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纳米CaCO_3微晶的晶格畸变和反常红外特性 被引量:20
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作者 水淼 岳林海 +3 位作者 刘清 徐铸德 郑遗凡 丁成豪 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1999年第6期715-720,共6页
利用TEM、SEM、X射线衍射(XRD)和Voigt函数单峰分析法讨论了纳米CaCO3 微晶结构,解释了纳米CaCO3 微晶的反常红外吸收特性,并认为微结构中的尺寸效应使得纳米CaCO3 晶格中存在较大的畸变应力,从而... 利用TEM、SEM、X射线衍射(XRD)和Voigt函数单峰分析法讨论了纳米CaCO3 微晶结构,解释了纳米CaCO3 微晶的反常红外吸收特性,并认为微结构中的尺寸效应使得纳米CaCO3 晶格中存在较大的畸变应力,从而引起了碳酸钙微晶的红外ν3 吸收峰有约40 cm - 1的蓝移和明显窄化。 展开更多
关键词 磷酸钙 纳米微晶 晶格畸变 红外特性 晶体
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添加稀土元素对热障涂层YSZ陶瓷层晶格畸变的影响 被引量:24
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作者 冀晓鹃 宫声凯 +1 位作者 徐惠彬 刘福顺 《航空学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期196-200,共5页
采用第一原理赝势平面波方法对添加稀土元素的二氧化锆晶胞进行了几何优化计算,对计算后的X-O键键长、晶格常数变化及键集居数进行了分析,并将计算结果与实验数据进行对比讨论。结果表明,添加稀土元素后,二氧化锆晶胞将发生膨胀畸变,X-... 采用第一原理赝势平面波方法对添加稀土元素的二氧化锆晶胞进行了几何优化计算,对计算后的X-O键键长、晶格常数变化及键集居数进行了分析,并将计算结果与实验数据进行对比讨论。结果表明,添加稀土元素后,二氧化锆晶胞将发生膨胀畸变,X-O键键长变大,键集居数变小。这些变化引起晶格振动频率降低,声子散射加剧,从而使材料热扩散系数降低。此外,在一定范围内,稀土元素的共价半径越大,所引起的膨胀畸变也越大,键集居数越小,材料的热扩散系数也会更小。 展开更多
关键词 晶格畸变 稀土元素 晶格振动 键集居数 CASTEP
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纳米MgO微晶的晶格畸变和反常红外特性 被引量:19
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作者 叶锡生 沙健 +1 位作者 焦正宽 张立德 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期287-289,共3页
报道了利用FT-IR光吸收谱测量和X射线衍射(XRD)分析对纳米MgO微晶的初步研究结果,发现纳米MgO的微结构和红外吸收特性均存在尺寸效应,而且其红外吸收峰出现了红移和蓝移同时并存的现象。文中结合XRD分析结果和纳... 报道了利用FT-IR光吸收谱测量和X射线衍射(XRD)分析对纳米MgO微晶的初步研究结果,发现纳米MgO的微结构和红外吸收特性均存在尺寸效应,而且其红外吸收峰出现了红移和蓝移同时并存的现象。文中结合XRD分析结果和纳米晶材料中界面效应对上述现象给出了初步的物理解释。 展开更多
关键词 氧化镁 纳米微晶 晶格畸变 红外特性 尺寸效应
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晶格畸变能的尺寸效应 被引量:7
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作者 于晓华 王远 +3 位作者 詹肇麟 荣菊 李莉 刘忠 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期928-931,共4页
为了更好地计算纳米材料晶格畸变能的尺寸效应,基于原子键能与表面热力学理论,提出了一个热力学模型.研究发现,随着晶粒尺寸的变小,纳米材料的晶格畸变能是不断增大的,且在20 nm以下时,这种变化将变得十分显著.随后,对该模型进行了讨论... 为了更好地计算纳米材料晶格畸变能的尺寸效应,基于原子键能与表面热力学理论,提出了一个热力学模型.研究发现,随着晶粒尺寸的变小,纳米材料的晶格畸变能是不断增大的,且在20 nm以下时,这种变化将变得十分显著.随后,对该模型进行了讨论与验证,结果表明:模型给出的结果与实验数据接近,能较好地解释晶格畸变的尺寸效应. 展开更多
