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基于自适应滤波的暗电流消除设计
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作者 宋佳钫 孙自闯 《激光杂志》 CAS 北大核心 2024年第8期38-45,共8页
暗电流作为光电探测器的固有噪声,是影响双光束分光光度计检测性能的重要因素。为消除此影响,提出自适应滤波双光束分光光度计。首先,设计实时暗电流检测系统,能在每个检测周期内捕获样品信号、参考信号和暗电流信号。其次,针对时域差... 暗电流作为光电探测器的固有噪声,是影响双光束分光光度计检测性能的重要因素。为消除此影响,提出自适应滤波双光束分光光度计。首先,设计实时暗电流检测系统,能在每个检测周期内捕获样品信号、参考信号和暗电流信号。其次,针对时域差异引起的暗电流消除问题,引入自适应级联滤波算法(Recursive Least Squares and Normalized Least Mean Squares,RLS-NLMS),算法采用三级级联滤波模型,一级局部均值(Local Mean,LM)降低暗电流与检测信号之间的相关性,二级低阶RLS滤波器用于检测信号滤波,三级高阶NLMS滤波器用于处理RLS输出信号。实验结果显示,自适应滤波双光束分光光度计的透射比相对误差仅为1.46%,较传统方法降低了66%,在暗电流消除方面表现出色,具有实际应用价值。 展开更多
关键词 暗电流 双光束分光光度计 光电探测器 分光系统 级联滤波
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具有快响应速度和低暗电流的垂直MSM型CsPbBr_(3)薄膜光电探测器
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作者 程学明 崔文宇 +3 位作者 祝鲁平 王霞 刘宗明 曹丙强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第20期277-285,共9页
卤化物钙钛矿具有优异的电学和光学性能,是光电子器件中理想的有源层候选材料,特别是在高性能光探测方面显示出更具竞争力的发展前景,其中全无机钙钛矿CsPbBr_(3)因其良好的环境稳定性而被广泛关注.本文报道了一种具有快响应速度和低暗... 卤化物钙钛矿具有优异的电学和光学性能,是光电子器件中理想的有源层候选材料,特别是在高性能光探测方面显示出更具竞争力的发展前景,其中全无机钙钛矿CsPbBr_(3)因其良好的环境稳定性而被广泛关注.本文报道了一种具有快响应速度和低暗电流的垂直MSM型CsPbBr_(3)薄膜光电探测器.由于采用垂直结构缩短了光生载流子的渡越距离,器件具有超快的响应速度63μs,比传统平面MSM型光电探测器提高了两个数量级.然后,通过在p型CsPbBr_(3)与Ag电极之间旋涂一层TiO_(2)薄膜,提升了界面光生载流子的分离效率,实现了钙钛矿薄膜与金属电极间的物理钝化,从而大大降低了器件的暗电流,在–1 V的偏压下暗电流只有–4.81×10^(-12) A.此外,该种垂直MSM型CsPbBr_(3)薄膜光电探测器还具有线性动态范围大(122 dB)、探测率高(1.16×10^(12) Jones)和光稳定性好等诸多优点.通过Sentaurus TCAD模拟发现,电荷传输层可以选择性的阻挡载流子传输,从而起到降低暗电流的作用,Sentaurus TCAD模拟结果与实验数据吻合,揭示了电荷传输层降低器件暗电流的内在物理机制. 展开更多
关键词 CsPbBr_(3) 光电探测器 垂直结构 暗电流 高响应速度
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pπBn型Ⅱ类超晶格暗电流特性研究
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作者 闫勇 王晓华 +1 位作者 周朋 刘铭 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期750-757,共8页
InAs/GaSbⅡ类超晶格(T2SL)红外探测器由于具有宽光谱探测能力、较好的材料均匀性、可以抑制载流子俄歇复合率和灵活的能带设计等优点,在长波红外探测领域具有很大的优势。但由于暗电流较大,其性能并未达到理论预测。pπBn结构是在超晶... InAs/GaSbⅡ类超晶格(T2SL)红外探测器由于具有宽光谱探测能力、较好的材料均匀性、可以抑制载流子俄歇复合率和灵活的能带设计等优点,在长波红外探测领域具有很大的优势。但由于暗电流较大,其性能并未达到理论预测。pπBn结构是在超晶格材料的吸收层和接触层之间增加单极势垒,以抑制G-R暗电流和隧穿暗电流。本文分别从理论上研究了吸收层、势垒层和接触层的超晶格能带结构。模拟了pπBn结构的InAs/GaSb T2SL,研究了其吸收层掺杂浓度、势垒层掺杂浓度和势垒厚度对器件暗电流的影响。通过优化吸收层掺杂浓度、势垒层厚度和掺杂浓度,得到暗电流密度为8.35×10^(-7)A/cm^(-2)的pπBn结构InAs/GaSb T2SL,与优化前的结构相比,暗电流降低了一个数量级。研究过程不仅为pπBn结构的InAs/GaSb T2SL器件的低暗电流设计提供了指导,而且为优化超晶格器件的暗电流提供了一种系统的方法。 展开更多
