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发光多孔硅表面微结构及其晶格畸变的实验研究
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作者 周咏东 金亿鑫 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第5期428-433,共6页
用电化学方法制备了不发光多孔硅和发光多孔硅，用Ｘ射线双晶衍射对两类多孔硅表面进行了微结构分析和晶体质量表征，实验表明两类多孔硅的微结构间存在着很大差别．不发光多孔硅表面对Ｘ射线的双晶衍射摇摆曲线可解叠成两个峰，它们分... 用电化学方法制备了不发光多孔硅和发光多孔硅，用Ｘ射线双晶衍射对两类多孔硅表面进行了微结构分析和晶体质量表征，实验表明两类多孔硅的微结构间存在着很大差别．不发光多孔硅表面对Ｘ射线的双晶衍射摇摆曲线可解叠成两个峰，它们分别来自样品多孔层和单晶硅衬底，而发光多孔硅对Ｘ射线的双晶衍射摇摆曲线呈高斯对称分布，不可解叠．发光多孔硅比不发光多孔硅表面晶体质量差，且电化学腐蚀越严重，表面晶体质量下降也越严重． 展开更多
关键词 阳极氧化 发光 多孔硅 晶体质量表征
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