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溶胶-凝胶法制备纳米二氧化硅溶胶和多孔二氧化硅薄膜 被引量：37
1
作者 殷明志 姚熹 +2 位作者 吴小清 汪敏强 张良莹 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期766-770,共5页
稀Na2SiO3溶液经过阳离子交换树脂除去Na+离子后,经碱化浓缩制成质量分数约为25％-30％的二氧化硅溶胶,添加化学添加剂丙三醇后加入乙酸乙脂,搅拌水解使溶胶的pH值适当降低,聚乙烯醇能使二氧化硅溶胶具有网状结构,易于成膜。薄膜在750-... 稀Na2SiO3溶液经过阳离子交换树脂除去Na+离子后,经碱化浓缩制成质量分数约为25％-30％的二氧化硅溶胶,添加化学添加剂丙三醇后加入乙酸乙脂,搅拌水解使溶胶的pH值适当降低,聚乙烯醇能使二氧化硅溶胶具有网状结构,易于成膜。薄膜在750-850℃下热处理后孔径分布在100-300 nm之间。二氧化硅薄膜在热处理过程中的微结构衍化过程可通过调节二氧化硅溶胶的pH值、添加化学添加剂和热处理温度加以控制。讨论了纳米二氧化硅胶粒溶胶的形成和形成的二氧化硅溶胶先体的成膜化学机理,并对制备的多孔二氧化硅薄膜的微结构,形貌变化和相关的物理性能进行了表征。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 制备 纳米二氧化硅溶胶 多孔二氧化硅薄膜
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酸催化正硅酸乙脂溶胶-凝胶二氧化硅薄膜的制备 被引量：17
2
作者 殷明志 姚熹 +1 位作者 李振荣 张良莹 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期847-850,880,共5页
针对正硅酸乙脂 (TEOS)溶胶 -凝胶工艺制备的二氧化硅凝胶薄膜在热处理过程中出现的龟裂现象 ,通过控制TEOS水解条件 ,使反应体的最初水解中间体以任意三维方向线状聚合 ,再水解时能形成线状 -粒状结构二氧化硅溶胶 .水解体系中引入的... 针对正硅酸乙脂 (TEOS)溶胶 -凝胶工艺制备的二氧化硅凝胶薄膜在热处理过程中出现的龟裂现象 ,通过控制TEOS水解条件 ,使反应体的最初水解中间体以任意三维方向线状聚合 ,再水解时能形成线状 -粒状结构二氧化硅溶胶 .水解体系中引入的有机添加剂丙三醇与水解中间体结合后 ,改变了二氧化硅的聚集状态 ,而聚乙烯醇使二氧化硅溶胶具有无机 -有机网状结构 .通过该工艺制备的二氧化硅溶胶易于成膜 ;所形成的二氧化硅薄膜结构均匀 ,厚度可控 ,表面致密 ,其折射率为 1 5 43～ 1 5 80 ,热导率为 0 3W / (m·K) . 展开更多
关键词 酸催化 制备 正硅酸乙脂 溶胶-凝胶工艺 二氧化硅薄膜 纳米多孔薄膜 薄膜结构
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聚乙二醇对纳米多孔二氧化硅薄膜性能的影响 被引量：17
3
作者 王娟 张长瑞 冯坚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期435-441,共7页
以聚乙二醇(PEG)为添加剂,正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,采用溶胶-凝胶法、结合 旋转涂胶和超临界干燥等工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.利用FTIR、TG-DTA、 AFM和椭偏仪研究了该SiO2薄膜的性能.与未加.PEG的SiO2薄膜相比,加入PEG得到... 以聚乙二醇(PEG)为添加剂,正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,采用溶胶-凝胶法、结合 旋转涂胶和超临界干燥等工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.利用FTIR、TG-DTA、 AFM和椭偏仪研究了该SiO2薄膜的性能.与未加.PEG的SiO2薄膜相比,加入PEG得到 的SiO2薄膜表面粗糙度增大,但孔隙率较高,介电常数可降至2.0以下.PEG参与并修饰了 TEOS的溶胶-凝胶过程.加入PEG制备的SiO2薄膜因含有Si-OH基团而呈亲水性,该薄 膜经三甲基氯硅烷(TMCS)修饰后为疏水性. 展开更多
