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磷化钴–磷酸钴修饰氮化钽基纳米花可见光催化CO2还原性能
1
作者 崔玉 孟祥磊 《材料科学》 2024年第4期369-378,共10页
过渡金属氮氧化物半导体光催化CO2还原技术具有商业化应用开发潜力。以Ta2O5@Ta3N5纳米花为前驱体,通过磷化技术成功制备CoP-Co3(PO4)2双修饰Ta2O5@Ta3N5纳米复合光催化材料。与底物Ta2O5@Ta3N5相比,Co3(PO4)2单修饰样品光催化还原CO2... 过渡金属氮氧化物半导体光催化CO2还原技术具有商业化应用开发潜力。以Ta2O5@Ta3N5纳米花为前驱体,通过磷化技术成功制备CoP-Co3(PO4)2双修饰Ta2O5@Ta3N5纳米复合光催化材料。与底物Ta2O5@Ta3N5相比,Co3(PO4)2单修饰样品光催化还原CO2产物从CO转变为CH4,CH4选择性达100%,实现CO2深度还原。在模拟太阳光下,CoP-Co3(PO4)2共修饰样品还原CO2产物CO和CH4产率均提升,其电子利用效率分别是Ta2O5@Ta3N5和Co3(PO4)2单修饰样品的5.5倍和1.5倍。表面局域构建Co3(PO4)2/Ta3N5和CoP/Ta3N5n-n突变异质结构,调控表面电子结构,产生内建电场驱动光生电子向Co3(PO4)2和CoP的CB传输,提高光生电子输运效率。Co3(PO4)2修饰增加光催化CO2还原为CH4的活性中心,而CoP修饰增加光催化CO2还原为CO活性中心;此外,Co3(PO4)2修饰增加样品表面羟基含量,提升样品对CO2吸附能力,有利于生成CH4;而CoP的P缺陷及部分吸附水降低反应活化能,提高生成CO的催化速率和选择性。CoP-Co3(PO4)2双修饰为开发高性能钽基光催化CO2还原新材料提供新路径。 展开更多
关键词 氮化钽 磷酸钴 磷化钴 CO2还原 可见光催化
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氮化钽换能元的制备工艺研究 被引量：7
2
作者 任小明 苏谦 +3 位作者 解瑞珍 薛艳 刘兰 刘卫 《火工品》 CAS CSCD 北大核心 2020年第1期26-28,I0002,共4页
开展了一种制备氮化钽换能元的工艺研究,利用射频电源溅射氮化钽薄膜,采用剥离工艺制备氮化钽换能元图形,获得满足完整性、一致性和重复性要求的氮化钽换能元。依据GJB/z377A-94感度试验用兰利法,测得氮化钽换能元发火能量为0.6m J。
关键词 换能元 氮化钽 MEMS 发火能量 工艺
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氮化钽薄膜的制备及其血液相容性研究 被引量：6
3
作者 冷永祥 黄楠 +1 位作者 杨萍 曾晓兰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期639-641,共3页
本文利用磁控反应溅射技术制备氮化钽薄膜，对磁控反应溅射制备氮化钽薄膜的工艺参数（包括氮分压比、加热温度、溅射压力、溅射电流）用正交设计进行优化。研究表明，影响氮化钽薄膜结合力的主要因素为溅射压力和加热温度，氮分压比、... 本文利用磁控反应溅射技术制备氮化钽薄膜，对磁控反应溅射制备氮化钽薄膜的工艺参数（包括氮分压比、加热温度、溅射压力、溅射电流）用正交设计进行优化。研究表明，影响氮化钽薄膜结合力的主要因素为溅射压力和加热温度，氮分压比、溅射电流为次要因素；氮分压对氮化钽薄膜的硬度影响较大。动态凝血及血小板粘附实验研究表明，氮化钽薄膜的血液相容性性能优于热解碳（LTIC）。 展开更多
关键词 氮化钽 血液相容性 人工心脏 薄膜
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氮化钽薄膜的制备与结构研究 被引量：6
4
作者 冷永祥 黄楠 杨萍 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期18-20,27,共4页
