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酚醛-重氮萘醌正性抗蚀剂溶解抑制机理
被引量：
6
1
作者
高英新
包永忠
+1 位作者
黄志明
翁志学
《感光科学与光化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期33-43,共11页
本文综述了酚醛 重氮萘醌正性抗蚀剂的溶解抑制机理,主要包括(1)分子间氢键作用机理;(2)偶联反应机理;(3)两步即静态、动态溶解抑制机理;(4)表面沉积溶解抑制机理;(5)酚醛树脂的分子溶解及相关的抑制机理.
关键词
酚醛树脂
重氮萘醌
正性抗蚀剂
溶解抑制
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职称材料
重氮萘醌系正性抗蚀剂“增感”的进展
被引量：
3
2
作者
余尚先
顾江楠
+1 位作者
童晓
方慧聪
《感光科学与光化学》
CSCD
1998年第1期83-90,共8页
重氮萘醌系正性抗蚀剂“增感”的进展余尚先＊顾江楠童晓方慧聪（北京师范大学化学系，北京１００８７５）关键词重氮萘醌，正性抗蚀剂，多酚化合物，高感度，Ｍ／Ａ值控制规律近年来有关重氮萘醌系正性抗蚀剂提高感度的研究文献综述均...
重氮萘醌系正性抗蚀剂“增感”的进展余尚先＊顾江楠童晓方慧聪（北京师范大学化学系，北京１００８７５）关键词重氮萘醌，正性抗蚀剂，多酚化合物，高感度，Ｍ／Ａ值控制规律近年来有关重氮萘醌系正性抗蚀剂提高感度的研究文献综述均对应用较为成功的多酚化合物作了较为...
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关键词
重氮萘醌
正性抗蚀剂
高感度
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职称材料
电子束曝光UV3正性抗蚀剂的工艺研究
3
作者
殷华湘
王云翔
+1 位作者
刘明
徐秋霞
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期485-489,共5页
为了在体硅CMOSFinFET中用等离子体腐蚀精细凹槽图形,研究了将电子束直写曝光用于原为深紫外光学曝光的UV3正性抗蚀剂的工艺技术;详细分析了包括膜厚、曝光能量、曝光剂量、显影时间、设计尺寸和衬底材料等在内的各类工艺参数与实际...
为了在体硅CMOSFinFET中用等离子体腐蚀精细凹槽图形,研究了将电子束直写曝光用于原为深紫外光学曝光的UV3正性抗蚀剂的工艺技术;详细分析了包括膜厚、曝光能量、曝光剂量、显影时间、设计尺寸和衬底材料等在内的各类工艺参数与实际曝光图形效果的关系;特别指出了曝光过程中特有的延迟效应及解决办法。采用最终的优化工艺条件,得到了合适的图形效果。
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关键词
电子束曝光
凹槽图形
UV3
正性抗蚀剂
曝光延迟效应
光刻
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职称材料
文献与摘要(101)
4
《印制电路信息》
2010年第1期70-71,共2页
光刻法的化学机理 Photolithography Chemistry Basics 光致成像技术在上世纪七八十年代就在PCB制造中应用了，并有书籍介绍，为了图形线路更精细化，需要熟知其化学机理。文章叙述了光成像抗蚀剂的结构，负性抗蚀剂和正性抗蚀剂的光...
光刻法的化学机理 Photolithography Chemistry Basics 光致成像技术在上世纪七八十年代就在PCB制造中应用了，并有书籍介绍，为了图形线路更精细化，需要熟知其化学机理。文章叙述了光成像抗蚀剂的结构，负性抗蚀剂和正性抗蚀剂的光反应所引起的分子结构变化与作用。
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关键词
正性抗蚀剂
摘要
文献
化学机理
结构变化
负
性
抗
蚀
剂
成像技术
书籍介绍
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职称材料
连苯三酚缩二乙烯基苯树脂活性醚化物的合成与成像应用
5
作者
沙栩正
庞玉莲
邹应全
《高分子学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期1448-1458,共11页
通过乙烯基乙醚和连苯三酚缩二乙烯基苯树脂(PDVB resin)的羟基加成,合成了具有缩醛结构的活性醚化物,并对该活性醚化物的合成条件进行优化.这种具有缩醛结构的活性醚化物具有常温酸解和热解性能,作为阻溶促溶剂可用于常温化学增幅阳图...
通过乙烯基乙醚和连苯三酚缩二乙烯基苯树脂(PDVB resin)的羟基加成,合成了具有缩醛结构的活性醚化物,并对该活性醚化物的合成条件进行优化.这种具有缩醛结构的活性醚化物具有常温酸解和热解性能,作为阻溶促溶剂可用于常温化学增幅阳图感光成像和阳图热敏成像中.用于阳图热敏CTP感热成像配方中,使得版材具有高感度、高抗碱性、高稳定性;用于阳图CTcP感光成像配方中,使得该版材的综合成像性能优良;用于正性光致抗蚀剂成像配方中,使得该正性光致抗蚀剂具有高感度和高分辨率。
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关键词
活
性
醚化物
阻溶促溶
剂
阳图热敏CTP版
阳图CTcP版
正性抗蚀剂
原文传递
题名
酚醛-重氮萘醌正性抗蚀剂溶解抑制机理
被引量：
6
1
作者
高英新
包永忠
黄志明
翁志学
机构
浙江大学高分子工程研究所
出处
《感光科学与光化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期33-43,共11页
文摘
本文综述了酚醛 重氮萘醌正性抗蚀剂的溶解抑制机理,主要包括(1)分子间氢键作用机理;(2)偶联反应机理;(3)两步即静态、动态溶解抑制机理;(4)表面沉积溶解抑制机理;(5)酚醛树脂的分子溶解及相关的抑制机理.