关键词 INAS/GASB 能带结构 暗电流密度
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低能电子轰击引起氧化铝钝化膜BCMOS传感器暗电流变化研究
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作者 闫磊 石峰 +7 位作者 程宏昌 焦岗成 杨晔 肖超 樊海波 郑舟 董海晨 何惠洋 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第3期342-346,共5页
针对低能电子(电子能量为300~1500 eV)轰击引起氧化铝钝化层BCMOS(Back-thinned Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,BCMOS)图像传感器暗电流增加问题,设计了电子轰击BCMOS图像传感器实验,经统计发现,对于厚度为10 nm的氧化铝钝化... 针对低能电子(电子能量为300~1500 eV)轰击引起氧化铝钝化层BCMOS(Back-thinned Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,BCMOS)图像传感器暗电流增加问题,设计了电子轰击BCMOS图像传感器实验,经统计发现,对于厚度为10 nm的氧化铝钝化层BCMOS图像传感器,轰击能量大于600 eV时暗电流增加速率明显;轰击电子能量不超过1.5 keV时,暗电流存在最大值,约为12000 e-/pixel/s;电子轰击后的BCMOS图像传感器在电子干燥柜中静置时,其暗电流呈指数趋势下降。通过分析指出入射电子引起氧化铝钝化层与硅界面处缺陷态增加,是引起上述现象的主要原因。 展开更多
关键词 暗电流 电子轰击 背减薄CMOS 氧化铝钝化层
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基于同步自适应匹配的模拟前端暗电流补偿方法研究
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作者 郭仲杰 郭优美 +4 位作者 李晨 苏昌勖 王杨乐 王彬 吴龙胜 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第3期451-457,共7页
为抑制像素阵列在曝光阶段的暗电流对图像传感器动态范围和输出图像质量的影响,基于同步自适应的暗电流跟踪机制,提出一种电路与系统级暗电流积分补偿方法。通过采样输出有效光电信号,在无源处理阶段同步进行暗电流消除。该方法不仅可... 为抑制像素阵列在曝光阶段的暗电流对图像传感器动态范围和输出图像质量的影响,基于同步自适应的暗电流跟踪机制,提出一种电路与系统级暗电流积分补偿方法。通过采样输出有效光电信号,在无源处理阶段同步进行暗电流消除。该方法不仅可以补偿不同区域暗电流对有效光电信号的影响,而且可解决传统暗电流消除方法对读出电路动态范围会造成衰减的问题。基于该方法,在55 nm CMOS工艺下设计了一种752×512阵列规模的CMOS图像传感器,实现了完整的电路设计、版图设计与后端物理验证。结果显示,采用集成暗电流补偿技术的采样放大电路对暗电流最小补偿精度可以达到12 bit,补偿范围最大可以达到500 mV,单列功耗仅有15.84μW,同时可实现1~4倍的增益,最小增益步进6.25%。实现了从模拟前端根除暗电流对CMOS图像传感器图像质量和动态范围的影响,为高端、高性能的CMOS图像传感器设计提供了一定的理论支撑。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 暗电流补偿 同步自适应 动态范围 可编程增益放大器
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硅基锗探测器低暗电流技术研究
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作者 刘恋 刘钟远 +2 位作者 郭安然 龙梅 柳益 《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》 2023年第7期44-47,共4页