利用磁控反应溅射技术制备了氮化钽薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技术研究了薄膜的微观结构。研究结果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒细小（１６ｎｍ左右）；同时还发现，在一定工作压力下，随着氮分压的提高，氮化物晶粒形成的取向改变，... 利用磁控反应溅射技术制备了氮化钽薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技术研究了薄膜的微观结构。研究结果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒细小（１６ｎｍ左右）；同时还发现，在一定工作压力下，随着氮分压的提高，氮化物晶粒形成的取向改变，即平行于基体表面生长的晶面会有改变。一定工作压力下，制备的氮化钽薄膜硬度高达４０００ｋｇ／ｍｍ２以上。本文探讨了氮化钽薄膜高硬度的原因，并且讨论了随氮分压的提高薄膜织构变化的原因。 展开更多
关键词 氮化钽 薄膜 硬变 显微组织 制备
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离子束辅助沉积制备氮化钽薄膜 被引量：3
5
作者 梅显秀 张庆瑜 +4 位作者 马腾才 杨大智 陈遐 王煜明 滕凤恩 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期623-627,共5页
利用离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）技术制备ＴａＮ薄膜；掠入射的Ｘ射线衍射和透射电镜观察结果显示，薄膜晶粒细小、结构致密，是面心立方结构。俄歇深度分析表明，薄膜由均匀层和混合过渡层两个区域组成，ＸＰＳ得出薄膜主要以ＴａＮ形... 利用离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）技术制备ＴａＮ薄膜；掠入射的Ｘ射线衍射和透射电镜观察结果显示，薄膜晶粒细小、结构致密，是面心立方结构。俄歇深度分析表明，薄膜由均匀层和混合过渡层两个区域组成，ＸＰＳ得出薄膜主要以ＴａＮ形式存在；薄膜电阻稳定，不随温度变化。膜基结合性能好，膜内应力小；２５ｋｅＶ能量离子轰击制得薄膜内应力最小，结合最好。 展开更多
关键词 薄膜 氮化钽薄膜 离子束辅助沉积 制备
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热处理时间和压制密度对氮化钽粉电性能的影响 被引量：6
6
作者 刘莲云 马春红 +1 位作者 黄凯 朱鸿民 《有色金属（冶炼部分）》 CAS 北大核心 2012年第10期34-37,41,共5页
用均相钠还原得到的纳米氮化钽粉在1 350℃进行不同时间的热处理,热处理后的粉末制成烧结体并进行阳极氧化过程。通过XRD和场发射扫描电镜分析了粉末的物相结构和形貌,研究了热处理时间和压制密度对氮化钽粉末电性能的影响。结果表明:... 用均相钠还原得到的纳米氮化钽粉在1 350℃进行不同时间的热处理,热处理后的粉末制成烧结体并进行阳极氧化过程。通过XRD和场发射扫描电镜分析了粉末的物相结构和形貌,研究了热处理时间和压制密度对氮化钽粉末电性能的影响。结果表明:热处理温度为1 350℃、热处理时间40min、压制密度约4g/cm时氮化钽阳极块体有较高的比容和较低的漏电流常数。 展开更多
关键词 纳米氮化钽粉末 热处理 压制密度 电性能
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阳极氧化工艺条件对氮化钽烧结体电性能的影响 被引量：4
7
作者 刘莲云 段世钰 +1 位作者 黄凯 朱鸿民 《有色金属（冶炼部分）》 CAS 北大核心 2012年第9期51-54,共4页
