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氧化物稀磁半导体的研究进展
被引量：
11
1
作者
许小红
李小丽
+4 位作者
齐世飞
江凤仙
全志勇
范九萍
马荣荣
《物理学进展》
CSCD
北大核心
2012年第4期199-232,共34页
稀磁半导体是一种能同时利用电子的电荷和自旋属性,并兼具铁磁性能和半导体性能的自旋电子学材料。本文主要介绍ZnO、In2O3等氧化物稀磁半导体的研究进展,一是从实验角度介绍其制备、结构、磁性、电输运性质等特性;二是从理论角度对其...
稀磁半导体是一种能同时利用电子的电荷和自旋属性,并兼具铁磁性能和半导体性能的自旋电子学材料。本文主要介绍ZnO、In2O3等氧化物稀磁半导体的研究进展,一是从实验角度介绍其制备、结构、磁性、电输运性质等特性;二是从理论角度对其磁交换能、电子结构、居里温度和磁性产生的机制进行阐述;三是在稀磁半导体的基础上进一步延伸,介绍其相关的异质结构的磁电阻效应,并在文章的最后对氧化物稀磁半导体的研究进行总结和展望。
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关键词
氧化物稀磁半导体
自旋注入
异质结构
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职称材料
氧化物稀磁半导体材料的理论与实验研究进展
被引量：
1
2
作者
张亚萍
潘礼庆
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第17期1-8,共8页
以氧化物宽禁带半导体为基体,通过掺杂磁性元素,可将非磁性半导体转变成铁磁性半导体,利用这些铁磁性半导体,能将新型的自旋电子器件集成到传统的微电子器件上,构成功能丰富的新型器件。由于稀磁半导体材料在自旋电子学中的重要作用,近...
以氧化物宽禁带半导体为基体,通过掺杂磁性元素,可将非磁性半导体转变成铁磁性半导体,利用这些铁磁性半导体,能将新型的自旋电子器件集成到传统的微电子器件上,构成功能丰富的新型器件。由于稀磁半导体材料在自旋电子学中的重要作用,近年来受到广泛的关注。简要总结了有关氧化物稀磁半导体研究的发展状况;分析了制备条件对其磁性的可能影响;重点介绍了该系统中有关磁性起源的理论模型,包括双交换机制、磁极化子模型、RKKY模型等;比较了2种磁极化子理论模型,并对这些模型的适用范围进行了分析讨论。另外,还介绍了该体系微结构和磁结构的一些检测方法以及与磁性相关的输运性质、反常霍尔效应等。
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关键词
氧化物稀磁半导体
双交换机制
磁
极化子模型
RKKY
输运性质
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职称材料
氧化物稀磁半导体的本征铁磁性及其应用
被引量：
2
3
作者
全志勇
齐世飞
+3 位作者
范九萍
江凤仙
李小丽
许小红
《中国科学基金》
CSSCI
CSCD
北大核心
2015年第4期285-288,共4页
电子具有电荷和自旋两个重要属性，传统的半导体器件仅利用了电子的电荷属性，稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷和自旋属性，成为未来半导体自旋电子器件的关键材料之一。人们期望通过对稀磁半导体材料的研究获得具有非易失、多功...
电子具有电荷和自旋两个重要属性，传统的半导体器件仅利用了电子的电荷属性，稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷和自旋属性，成为未来半导体自旋电子器件的关键材料之一。人们期望通过对稀磁半导体材料的研究获得具有非易失、多功能、超高速和低功耗等特性的半导体自旋器件，这对材料和信息技术领域都将是一场质的革命。
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关键词
氧化物稀磁半导体
非补偿p-n共掺
自旋注入
磁
电阻效应
原文传递
ZnO基稀磁半导体紫外探测器的研究
4
作者
于敏丽
杨翠平
+1 位作者
黄炳义
陈延平
《邢台职业技术学院学报》
2011年第5期57-58,共2页
提出了一种ZnO基稀磁半导体ZnCoMnO紫外探测器的设计方案,应用MSM结构光电探测器相对光谱响应的理论公式,分析了器件的性能,对于新型紫外探测器的研制提供一种可能的参考。
关键词
ZNO
氧化物稀磁半导体
自旋电子器件
紫外探测器
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职称材料
Co掺杂对CeO_2显微结构及磁性能的影响
被引量：
4
5
作者
杨许文
宋远强
+1 位作者
张怀武
苏桦
《磁性材料及器件》
CSCD
北大核心
2009年第5期21-25,29,共6页
近年来宽禁带稀磁性氧化物半导体由于其高的居里温度在自旋电子学领域受到广泛的关注。用固相反应法制备Co掺杂的CeO2稀磁性氧化物半导体,研究了Co掺杂对其显微形貌及磁性能的影响。结果表明,1300℃烧结的样品结晶形态明显,晶粒较大,结...