关键词 纳米多孔二氧化硅薄膜 溶胶-凝胶 聚乙二醇 低介电常数
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掺铒富硅氧化硅薄膜的光致发光 被引量：4
4
作者 雷红兵 杨沁清 +3 位作者 朱家廉 王红杰 高俊华 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期67-71,共5页
本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性．富硅氧化硅薄膜（氧含量为６０％）采用ＰＥＣＶＤ方法生长，室温下离子注入铒，经过８００℃，５ｍｉｎ的退火，在１０～３００Ｋ温度下得到较强的波长１．５４μｍ光致发光．发光强度随温... 本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性．富硅氧化硅薄膜（氧含量为６０％）采用ＰＥＣＶＤ方法生长，室温下离子注入铒，经过８００℃，５ｍｉｎ的退火，在１０～３００Ｋ温度下得到较强的波长１．５４μｍ光致发光．发光强度随温度升高而下降，其温度猝灭激活能为１４．３ｍｅＶ．发光谱表明富硅氧化硅中Ｅｒ－Ｏ发光中心仍具有Ｔｄ对称性． 展开更多
关键词 光致发光 富硅氧化硅薄膜 掺杂 铒 氧化硅薄膜
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纳米压痕和划痕法测定氧化硅薄膜材料的力学特性 被引量：17
5
作者 张海霞 张泰华 郇勇 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期245-248,共4页
为了研究不同制备工艺对材料力学性能的影响 ,选择了热氧化、LPCVD和PECVD三种典型工艺 ,在硅片上制备 1μm氧化硅薄膜。通过纳米压痕和划痕检测可知 ,热氧化工艺制备的SiO2薄膜的硬度和模量最大 ,LPCVD制备的样品界面结合强度高于PECV... 为了研究不同制备工艺对材料力学性能的影响 ,选择了热氧化、LPCVD和PECVD三种典型工艺 ,在硅片上制备 1μm氧化硅薄膜。通过纳米压痕和划痕检测可知 ,热氧化工艺制备的SiO2薄膜的硬度和模量最大 ,LPCVD制备的样品界面结合强度高于PECVD。纳米压痕和划痕技术为此提供了丰富的近表面弹塑性变形和断裂等的信息 。 展开更多
关键词 纳米压痕 划痕法 氧化硅薄膜材料 力学特性 热氧化 MEMS材料
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自组装法制备的亚波长纳米多孔二氧化硅薄膜 被引量：7
6
作者 叶鑫 倪锐芳 +2 位作者 黄进 蒋晓东 郑万国 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1233-1239,共7页
通过自组装技术在玻璃基底上制备了二氧化硅薄膜的亚波长多孔结构,这种类似于多晶的胶体晶体结构其特征尺寸约为90nm,通过不同的提拉速度可以实现可见到红外不同波段的增透。系统研究了胶体乳液浓度、基片提拉速度对亚波长多孔薄膜透射... 通过自组装技术在玻璃基底上制备了二氧化硅薄膜的亚波长多孔结构,这种类似于多晶的胶体晶体结构其特征尺寸约为90nm,通过不同的提拉速度可以实现可见到红外不同波段的增透。系统研究了胶体乳液浓度、基片提拉速度对亚波长多孔薄膜透射谱的影响,探索了在不同波段实现高效率增透的最佳制备条件。通过等效介质理论(EMT)分析了这种亚波长多孔薄膜的光学特性,结果表明控制亚波长多孔结构的占空比可以改变等效膜层的折射率实现高效率增透。通过扫描电镜(SEM)表征了多孔膜的表面形貌,并通过图像处理的方式得到二氧化硅纳米粒子的占空比因子。实验结果表明:在一定范围内,提拉速度不同,对应的等效膜层的折射率会不同,膜层的透射率也不同。组装这种亚波长多孔纳米微结构最高增透率达到99.8%,且具有一定的宽带增透效果,通过控制膜层的厚度可以实现从可见光到红外波段的有效调谐,其在1 064nm处的损伤阈值为21.74J/cm2。 展开更多
关键词 二氧化硅薄膜 增透膜 等效介质理论 亚波长多孔结构 损伤阈值 自组装法
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纳米多孔二氧化硅薄膜的制备与表征 被引量：8
7
作者 王娟 冯坚 +1 位作者 杨大祥 张长瑞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期54-56,共3页