关键词 晶格畸变 键能 表面热力学 尺寸效应 密度
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高能机械球磨引导的纳米TiO_2晶格畸变和高压相 被引量:9
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作者 胡季帆 秦宏伟 +1 位作者 隋振贵 陆宏良 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期5-8,共4页
发现正交结构的高压相β-TiO2可通过高能球磨锐钛矿TiO2而得到。高能机械球磨减小了颗粒尺寸,球磨40h后,发现样品存在2nm~4nm的类点状颗粒和10nm~35nm的类花瓣状颗粒。高能球磨改变了锐钛矿TiO2晶粒的晶格常数。该晶格畸变现象可能与... 发现正交结构的高压相β-TiO2可通过高能球磨锐钛矿TiO2而得到。高能机械球磨减小了颗粒尺寸,球磨40h后,发现样品存在2nm~4nm的类点状颗粒和10nm~35nm的类花瓣状颗粒。高能球磨改变了锐钛矿TiO2晶粒的晶格常数。该晶格畸变现象可能与晶界区行为相关。红外吸收峰随球磨而先“蓝移”后“红移”。该“蓝移”与“红移”与晶格常数a的变化紧密相关。另外发现随着球磨时间增长,TiO2的光催化效果变差。 展开更多
关键词 机械球磨 纳米材料 晶格畸变 高压相 二氧化钛 光催化
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超细粉体的晶粒度与晶格畸变的X射线分析研究 被引量:7
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作者 李国武 宋功保 +2 位作者 彭同江 万朴 董发勤 《非金属矿》 CAS CSCD 北大核心 1999年第A06期37-38,共2页
晶粒及其点阵畸变程度对材料的性能有重要的影响,利用Voigt函数法对超细过程产生的晶粒细化和晶格畸变进行了探讨。超细加工过程对材料产生的晶粒细化和晶格畸变效应是明显的,晶粒大小受加工粉碎次数和分级的影响,而晶格畸变则... 晶粒及其点阵畸变程度对材料的性能有重要的影响,利用Voigt函数法对超细过程产生的晶粒细化和晶格畸变进行了探讨。超细加工过程对材料产生的晶粒细化和晶格畸变效应是明显的,晶粒大小受加工粉碎次数和分级的影响,而晶格畸变则主要与粉体受冲击的机械强度有关。产生畸变的内在原因,可能是晶格在机械冲击下格架发生了扭曲变形。 展开更多
关键词 超细粉体 晶粒度 晶格畸变 X射线分析 矿物
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银纳米颗粒的晶格畸变研究 被引量:4
7
作者 汪宝珍 魏智强 +2 位作者 杨晓红 刘立刚 王晓云 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期25-28,34,共5页
采用水热还原法,以硝酸银(AgNO3)为前驱物,十二烷基磺酸钠(SDS)为表面修饰剂,水合肼(N2H4.H2O)为还原剂,制备出了银纳米颗粒。采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)对样品的晶体结构、形貌、粒径及其分布特性... 采用水热还原法,以硝酸银(AgNO3)为前驱物,十二烷基磺酸钠(SDS)为表面修饰剂,水合肼(N2H4.H2O)为还原剂,制备出了银纳米颗粒。采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)对样品的晶体结构、形貌、粒径及其分布特性进行了表征,并研究了晶格畸变。结果表明:样品的晶体结构为面心立方,晶态是多晶体,形貌为不规则类球形颗粒。同时研究了晶格结构,发现晶格结构发生了畸变,表现为晶格膨胀。粒径分布在40~60 nm范围,平均粒径为50 nm。 展开更多
关键词 金属材料 银纳米颗粒 水热法 形貌 晶格常数 晶格畸变
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纳米钨粉体的表征及其晶格畸变分析 被引量:5
8
作者 宋志华 郭亨群 +4 位作者 张春华 王国立 吴冲浒 吴其山 吴志军 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期106-108,111,共4页
以工业化生产技术成功地制备了不同粒径的纳米W粉体,采用EDS、SEM和XRD对样品的含量、形貌、物相进行了表征,并计算了其晶格参数和晶胞体积。结果表明,纳米W粉体为bcc晶态结构,晶格发生收缩;随着晶粒尺寸的减小,晶格参数和晶胞体积收缩... 以工业化生产技术成功地制备了不同粒径的纳米W粉体,采用EDS、SEM和XRD对样品的含量、形貌、物相进行了表征,并计算了其晶格参数和晶胞体积。结果表明,纳米W粉体为bcc晶态结构,晶格发生收缩;随着晶粒尺寸的减小,晶格参数和晶胞体积收缩率增大,且晶格畸变率与粒径的倒数呈正比线性关系。 展开更多