本文针对波导型硅基锗探测器制造工艺中引入的锗表面损伤与铝穿刺对锗探测器暗电流的影响进行了研究。我们发现,锗表面损伤和铝穿刺会对探测器暗电流产生直接影响并导致其增加。为此,本文采用湿法腐蚀工艺去除锗表面损伤层,同时使用低... 本文针对波导型硅基锗探测器制造工艺中引入的锗表面损伤与铝穿刺对锗探测器暗电流的影响进行了研究。我们发现,锗表面损伤和铝穿刺会对探测器暗电流产生直接影响并导致其增加。为此,本文采用湿法腐蚀工艺去除锗表面损伤层,同时使用低温淀积钝化层、以及电极金属增加TIN阻挡层的工艺,有效降低了锗探测器的暗电流,同时保持了其良好的欧姆接触特性。 展开更多
关键词 暗电流 锗表面损伤 铝穿刺 波导型硅基锗探测器
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基于长尺度测量法的纯电动客车暗电流系统性分析与验证
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作者 陈国强 冯还红 林裕钟 《汽车技术》 CSCD 北大核心 2023年第9期49-54,共6页
为了准确评估纯电动客车的暗电流,避免车辆因蓄电池电量不足无法起动,选取2款纯电动客车,对其车载电气设备的供电模式及整车暗电流进行系统性分析,在总结常规暗电流测量方法的基础上提出长尺度测量法,采用电功率测试仪及测量模块设计检... 为了准确评估纯电动客车的暗电流,避免车辆因蓄电池电量不足无法起动,选取2款纯电动客车,对其车载电气设备的供电模式及整车暗电流进行系统性分析,在总结常规暗电流测量方法的基础上提出长尺度测量法,采用电功率测试仪及测量模块设计检测方案记录暗电流并完成实车测试。理论分析与试验数据对比结果表明:长尺度测量法能够准确评估纯电动客车暗电流并将其控制在合理范围内,进而计算车辆的停运时长。 展开更多
关键词 纯电动客车 暗电流 长尺度测量法 停运时长
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p型接触界面氧影响SiC APD暗电流的机制研究
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作者 杨成东 苏琳琳 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第1期45-49,62,共6页
SiC雪崩光电二极管(APD)作为一种微弱紫外光探测器件,高探测灵敏度对器件暗电流水平提出极高要求。在SiC APD复杂的制备过程中,器件暗电流是极其敏感的,为了探索工艺中暗电流的影响因素并分析其机制,对四种不同工艺条件下制备的SiC APD... SiC雪崩光电二极管(APD)作为一种微弱紫外光探测器件,高探测灵敏度对器件暗电流水平提出极高要求。在SiC APD复杂的制备过程中,器件暗电流是极其敏感的,为了探索工艺中暗电流的影响因素并分析其机制,对四种不同工艺条件下制备的SiC APD进行对照分析,通过电流-电压曲线展现器件的输出特性,并结合扫描电子显微镜(SEM)来研究相关界面的表面特性,从而揭示漏电机制。研究表明,器件制备过程中界面氧的引入在高温退火过程中会诱导金属-半导体界面缺陷的形成,从而导致暗电流的急剧增加,这种缺陷的诱导机制还和p型接触金属密切相关。在器件制备过程中,在氧等离子体去胶等可能引入氧氛围的工艺步骤后,对外延片进行氢氟酸腐蚀以去除氧氛围能够有效降低器件的暗电流。 展开更多
关键词 SIC 雪崩光电二极管 暗电流 界面氧
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CCD暗电流自动抑制的一种方法 被引量:2
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作者 陈剑武 张元涛 刘银年 《科学技术与工程》 北大核心 2015年第19期15-19,25,共6页
分析了背照式CCD的暗电流组成成份及其温度特性,以及暗电流对CCD随机噪声、固定图案噪声(fixed pattern noise,FPN)等性能的影响。提出了根据暗像元信号大小实时自动调整CCD驱动电路的偏压和时序以抑制和稳定暗电流的方法。实验结... 分析了背照式CCD的暗电流组成成份及其温度特性,以及暗电流对CCD随机噪声、固定图案噪声(fixed pattern noise,FPN)等性能的影响。提出了根据暗像元信号大小实时自动调整CCD驱动电路的偏压和时序以抑制和稳定暗电流的方法。实验结果表明,该方法在53℃时使暗电流和FPN降低了一个数量级,噪声减小了近50%;在25~53℃的温度范围内维持暗电流变化不超过400e-,CCD噪声变化不超过5e-,FPN的变化不超过150e-,在较高温度下CCD的图像质量得到明显改善。 展开更多
关键词 CCD 暗电流 自动抑制 暗电流噪声 固定图案噪声
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不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流研究 被引量:22
10
作者 叶振华 胡晓宁 +3 位作者 张海燕 廖清君 李言谨 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期86-90,共5页
