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沉积温度对电弧离子镀AlCrSiN涂层的影响
1
作者 刘艳梅 张蕊 +5 位作者 朱强 王重阳 白乌力吉 曹凤婷 范其香 王铁钢 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期149-157,共9页
目的优化涂层制备工艺,改善AlCrSiN涂层的力学及摩擦性能。方法采用可调节磁场强度的新型电弧离子镀技术,在不同沉积温度下研制AlCrSiN涂层。利用XRD及SEM分析AlCrSiN涂层的相结构、截面形貌,借助纳米压痕仪、划痕测试仪、高温摩擦磨损... 目的优化涂层制备工艺,改善AlCrSiN涂层的力学及摩擦性能。方法采用可调节磁场强度的新型电弧离子镀技术,在不同沉积温度下研制AlCrSiN涂层。利用XRD及SEM分析AlCrSiN涂层的相结构、截面形貌,借助纳米压痕仪、划痕测试仪、高温摩擦磨损试验机以及台阶仪测试AlCrSiN涂层硬度、膜/基结合强度以及摩擦磨损性能。系统分析沉积温度对AlCrSiN涂层的成分分布、微观结构演变、力学性能的影响,并研究沉积温度对AlCrSiN涂层摩擦磨损性能的影响规律及磨损机制。结果随着沉积温度逐渐升高,涂层吸附原子的活性增强,涂层沉积速率出现先上升、再下降的趋势。随着沉积温度升高,涂层中的Cr2N相逐渐替代CrN相,且hcp-AlN相沿(11■0)晶面择优生长。各沉积温度下,AlCrSiN涂层均与单晶硅片基体表面结合良好,且具有良好的致密性。沉积温度的升高,增强了原子的扩散能力,致使晶粒尺寸增大。随着沉积温度升高,涂层的硬度及弹性模量均呈上升趋势,而H/E、H3/E*2均先升高、后降低,涂层膜/基结合强度逐渐增大。当沉积温度为350℃时,所制备的AlCrSiN涂层特征值H/E、H3/E*2最高,此时涂层的耐磨性能最佳;当沉积温度升至450℃时,涂层的纳米硬度最大,约为25.59 GPa,弹性模量也最大,为501.76 GPa,涂层的结合强度最高,为121.9 N。结论通过改变沉积温度,调控AlCrSiN涂层的微观结构,制备的AlCrSiN涂层均较为致密,无明显孔洞等缺陷。AlCrSiN涂层结合强度整体上处于较高水平,并表现出较好的耐磨性能。当沉积温度为350℃时,涂层摩擦系数最低,H/E和H3/E*2均达到最大值,此时涂层的耐磨损性能最佳。 展开更多
关键词 电弧离子镀 AlCrSiN涂层 沉积温度 摩擦磨损 力学性能
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沉积温度对不同Co含量WC-Co/SiC/Diamond界面结合性能的影响
2
作者 杨俊茹 岳艳萍 +2 位作者 吕浩 任保飞 陈公领 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第11期1997-2006,共10页
本文构建了Co质量分数分别为6%、8%、10%和12%的WC-Co/SiC/Diamond金刚石涂层硬质合金界面模型,利用分子动力学方法模拟了不同沉积温度对其界面结合强度的影响,从黏附功及键长分布两个方面进行具体分析。黏附功分析结果表明,与其他三种C... 本文构建了Co质量分数分别为6%、8%、10%和12%的WC-Co/SiC/Diamond金刚石涂层硬质合金界面模型,利用分子动力学方法模拟了不同沉积温度对其界面结合强度的影响,从黏附功及键长分布两个方面进行具体分析。黏附功分析结果表明,与其他三种Co含量界面模型相比,WC-6%Co/SiC/Diamond界面模型在七个沉积温度下所包含的两种界面的黏附功值均为最高值,并且在不同沉积温度下,WC-6%Co/SiC/Diamond界面模型所包含的WC-6%Co/SiC界面、SiC/Diamond界面的黏附功分别在1123、1173 K时最大,为2.468、5.394 J/m^(2)。键长分布概率分析结果表明,与其他三种Co含量界面模型相比,在任一沉积温度下,WC-6%Co/SiC/Diamond界面模型各界面处键长分布范围的最大值较小,且在1123 K时在WC-6%Co基体上沉积SiC中间层,在1173 K时在SiC中间层上沉积Diamond涂层后,该界面模型界面处的键长最短,键能最大,界面结合性能最好。 展开更多
关键词 金刚石涂层硬质合金 WC-Co/SiC/Diamond 沉积温度 CO含量 界面黏附功 界面结合性能 键长
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沉积温度对AlTiN/AlTiSiN多层复合涂层的影响
3