用纳米氮化钽粉末烧结制备了氮化钽烧结体,分析了烧结体的物相结构,研究了形成液种类、形成液浓度、温度、电流密度以及赋能电压等条件对氮化钽阳极氧化膜电性能的影响。结果表明,该烧结体是由纯氮化钽组成的,氮化钽阳极块体阳极氧化过... 用纳米氮化钽粉末烧结制备了氮化钽烧结体,分析了烧结体的物相结构,研究了形成液种类、形成液浓度、温度、电流密度以及赋能电压等条件对氮化钽阳极氧化膜电性能的影响。结果表明,该烧结体是由纯氮化钽组成的,氮化钽阳极块体阳极氧化过程的最佳赋能工艺:磷酸溶液浓度0.01%,形成液温度55℃,电流密度40mA/g,形成电压小于16V。 展开更多
关键词 氮化钽烧结体 电性能 阳极氧化
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磁控溅射制备氮化钽导电薄膜及其性能研究 被引量：2
8
作者 梁军生 陈亮 +2 位作者 王金鹏 张朝阳 王大志 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期36-39,共4页
为了研制应用于超高温薄膜传感器的敏感层,采用直流磁控反应溅射,在硅基底上制备了氮化钽薄膜。研究了氮分压对薄膜微观结构和电阻率的影响。采用X射线衍射仪测试了氮化钽薄膜的物相结构,采用场发射扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表... 为了研制应用于超高温薄膜传感器的敏感层,采用直流磁控反应溅射,在硅基底上制备了氮化钽薄膜。研究了氮分压对薄膜微观结构和电阻率的影响。采用X射线衍射仪测试了氮化钽薄膜的物相结构,采用场发射扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表面形貌和断面形貌。利用半导体参数测试系统和三维手动探针台测量了氮化钽薄膜的电阻率。结果表明:在2%氮分压下,薄膜的物相结构为Ta N_(0.1),在3%氮分压下,薄膜的物相结构为Ta_2N,而当氮分压在4%~6%的情况下,薄膜的物相结构为Ta N。采用真空烘箱对氮化钽薄膜进行高温热处理。结果表明,薄膜电阻率从(80~433)×10^(-6)Ω·cm提升到了(120~647)×10^(-6)Ω·cm。 展开更多
关键词 反应溅射 氮化钽薄膜 氮分压 物相结构 热处理 电阻率
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氮化钽薄膜局部腐蚀早期过程的原位研究 被引量：1
9
作者 俞春福 徐久军 黑祖昆 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期17-18,共2页
利用离子束增强沉积 (IBED)技术在 1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢上制备了TaN薄膜 ,并通过电化学原子力显微镜 (ECAFM)对TaN薄膜在NaCl溶液中的腐蚀早期过程进行了原位研究 ,重点观察了微观缺陷处的腐蚀状况。结果表明 ,在TaN薄膜的腐蚀早期阶... 利用离子束增强沉积 (IBED)技术在 1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢上制备了TaN薄膜 ,并通过电化学原子力显微镜 (ECAFM)对TaN薄膜在NaCl溶液中的腐蚀早期过程进行了原位研究 ,重点观察了微观缺陷处的腐蚀状况。结果表明 ,在TaN薄膜的腐蚀早期阶段 ,腐蚀并非从缺陷处开始 ,反而在有坑的位置形成更厚的钝化膜 ,表现出较好的整平性 。 展开更多
关键词 氮化钽薄膜 局部腐蚀 原位 研究 ECAFM 离子束增强沉积 不锈钢
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一种新型电解电容器——氮化钽电容器 被引量：3
10
作者 曲喜新 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1993年第1期63-67,共5页
作为提供大电容量的高可靠性元件,钽电解电容器再进一步向前发展便遇到了很大的困难。因此,在其基础上产生了氮化钽电解电容器。本文扼要地论述这种电容器。
关键词 电解电容器 氮化钽电容器 电容器