关键词
酚醛树脂
重氮萘醌
正性抗蚀剂
溶解抑制
Keywords
novolak
diazonaphthoquinone
positive photoresist
dissolution inhibition
分类号
TS804 [轻工技术与工程]
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职称材料
题名
重氮萘醌系正性抗蚀剂“增感”的进展
被引量：
3
2
作者
余尚先
顾江楠
童晓
方慧聪
机构
北京师范大学化学系
出处
《感光科学与光化学》
CSCD
1998年第1期83-90,共8页
文摘
重氮萘醌系正性抗蚀剂“增感”的进展余尚先＊顾江楠童晓方慧聪（北京师范大学化学系，北京１００８７５）关键词重氮萘醌，正性抗蚀剂，多酚化合物，高感度，Ｍ／Ａ值控制规律近年来有关重氮萘醌系正性抗蚀剂提高感度的研究文献综述均对应用较为成功的多酚化合物作了较为...
关键词
重氮萘醌
正性抗蚀剂
高感度
分类号
TQ572.499 [化学工程—精细化工]
TQ571.2 [化学工程—精细化工]
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职称材料
题名
电子束曝光UV3正性抗蚀剂的工艺研究
3
作者
殷华湘
王云翔
刘明
徐秋霞
机构
中国科学院微电子中心
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期485-489,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60176010)
文摘
为了在体硅CMOSFinFET中用等离子体腐蚀精细凹槽图形,研究了将电子束直写曝光用于原为深紫外光学曝光的UV3正性抗蚀剂的工艺技术;详细分析了包括膜厚、曝光能量、曝光剂量、显影时间、设计尺寸和衬底材料等在内的各类工艺参数与实际曝光图形效果的关系;特别指出了曝光过程中特有的延迟效应及解决办法。采用最终的优化工艺条件,得到了合适的图形效果。
关键词
电子束曝光
凹槽图形
UV3
正性抗蚀剂
曝光延迟效应
光刻
Keywords
Semiconductor process
Lithography
Electron-beam direct writing
Positive resist
Exposure delay effect
Groove pattern
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
文献与摘要(101)
4
机构
上海美维科技有限公司
出处
《印制电路信息》
2010年第1期70-71,共2页
文摘
光刻法的化学机理 Photolithography Chemistry Basics 光致成像技术在上世纪七八十年代就在PCB制造中应用了，并有书籍介绍，为了图形线路更精细化，需要熟知其化学机理。文章叙述了光成像抗蚀剂的结构，负性抗蚀剂和正性抗蚀剂的光反应所引起的分子结构变化与作用。
关键词
正性抗蚀剂
摘要
文献
化学机理
结构变化
负
性
抗
蚀
剂
成像技术
书籍介绍
分类号
TQ572.499 [化学工程—精细化工]
G256 [文化科学—图书馆学]
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职称材料
题名
连苯三酚缩二乙烯基苯树脂活性醚化物的合成与成像应用
5
作者
沙栩正
庞玉莲
邹应全
机构
北京师范大学化学学院
出处
《高分子学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期1448-1458,共11页
文摘
通过乙烯基乙醚和连苯三酚缩二乙烯基苯树脂(PDVB resin)的羟基加成,合成了具有缩醛结构的活性醚化物,并对该活性醚化物的合成条件进行优化.这种具有缩醛结构的活性醚化物具有常温酸解和热解性能,作为阻溶促溶剂可用于常温化学增幅阳图感光成像和阳图热敏成像中.用于阳图热敏CTP感热成像配方中,使得版材具有高感度、高抗碱性、高稳定性;用于阳图CTcP感光成像配方中,使得该版材的综合成像性能优良;用于正性光致抗蚀剂成像配方中,使得该正性光致抗蚀剂具有高感度和高分辨率。
关键词
活
性
醚化物
阻溶促溶
剂
阳图热敏CTP版
阳图CTcP版
正性抗蚀剂
Keywords
Active ether compounds
Inhibitational/accelerational reagents
Positive thermal CTP plates
Positive CTcP plates
Positive photoresist
分类号
TS804 [轻工技术与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
酚醛-重氮萘醌正性抗蚀剂溶解抑制机理
高英新
包永忠
黄志明
翁志学
《感光科学与光化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
6
下载PDF
职称材料
2
重氮萘醌系正性抗蚀剂“增感”的进展
余尚先
顾江楠
童晓
方慧聪
《感光科学与光化学》
CSCD
1998
3
下载PDF
职称材料
3
电子束曝光UV3正性抗蚀剂的工艺研究
殷华湘
王云翔
刘明
徐秋霞
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
下载PDF
职称材料
4
文献与摘要(101)
《印制电路信息》
2010
0
下载PDF
职称材料
5
连苯三酚缩二乙烯基苯树脂活性醚化物的合成与成像应用
沙栩正
庞玉莲
邹应全
《高分子学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
原文传递
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