作者 张雅倩 刘艳梅 +4 位作者 王重阳 黄美东 范其香 曹凤婷 王铁钢 《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2023年第3期19-25,共7页
为了优化AlTiN和AlTiSiN的沉积温度,兼顾2种涂层的性能,采用电弧离子镀膜技术,在不同沉积温度下,制备一系列AlTiN/AlTiSiN多层复合涂层,并采用SEM、XRD、EDS、纳米压痕仪、划痕仪、摩擦磨损试验机和轮廓仪等仪器对复合涂层的微观结构、... 为了优化AlTiN和AlTiSiN的沉积温度,兼顾2种涂层的性能,采用电弧离子镀膜技术,在不同沉积温度下,制备一系列AlTiN/AlTiSiN多层复合涂层,并采用SEM、XRD、EDS、纳米压痕仪、划痕仪、摩擦磨损试验机和轮廓仪等仪器对复合涂层的微观结构、力学性能以及摩擦学性能进行表征和测试,探究沉积温度对AlTiN/AlTiSiN多层复合涂层的影响.结果表明:(1)随着沉积温度升高,多层复合涂层的表面质量逐渐改善,组织结构更加致密;(2)随着沉积温度升高,涂层的纳米硬度和膜基结合强度先增大后减小,摩擦系数和磨损率先减小后增大;(3)当沉积温度为430℃时,涂层综合性能最好,硬度为30.9GPa,临界载荷为89N,摩擦系数为0.72,磨损率为7.1×10^(-3)μm^(3)/(N·μm). 展开更多
关键词 AlTiN/AlTiSiN多层复合涂层 沉积温度 微观结构 力学性能 摩擦学性能
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沉积温度对甲基硅烷化学气相沉积SiC涂层显微组织和烧蚀性能的影响
4
作者 胡祥龙 罗骁 +2 位作者 杨鑫 谭瑞轩 黄启忠 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CSCD 2023年第12期3797-3811,共15页
以甲基硅烷(MS)为气源,采用化学气相沉积方法于不同温度下在石墨表面制备SiC涂层,并系统研究温度对SiC涂层的沉积速率、显微组织和抗烧蚀性能的影响规律。实验结果表明:当沉积温度为1000℃时,以MS为气源的SiC涂层的沉积速率为50~120μm... 以甲基硅烷(MS)为气源,采用化学气相沉积方法于不同温度下在石墨表面制备SiC涂层,并系统研究温度对SiC涂层的沉积速率、显微组织和抗烧蚀性能的影响规律。实验结果表明:当沉积温度为1000℃时,以MS为气源的SiC涂层的沉积速率为50~120μm/h,远高于以甲基三氯硅烷为气源的沉积速率(5~10μm/h)。当沉积温度较低(900~1000℃)时,以MS为气源所制备的SiC涂层整体光滑、平整,呈球形紧密堆积形貌;沉积温度较高(1100~1200℃)时,SiC涂层呈不规则菜花状颗粒堆积形貌,且微晶尺寸明显增大;当沉积温度为1000℃时,SiC涂层具有合适的致密性、粗糙度以及尺寸均匀的显微组织,同时,该涂层经2300℃等离子烧蚀80 s后,其质量烧蚀率和线性烧蚀率分别为0.0096 mg/s和0.3750μm/s,显示优异的抗烧蚀性能。本研究为以MS为气源的化学气相沉积法制备SiC涂层提供一定的理论基础和技术支撑。 展开更多
关键词 甲基硅烷 化学气相沉积 SIC涂层 沉积温度 显微组织 烧蚀性能
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沉积温度对CVI+PIP工艺C/C复合材料微观组织及磨损性能的影响
5
作者 马玉钦 王英皓 +3 位作者 李飞 鞠录岩 王刚锋 王浩 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期775-785,811,共12页
采用化学气相浸渗(CVI)与聚合物浸渍裂解法(PIP)相结合的工艺制备碳/碳(C/C)复合材料,利用CFT-I型材料表面性能综合试验仪对C/C复合材料进行往复摩擦磨损测试,采用扫描电镜对C/C复合材料的微观组织与摩擦磨损试验后的表面形貌进行表征,... 采用化学气相浸渗(CVI)与聚合物浸渍裂解法(PIP)相结合的工艺制备碳/碳(C/C)复合材料,利用CFT-I型材料表面性能综合试验仪对C/C复合材料进行往复摩擦磨损测试,采用扫描电镜对C/C复合材料的微观组织与摩擦磨损试验后的表面形貌进行表征,研究了沉积温度对CVI+PIP工艺C/C复合材料微观组织与摩擦磨损性能的影响规律。结果表明:与石墨材料相比,C/C复合材料具有更加理想的摩擦磨损性能;沉积温度为1050℃制得的C/C复合材料具有稳定的摩擦系数和最低的磨损率,在该温度下产生的孔洞和裂纹极少,浸渗效果最为理想。 展开更多