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磁控溅射氮化钽工艺的等离子体发射光谱分析
11
作者 刘志宇 傅刚 《科技创新导报》 2017年第25期11-18,共8页
本文讨论采用等离子发射光谱(Plasma OES)作为一种独立于具体溅射装置的仪器参数的工艺参量,并在微波薄膜电阻器的氮化钽溅射制备工艺中考察了这种方法的有效性。首先分析了OES中对应于活性氮成分N2+和Ta的谱线强度与传统溅射参数的关系... 本文讨论采用等离子发射光谱(Plasma OES)作为一种独立于具体溅射装置的仪器参数的工艺参量,并在微波薄膜电阻器的氮化钽溅射制备工艺中考察了这种方法的有效性。首先分析了OES中对应于活性氮成分N2+和Ta的谱线强度与传统溅射参数的关系,结果显示单调增加溅射功率会降低等离子体成分中活性氮成分的比例,从而将成膜参数向低氮和低TCR的窗口方向移动。从OES谱线中计算的两波长玻尔兹曼图定性地显示了等离子体激发温度与溅射功率的单调关系。其次,通过将OES谱线分析结果与晶体结构(XRD)、晶粒大小(AFM)和电阻温度系数TCR等物性测量相比较,证明Plasma OES是一种可靠的溅射工艺在线监测手段。 展开更多
关键词 磁控溅射 等离子发射光谱 氮化钽
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反应磁控溅射制备氮化钽扩散阻挡层的研究 被引量：4
12
作者 贾振宇 朱嘉琦 曹世成 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期751-757,共7页
采用反应磁控溅射在硅衬底上制备了TaN薄膜,研究了氮分压、溅射功率及衬底温度对薄膜晶体结构、表面形貌和电学性能的影响。结果表明,晶体结构随工艺参数的改变发生变化,GIXRD图谱衍射峰强度随溅射功率和衬底温度的增加而增强,氮气分压... 采用反应磁控溅射在硅衬底上制备了TaN薄膜,研究了氮分压、溅射功率及衬底温度对薄膜晶体结构、表面形貌和电学性能的影响。结果表明,晶体结构随工艺参数的改变发生变化,GIXRD图谱衍射峰强度随溅射功率和衬底温度的增加而增强,氮气分压的增加使择优取向向(111)晶面偏移;TaN薄膜的表面形貌与溅射功率和氮气分压密切相关,与衬底温度的关系不大,其粗糙度随溅射功率的增加而增大,随氮气分压的增加而减小;TaN薄膜的方块电阻随溅射功率的增加逐渐减小,随氮气分压的增加逐渐增大,温度对方块电阻的影响不大;对Cu/TaN/Si互联体系热处理后发现TaN薄膜具有优异的阻挡性能,在600℃时依然可有效阻止Cu向Si的扩散。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 氮化钽 扩散阻挡层
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用网状阴极法在碳钢表面沉积氮化钽薄膜 被引量：1
13
作者 窦瑞芬 田林海 +2 位作者 潘俊德 陈飞 赵晋香 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期27-29,共3页
介绍了一种新型的在钢铁基体上制备氮化钽薄膜的方法———网状阴极法。其设备简单、价格低廉。实验中发现 ,在各个参数配比合适的条件下 ,可制备出结构为fcc(面心立方 )和hex(密排六方 )的氮化钽薄膜。薄膜较致密且均匀 ,与基体的结合... 介绍了一种新型的在钢铁基体上制备氮化钽薄膜的方法———网状阴极法。其设备简单、价格低廉。实验中发现 ,在各个参数配比合适的条件下 ,可制备出结构为fcc(面心立方 )和hex(密排六方 )的氮化钽薄膜。薄膜较致密且均匀 ,与基体的结合好。同时分析了在最佳工艺参数条件下合成氮化钽膜的成分、组织、表面、断口形貌和结合力等。该方法为氮化钽薄膜作为结构材料使用提供了一种新的途径。 展开更多
关键词 网状阴极法 碳钢 表面沉积 氮化钽薄膜 空心阴极效应
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氮化钽薄膜换能元微秒量级瞬态响应温度研究 被引量：1