关键词 纳米钨粉晶粒尺寸 晶格参数 晶格畸变
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菱面片层氧化镁的制备及晶格畸变与反常红外特性 被引量:4
9
作者 尹荔松 陈敏涛 +1 位作者 黄生祥 周克省 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2006年第3期505-510,共6页
以低品位白云石为原料采用二次酸浸、EDTA-氨水沉淀法制备前驱体Mg(OH)2,经煅烧得到菱面片层状多空隙结构的纳米MgO晶体。通过X射线衍射(XRD)、高分辨率扫描电镜(HRSEM)及傅立叶红外光谱(FT—IR)等测试手段对所得产物的物相和... 以低品位白云石为原料采用二次酸浸、EDTA-氨水沉淀法制备前驱体Mg(OH)2,经煅烧得到菱面片层状多空隙结构的纳米MgO晶体。通过X射线衍射(XRD)、高分辨率扫描电镜(HRSEM)及傅立叶红外光谱(FT—IR)等测试手段对所得产物的物相和形貌等进行了表征。分析表明:氧化镁为结晶良好、立方晶系,厚度约10~20nm,最大面积可达1μm^2左右的菱形纳米片层结构;XRD数据表明纳米氧化镁的微结构存在晶格畸变并导致XRD相位差发生变化;红外光谱表明,Mg-O键伸缩特征吸收峰向高波数方向移动(蓝移)了约84.82cm^-1,而弯曲特征吸收峰向低波数方向移动(红移)了约31.88cm^-1,并导致红外吸收光谱的宽频化。结合XRD数据分析结果和界面效应等物理现象讨论了反常红外吸收机理。 展开更多
关键词 菱面MgO片 晶格畸变 红外特性 形状效应
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金刚石的晶格畸变 被引量:6
10
作者 苑执中 杨志军 彭明生 《矿物岩石地球化学通报》 CAS CSCD 2002年第2期114-116,共3页
金刚石是均质性矿物 ,但在偏光镜下常常显示非均质性。这给宝石鉴定带来了一定的困难。本文利用偏光显微镜研究了 2 4金刚石在正交偏光显微镜下的特性及其定向红外光谱 ,指出金刚石的非均质性与杂质元素如氮、硼和氢的分布不均匀有关 ,... 金刚石是均质性矿物 ,但在偏光镜下常常显示非均质性。这给宝石鉴定带来了一定的困难。本文利用偏光显微镜研究了 2 4金刚石在正交偏光显微镜下的特性及其定向红外光谱 ,指出金刚石的非均质性与杂质元素如氮、硼和氢的分布不均匀有关 ,包裹体的存在是产生晶格畸变 (塑性变形 )的重要原因。这一结果与利用红外光谱。 展开更多
关键词 金刚石 晶格畸变 塑性变形 非均质性
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纳米粒子晶格畸变率的数量级研究 被引量:7
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作者 刘建路 张其春 林金辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第6期71-73,共3页
晶格畸变率是纳米柱子的一个重要参数。用X射线衍射积分宽度法确定了纳米CeO_2粒子的晶格畸变率,研究了晶格畸变与晶粒度之间的关系,结合已有资料讨论了纳米粒子晶格畸变率的数量级大小。结果表明,不合理的计算方法可能会导致计算出来... 晶格畸变率是纳米柱子的一个重要参数。用X射线衍射积分宽度法确定了纳米CeO_2粒子的晶格畸变率,研究了晶格畸变与晶粒度之间的关系,结合已有资料讨论了纳米粒子晶格畸变率的数量级大小。结果表明,不合理的计算方法可能会导致计算出来的晶格畸变值严重失实。 展开更多
关键词 畸变 数量级 纳米粒子 晶格畸变 X射线衍射 积分宽度法 二氧化铈 结构
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纳米板钛矿基二氧化钛中的晶格畸变 被引量:4
12
作者 叶锡生 林东生 +1 位作者 焦正宽 张立德 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期258-262,共5页
借助精确的X射线衍射测量,结合独立衍射峰对不同晶粒度纳米板钛矿基二氧化钛样品中板钛矿和金红石相的微结构参量进行了较细致的研究,给出了标明物相、晶面指数(hkl)和晶面间距dhkl值详细分析结果的系列XRD谱,并得到了... 借助精确的X射线衍射测量,结合独立衍射峰对不同晶粒度纳米板钛矿基二氧化钛样品中板钛矿和金红石相的微结构参量进行了较细致的研究,给出了标明物相、晶面指数(hkl)和晶面间距dhkl值详细分析结果的系列XRD谱,并得到了晶面间距、晶格常数、轴比、晶胞体积等参数数值及其相对常规粗晶的变化情况,从而初步揭示出其晶粒微结构的尺寸效应。首次发现。 展开更多
