID算法进行比较,仿真结果表明,该方法具有很好的动态性能、解耦能力和鲁棒性,有利于提升晶体生长炉的控温精度和加热效率。 展开更多
关键词 坩埚下降法 晶体生长炉 多温区耦合系统 解耦控制 模糊控制
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双添加剂协同调控钙钛矿晶体生长
5
作者 晏广元 马柱 +2 位作者 余朗 葛浩 黄跃龙 《化工设计通讯》 2024年第1期7-9,共3页
通过同时添加氯化铷(RbCl)和亚甲二胺二盐酸盐(MDACl2)至PbI_(2)前驱体溶液,调控钙钛矿晶体生长,制备了甲脒(FA)甲胺(MA)基钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池(PSCs),探究两种添加剂之间的协同作用机理。研究发现RbCl能够与PbI_(2)反应生成... 通过同时添加氯化铷(RbCl)和亚甲二胺二盐酸盐(MDACl2)至PbI_(2)前驱体溶液,调控钙钛矿晶体生长,制备了甲脒(FA)甲胺(MA)基钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池(PSCs),探究两种添加剂之间的协同作用机理。研究发现RbCl能够与PbI_(2)反应生成惰性的(PbI_(2))2RbCl化合物,稳定了钙钛矿的晶相;MDACl2能够增强结晶取向,稳定钙钛矿的晶相。此外,这两种添加剂的协同调控作用增大了晶粒尺寸,减少晶界,降低薄膜缺陷密度,延长载流子寿命至7倍以上。优化后的电池最高效率达23.76%,迟滞因子低至0.6%,孔径面积为12.6cm^(2)的钙钛矿太阳能组件(PSMs)效率为21.47%。 展开更多
关键词 钙钛矿太阳能电池 添加剂 调控晶体生长 高效率
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Yb,Ho∶GdScO_(3)晶体生长及光谱性能分析
6
作者 孙贵花 张庆礼 +3 位作者 李加红 罗建乔 王小飞 高进云 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第7期1243-1249,共7页
采用提拉法生长出了尺寸为∅30 mm×50 mm的Yb,Ho∶GdScO_(3)晶体。通过X射线衍射得到了晶体的粉末衍射数据,使用GSAS软件进行了全谱拟合,得到了晶体的结构参数。测试了晶体的拉曼光谱,在100~700 cm^(-1)观察到18个拉曼振动峰。对Yb... 采用提拉法生长出了尺寸为∅30 mm×50 mm的Yb,Ho∶GdScO_(3)晶体。通过X射线衍射得到了晶体的粉末衍射数据,使用GSAS软件进行了全谱拟合,得到了晶体的结构参数。测试了晶体的拉曼光谱,在100~700 cm^(-1)观察到18个拉曼振动峰。对Yb,Ho∶GdScO_(3)晶体的光谱特性进行了表征,并计算了Yb^(3+)的吸收截面,其在940、975 nm处的吸收截面分别为0.31×10^(-20)、0.42×10^(-20) cm^(2)。采用Judd-Ofelt理论计算了Ho^(3+)的跃迁强度参量Ω_(t),Ω_(4)/Ω_(6)值为2.04,并计算了辐射跃迁概率、能级寿命及荧光分支比等光谱参数。结果表明,Yb,Ho∶GdScO_(3)晶体的发光性能良好,是一种有前景的2~3μm激光晶体候选材料。 展开更多
关键词 2~3μm激光 Yb Ho∶GdScO_(3)晶体 晶体生长 光谱性能 JUDD-OFELT理论
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超临界溶剂热合成纳米磷酸铁锂晶体生长机制探究 被引量：1
7
作者 张宝权 王树众 +2 位作者 刘璐 刘慧 杨健乔 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期100-109,共10页