14
作者 阚文星 刘卫 +4 位作者 任小明 解瑞珍 刘兰 褚恩义 任炜 《火工品》 CAS CSCD 北大核心 2022年第1期24-28,共5页
为研究氮化钽薄膜换能元在不同激励条件下的温度响应特性,利用瞬态光学高温计,分别在恒定电压激励和电容激励下对不同结构尺寸的氮化钽薄膜换能元进行瞬态响应温度测试。结果表明:相同尺寸时,在电容激励下换能元可在几十微秒内达到最高... 为研究氮化钽薄膜换能元在不同激励条件下的温度响应特性,利用瞬态光学高温计,分别在恒定电压激励和电容激励下对不同结构尺寸的氮化钽薄膜换能元进行瞬态响应温度测试。结果表明:相同尺寸时,在电容激励下换能元可在几十微秒内达到最高温度,而在恒压激励下需要100多微秒;在电容激励下,随着换能元长度的增加,换能元的最高温度以幂函数的形式不断减小,且与仿真结果的总体变化趋势一致;在恒压激励下,随着激励电压的增加,换能元的最高温度呈线性关系增加,在高电压激励下,换能元的发热持续时间较短。本研究为对换能元的结构尺寸设计与激励条件的选择提供参考。 展开更多
关键词 换能元 氮化钽 含能薄膜 温度响应 结构尺寸
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熔盐辅助碳热还原氮化法制备氮化钽晶须 被引量：1
15
作者 张浩然 陈帅峰 +3 位作者 陈庆 骆丽杰 李建保 陈拥军 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第7期1294-1299,共6页
本文以五氧化二钽、活性炭为主要原料,氟化钾为熔盐介质,通过碳热还原氮化法在氨气气氛下成功制备了氮化钽(Ta5N6)晶须。运用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)对合成产物的组成、结构和形貌进行了... 本文以五氧化二钽、活性炭为主要原料,氟化钾为熔盐介质,通过碳热还原氮化法在氨气气氛下成功制备了氮化钽(Ta5N6)晶须。运用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)对合成产物的组成、结构和形貌进行了表征。研究了升温方式、氮化气氛、氮化时间和催化剂含量对产物形成的影响。当Ni与Ta2O5的摩尔比为0.1、氮化气氛为氨气(流量为300 mL/min)、氮化时间为6 h时制备的晶须形貌最佳,晶须直径80~250 nm,长为1~5μm,晶须的生长机制为气-液-固(VLS)和气-固(VS)两种机理的混合机制。 展开更多
关键词 氮化钽晶须 碳热还原氮化 熔盐辅助 生长机制
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网状阴极法在碳钢表面沉积氮化钽薄膜的研究
16
作者 窦瑞芬 田林海 +2 位作者 潘俊德 陈飞 赵晋香 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期58-61,共4页
介绍了一种在钢铁基体上制备氮化钽薄膜的新方法———网状阴极法。其设备简单、价格低廉。实验中发现 ,在工艺参数调配合适的条件下 ,可制备出结构为面心立方和密排六方结构的氮化钽薄膜。薄膜较致密且均匀 ,与基体结合良好。分析了优... 介绍了一种在钢铁基体上制备氮化钽薄膜的新方法———网状阴极法。其设备简单、价格低廉。实验中发现 ,在工艺参数调配合适的条件下 ,可制备出结构为面心立方和密排六方结构的氮化钽薄膜。薄膜较致密且均匀 ,与基体结合良好。分析了优选工艺参数条件下合成的氮化钽膜的成分、组织、表面和断口形貌及结合力。 展开更多
关键词 网状阴极溅射 空心阴极效应 氮化钽薄膜
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纳米氮化钽粉末的后处理
17
作者 高路 刘莲云 +1 位作者 黄凯 朱鸿民 《有色金属工程》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期27-29,共3页