关键词 沉积温度 化学气相浸渗 聚合物浸渍裂解法 C/C复合材料
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压力对油气体系石蜡沉积温度的影响 被引量：21
6
作者 梅海燕 张茂林 +2 位作者 孙良田 孙雷 郭平 《西南石油学院学报》 CSCD 2001年第6期9-11,共3页
蜡质、胶质、沥青质等固相沉积问题普遍存在于油气生产的各个环节 ,对油气生产造成严重影响。采用状态方程和溶液理论相结合 ,建立气—液—固三相相平衡热力学模型。根据正规溶液理论校正固相混合物的非理想性 ,采用状态方程描述气相和... 蜡质、胶质、沥青质等固相沉积问题普遍存在于油气生产的各个环节 ,对油气生产造成严重影响。采用状态方程和溶液理论相结合 ,建立气—液—固三相相平衡热力学模型。根据正规溶液理论校正固相混合物的非理想性 ,采用状态方程描述气相和液相的相态。对某一油气体系进行了蜡固相沉积模拟计算 ,结果表明 ,压力对蜡沉积点温度有较大的影响 ,压力对蜡沉积点温度在低于饱和压力下比高于饱和压力下的影响更大。 展开更多
关键词 石蜡 沉积温度 溶液 相平衡
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低压沉积温度对MoSi_2涂层微观结构与性能影响 被引量：9
7
作者 吴恒 李贺军 +3 位作者 王永杰 付前刚 何子博 魏建锋 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期392-396,共5页
以SiCl4和H2为原料,采用低压化学气相沉积（LPCVD）渗硅法在Mo基体表面原位反应制备了MoSi2涂层,研究了沉积温度对MoSi2涂层微观形貌、物相组成、沉积速率、涂层的硬度、涂层与基体结合强度的影响.研究结果表明：在1100~1200℃下制备的... 以SiCl4和H2为原料,采用低压化学气相沉积（LPCVD）渗硅法在Mo基体表面原位反应制备了MoSi2涂层,研究了沉积温度对MoSi2涂层微观形貌、物相组成、沉积速率、涂层的硬度、涂层与基体结合强度的影响.研究结果表明：在1100~1200℃下制备的涂层结构致密,由单一MoSi2组成,沉积速率、涂层的硬度以及与基体的结合强度均表现为増加的趋势;当沉积温度高于1200℃,涂层出现开裂现象,由游离Si和MoSi2两相组成,涂层沉积速率、硬度和结合强度均出现下降的趋势.1100℃以下沉积的主要控制步骤为Si与Mo反应,而1100℃以上Si在涂层中的扩散对沉积过程起控制作用. 展开更多
关键词 LPCVD MoSi2涂层 微观结构 性能 沉积温度
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沉积温度和退火处理对脉冲激光沉积的ZnO∶Al膜性能的影响 被引量：19
8
作者 陈欣 方斌 +4 位作者 官文杰 吴天书 郭明森 方国家 赵兴中 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1511-1513,共3页
利用脉冲激光沉积法制备了ZnO∶Al透明导电薄膜.通过对膜的霍尔系数测量及 AFM、XRD分析,详细研究了温度和退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明沉积温度影响膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.制备的薄膜均具有ZnO(0... 利用脉冲激光沉积法制备了ZnO∶Al透明导电薄膜.通过对膜的霍尔系数测量及 AFM、XRD分析,详细研究了温度和退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明沉积温度影响膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.制备的薄膜均具有ZnO(002)择优取向的多晶膜.在240～310℃沉积的薄膜具有最低的电阻率,其值为6.1×10-4Ω·cm,在240℃沉积的薄膜在氩气中退火薄膜的电阻率下降为4. 7×10-4Ω·cm.所有薄膜在可见光区的平均透过率均达到了90%以上. 展开更多
关键词 沉积温度 ZnO:Al(AZO)膜 退火
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沉积温度对HfO_2薄膜残余应力的影响 被引量：10
9
作者 申雁鸣 贺洪波 +2 位作者 邵淑英 范正修 邵建达 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1812-1816,共5页