对B+注入的n on p平面结和分子束外延 (MBE)技术原位铟掺杂的n+ n p台面异质结的碲镉汞 (HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分析 .与n on p平面结器件相比 ,原位掺杂的n+ n p台面异质结器件得到较高的零偏动态阻抗 面积值 (R0 A) ... 对B+注入的n on p平面结和分子束外延 (MBE)技术原位铟掺杂的n+ n p台面异质结的碲镉汞 (HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分析 .与n on p平面结器件相比 ,原位掺杂的n+ n p台面异质结器件得到较高的零偏动态阻抗 面积值 (R0 A) .通过与实验数据拟合 ,从理论上计算了这两种结构的器件在不同温度下的R0 A和在不同偏压下的暗电流 。 展开更多
关键词 光伏探测器 暗电流 碲镉汞材料 异质结 分子束外延技术 铟掺杂 红外探测器
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暗电流对短波红外偏振测量精度的影响 被引量:11
11
作者 胡亚东 胡巧云 +2 位作者 孙斌 王羿 洪津 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第8期2375-2381,共7页
探测器暗电流及其测量不确定度是影响短波红外偏振测量仪器测量精度的最重要因素。首先,结合红外探测器的工作原理,分析并建立了暗电流影响下的红外探测系统噪声模型。根据分析结果设计实验获得短波红外探测器G5853-21暗电流与温度和反... 探测器暗电流及其测量不确定度是影响短波红外偏振测量仪器测量精度的最重要因素。首先,结合红外探测器的工作原理,分析并建立了暗电流影响下的红外探测系统噪声模型。根据分析结果设计实验获得短波红外探测器G5853-21暗电流与温度和反向偏压关系。然后,以分孔径偏振探测系统为例,推导了斯托克斯参数误差模型和偏振度误差模型。最后,重点分析空间环境应用背景下,针对暗电流影响的改进措施,提出了探测器精确温控的暗电流影响改进方案,并给出了短波红外探测器工作温度指标要求。结果表明:通过对探测器进行精确的温度控制以降低暗电流数值,可以将包含暗电流测量不确定度和其他噪声引起的偏振度测量误差控制在0.42%(p=0.3时)以内。 展开更多
关键词 遥感 红外探测器 暗电流 偏振精度 误差分析
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InGaAs PIN光电探测器的暗电流特性研究 被引量:22
12
作者 郝国强 张永刚 +1 位作者 刘天东 李爱珍 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期341-344,379,共5页
 从理论上分析了In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同掺杂浓度及反向偏压下的暗电流特性,并与研制的器件的实测结果进行了比较和讨论。模拟结果表明:在低偏压下,器件中的产生复合电流起主要作用,偏压增大时,隧道电流起主要作用,且In0.53...  从理论上分析了In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同掺杂浓度及反向偏压下的暗电流特性,并与研制的器件的实测结果进行了比较和讨论。模拟结果表明:在低偏压下,器件中的产生复合电流起主要作用,偏压增大时,隧道电流起主要作用,且In0.53Ga0.47As光吸收层的载流子浓度对器件的暗电流有很大的影响,实测器件特性与模拟结果完全符合。文中还对器件结面积和电极尺寸等对暗电流的影响进行了比较和分析。 展开更多
关键词 光电探测器 暗电流 INGAAS 化合物半导体
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光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究 被引量:10
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作者 全知觉 李志锋 +2 位作者 胡伟达 叶振华 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期92-96,共5页
报道了一种适用于碲镉汞长波光伏探测器的由典型电阻电压(R-V)曲线提取器件基本特征参数的数据处理途径.拟合程序中采用的暗电流机制包括了扩散电流机制,产生复合电流机制,陷阱辅助隧穿机制以及带到带直接隧穿电流机制.本文详细地给出... 报道了一种适用于碲镉汞长波光伏探测器的由典型电阻电压(R-V)曲线提取器件基本特征参数的数据处理途径.拟合程序中采用的暗电流机制包括了扩散电流机制,产生复合电流机制,陷阱辅助隧穿机制以及带到带直接隧穿电流机制.本文详细地给出了该拟合计算所采用的方法和途径,分析了拟合参数的误差范围.通过对实际器件的R-V特性曲线的拟合计算,给出了实际器件的基本特征参数,验证了该数据处理途径的实用性. 展开更多