以正硅酸乙酯为原料,采用酸/碱两步溶胶-凝胶法、结合匀胶和超临界干燥等工艺在硅片上成功制备了纳米多孔二氧化硅薄膜.适合匀胶的二氧化硅溶胶的粘度范围为9～15mPa·s;多孔二氧化硅薄膜表面均匀平整,其厚度为400～1000nm;折射率为... 以正硅酸乙酯为原料,采用酸/碱两步溶胶-凝胶法、结合匀胶和超临界干燥等工艺在硅片上成功制备了纳米多孔二氧化硅薄膜.适合匀胶的二氧化硅溶胶的粘度范围为9～15mPa·s;多孔二氧化硅薄膜表面均匀平整,其厚度为400～1000nm;折射率为1.09～1.24;介电常数为1.5～2.5.该多孔二氧化硅薄膜具有三维网络结构,二氧化硅微粒直径为10～20nm. 展开更多
关键词 纳米多孔二氧化硅薄膜 溶胶-凝胶 正硅酸 乙酯 低介电常数
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碱催化多孔二氧化硅薄膜的制备和性能表征 被引量：14
8
作者 殷明志 姚熹 张良莹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期103-105,共3页
　以水为介质,NH3·H2O为催化剂,丙三醇(C3H5(OH)3和聚乙烯醇(PVA)为添加剂,正硅酸乙脂(TEOS)溶胶 凝胶工艺可制备纳米多孔二氧化硅薄膜。体系的H2O/TEOS>15,TEOS的水解 聚合过程可通过添加剂效应,pH效应等控制。碱催化会使二氧... 　以水为介质,NH3·H2O为催化剂,丙三醇(C3H5(OH)3和聚乙烯醇(PVA)为添加剂,正硅酸乙脂(TEOS)溶胶 凝胶工艺可制备纳米多孔二氧化硅薄膜。体系的H2O/TEOS>15,TEOS的水解 聚合过程可通过添加剂效应,pH效应等控制。碱催化会使二氧化硅的溶解度增大,也能使二氧化硅胶粒带负电荷,抑制了二氧化硅胶粒之间的聚合长大,而丙三醇与TEOS的水解中间Si(OR)4-x(OH)x结合,抑制其与二氧化硅胶粒的聚合。聚乙烯醇(PVA)能使二氧化硅溶胶具有网状结构,使二氧化硅溶胶易于成膜。该工艺制备的多孔二氧化硅薄膜具有纳米多孔结构。其Vicker硬度在600～800N/mm2,热导率<0.2W·m-1K-1。 展开更多
关键词 碱催化 多孔二氧化硅薄膜 制备 性能表征
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纳米多孔二氧化硅薄膜的制备及性能 被引量：12
9
作者 殷明志 姚熹 吴小清 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期220-224,共5页
以N(C_8H_(15))_4^+OH^-为催化剂,用正硅酸乙脂(TEOS)溶胶-凝胶工艺制备出纳米多孔二氧化硅薄膜。体系的H_2O/TEOS>25,强碱催化使二氧化硅的溶解度增大并使二氧化硅胶粒带负电荷,抑制了二氧化硅的聚合。丙三醇与TEOS的水解中间体Si(O... 以N(C_8H_(15))_4^+OH^-为催化剂,用正硅酸乙脂(TEOS)溶胶-凝胶工艺制备出纳米多孔二氧化硅薄膜。体系的H_2O/TEOS>25,强碱催化使二氧化硅的溶解度增大并使二氧化硅胶粒带负电荷,抑制了二氧化硅的聚合。丙三醇与TEOS的水解中间体Si(OC_2H_5)_4-x(OH)_x及二氧化硅胶粒Si_xO_y(OH)_z^(+n)表面Si-OH形成氢键,抑制了二氧化硅的聚沉。聚乙烯醇(PVA)使粒状二氧化硅溶胶具有网状结构,易于成膜。薄膜由致密结构转化为均匀纳米多孔结构是构成薄膜的二氧化硅胶粒在热处理时聚集和塑性形变的结果。多孔二氧化硅薄膜的折射率为1.27～1.42,介电常数为1.578～2.016,热导率为0.2W/(m·K)。 展开更多
关键词 纳米多孔二氧化硅薄膜 溶胶-凝胶工艺 正硅酸乙脂 制备 性能
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快速热氧化制备二氧化硅薄膜的红外研究 被引量：10
10
作者 陈涛 席珍强 +1 位作者 杨德仁 阙端麟 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期5-8,共4页
通过傅立叶红外吸收光谱分析了不同温度和时间下在硅衬底上快速热氧化(RTO)处理后的样品。结果表明,在处理相同的时间下,随着热处理温度的升高,二氧化硅薄膜的非对称伸展振动模式峰强度增强,其峰位发生了偏移。在800℃下制备二氧化硅薄... 通过傅立叶红外吸收光谱分析了不同温度和时间下在硅衬底上快速热氧化(RTO)处理后的样品。结果表明,在处理相同的时间下,随着热处理温度的升高,二氧化硅薄膜的非对称伸展振动模式峰强度增强,其峰位发生了偏移。在800℃下制备二氧化硅薄膜的热氧化动力学规律不同于1200℃下的情况。在800℃下,快速热氧化制备的薄膜中含有非化学计量比的氧化硅(SiOx),SiOxDE再氧化使得薄膜的氧化生长速率不断增加,同时也是导致红外吸收光谱中ASM峰位向长波数方向偏移。在1200℃下,快速热氧化制备的薄膜成份是二氧化硅,这种薄膜具有良好的介电性能。 展开更多