用电子束蒸发方法制备了HfO2薄膜,根据镀膜前后基片曲率半径的变化,用Stoney公式计算了薄膜应力,讨论了沉积温度对薄膜残余应力的影响.结果发现,HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随沉积温度的升高先增大后减小,在280℃左右出现极大... 用电子束蒸发方法制备了HfO2薄膜,根据镀膜前后基片曲率半径的变化,用Stoney公式计算了薄膜应力,讨论了沉积温度对薄膜残余应力的影响.结果发现,HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随沉积温度的升高先增大后减小,在280℃左右出现极大值.对样品进行了XRD测试,从微观结构上对实验结果进行了分析,发现微结构演变引起的内应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素,HfO2薄膜在所选沉积温度60～350℃内出现了晶态转变,堆积密度随温度升高而增大. 展开更多
关键词 HFO2薄膜 残余应力 沉积温度 微结构 X射线衍射
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沉积温度对磁控溅射BiFeO3薄膜结构和性能的影响 被引量：10
10
作者 赵庆勋 张婷 +3 位作者 马继奎 魏大勇 王宽冒 刘保亭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期921-925,共5页
应用磁控溅射法在以SrRuO3(SRO)薄膜为缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si(001)基片上制备了多晶BiFeO3(BFO)薄膜,构架了SRO/BFO/SRO异质结电容器。采用X射线衍射、铁电测试仪等研究沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响。X射线衍射图谱显示BFO薄膜... 应用磁控溅射法在以SrRuO3(SRO)薄膜为缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si(001)基片上制备了多晶BiFeO3(BFO)薄膜,构架了SRO/BFO/SRO异质结电容器。采用X射线衍射、铁电测试仪等研究沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响。X射线衍射图谱显示BFO薄膜为多晶结构。在2.5 kHz测试频率下,500℃生长的BFO薄膜呈现比较饱和的电滞回线,2Pr为145μC/cm2,矫顽场Ec为158 kV/cm,漏电流密度约为2.4×10-4A/cm2。漏电机制研究表明,在低电场区,SRO/BFO/SRO电容器满足欧姆导电机制,在高电场区,满足普尔-弗兰克导电机理。实验发现:SRO/BFO/SRO电容器经过109翻转后仍具有良好的抗疲劳特性。 展开更多
关键词 磁控溅射 沉积温度 SRRUO3 BIFEO3薄膜
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沉积温度对等离子增强化学气相沉积法制备的SiN_x：H薄膜特性的影响 被引量：7
11
作者 闻震利 曹晓宁 +3 位作者 周春兰 赵雷 李海玲 王文静 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1531-1536,共6页
利用Centrotherm公司生产的管式等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备在p型抛光硅片表面沉积SiNx:H薄膜,研究沉积温度对SiNx:H薄膜的组成及光学特性、结构及表面钝化特性的影响.然后采用工业化的单晶硅太阳电池制作设备和工艺制作太阳电池... 利用Centrotherm公司生产的管式等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备在p型抛光硅片表面沉积SiNx:H薄膜,研究沉积温度对SiNx:H薄膜的组成及光学特性、结构及表面钝化特性的影响.然后采用工业化的单晶硅太阳电池制作设备和工艺制作太阳电池,研究不同温度制备的薄膜对电池电性能的影响.测试结果表明:SiNx:H薄膜的折射率随着沉积温度的升高而变大,分布在1.926-2.231之间,这表明Si/N摩尔比随着沉积温度的增加而增加;当沉积温度增加时,薄膜中Si-H键和N-H键浓度呈现减小趋势,而Si-N键浓度逐渐升高,薄膜致密度增加;随着沉积温度的升高,SiNx:H薄膜中的氢析出导致了钝化硅片的有效少子寿命先升高后降低,并且有效少子寿命出现明显的时间衰减特性.当沉积温度为450°C时,薄膜具有最优的减反射和表面钝化效果.采用不同温度PECVD制备的5组电池的电性能测试结果也验证了这一结果. 展开更多