关键词 碲镉汞(MCT) 光伏探测器 暗电流 参数提取
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不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制 被引量:8
14
作者 孙涛 陈文桥 +3 位作者 梁晋穗 陈兴国 胡晓宁 李言谨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期143-147,共5页
在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层 (CdTe +ZnS)钝化的两种光伏探测器 ,对器件的性能进行了测试 ,发现双层钝化的器件具有较好的性能 .通过理论计算 ,分析了器件的暗电流机制 ,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流 .通过高分辨... 在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层 (CdTe +ZnS)钝化的两种光伏探测器 ,对器件的性能进行了测试 ,发现双层钝化的器件具有较好的性能 .通过理论计算 ,分析了器件的暗电流机制 ,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流 .通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响 ,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷 。 展开更多
关键词 HGCDTE 光伏探测器 钝化 倒易点阵 暗电流
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中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大的数值模拟 被引量:6
15
作者 王祖军 陈伟 +5 位作者 张勇 唐本奇 肖志刚 黄绍艳 刘敏波 刘以农 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期220-223,共4页
分析了中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大现象的机理,建立了Si PIN光电二极管的器件物理模型和中子辐照效应模型。运用MEDICI软件进行数值模拟计算,得出了1MeV中子在辐照注量为1010~1014cm-2时,Si PIN光电二极管暗电流变化的初... 分析了中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大现象的机理,建立了Si PIN光电二极管的器件物理模型和中子辐照效应模型。运用MEDICI软件进行数值模拟计算,得出了1MeV中子在辐照注量为1010~1014cm-2时,Si PIN光电二极管暗电流变化的初步规律。数值模拟结果与相关文献给出的实验结果吻合较好。 展开更多
关键词 PIN光电二极管 中子辐照 暗电流 数值模拟
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长波HgCdTe红外探测器的暗电流机理研究进展 被引量:8
16
作者 陈效双 许娇 +5 位作者 胡伟达 王俊 陈勇国 黄燕 周孝好 陆卫 《红外技术》 CSCD 北大核心 2015年第5期353-360,379,共9页
介绍了HgCdTe红外探测器的发展历程,详细分析了长波HgCdTe红外探测器的暗电流机制、采用同时拟合方法对暗电流参数进行提取与分析,介绍了为降低暗电流的一些新的研究进展。
关键词 长波HgCdTe红外探测器 暗电流 非线性同时拟合方法 混合表面钝化
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GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As QWIP暗电流特性HRTEM研究 被引量:5
17
作者 胡小英 刘卫国 +3 位作者 段存丽 蔡长龙 韩军 刘钧 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第9期3057-3060,共4页