关键词 快速热氧化(RTO) 二氧化硅薄膜 傅立叶红外吸收光谱
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反应磁控溅射法制备二氧化硅薄膜的研究 被引量：7
11
作者 朱春燕 王稳奇 郗华 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期8-10,共3页
采用反应磁控溅射的方法沉积二氧化硅薄膜,研究了二氧化硅薄膜的光学特性,并与用反应离子束溅射方法沉积二氧化硅薄膜进行了对比。实验结果表明:用反应磁控溅射法沉积二氧化硅薄膜,薄膜的折射率、沉积速率主要受反应气体(氧气)浓度的影... 采用反应磁控溅射的方法沉积二氧化硅薄膜,研究了二氧化硅薄膜的光学特性,并与用反应离子束溅射方法沉积二氧化硅薄膜进行了对比。实验结果表明:用反应磁控溅射法沉积二氧化硅薄膜,薄膜的折射率、沉积速率主要受反应气体(氧气)浓度的影响,氧气含量超过15%(体积分数)后,溅射过程进入反应模式,沉积速率随氧气浓度增加而降低;入射光波长为630 nm时,薄膜折射率为1.50。对比2种薄膜沉积方法后确定,在二氧化硅薄膜工业生产中,反应磁控溅射方法更为可取。 展开更多
关键词 磁控溅射 二氧化硅薄膜 光学特性
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溶胶-凝胶制备二氧化硅薄膜的开裂问题研究 被引量：36
12
作者 方平安 吴召平 《玻璃与搪瓷》 CAS 北大核心 2000年第3期14-19,13,共7页
为制备微晶玻璃增强用二氧化硅薄膜 ,采用溶胶 -凝胶工艺 (SOL -GEL)在普通钠钙硅玻璃基片上做了预试 ,对过程中薄膜的开裂问题进行了详细的分析和研究。结果表明 :溶胶的组成与凝胶干燥和热处理过程中的应力不均是开裂的主要原因。借... 为制备微晶玻璃增强用二氧化硅薄膜 ,采用溶胶 -凝胶工艺 (SOL -GEL)在普通钠钙硅玻璃基片上做了预试 ,对过程中薄膜的开裂问题进行了详细的分析和研究。结果表明 :溶胶的组成与凝胶干燥和热处理过程中的应力不均是开裂的主要原因。借助差热分析 (DTA)、红外吸收光谱分析 (IR)、高倍光学显微镜等分析测试手段 ,通过调整原料配比、控制干燥过程的相对湿度和调节热处理过程中的升温速率 ,较好地解决了膜面开裂问题 ,获得了表面均匀不开裂的二氧化硅薄膜。 展开更多
关键词 二氧化硅薄膜 溶胶-凝胶 开裂 微晶玻璃 镀膜
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反应RF磁控溅射法制备非晶氧化硅薄膜及其特性研究 被引量：6
13
作者 何乐年 徐进 王德苗 《真空》 CAS 北大核心 2001年第3期16-19,共4页
在氧气和氩气的混合气体中 ,在没有额外加热的条件下用反应射频 (RF)溅射硅靶制备了非晶氧化硅(a- Si O2 )薄膜 ,并测试分析了薄膜的结构和电特性与 O2 / Ar流量比的关系。当固定氩气流量 ,改变氧气流量时 ,薄膜沉积速率先急剧减少 ,再... 在氧气和氩气的混合气体中 ,在没有额外加热的条件下用反应射频 (RF)溅射硅靶制备了非晶氧化硅(a- Si O2 )薄膜 ,并测试分析了薄膜的结构和电特性与 O2 / Ar流量比的关系。当固定氩气流量 ,改变氧气流量时 ,薄膜沉积速率先急剧减少 ,再增大 ,然后又减少。当 O2 / Ar≥ 0 .0 75时 ,得到满足化学配比的氧化硅薄膜。并且 ,随着 O2 / Ar流量比的增大 ,薄膜的电阻、电场击穿强度都有所增大 ,而在 HF缓冲溶液 (BHF)中的腐蚀速率下降。所有的样品中无明显的 H- OH水分子的红外吸收峰。比较发现反应射频 (RF)磁控溅射法制备的a- Si O2 薄膜具有良好的致密性和绝缘性。 展开更多
关键词 反应RF磁控溅射 BHF腐蚀速度 电阻率 非晶氧化硅薄膜 制备 性能
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有序介孔二氧化硅薄膜制备及其组装化学 被引量：2
14
作者 张学骜 刘长利 +3 位作者 钱斯文 吴晓森 王建方 吴文健 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1322-1329,共8页
