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Si_4X(X=C,N,O,Si,P,S)原子簇结构的理论研究
被引量：
2
1
作者
孙仁安
张旭
阎杰
《Chinese Journal of Structural Chemistry》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004年第9期1083-1088,共6页
在密度泛函B3LYP/6-311G*水平上, 对具有C3v对称的Si4X (X = C, N, O, P, S)原子簇进行了几何构型优化计算, 并讨论它们的热力学稳定性、动力学活性、Mulliken布居、SiX键长、占据价轨道的对称性以及HOMO能级位置等周期递变规律。
关键词
杂硅原子簇
结构
成键性质
几何构型
密度泛函
半导体材料
下载PDF
职称材料
题名
Si_4X(X=C,N,O,Si,P,S)原子簇结构的理论研究
被引量：
2
1
作者
孙仁安
张旭
阎杰
机构
辽宁师范大学化学系
吉林大学理论化学计算国家重点实验室
出处
《Chinese Journal of Structural Chemistry》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004年第9期1083-1088,共6页
基金
吉林大学理论化学计算国家重点实验室
辽宁省教育委员会基金资助项目(990321076)
文摘
在密度泛函B3LYP/6-311G*水平上, 对具有C3v对称的Si4X (X = C, N, O, P, S)原子簇进行了几何构型优化计算, 并讨论它们的热力学稳定性、动力学活性、Mulliken布居、SiX键长、占据价轨道的对称性以及HOMO能级位置等周期递变规律。
关键词
杂硅原子簇
结构
成键性质
几何构型
密度泛函
半导体材料
Keywords
cluster
geometry
density functional theory
theoretical study
分类号
O613 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si_4X(X=C,N,O,Si,P,S)原子簇结构的理论研究
孙仁安
张旭
阎杰
《Chinese Journal of Structural Chemistry》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
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