关键词 SiNx:H薄膜 沉积温度 结构特性 钝化 太阳电池 效率
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沉积温度对LaF_3薄膜性能的影响 被引量：6
12
作者 余华 崔云 +3 位作者 申雁鸣 齐红基 邵建达 范正修 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1507-1511,共5页
在189,255,277和321℃的沉积温度下用热舟蒸发方法制备了LaF3薄膜。通过X射线衍射(XRD)测试了薄膜的晶体结构;采用分光光度计测量了薄膜的透射光谱,并计算得到样品的折射率、消光系数和截止波长;利用光学干涉仪测试得到了薄膜的残余应力... 在189,255,277和321℃的沉积温度下用热舟蒸发方法制备了LaF3薄膜。通过X射线衍射(XRD)测试了薄膜的晶体结构;采用分光光度计测量了薄膜的透射光谱,并计算得到样品的折射率、消光系数和截止波长;利用光学干涉仪测试得到了薄膜的残余应力;采用三倍频Nd:YAG脉冲激光测试了薄膜的激光损伤阈值。结果表明:随沉积温度的提高,LaF3薄膜的结晶状况明显变好,晶粒尺寸逐渐变大;膜层变得更加致密,折射率变大,然而薄膜吸收变得严重,截止波段向长波漂移,同时薄膜的残余应力也增加,内应力在薄膜的残余应力中起着决定作用;薄膜的激光损伤阈值在高温制备时相对较高。 展开更多
关键词 LaFa薄膜 沉积温度 晶体结构 折射率 残余应力 激光损伤阈值
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沉积温度对PECVD制备碳纳米管形貌的影响 被引量：9
13
作者 席彩萍 王六定 +1 位作者 王小冬 李昭宁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期938-941,共4页
采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的Si基底上成功制备出多壁碳纳米管薄膜。采用扫描电镜研究了沉积温度对碳管形貌的影响,进一步通过扩散机制分析了多种形貌CNTs的生长机制。结果表明:沉积温度... 采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的Si基底上成功制备出多壁碳纳米管薄膜。采用扫描电镜研究了沉积温度对碳管形貌的影响,进一步通过扩散机制分析了多种形貌CNTs的生长机制。结果表明:沉积温度对催化剂的刻蚀和碳纳米管薄膜的形成起着决定作用,获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管的最佳温度是700℃。 展开更多
关键词 多壁碳纳米管 沉积温度 PECVD
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沉积温度对磁控溅射制备V-Al-Si-N硬质涂层结构及性能的影响 被引量：5
14
作者 王恩青 李淼磊 +2 位作者 朱萍 黄峰 岳建岭 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期1005-1010,共6页
采用磁控溅射工艺制备了不同沉积温度的V-Al-Si-N涂层,利用X射线衍射、扫描电镜、纳米压痕仪和摩擦磨损试验机对涂层的结构和性能进行了分析。研究结果表明:室温下制备的涂层生长缺陷较多,残余应力较大。适当提高沉积温度至300℃,涂层... 采用磁控溅射工艺制备了不同沉积温度的V-Al-Si-N涂层,利用X射线衍射、扫描电镜、纳米压痕仪和摩擦磨损试验机对涂层的结构和性能进行了分析。研究结果表明:室温下制备的涂层生长缺陷较多,残余应力较大。适当提高沉积温度至300℃,涂层的晶体结晶性得到提高,柱状晶粗大贯穿整个膜厚,晶粒尺寸变大;继续提高沉积温度至500℃时,涂层呈(200)择优取向,晶粒尺寸变小,涂层致密度提高。随着沉积温度的提高,涂层的硬度略有下降,但是涂层的摩擦学性能得到大幅度提升。500℃制备涂层的硬度为29.7 GPa,磨损率达到6.1×10-17m3/Nm,比室温制备的涂层的磨损率降低了两个数量级。 展开更多