本文综述了近年来利用有机模板法合成有序介孔二氧化硅薄膜的研究进展,重点阐述了两相界面外延生长和蒸发诱导自组装两种制备方法及其合成机理。此外,讨论了有序介孔二氧化硅薄膜的组装化学,包括金属元素掺杂,纳米粒子在介孔薄膜中的组... 本文综述了近年来利用有机模板法合成有序介孔二氧化硅薄膜的研究进展,重点阐述了两相界面外延生长和蒸发诱导自组装两种制备方法及其合成机理。此外,讨论了有序介孔二氧化硅薄膜的组装化学,包括金属元素掺杂,纳米粒子在介孔薄膜中的组装,以及有机物/二氧化硅纳米复合薄膜的制备,并对介孔二氧化硅薄膜未来的发展趋势做了展望。 展开更多
关键词 有序介孔 二氧化硅薄膜 制备 组装化学
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蒸发诱导自组装仿生合成高有序度三维六方介孔氧化硅薄膜 被引量：2
15
作者 田甜 骆志刚 +2 位作者 张学骜 吴文健 王建方 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1653-1656,共4页
借鉴自然界生物矿化的形成机理,利用蒸发诱导自组装(EISA)的方法,以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为结构导向剂,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,通过浸渍提拉在普通玻璃片上制备出高有序度、三维六方结构的介孔氧化硅薄膜,通过XRD、TEM、低温N2吸... 借鉴自然界生物矿化的形成机理,利用蒸发诱导自组装(EISA)的方法,以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为结构导向剂,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,通过浸渍提拉在普通玻璃片上制备出高有序度、三维六方结构的介孔氧化硅薄膜,通过XRD、TEM、低温N2吸附/脱附等方法对薄膜进行了表征,并初步讨论了形成三维六方结构的机理。 展开更多
关键词 仿生合成 蒸发诱导自组装 制备 三维六方 介孔氧化硅薄膜
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PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征 被引量：2
16
作者 丁士进 张庆全 +1 位作者 张卫 王季陶 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1169-1173,共5页
以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和八氟环丁烷（Ｃ４Ｆ８）为原料，采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜（ＳｉＣＯＦ）．样品的Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）分析表明... 以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和八氟环丁烷（Ｃ４Ｆ８）为原料，采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜（ＳｉＣＯＦ）．样品的Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）分析表明薄膜中含有Ｓｉ－Ｆ、Ｓｉ－Ｏ、Ｃ－Ｆ、Ｃ－ＣＦｘ、ＣＦ2等构型．刚淀积的薄膜的折射率约为１．４０．对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量，并对其变化机理进行了讨论，同时表明了理想的淀积温度应是３００℃． 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相淀积 氟 碳 掺杂 氧化硅薄膜 X射线光电子能谱 FTIR 折射率
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PET材料表面制备氧化硅薄膜的研究 被引量：6
17
作者 刘玉兰 汪建华 +1 位作者 熊礼威 刘长林 《武汉工程大学学报》 CAS 2010年第5期70-73,共4页