针对目前超临界溶剂热合成纳米磷酸铁锂(LiFePO_(4))的晶体生长机制及反应参数影响规律尚不明确的问题,采用超临界溶剂热合成方法在340~400℃反应温度下制备了平均粒径为68~85 nm的LiFePO_(4)粉体,表征并分析了产物的晶体结构及粒径等性... 针对目前超临界溶剂热合成纳米磷酸铁锂(LiFePO_(4))的晶体生长机制及反应参数影响规律尚不明确的问题,采用超临界溶剂热合成方法在340~400℃反应温度下制备了平均粒径为68~85 nm的LiFePO_(4)粉体,表征并分析了产物的晶体结构及粒径等性能,评估了超临界乙醇中纳米LiFePO_(4)晶体生长过程表观活化能及生长机制,并建立了纳米LiFePO_(4)晶体生长动力学。结果表明,纳米LiFePO_(4)在超临界溶剂中的生长过程对其最终尺寸起主导作用,且生长过程受表面反应控制,符合多核控制的二阶生长动力学。纳米LiFePO_(4)产物的电化学性能测试表明,在400℃下获得的样品在0.1 C(C为电池充放电倍率)倍率下的初始放电比容量达到153.5 mA·h/g,放电倍率提高至5 C时容量保持率为68.3%。在340℃反应温度下:所得产物中的杂质(Li_(3)Fe_(2)(PO_(4))_(3)和Fe_(3)(PO_(4))_(2))导致电池出现了严重的极化效应;在高速充放电下,容量严重衰减,5 C倍率容量保持率仅为46.9%。本研究揭示了超临界溶剂热合成纳米LiFePO_(4)晶体的生长机制,可为后续工艺参数优化及工业化应用提供理论支撑。 展开更多
关键词 超临界溶剂热合成 磷酸铁锂 晶体生长 纳米化
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多孔石墨对碳化硅晶体生长影响的数值模拟研究
8
作者 李荣臻 赵小玻 +6 位作者 魏华阳 李丹 周振翔 倪代秦 李勇 李宏凯 林清莲 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第12期2174-2185,共12页
SiC是新一代射频器件和功率器件的理想材料,电阻式物理气相传输法由于具有温度均匀性,成为生长大尺寸SiC单晶的有效方法。近年来,多孔石墨等的使用提高了SiC晶体的质量和产量,而关于其机理的研究却相对较少。本文使用数值模拟的方法系... SiC是新一代射频器件和功率器件的理想材料,电阻式物理气相传输法由于具有温度均匀性,成为生长大尺寸SiC单晶的有效方法。近年来,多孔石墨等的使用提高了SiC晶体的质量和产量,而关于其机理的研究却相对较少。本文使用数值模拟的方法系统研究了多孔石墨对SiC晶体生长的影响,并进行了晶体生长验证。模拟结果表明:多孔石墨的使用提高了原料区域的温度及温度均匀性,增大了坩埚内轴向温差,对减弱原料表层的重结晶也具有一定作用;在生长腔内,多孔石墨改善了物质流动在整个生长过程中的稳定性,提高了生长区域的C/Si比,有助于减小相变发生概率,同时多孔石墨对晶体界面也起到改善作用。晶体生长结果实际验证了多孔石墨在提高传质均匀性、降低相变发生率和改善晶体外形上的作用。本文结果对于理解多孔石墨的作用机理以及改善SiC晶体生长条件具有实际意义。 展开更多
关键词 碳化硅 多孔石墨 数值模拟 晶体生长 电阻加热 物理气相传输
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Dy^(3+)掺杂SrGdGa_(3)O_(7)晶体的晶体生长,结构、光学和可见光荧光特性
9
作者 王海东 王燕 +3 位作者 朱昭捷 李坚富 LAKSHMINARAYANA Gandham 涂朝阳 《无机材料学报》 SCIE EI CSCD 北大核心 2023年第12期1475-1482,共8页
采用Chzochralski方法成功生长了Dy^(3+)掺杂的SrGdGa_(3)O_(7)晶体,并对其结构和光学特性进行了详细研究。基于XRD数据,采用Rietveld法优化了晶体的晶格参数。分析了Dy:SrGdGa_(3)O_(7)晶体的偏振吸收谱、偏振发射谱和荧光衰减曲线。在... 采用Chzochralski方法成功生长了Dy^(3+)掺杂的SrGdGa_(3)O_(7)晶体,并对其结构和光学特性进行了详细研究。基于XRD数据,采用Rietveld法优化了晶体的晶格参数。分析了Dy:SrGdGa_(3)O_(7)晶体的偏振吸收谱、偏振发射谱和荧光衰减曲线。在452 nm处,π偏振和σ偏振对应的吸收截面分别为0.594×10^(-21)和0.555×10^(-21)cm^(2)。计算得到的有效J-O强度参数Ω_(2)、Ω_(4)和Ω_(6)分别为5.495×10^(-20)、1.476×10^(-20)和1.110×10^(-20)cm^(2)。J-O理论分析和荧光光谱表明:在452 nm激发下,Dy:SrGdGa_(3)O_(7)晶体4F9/2→6H_(13/2)跃迁在可见光波段具有最高的荧光分支比和荧光强度,在574 nm处的π和σ偏振发射截面分别为1.84×10^(-21)和2.49×10^(-21)cm^(2)。Dy^(3+):4F9/2能级的辐射寿命和荧光寿命分别为0.768和0.531 ms,量子效率为69.1%。研究结果表明:Dy^(3+):SrGdGa_(3)O_(7)晶体是一种潜在的可用于蓝光LD泵浦实现黄激光的材料。 展开更多