关键词 纳米板 钛矿基 二氧化钛 晶格畸变 晶粒微结构
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YAG:V^(2+)激光材料晶格畸变及其EPR参量研究 被引量:5
13
作者 杨子元 魏群 郝跃 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期491-495,共5页
利用Newman的晶场叠加模型,建立了晶体微观结构与电子顺磁共振(EPR)参量之间的定量关系。采用全组态完全对角化方法,对YAG:V2+晶体的局域晶格畸变及其EPR参量进行了系统的研究,结果表明:V2+离子掺入YAG晶体后,V2+离子的局域结构产生压... 利用Newman的晶场叠加模型,建立了晶体微观结构与电子顺磁共振(EPR)参量之间的定量关系。采用全组态完全对角化方法,对YAG:V2+晶体的局域晶格畸变及其EPR参量进行了系统的研究,结果表明:V2+离子掺入YAG晶体后,V2+离子的局域结构产生压缩三角晶格畸变,沿[111]晶轴方向V2+离子上方的三个O2-配体与下方的三个O2-配体均偏离[111]轴1.96°,从而成功地解释了YAG:V2+晶体的EPR参量。同时研究也表明,SS与SOO磁相互作用对EPR参量的贡献不可忽略。 展开更多
关键词 YAG:V^2+晶体 局域晶格畸变 EPR参量 磁相互作用
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三氧化二铁纳米微晶的晶格畸变 被引量:2
14
作者 叶锡生 沙健 +3 位作者 陈斌 焦正宽 彭子飞 张立德 《浙江大学学报(自然科学版)》 EI CSCD 1997年第5期706-710,共5页
对γ相和α相三氧化二铁纳米微晶的系列样品进行了X射线衍射(XRD)实验研究,从所得晶粒度和微结构参数发现:此纳米微晶的晶粒组元中存在着晶格畸变;随着温度的升高,γ相和α相纳米微的微结构与晶粒度和温度有着较密切的关联.... 对γ相和α相三氧化二铁纳米微晶的系列样品进行了X射线衍射(XRD)实验研究,从所得晶粒度和微结构参数发现:此纳米微晶的晶粒组元中存在着晶格畸变;随着温度的升高,γ相和α相纳米微的微结构与晶粒度和温度有着较密切的关联.对此畸变,我们给出了初步的物理解释. 展开更多
关键词 纳米微晶 XRD 微结构 晶格畸变 表面效应 氧化铁
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纳米材料的晶格畸变与反常过剩电阻 被引量:6
15
作者 秦荣山 周本濂 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第10期1093-1096,共4页
利用Landauer理论研究了纳米材料晶体部分的晶格畸变对材料电阻率的贡献.推导出Landauer电阻率与晶格膨胀率的关系.数值计算表明,纳米金属材料的电阻率随晶格膨胀率的增加而非线性升高.
关键词 晶格畸变 电阻 纳米材料 反常过剩电阻
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纳米MgO微晶的热分析特性和晶格畸变 被引量:2
16
作者 叶锡生 沙健 +2 位作者 焦正宽 彭子飞 张立德 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 1998年第1期76-79,共4页
对纳米MgO微晶的系列样品进行了差热分析(DTA)测量和X射线衍射(XRD)实验研究。结合所获得的晶粒度和XRD微结构参数,发现纳米晶MgO的晶粒组元中存在着晶格畸变;随着温度的升高,纳米MgO晶粒长大且其微结构呈现出明显的变化,其晶... 对纳米MgO微晶的系列样品进行了差热分析(DTA)测量和X射线衍射(XRD)实验研究。结合所获得的晶粒度和XRD微结构参数,发现纳米晶MgO的晶粒组元中存在着晶格畸变;随着温度的升高,纳米MgO晶粒长大且其微结构呈现出明显的变化,其晶格畸变与晶粒度有着比较密切的关系。 展开更多
关键词 纳米 微晶 X射线衍射 晶格畸变 氧化镁
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晶格畸变对锶铁氧体粉末永磁性能的影响 被引量:5
17
作者 傅如闻 余红雅 +3 位作者 曾德长 刘正义 李茹华 谢金强 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2005年第5期36-38,46,共4页