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μm,外电极压焊点面积为80μm×80μm的单元样品两种。用变温液氮制冷系统对样品进行77~30... 采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μm,外电极压焊点面积为80μm×80μm的单元样品两种。用变温液氮制冷系统对样品进行77~300 K暗电流特性测试。结果显示,器件暗电流曲线呈现出正负偏压的不对称性。利用高分辨透射扫描电镜(HRTEM)获得样品纳米尺度横断面高分辨像,分析结果表明:样品横断面处存在不同程度的位错及不均匀性。说明样品内部穿透位错造成相位分离是引起量子阱光电性能变差的根本原因,不同生长次序中AlGaAs与GaAs界面的不对称性与掺杂元素的扩散现象加剧了暗电流曲线的不对称性。 展开更多
关键词 量子阱红外探测器 GAAS/ALGAAS 金属有机物化学气相沉积 暗电流 高分辨透射扫描电镜
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光电二极管暗电流温度特性的测量 被引量:8
18
作者 潘永惠 徐标 朱小松 《南京师大学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1999年第2期40-43,共4页
介绍了一种光电二极管暗电流温度特性的测量系统,该系统采用了热电致冷器件和高精度的微电流计,非常适合测量一些小型光电器件的温度特性.还对测量数据进行了分析。
关键词 光电二极管 暗电流 温度特性 测量
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低暗电流InGaAs-MSM光电探测器 被引量:3
19
作者 闫欣 汪韬 +4 位作者 尹飞 倪海桥 牛智川 辛丽伟 田进寿 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期83-87,共5页
MSM(金属-半导体-金属)型光电探测器的较低寄生电容和高带宽的特点使得其应用广泛,可用于空间通信、遥感等多方面,但暗电流偏大仍是制约其发展的重要因素.为此,本文研制了100×100μm2面积的InGaAs-MSM光电探测器,通过设计InAlGaAs/... MSM(金属-半导体-金属)型光电探测器的较低寄生电容和高带宽的特点使得其应用广泛,可用于空间通信、遥感等多方面,但暗电流偏大仍是制约其发展的重要因素.为此,本文研制了100×100μm2面积的InGaAs-MSM光电探测器,通过设计InAlGaAs/InGaAs短周期超晶格和InAlAs肖特基势垒增强结构,将器件暗电流密度降至0.6pA/μm2(5V偏置),改善了目前同类器件的信噪比.对器件光电参数进行了表征:3dB带宽6.8GHz,上升沿58.8ps,1550nm波段响应度0.55A/W,光吸收区域外量子效率88%.分析了短周期超晶格和肖特基势垒增强层对暗电流的抑制机理. 展开更多
关键词 半导体器件 光电探测器 MOCVD 暗电流 MSM INGAAS 超晶格 肖特基势垒
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新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器暗电流特性 被引量:3
20
作者 史衍丽 邓军 +6 位作者 杜金玉 廉鹏 高国 陈建新 沈光地 尹洁 吴兴惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期503-506,共4页
对基于 Ga As/ Al Ga As系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器 ,采用 Poisson方程和 Schrodinger方程 ,计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性 ,在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟 ,计算结... 对基于 Ga As/ Al Ga As系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器 ,采用 Poisson方程和 Schrodinger方程 ,计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性 ,在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟 ,计算结果与器件实测的暗电流特性吻合得很好 ,说明热离子发射、热辅助遂穿机制是形成器件暗电流的主要构成机制 ,增加垒高、降低阱中掺杂浓度及降低工作温度是抑制器件暗电流的主要途径 ,计算结果对进一步优化器件的设计将起到重要的理论指导作用 . 展开更多
关键词 GAAS/AIGAAS 量子阱红外探测器 暗电流特性分析 砷化镓
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