关键词 晶体生长 Dy^(3+):SrGdGa_(3)O_(7) 光学性能 黄光发射
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面向磁光应用的CeF_(3)晶体生长与性能表征
10
作者 吴振 李慧芳 +5 位作者 张中晗 张振 李阳 蓝江河 苏良碧 武安华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期296-302,共7页
随着高功率激光和光通信技术的迅速发展,如何消除光学系统内部产生的反射噪声是一个至关重要的问题。磁光隔离器是依据法拉第效应设计而成的磁有源器件,能够有效隔离大部分反射光以保证光学系统稳定工作,而法拉第磁光材料作为磁光隔离... 随着高功率激光和光通信技术的迅速发展,如何消除光学系统内部产生的反射噪声是一个至关重要的问题。磁光隔离器是依据法拉第效应设计而成的磁有源器件,能够有效隔离大部分反射光以保证光学系统稳定工作,而法拉第磁光材料作为磁光隔离器的核心部件,其研究和应用推动了磁光隔离器的更新与发展。CeF_(3)晶体具有高透过率、宽透过区间和高Verdet常数等优点,近年来获得了广泛关注,但是其传统生长方法存在成本高、周期长等缺点。本研究通过坩埚下降生长技术,优化温场结构和生长工艺,采用多孔坩埚成功获得多根CeF_(3)晶体。与商用TGG(Tb3Ga5O12)晶体相比,CeF_(3)晶体的透过率得到明显提高,最高达到92%,并且在近红外波段两者的Verdet常数相当。CeF_(3)晶体的比热较高,表明晶体拥有较强的抗热冲击能力和较高的抗激光损伤能力。本研究使用多孔坩埚技术生长CeF_(3)晶体,实现了规模化和低成本生产;生长的CeF_(3)晶体物理性能优良,具有应用于近红外波段磁光隔离器的巨大潜力。 展开更多
关键词 CeF_(3) 磁光晶体 晶体生长 多孔坩埚技术
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热处理温度对矾土基莫来石材料结构及晶体生长的影响
11
作者 麦海香 赵飞 +5 位作者 安建成 王亚利 连伟康 胡杨 葛铁柱 刘新红 《耐火材料》 CAS 北大核心 2023年第4期314-319,共6页
为了优化矾土基莫来石材料的性能,以Al_(2)O_(3)含量约为70%(w)的Ⅱ等高铝矾土为原料,采用湿法均化、高温热处理工艺制备矾土基莫来石试样,研究了热处理温度(空气气氛下分别在1350~1650℃保温4 h)对试样物相组成与显微结构的影响,并探... 为了优化矾土基莫来石材料的性能,以Al_(2)O_(3)含量约为70%(w)的Ⅱ等高铝矾土为原料,采用湿法均化、高温热处理工艺制备矾土基莫来石试样,研究了热处理温度(空气气氛下分别在1350~1650℃保温4 h)对试样物相组成与显微结构的影响,并探讨了柱状莫来石晶体的生长机制。结果表明,莫来石符合固-液环境下生长发育的特征:1)1350~1500℃时,大量Al_(2)O_(3)溶解至SiO_(2)非晶质中加快了二次莫来石化反应进程,该阶段液相的过饱和度较高,莫来石晶粒伴随有台阶生长的特征;2)在重结晶烧结阶段(1500~1650℃),结晶相的增加消耗了液相中的Al_(2)O_(3),液相过饱和度降低,莫来石晶体表现出螺旋位错为主的生长特征;3)随热处理温度的升高(1350~1650℃),试样中的液相黏度降低,从而减少了晶体各向异性生长的阻力,使莫来石晶粒逐渐发育成长柱状并形成连续交叉的网络结构。 展开更多
关键词 高铝矾土 矾土基莫来石材料 晶体结构 晶体生长
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不同高径比下浮区晶体生长熔体内对流不稳定性分析
12
