本文展示了一种利用超薄导电的Ga_(2)O_(3):Si纳米层获得(AlGa)_(2)O_(3)结晶薄膜的设计策略.受益于Ga_(2)O_(3):Si插层的存在,高质量的(Al_(0.68)Ga_(0.32))_(2)O_(3)倍半氧化物薄膜得以在蓝宝石衬底上外延生长,其中铝组分含量高达~68%...本文展示了一种利用超薄导电的Ga_(2)O_(3):Si纳米层获得(AlGa)_(2)O_(3)结晶薄膜的设计策略.受益于Ga_(2)O_(3):Si插层的存在,高质量的(Al_(0.68)Ga_(0.32))_(2)O_(3)倍半氧化物薄膜得以在蓝宝石衬底上外延生长,其中铝组分含量高达~68%,并被多种技术如HRTEM,XPS和XRD等进行了系统性表征.(Al_(0.68)Ga_(0.32))_(2)O_(3)材料的带隙被成功拓宽至6.14 eV,我们在此基础上制备出了(AlGa)_(2)O_(3)/Ga_(2)O_(3):Si真空紫外光电探测器.该探测器性能优异,开关比高达10^(3),开路电压为1.0 V,0 V偏压下响应度为8.1 m A W-1.以上结果表明,本文提出的生长策略可有效提高(AlGa)_(2)O_(3)倍半氧化物的质量并调节其带隙,有助于推动其在真空紫外探测领域的实际应用.展开更多
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文摘本文展示了一种利用超薄导电的Ga_(2)O_(3):Si纳米层获得(AlGa)_(2)O_(3)结晶薄膜的设计策略.受益于Ga_(2)O_(3):Si插层的存在,高质量的(Al_(0.68)Ga_(0.32))_(2)O_(3)倍半氧化物薄膜得以在蓝宝石衬底上外延生长,其中铝组分含量高达~68%,并被多种技术如HRTEM,XPS和XRD等进行了系统性表征.(Al_(0.68)Ga_(0.32))_(2)O_(3)材料的带隙被成功拓宽至6.14 eV,我们在此基础上制备出了(AlGa)_(2)O_(3)/Ga_(2)O_(3):Si真空紫外光电探测器.该探测器性能优异,开关比高达10^(3),开路电压为1.0 V,0 V偏压下响应度为8.1 m A W-1.以上结果表明,本文提出的生长策略可有效提高(AlGa)_(2)O_(3)倍半氧化物的质量并调节其带隙,有助于推动其在真空紫外探测领域的实际应用.