锶铁氧体预烧料经高能球磨制成磁粉,对不同温度处理的系列磁粉进行磁性检测和X射线衍射(XRD)分析。结果表明,球磨后再退火处理的磁粉内禀矫顽力大幅提高:球磨时间越长,退火后的内禀矫顽力越高。退火后磁粉有α-Fe2O3出现,相同退火温度,... 锶铁氧体预烧料经高能球磨制成磁粉,对不同温度处理的系列磁粉进行磁性检测和X射线衍射(XRD)分析。结果表明,球磨后再退火处理的磁粉内禀矫顽力大幅提高:球磨时间越长,退火后的内禀矫顽力越高。退火后磁粉有α-Fe2O3出现,相同退火温度,研磨时间越长,Fe2O3相含量越多。磁粉平均粒度相同时,晶格畸变越小,磁粉内禀矫顽力越大;反之亦然。 展开更多
关键词 锶铁氧体预烧料 平均粒径 晶格畸变 内禀矫顽力
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ZnAl_2O_4∶Cr^(3+)晶体~4 A_2基态ZFS及其三角晶格畸变研究 被引量:5
18
作者 杨子元 邰持明 郑俊博 《波谱学杂志》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期325-330,共6页
用对角化哈密顿矩阵的方法,借助New man 晶场叠加模型,研究了ZnAl2O4∶Cr3 + 晶体的基态零场分裂(ZFS) 及其电子光谱,理论结果与实验一致.定量研究表明,掺杂晶体ZnAl2O4∶Cr3 + 中,络离子(C... 用对角化哈密顿矩阵的方法,借助New man 晶场叠加模型,研究了ZnAl2O4∶Cr3 + 晶体的基态零场分裂(ZFS) 及其电子光谱,理论结果与实验一致.定量研究表明,掺杂晶体ZnAl2O4∶Cr3 + 中,络离子(CrO6)9 - 局域结构应有压缩的三角畸变(Δθ= 3 .06°) .同时指出,自旋二重态对4 A2 基态ZFS参量b02 的贡献不可忽略,而对g 因子的贡献甚微. 展开更多
关键词 零场分裂 晶格畸变 电子光谱 ZnAl2O4:Cr 晶体
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掺磷氢化纳晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶格畸变的研究 被引量:2
19
作者 郜小勇 刘绪伟 +1 位作者 冯红亮 卢景霄 《郑州大学学报(理学版)》 CAS 北大核心 2010年第4期51-55,共5页
采用等离子增强化学气相沉积在玻璃衬底上制备了掺磷氢化纳晶硅薄膜,并利用X射线衍射谱(XRD)和拉曼散射谱研究了PH3浓度(GFR=[PH3]/[Si H4])对薄膜平均晶粒尺寸和晶格畸变的影响.结果显示磷弱掺杂有利于晶化,而重掺杂抑制晶化.随着GFR... 采用等离子增强化学气相沉积在玻璃衬底上制备了掺磷氢化纳晶硅薄膜,并利用X射线衍射谱(XRD)和拉曼散射谱研究了PH3浓度(GFR=[PH3]/[Si H4])对薄膜平均晶粒尺寸和晶格畸变的影响.结果显示磷弱掺杂有利于晶化,而重掺杂抑制晶化.随着GFR的增大,Si(111)方向上的平均晶粒尺寸呈现出先减小后增大的趋势,而对应的晶格畸变则呈现了相反的变化趋势,小的晶粒尺寸诱导了大的晶格畸变.该结果可归结于与平均晶粒尺寸相关的表面增强效应.在掺磷氢化纳晶硅薄膜的制备过程中,PH起了关键的有效掺杂作用. 展开更多
关键词 掺磷氢化纳晶硅薄膜 晶格畸变 平均晶粒尺寸 表面增强效应
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通过测量晶格畸变研究Si和Cu对Al-Si合金电导率的影响 被引量:2
20
作者 李斌 杨昭 +2 位作者 杨续跃 李绍康 许德英 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期4028-4033,共6页
通过电导率测量、金相观察、扫描电镜分析(SEM)和X线衍射分析(XRD),研究Si和Cu对Al-Si系合金晶格常数和电性能的影响规律。研究结果表明:随着Si和Cu质量分数的增大,Al基体晶格畸变程度增大,Al-Si合金电导率下降;Cu对Al-Si合金电导率的... 通过电导率测量、金相观察、扫描电镜分析(SEM)和X线衍射分析(XRD),研究Si和Cu对Al-Si系合金晶格常数和电性能的影响规律。研究结果表明:随着Si和Cu质量分数的增大,Al基体晶格畸变程度增大,Al-Si合金电导率下降;Cu对Al-Si合金电导率的影响比Si对合金电导率的影响显著;经过450℃×5 h+250℃×2 h热处理工艺,Al基体晶格畸变程度明显降低,Al-Si合金电导率明显提高,增幅最高可达32.36%;Si和Cu对Al-Si合金电导率的影响机制不同,Si质量分数的变化对Al基体晶格畸变程度影响较小,Si对Al-Si合金电导率的影响可依据复合材料电阻率计算公式推导,而Cu的影响可根据Al晶格常数偏离量来推导。 展开更多
关键词 晶格畸变 电导率 AL-SI合金
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