作者 王苗苗 张传成 +4 位作者 任浩 唐绪兵 丁守军 邹勇 黄护林 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第2期220-228,共9页
本文通过数值模拟的方法,研究了零重力条件下半浮区液桥内熔体热毛细对流的演化规律。在液桥的高度L和温差ΔT保持不变的情况下,通过改变液桥的半径R来改变液桥的高径比(Ar=L/R)。随着高径比Ar的变化,液桥内的对流表现出不同的流动特征... 本文通过数值模拟的方法,研究了零重力条件下半浮区液桥内熔体热毛细对流的演化规律。在液桥的高度L和温差ΔT保持不变的情况下,通过改变液桥的半径R来改变液桥的高径比(Ar=L/R)。随着高径比Ar的变化,液桥内的对流表现出不同的流动特征。在Ar=0.5时,热毛细对流处于三维稳态;在Ar=1时,流场和温度场从稳态模式向非稳态周期多频振荡模式转变,它们之间的频率关系满足倍频关系(f_(n)=nf_(1));在Ar=1.25时,监测点的速度振荡频率增大,表现为较小幅度的振荡模式,且温度振荡消失。 展开更多
关键词 浮区法晶体生长 液桥 热毛细对流 高径比 数值模拟 熔体
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氯化钠对石膏晶体生长习性影响的分子动力学模拟
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作者 孙志杰 史培阳 范蕾 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期524-529,535,共7页
如何有效控制溶液体系下石膏晶体的生长行为已成为脱硫行业亟待解决的问题之一,而晶体生长过程的有效信息往往无法及时有效在线检测.利用分子动力学模拟技术,计算出石膏晶体特定晶面的附着能、面心距离和面积等参数,确定了其形态学上重... 如何有效控制溶液体系下石膏晶体的生长行为已成为脱硫行业亟待解决的问题之一,而晶体生长过程的有效信息往往无法及时有效在线检测.利用分子动力学模拟技术,计算出石膏晶体特定晶面的附着能、面心距离和面积等参数,确定了其形态学上重要的生长晶面及其表面结构,理论研究了氯化钠溶液与石膏晶体主要生长面之间的相互作用机制.并通过实验得到氯化钠对石膏晶体形貌的影响,与分子动力学模拟结果进行对照分析.结果表明,由于氯化钠溶液对石膏晶体不同晶面的作用变化,可以显著改变石膏晶体形态,模拟结果与实验一致,分子动力学模拟可以为晶体的形态控制提供理论基础. 展开更多
关键词 石膏晶体 溶液体系 晶体生长习性 溶剂效应 分子动力学
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添加剂对氨基酸晶体生长的影响
14
作者 周璇 李孟亚 +6 位作者 孙杰 岑振凯 吕强三 周立山 王海涛 韩丹丹 龚俊波 《化工学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第2期500-510,共11页
氨基酸大多生长为针状或片状晶习,存在堆密度低、流动性差等问题,严重影响产品后加工处理过程。因此,实现氨基酸晶习的定向调控具有重要意义。添加剂对氨基酸晶习调控直接有效,广泛应用于工业生产中。本文主要从抑制和促进晶体生长两个... 氨基酸大多生长为针状或片状晶习,存在堆密度低、流动性差等问题,严重影响产品后加工处理过程。因此,实现氨基酸晶习的定向调控具有重要意义。添加剂对氨基酸晶习调控直接有效,广泛应用于工业生产中。本文主要从抑制和促进晶体生长两个角度,综述了添加剂对氨基酸晶体生长的作用机理。添加剂对晶体生长的抑制机理主要有两点:一是添加剂分子吸附到晶面上,阻碍溶质分子的扩散和聚集;二是添加剂分子嵌入晶格并占据生长位点。而添加剂促进晶体生长的机理为:添加剂加快了溶质分子在晶体表面的聚集速度、使晶体表面粗糙化和降低了溶剂层脱除能垒。最后,针对添加剂对氨基酸晶体生长影响的研究,从晶体工程的角度提出了通过分子模拟设计的添加剂定向控制氨基酸晶体生长,从而调控晶习的展望。 展开更多
关键词 氨基酸 添加剂 溶液结晶 晶体生长 调控机理
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大尺寸掺铊碘化钠晶体生长及闪烁性能
15
作者 力茂林 徐悟生 +5 位作者 张斌 田东升 尹祖荣 张镇玺 贾永超 徐朝鹏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期17-24,共8页
