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纳米Cu_3N薄膜的制备与性能 被引量：20
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作者 吴志国 张伟伟 +2 位作者 白利峰 王君 阎鹏勋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期1687-1692,共6页
采用柱状靶多弧直流磁控溅射法 ,10 0℃基底温度下在玻璃衬底上制备了纳米氮化铜 (Cu3N)薄膜 .用x射线衍射研究了不同氮气分压对Cu3N薄膜晶体结构及晶粒尺寸的影响 .结果显示薄膜由Cu3N和Cu的纳米微晶复合而成 ,其中Cu3N纳米微晶具有立... 采用柱状靶多弧直流磁控溅射法 ,10 0℃基底温度下在玻璃衬底上制备了纳米氮化铜 (Cu3N)薄膜 .用x射线衍射研究了不同氮气分压对Cu3N薄膜晶体结构及晶粒尺寸的影响 .结果显示薄膜由Cu3N和Cu的纳米微晶复合而成 ,其中Cu3N纳米微晶具有立方反ReO3结构 .通过原子力显微镜对薄膜表征显示 ,膜表面比较光滑 ,具有较低的粗糙度 .x射线光电子能谱对薄膜表面的成分分析表明 ,Cu3N薄膜表面铜元素同时以 +1价和 +2价存在 .Cu3N的Cu2p3 2 ,Cu2p1 2 及N1s峰分别位于 932 7,95 2 7和 399 9eV ,Cu2p原子自旋 轨道耦合裂分能量间距为 2 0eV .用台阶仪和四探针方法测量了薄膜的厚度及电阻率 ,薄膜的沉积速率和电阻率在很大程度上受到氮气分压的调制 . 展开更多
关键词 纳米Cu3N薄膜 柱状靶多弧直流磁控溅射法 X射线衍射 晶体结构 氮气分压
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