关键词 磁控溅射 V-Al-Si-N涂层 沉积温度 生长结构 摩擦磨损
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CrCN涂层在不同沉积温度下的摩擦学性能研究 被引量：5
15
作者 王春婷 叶育伟 +3 位作者 胡建民 陈颢 王永欣 李金龙 《有色金属科学与工程》 CAS 2015年第2期42-47,共6页
利用多弧离子镀技术,在乙炔和氮气环境下,设定不同沉积温度(150℃、250℃、350℃、450℃),在316L不锈钢及单晶硅片上沉积Cr CN涂层,通过XRD、XPS、SEM、纳米压痕仪和UMT-3多功能摩擦磨损试验机等涂层的微观结构、力学性能和摩擦学性能... 利用多弧离子镀技术,在乙炔和氮气环境下,设定不同沉积温度(150℃、250℃、350℃、450℃),在316L不锈钢及单晶硅片上沉积Cr CN涂层,通过XRD、XPS、SEM、纳米压痕仪和UMT-3多功能摩擦磨损试验机等涂层的微观结构、力学性能和摩擦学性能进行表征.结果表明:随着沉积温度的升高,Cr CN涂层的硬度和模量呈现出递增的趋势,在沉积温度为450℃时达到最高,分别为24 GPa和354 GPa;摩擦系数和磨损率则呈现出先递减后递增的趋势,在沉积温度为350℃时达到最低,摩擦系数在大气和水环境下分别为0.38和0.23,磨损率在大气和水环境下则分别为1.717 1×10-6mm3/N·m和9.529 7×10-7mm3/N·m.同时,涂层在水环境中的摩擦系数和磨损率均低于大气环境中,说明水分子在摩擦过程中起到了较好的润滑作用. 展开更多
关键词 沉积温度 CrCN涂层 硬度 摩擦系数 磨损率
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锗(Ge)光学薄膜在不同沉积温度下的聚集密度研究 被引量：4
16
作者 罗海瀚 刘定权 +1 位作者 尹欣 张莉 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期90-93,共4页
锗（Ge）薄膜是中长波红外区最常用的光学薄膜之一,高的聚集密度对于提升光谱稳定性和光学薄膜元件的品质非常重要。选用纯度为99.99%的Ge材料,在5×10-4Pa左右的真空压力下用电子束蒸发沉积,石英晶振仪将沉积速率控制在0.8~1.0nm/... 锗（Ge）薄膜是中长波红外区最常用的光学薄膜之一,高的聚集密度对于提升光谱稳定性和光学薄膜元件的品质非常重要。选用纯度为99.99%的Ge材料,在5×10-4Pa左右的真空压力下用电子束蒸发沉积,石英晶振仪将沉积速率控制在0.8~1.0nm/s范围,宝石片基片上的膜层厚度约为0.8~1.0μm,在不同沉积温度下制备样品。用傅里叶红外光谱仪测量吸潮前后薄膜的光谱曲线,根据波长漂移理论,计算出薄膜的聚集密度。结果表明：聚集密度随沉积温度的升高而增加,从常温沉积的约0.74上升到250℃沉积的0.99以上。 展开更多
关键词 光学薄膜 聚集密度 锗 沉积温度
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沉积温度对NbN膜层微观结构的影响 被引量：3
17
作者 宋教花 张涛 +3 位作者 侯君达 邓志威 李永良 马芙蓉 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期41-44,共4页
利用有磁过滤器的等离子体沉积装置 ,在不同温度的Si基底上沉积氮化铌 (NbN)薄膜 ,通过XRD ,XPS ,SEM等分析 ,研究了NbN薄膜的表面形貌与微观结构跟温度的关系 .发现沉积温度对择优取向有较强的影响 :从室温到约 30 0℃得到的薄膜在 (2 ... 利用有磁过滤器的等离子体沉积装置 ,在不同温度的Si基底上沉积氮化铌 (NbN)薄膜 ,通过XRD ,XPS ,SEM等分析 ,研究了NbN薄膜的表面形貌与微观结构跟温度的关系 .发现沉积温度对择优取向有较强的影响 :从室温到约 30 0℃得到的薄膜在 (2 2 0 )峰表现出很强的择优取向 ,50 0℃ (2 2 0 )峰变得很弱 ,(2 0 0 )峰表现出择优取向 ,但不明显 .同时 ,膜层中N和Nb的原子比先随温度的升高而升高 ,后稍有降低 .温度升高 ,δ NbN的晶粒变大 .室温到 30 0℃很难得到完整的NbN膜 ,而在 50 0℃得到的薄膜完整且光滑 ,膜层中得到单一的δ 展开更多
关键词 等离子体沉积 氮化铌薄膜 沉积温度 微观结构 择扰取向 表面形貌 基底温度
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沉积温度对BiFeO_3薄膜结构和性能的影响 被引量：3