采用坩埚下降法,生长了体积为4 L的大尺寸NaI(Tl)晶体。对晶体进行X射线粉末衍射、紫外可见近红外透射光谱测试,结果表明,生长的晶体具有单一的物相,在600~1600 nm的透过率高于75%。电感耦合等离子体发射光谱测试结果表明,晶体中的Tl离... 采用坩埚下降法,生长了体积为4 L的大尺寸NaI(Tl)晶体。对晶体进行X射线粉末衍射、紫外可见近红外透射光谱测试,结果表明,生长的晶体具有单一的物相,在600~1600 nm的透过率高于75%。电感耦合等离子体发射光谱测试结果表明,晶体中的Tl离子浓度从头部到尾部逐渐增加。经过锻压、切割、打磨、抛光、封装等工序将NaI(Tl)晶体毛坯制成100 mm×50 mm×400 mm的方形晶体。闪烁性能测试结果表明,在^(137)Cs放射源激发下,晶体的平均能量分辨率为7.9%,不同位置的相对光输出和能量分辨率存在一定差异。 展开更多
关键词 碘化钠 闪烁晶体 坩埚下降法 晶体生长 透过率 能量分辨率 相对光输出
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中子探测用LiInSe_(2)晶体生长及表征
16
作者 张哲人 朱孟花 徐亚东 《铸造技术》 CAS 2023年第1期43-48,I0005,共7页
LiInSe_(2)晶体是一种可在室温下探测热中子的新型半导体中子探测材料。本文采用低温合成法,获得大量高纯多晶LiInSe_(2)原料,通过改进生长工艺得到了高质量的红色LiInSe_(2)晶体。通过研究晶体的透过率、夹杂相等,表征了晶体的生长质量... LiInSe_(2)晶体是一种可在室温下探测热中子的新型半导体中子探测材料。本文采用低温合成法,获得大量高纯多晶LiInSe_(2)原料,通过改进生长工艺得到了高质量的红色LiInSe_(2)晶体。通过研究晶体的透过率、夹杂相等,表征了晶体的生长质量,测试晶体对α粒子的响应来研究晶体进行中子探测的可能性。结果表明,晶体的红外透过率为75%,禁带宽度为2.3 eV,夹杂相密度达到2 900个/cm^(2),夹杂相的尺寸在1~10μm左右。测得电阻率在5×10^(11)Ω·cm左右,对α粒子的能量分辨率为55%。 展开更多
关键词 热中子探测 LiInSe_(2) 晶体生长 α粒子响应
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Ⅱ-Ⅵ族多元化合物半导体晶体生长及器件研究进展
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作者 杨桂芝 俞鹏飞 +1 位作者 张嘉伟 介万奇 《铸造技术》 CAS 2023年第12期1075-1093,共19页
Ⅱ-Ⅵ族多元(三元及三元以上)化合物半导体晶体是一类非常重要的光电子材料,多为闪锌矿结构,具有直接跃迁型能带结构。可以通过掺入不同的杂质获得n型或者p型半导体晶体材料。这些晶体具有原子序数大、电阻率高、载流子迁移率寿命积大... Ⅱ-Ⅵ族多元(三元及三元以上)化合物半导体晶体是一类非常重要的光电子材料,多为闪锌矿结构,具有直接跃迁型能带结构。可以通过掺入不同的杂质获得n型或者p型半导体晶体材料。这些晶体具有原子序数大、电阻率高、载流子迁移率寿命积大、光吸收系数好等特点,可用于室温辐射探测器、太阳能电池、法拉第磁性器件等领域。本文介绍了Ⅱ-Ⅵ族多元化合物半导体晶体的结构和物理性质,结合生长方法综述了晶体生长的研究进展,分析讨论了器件的主要应用,并展望了该类晶体材料未来的发展方向。 展开更多
关键词 Ⅱ-Ⅵ族多元化合物 半导体 晶体生长 室温辐射探测器 太阳能电池
原文传递
Zintl相Mg_(3)X_(2)(X=Sb,Bi)基晶体生长及热电性能研究进展
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作者 林思琪 李艾燃 +2 位作者 付晨光 李荣斌 金敏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期270-279,共10页