近年来宽禁带稀磁性氧化物半导体由于其高的居里温度在自旋电子学领域受到广泛的关注。用固相反应法制备Co掺杂的CeO2稀磁性氧化物半导体,研究了Co掺杂对其显微形貌及磁性能的影响。结果表明,1300℃烧结的样品结晶形态明显,晶粒较大,结构致密,密度最高;掺杂Co的CeO2样品都具有很好的室温铁磁性,且饱和磁化强度Ms随Co浓度的增加先增大后减小;1300℃烧结、掺3at%Co的Ce0.97Co0.03O2具有最强的室温铁磁性(0.23μB/Co)。
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关键词
稀
磁
氧化物
半导体
Co掺杂CeO2
微结构
磁
性能
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职称材料
题名
氧化物稀磁半导体的研究进展
被引量：
11
1
作者
许小红
李小丽
齐世飞
江凤仙
全志勇
范九萍
马荣荣
机构
山西师范大学化学与材料科学学院
出处
《物理学进展》
CSCD
北大核心
2012年第4期199-232,共34页
基金
国家自然科学基金项目(51025101
51101095
+5 种基金
11104173)
教育部博士点基金项目(20101404120002)
山西省各类基金项目(2011021021-1
2011021021-2
晋教科函[2010]20号
晋留管办发[2010]14号)的共同支持
文摘
稀磁半导体是一种能同时利用电子的电荷和自旋属性,并兼具铁磁性能和半导体性能的自旋电子学材料。本文主要介绍ZnO、In2O3等氧化物稀磁半导体的研究进展,一是从实验角度介绍其制备、结构、磁性、电输运性质等特性;二是从理论角度对其磁交换能、电子结构、居里温度和磁性产生的机制进行阐述;三是在稀磁半导体的基础上进一步延伸,介绍其相关的异质结构的磁电阻效应,并在文章的最后对氧化物稀磁半导体的研究进行总结和展望。
关键词
氧化物稀磁半导体
自旋注入
异质结构
Keywords
oxide-based diluted magnetic semiconductors
spin injection
heterogeneous struc-ture
分类号
O472.5 [理学—半导体物理]
O472.4 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
氧化物稀磁半导体材料的理论与实验研究进展
被引量：
1
2
作者
张亚萍
潘礼庆
机构
北京科技大学物理系
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第17期1-8,共8页
基金
国家自然科学基金项目(50472092
50672008)
教育部博士点专项基金项目(20050008028)
文摘
以氧化物宽禁带半导体为基体,通过掺杂磁性元素,可将非磁性半导体转变成铁磁性半导体,利用这些铁磁性半导体,能将新型的自旋电子器件集成到传统的微电子器件上,构成功能丰富的新型器件。由于稀磁半导体材料在自旋电子学中的重要作用,近年来受到广泛的关注。简要总结了有关氧化物稀磁半导体研究的发展状况;分析了制备条件对其磁性的可能影响;重点介绍了该系统中有关磁性起源的理论模型,包括双交换机制、磁极化子模型、RKKY模型等;比较了2种磁极化子理论模型,并对这些模型的适用范围进行了分析讨论。另外,还介绍了该体系微结构和磁结构的一些检测方法以及与磁性相关的输运性质、反常霍尔效应等。
关键词
氧化物稀磁半导体
双交换机制
磁
极化子模型
RKKY
输运性质
Keywords
oxide diluted magnetic semiconductors, double exchange, bound magnetic polaron, RKKY, transport property
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
氧化物稀磁半导体的本征铁磁性及其应用
被引量：
2
3
作者
全志勇
齐世飞
范九萍
江凤仙
李小丽
许小红
机构
山西师范大学化学与材料科学学院磁性分子与磁信息材料教育部重点实验室
出处
《中国科学基金》
CSSCI
CSCD
北大核心