对在液氨中采用均相还原法制备的纳米氮化钽粉进行团化、镁还原脱氧的后处理。采用XRD、FESEM、TEM、氮氧氢分析仪及气体吸附BET法对处理后粉末的物相组成、形貌、氧含量和比表面积等物理化学性质进行分析。结果表明,粉末的性质通过后... 对在液氨中采用均相还原法制备的纳米氮化钽粉进行团化、镁还原脱氧的后处理。采用XRD、FESEM、TEM、氮氧氢分析仪及气体吸附BET法对处理后粉末的物相组成、形貌、氧含量和比表面积等物理化学性质进行分析。结果表明,粉末的性质通过后处理得到有效改善,适合于制备超高比容钽电容器。 展开更多
关键词 材料科学与工程 氮化钽 后处理 超高比容 电容器
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掺氮及氮化钽粉的研究进展 被引量：1
18
作者 高路 《广州化工》 CAS 2013年第3期15-17,共3页
由掺氮及氮化钽粉制备的钽电容器由于具有比纯钽电容器更低的低漏电流,更低的等效串联电阻等优异性质吸引了人们广泛的关注。对现在掺氮及氮化钽粉的合成方法进行了总结,阐明了各自种方法的原理及特点,最后指出了今后掺氮及氮化钽粉研... 由掺氮及氮化钽粉制备的钽电容器由于具有比纯钽电容器更低的低漏电流,更低的等效串联电阻等优异性质吸引了人们广泛的关注。对现在掺氮及氮化钽粉的合成方法进行了总结,阐明了各自种方法的原理及特点,最后指出了今后掺氮及氮化钽粉研究和发展方向。 展开更多
关键词 掺氮 氮化钽 钽电容器 综述
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氮化钽薄膜压力传感器研究 被引量：4
19
作者 谢贵久 周国方 +4 位作者 何峰 蓝镇立 王栋 龚杰洪 季惠明 《微处理机》 2018年第2期11-13,17,共4页
介绍了溅射薄膜压力传感器的技术要求、工作原理、结构设计、版图设计以及试验结果,并对研究过程中的关键技术及解决方法进行了探讨。传感器是依据溅射薄膜应变原理,选用圆平膜片感压膜片、17-4PH不锈钢作为弹性材料,采用机械研磨抛光... 介绍了溅射薄膜压力传感器的技术要求、工作原理、结构设计、版图设计以及试验结果,并对研究过程中的关键技术及解决方法进行了探讨。传感器是依据溅射薄膜应变原理,选用圆平膜片感压膜片、17-4PH不锈钢作为弹性材料,采用机械研磨抛光技术制备压力传感器弹性体基底,利用直流离子束反应溅射及刻蚀技术制备了氮化钽薄膜压力传感器芯片。最后通过激光焊接、金丝球焊接等工艺封装芯片并对传感器的静态性能进行了标定。传感器具有非线性好、灵敏度高等特性。本文探讨了氮化钽薄膜压力传感器的制备方法,研究了不同热处理工艺下传感器性能的变化。 展开更多
关键词 薄膜压力传感器 氮化钽 直流离子束反应溅射 热处理
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退火温度对氮化钽薄膜电阻器性能的影响 被引量：5
20
作者 杨俊锋 丁明建 +2 位作者 冯毅龙 赖辉信 庄严 《广州化工》 CAS 2018年第14期39-42,共4页
通过反应直流磁控溅射法在Si片表面沉积氮化钽(Ta N)电阻薄膜,并在空气中进行退火,系统研究了退火温度对薄膜的物相组成、微观形貌、电阻性能的影响。结合X射线衍射(XRD)物相分析、扫描电子显微镜(SEM)形貌分析及电阻性能测试结果,Ta N... 通过反应直流磁控溅射法在Si片表面沉积氮化钽(Ta N)电阻薄膜,并在空气中进行退火,系统研究了退火温度对薄膜的物相组成、微观形貌、电阻性能的影响。结合X射线衍射(XRD)物相分析、扫描电子显微镜(SEM)形貌分析及电阻性能测试结果,Ta N薄膜最佳退火温度为400~450℃,在此温度范围内退火,可制备出与硅基底附着良好、较小电阻温度系数(TCR,≤±100×10-6/℃)、2000 h老化电阻变化率(ACR)约0.43%的高稳定Ta N薄膜电阻器。 展开更多
关键词 电阻器 薄膜 热处理 氮化钽
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