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杂化势对周期性安德森模型电子结构的影响
1
作者 邱明辉 《大连铁道学院学报》 2000年第1期5-9,共5页
采用格林函数退耦合方法．研究了杂化势对周期性安德森模型电子结构的影响． 结果表明，费米能处的态密度随杂化势的增强而有系统的变化，可由单峰结构劈裂成双峰 结构，并在费米能附近形赝隙或能隙．
关键词 格林函数 杂化势 周期性安德森模型 电子结构
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HSE方法研究Cd_(1-x)Zn_xTe合金的性质
2
作者 徐海涛 徐闰 +1 位作者 王林军 朱燕艳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期411-415,461,共6页
采用HSE杂化势计算了Cd1-xZnxTe合金的性质,并获得了较传统GGA更为准确的光学带隙和形成焓.在构建超胞计算合金体系时,采用SQS模型.计算分析得出Cd1-xZnxTe合金的光学带隙下凹参数为0.266 eV,这与已报道实验结果 0.254 eV非常吻合.同时... 采用HSE杂化势计算了Cd1-xZnxTe合金的性质,并获得了较传统GGA更为准确的光学带隙和形成焓.在构建超胞计算合金体系时,采用SQS模型.计算分析得出Cd1-xZnxTe合金的光学带隙下凹参数为0.266 eV,这与已报道实验结果 0.254 eV非常吻合.同时,计算得出的形成焓较高,特别是在Cd0.5Zn0.5Te合金组分时(25.60 meV/at-om).对合金中键长的分析后得出Cd-Te键和Zn-Te键的局域键长与CdTe和ZnTe体材料的值非常接近,但二者之间相差较大,从而导致合金材料中各个原子存在较大的弛豫,这也是该合金具有较大形成焓的主要原因. 展开更多
关键词 Cd1-xZnxTe合金 HSE杂化势 形成焓 光学带隙 第一性原理
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