2015年第4期285-288,共4页
基金
国家杰出青年科学基金项目(51025101)资助
文摘
电子具有电荷和自旋两个重要属性，传统的半导体器件仅利用了电子的电荷属性，稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷和自旋属性，成为未来半导体自旋电子器件的关键材料之一。人们期望通过对稀磁半导体材料的研究获得具有非易失、多功能、超高速和低功耗等特性的半导体自旋器件，这对材料和信息技术领域都将是一场质的革命。
关键词
氧化物稀磁半导体
非补偿p-n共掺
自旋注入
磁
电阻效应
Keywords
oxide-based diluted magnetic semiconductors
non-compensated p-n codoping
spin injection
magnetoresistance effect
分类号
O471 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
ZnO基稀磁半导体紫外探测器的研究
4
作者
于敏丽
杨翠平
黄炳义
陈延平
机构
邢台职业技术学院
邢台现代职业技术学院
出处
《邢台职业技术学院学报》
2011年第5期57-58,共2页
文摘
提出了一种ZnO基稀磁半导体ZnCoMnO紫外探测器的设计方案,应用MSM结构光电探测器相对光谱响应的理论公式,分析了器件的性能,对于新型紫外探测器的研制提供一种可能的参考。
关键词
ZNO
氧化物稀磁半导体
自旋电子器件
紫外探测器
Keywords
ZnO
oxide-diluted magnetic semiconductor
spin electric devices
UV detector
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
Co掺杂对CeO_2显微结构及磁性能的影响
被引量：
4
5
作者
杨许文
宋远强
张怀武
苏桦
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《磁性材料及器件》
CSCD
北大核心
2009年第5期21-25,29,共6页
文摘
近年来宽禁带稀磁性氧化物半导体由于其高的居里温度在自旋电子学领域受到广泛的关注。用固相反应法制备Co掺杂的CeO2稀磁性氧化物半导体,研究了Co掺杂对其显微形貌及磁性能的影响。结果表明,1300℃烧结的样品结晶形态明显,晶粒较大,结构致密,密度最高;掺杂Co的CeO2样品都具有很好的室温铁磁性,且饱和磁化强度Ms随Co浓度的增加先增大后减小;1300℃烧结、掺3at%Co的Ce0.97Co0.03O2具有最强的室温铁磁性(0.23μB/Co)。
关键词
稀
磁
氧化物
半导体
Co掺杂CeO2
微结构
磁
性能
Keywords
diluted magnetic oxide semiconductor
Co-doped CeO2
microstructure
magnetic property
分类号
TN304.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧化物稀磁半导体的研究进展
许小红
李小丽
齐世飞
江凤仙
全志勇
范九萍
马荣荣
《物理学进展》
CSCD
北大核心
2012
11
下载PDF
职称材料
2
氧化物稀磁半导体材料的理论与实验研究进展
张亚萍
潘礼庆
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
下载PDF
职称材料
3
氧化物稀磁半导体的本征铁磁性及其应用
全志勇
齐世飞
范九萍
江凤仙
李小丽
许小红
《中国科学基金》
CSSCI
CSCD
北大核心
2015
2
原文传递
4
ZnO基稀磁半导体紫外探测器的研究
于敏丽
杨翠平
黄炳义
陈延平
《邢台职业技术学院学报》
2011
0
下载PDF
职称材料
5
Co掺杂对CeO_2显微结构及磁性能的影响
杨许文
宋远强
张怀武
苏桦
《磁性材料及器件》
CSCD
北大核心
2009
4
下载PDF
职称材料
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