为了满足材料在饮料、啤酒等包装领域方面的要求,在PET材料内壁涂覆氧化硅薄膜是一种十分有效的方法.本文分别使用磁控溅射法和微波等离子体化学气相沉积法(PECVD)在PET材料表面制备了氧化硅薄膜,通过结果分析,对两种方法从原理、各自... 为了满足材料在饮料、啤酒等包装领域方面的要求,在PET材料内壁涂覆氧化硅薄膜是一种十分有效的方法.本文分别使用磁控溅射法和微波等离子体化学气相沉积法(PECVD)在PET材料表面制备了氧化硅薄膜,通过结果分析,对两种方法从原理、各自优点等方面进行了比较,并就沉积时间、工作气压、电源功率对各自所沉积薄膜阻隔性的影响作了相应分析,得出了两种方法各自的最佳工艺条件. 展开更多
关键词 PET 氧化硅薄膜 磁控溅射 PECVD 阻隔性能
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液相沉积法制备的二氧化硅薄膜及其钝化性能 被引量：2
18
作者 刘邦武 钟思华 +2 位作者 何静 夏洋 李超波 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1264-1267,共4页
采用液相沉积法在硅基底上成功制备了二氧化硅薄膜,利用扫描电子显微镜、光电子能谱和少子寿命测试仪等对二氧化硅薄膜的组织结构和钝化性能进行了研究,结果表明,液相生长的二氧化硅薄膜致密平整,含有少量的F元素;对硅具有较好的减反和... 采用液相沉积法在硅基底上成功制备了二氧化硅薄膜,利用扫描电子显微镜、光电子能谱和少子寿命测试仪等对二氧化硅薄膜的组织结构和钝化性能进行了研究,结果表明,液相生长的二氧化硅薄膜致密平整,含有少量的F元素;对硅具有较好的减反和钝化作用,平均反射率由28.87%降低至10.88%,表面复合速度由6 923 cm/s降低至2 830 cm/s。 展开更多
关键词 液相沉积 二氧化硅薄膜 钝化
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低介电常数多孔二氧化硅薄膜的制备与性能研究 被引量：5
19
作者 李靓 姚熹 张良莹 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期549-553,共5页
利用Sol-Gel的方法制备了多孔二氧化硅薄膜。通过优化薄膜制备工艺,实现了多孔二氧化硅薄膜厚度在450nm～3000nm范围内可控,薄膜孔率为59%。用FTIR光谱分析了不同热处理温度下多孔二氧化硅薄膜的化学结构。研究了多孔二氧化硅薄膜的介... 利用Sol-Gel的方法制备了多孔二氧化硅薄膜。通过优化薄膜制备工艺,实现了多孔二氧化硅薄膜厚度在450nm～3000nm范围内可控,薄膜孔率为59%。用FTIR光谱分析了不同热处理温度下多孔二氧化硅薄膜的化学结构。研究了多孔二氧化硅薄膜的介电常数、介电损耗、漏电流等电学性能,结果表明多孔二氧化硅薄膜本征的介电常数为1.8左右,是典型的低介电常数材料。并通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了表征。 展开更多
关键词 多孔二氧化硅薄膜 Sol—Gel 低介电常数 电学性能
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不同厚度溶胶-凝胶法二氧化硅薄膜对钛瓷结合强度的影响 被引量：5
20
作者 吕武龙 张振庭 +3 位作者 任卫红 堵国君 刘宏 王跃 《口腔颌面修复学杂志》 2010年第3期135-138,共4页
目的:探讨溶胶-凝胶法在纯钛表面制备不同厚度的二氧化硅薄膜对钛瓷结合强度的影响。方法:将纯钛试件随机分成四组。一次组、二次组和四次组钛试件分别经过一个、两个和四个(硅溶胶甩膜+热处理)周期处理,对照组未经过以上处理。在各组... 目的:探讨溶胶-凝胶法在纯钛表面制备不同厚度的二氧化硅薄膜对钛瓷结合强度的影响。方法:将纯钛试件随机分成四组。一次组、二次组和四次组钛试件分别经过一个、两个和四个(硅溶胶甩膜+热处理)周期处理,对照组未经过以上处理。在各组试件中份熔附Ti-22钛专用瓷,用三点弯曲法测试钛瓷分离时的载荷。结果:一次组、二次组、四次组和对照组的钛瓷的分离载荷分别为:6.040±0.798N、5.604±0.742N、6.081±0.947N和8.816±0.923N,实验组的钛瓷结合强度明显小于对照组(P<0.05)。结论:不同厚度的二氧化硅薄膜均不能提高钛瓷结合强度。 展开更多
关键词 二氧化硅薄膜 钛 烤瓷 结合强度 溶胶-凝胶法
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