Zintl相Mg_(3)X_(2)(X=Sb,Bi)基热电材料以其无毒性、价格低及性能高等优点而备受关注。与多晶相比,Mg_(3)X_(2)晶体在揭示材料本征热电性能、各向异性性质及电声输运调控策略等方面极具研究价值。本文系统归纳与总结近年Mg_(3)X_(2)基... Zintl相Mg_(3)X_(2)(X=Sb,Bi)基热电材料以其无毒性、价格低及性能高等优点而备受关注。与多晶相比,Mg_(3)X_(2)晶体在揭示材料本征热电性能、各向异性性质及电声输运调控策略等方面极具研究价值。本文系统归纳与总结近年Mg_(3)X_(2)基晶体的生长及热电性能发展现状。针对Mg_(3)X_(2)晶体生长过程中Mg元素易挥发和活泼金属性的难点,多种技术如合适的温度冷却法、定向凝固法、助熔剂法、助熔剂坩埚下降法等被开发运用于生长Mg_(3)X_(2)晶体,其中助熔剂坩埚下降法在获得大尺寸块状晶体方面更有竞争力。n型和p型Mg_(3)Sb_(2)晶体都呈现出各向异性的热电性能。调控晶体生长速度、Mg元素自补偿含量、杂质元素掺杂与固溶含量等手段,都会影响Mg_(3)X_(2)晶体的电学性能和热学性能。目前p型和n型Mg_(3)Sb_(2)基晶体的最高ZT值可分别达到0.68和0.82。本文综述了Zintl相Mg_(3)X_(2)基晶体生长与热电性能的研究进展,发现助熔剂坩埚下降法是制备大尺寸Mg_(3)X_(2)基晶体的关键,通过元素掺杂及固溶方法调控载流子浓度和能带结构可以进一步提高Mg_(3)X_(2)基晶体性能。该生长方法和研究思路对将来Mg_(3)X_(2)基晶体制备与热电性能深入研究具有重要指导意义。 展开更多
关键词 Zintl相 Mg_(3)X_(2) 晶体生长 热电性能 综述
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第十九届全国晶体生长与材料学术会议在天津召开
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作者 苏健 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第8期1547-1547,共1页
2023年7月14~17日,第十九届全国晶体生长与材料学术会议在天津隆重召开。国家自然科学基金委员会党组成员、中国硅酸盐学会理事长高瑞平,中国工程院院士、天津理工大学教授吴以成,中国科学院院士、燕山大学教授田永君,中国科学院院士、... 2023年7月14~17日,第十九届全国晶体生长与材料学术会议在天津隆重召开。国家自然科学基金委员会党组成员、中国硅酸盐学会理事长高瑞平,中国工程院院士、天津理工大学教授吴以成,中国科学院院士、燕山大学教授田永君,中国科学院院士、浙江大学教授杨德仁,中国科学院院士、南京大学教授祝世宁,天津理工大学校长练继建,中国硅酸盐学会副理事长晋占平等应邀出席会议,800余名全国功能晶体材料及相关领域产学研企代表参加了会议。大会开幕式由中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会理事长胡章贵主持。 展开更多
关键词 中国科学院院士 中国硅酸盐学会 中国工程院院士 晶体生长 燕山大学 浙江大学教授 天津理工大学 南京大学教授
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梯度凝固法晶体生长应用磁场的研究进展
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作者 赵兴凯 韦华 +3 位作者 叶晓达 王顺金 韩家贤 柳廷龙 《云南化工》 CAS 2023年第4期15-20,共6页
在梯度凝固法晶体生长中应用磁场可以有效提高溶质分布的均匀性,改善生长界面的形貌。主要综述了在VGF法或VB法晶体生长中应用磁场的研究进展,包括行波磁场、旋转磁场和交变磁场的产生原理,以及三种磁场在熔体中形成的对流模式和对晶体... 在梯度凝固法晶体生长中应用磁场可以有效提高溶质分布的均匀性,改善生长界面的形貌。主要综述了在VGF法或VB法晶体生长中应用磁场的研究进展,包括行波磁场、旋转磁场和交变磁场的产生原理,以及三种磁场在熔体中形成的对流模式和对晶体生长的影响。提出了三种磁场各自的优势和在实际晶体生产上的应用前景。 展开更多
关键词 磁场垂直温度梯度 垂直布里奇曼 晶体生长 熔体对流 生长界面形貌 溶质分布
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