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液相氟硅酸铵法制备高硅Y型分子筛中杂晶形成的研究
1
作者 罗一斌 萨学理 《石油学报（石油加工）》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期21-28,共8页
在用液相氟硅酸铵法制备高硅Y型分子筛的过程中,会有一些杂晶产生,这些杂晶对分子筛的热及水热稳定性有着不良的影响。通过对杂晶的类型、性质及其产生条件的研究,认为杂晶的产生条件与分子筛的Na^+及NH_4^+含量有关。不同的Na^+及NH_4^... 在用液相氟硅酸铵法制备高硅Y型分子筛的过程中,会有一些杂晶产生,这些杂晶对分子筛的热及水热稳定性有着不良的影响。通过对杂晶的类型、性质及其产生条件的研究,认为杂晶的产生条件与分子筛的Na^+及NH_4^+含量有关。不同的Na^+及NH_4^+含量会产生两种在晶相、晶型及化学组成上均不相同的杂晶。当NH_4NaY分子筛单位晶胞中Na^+离子数大于11(Na^+含量2.0w%),NH_4^+离子数小于43(NH_4^+含量6.0w%)时,产生富Na^+型杂晶1;当分子筛单位晶胞中Na^+离子数小于16(3.0w%)、NH_4^+离子数大于38(5.3w%)时,产生富NH_4^+型杂晶2。控制分子筛的Na^+及NH_4^+含量,将单位晶胞中Na^+及NH _4^+离子数分别降至11及38以下,即可避免在抽铝补硅过程中生成杂晶,从而使分子筛的热及水热稳定性得到改善。 展开更多
关键词 分子筛 液相氟硅酸铵 杂晶形成 分子筛催化剂
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非(001)晶面促进激光单晶熔凝过程中柱状晶外延生长
2
作者 王雷 何峰 +2 位作者 王志军 李俊杰 王锦程 《铸造技术》 CAS 2024年第3期288-292,共5页
当激光熔池内的柱状枝晶沿着熔池边界外延生长时,其方向并不严格平行于温度梯度,而是选择与基体一致的择优方向生长,因此基体取向可以影响柱状晶的外延生长行为。在使用激光金属成型/沉积技术修复昂贵的单晶部件时,需要考虑这一特性。... 当激光熔池内的柱状枝晶沿着熔池边界外延生长时,其方向并不严格平行于温度梯度,而是选择与基体一致的择优方向生长,因此基体取向可以影响柱状晶的外延生长行为。在使用激光金属成型/沉积技术修复昂贵的单晶部件时,需要考虑这一特性。现有研究已经实现了(001)晶面上的柱状晶完全外延生长进而获得完整单晶。然而由于叶片形状复杂,实际修复过程中可能会遇到的不同取向表面。论文对(001)和非(001)取向表面修复过程中的杂晶形成能力进行了比较研究,通过数值计算获得了控制微观组织的局部凝固变量,并将杂晶晶粒的体积分数作为量化单晶完整性指数。结果表明,与(001)晶面相比,多数非(001)晶面可以促进柱状晶的外延生长,进而获得更好的单晶完整性,实验结果也验证了这一结论。分析显示不同枝晶生长区域的边界是杂晶形成敏感区,两种晶面的差异在于边界数目及其位置。研究结果可以优化修复和制造应用中的沉积方向和激光加工窗口提供指导。 展开更多
关键词 单晶高温合金 激光修复 晶区分布 杂晶形成
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不同工艺条件对激光熔化多道沉积DD5单晶高温合金杂晶的影响 被引量：7
3
作者 刘小欣 程序 +1 位作者 王华明 李佳 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期142-148,共7页
研究了基材热处理态和激光扫描速率对多道沉积DD5单晶高温合金沉积道内的杂晶(SGs)形核位置及数量的影响,探讨了不同条件下杂晶的形成机理。结果表明,当激光扫描速由5mm/s增大到20mm/s时,沉积道顶部的柱状晶-等轴晶转变(CET)导致杂晶数... 研究了基材热处理态和激光扫描速率对多道沉积DD5单晶高温合金沉积道内的杂晶(SGs)形核位置及数量的影响,探讨了不同条件下杂晶的形成机理。结果表明,当激光扫描速由5mm/s增大到20mm/s时,沉积道顶部的柱状晶-等轴晶转变(CET)导致杂晶数目减少;采用固溶方式处理基材时,沉积道底部杂晶的尺寸和数量较铸态基材的明显减小;沉积道之间的相互搭接不会产生新的杂晶;当采用固溶态基材、激光扫描速率为20mm/s时,基本可以得到无杂晶的多沉积道搭接界面。 展开更多
关键词 激光技术 激光熔化沉积 单晶高温合金 杂晶形成 多道沉积 显微组织
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