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作者 赵庆勋 魏大勇 +3 位作者 王宽冒 马继奎 刘保亭 王英龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1396-1400,共5页
采用磁控溅射法制备SrRuO3(SRO)薄膜、脉冲激光沉积法制备BiFeO3(BFO),构架了Pt/SRO/BFO/SRO/SrTiO3(001)异质结,采用X射线衍射仪(XRD)、铁电测试仪研究了沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响。研究结果表明,随着温度的升高,BFO(001)和(0... 采用磁控溅射法制备SrRuO3(SRO)薄膜、脉冲激光沉积法制备BiFeO3(BFO),构架了Pt/SRO/BFO/SRO/SrTiO3(001)异质结,采用X射线衍射仪(XRD)、铁电测试仪研究了沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响。研究结果表明,随着温度的升高,BFO(001)和(002)衍射峰强度逐渐增强,BFO(110)和Bi2O3衍射峰强度逐渐减小,不同沉积温度下生长的样品都具有铁电性,在800 kV/cm的电场下,640℃下生长的BFO薄膜的剩余极化强度为65μC/cm2。采用数学拟合的方法研究了Pt/SrRuO3/BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3的漏电机理,结果表明BFO薄膜导电机理为普尔-弗兰克导电机理。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 沉积温度 铁酸铋薄膜
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沉积温度对磁控溅射镀钌薄膜微观结构和附着力的影响 被引量：2
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作者 王盼 潘应君 +2 位作者 洪波 徐源源 杨林 《武汉科技大学学报》 CAS 北大核心 2017年第1期23-26,共4页
采用中频磁控溅射技术在钼圆片表面镀覆钌薄膜,通过X射线衍射仪、扫描电镜、平整度仪、宏观浸蚀试验和百格测试等对镀层进行表征和检测,研究不同沉积温度对薄膜微观结构和附着力的影响。结果表明,随着沉积温度由室温升至200℃,钌薄膜的... 采用中频磁控溅射技术在钼圆片表面镀覆钌薄膜,通过X射线衍射仪、扫描电镜、平整度仪、宏观浸蚀试验和百格测试等对镀层进行表征和检测,研究不同沉积温度对薄膜微观结构和附着力的影响。结果表明,随着沉积温度由室温升至200℃,钌薄膜的表面平整性和致密性逐步改善,附着力得以提高;200℃沉积薄膜的膜/基结合力最大,其微观结构、致密性等也均达到最优;但当沉积温度进一步提高到300℃时,钌薄膜的表面起伏反而增大,附着力有所下降。 展开更多
关键词 钌薄膜 钼基片 磁控溅射 镀膜 沉积温度 附着力 微观结构
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沉积温度对非平衡磁控溅射MoS_2-Ti复合薄膜的结构与性能影响研究 被引量：2
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作者 周晖 郑军 +2 位作者 温庆平 桑瑞鹏 万志华 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期16-19,22,共5页
采用非平衡磁控溅射沉积技术制备MoS2-Ti复合薄膜,研究了沉积温度对薄膜的结构和性能的影响。利用SEM、XRF和XRD分析薄膜的形貌、成分和晶相结构,用CSEM薄膜综合性能测试仪测试薄膜的硬度和与基底间的附着力,用球-盘摩擦试验机和真空环... 采用非平衡磁控溅射沉积技术制备MoS2-Ti复合薄膜,研究了沉积温度对薄膜的结构和性能的影响。利用SEM、XRF和XRD分析薄膜的形貌、成分和晶相结构,用CSEM薄膜综合性能测试仪测试薄膜的硬度和与基底间的附着力,用球-盘摩擦试验机和真空环模系统评价薄膜的真空摩擦磨损性能。结果表明:沉积温度升高薄膜中S和Mo原子比从1.72升高至1.76,Ti质量分数从8.2%降低至6.7%,薄膜从明显的(002)基面优势取向向多晶态转变,晶粒尺寸变大,棱面膜含量增多;薄膜的硬度、与基底间的附着力都随沉积温度的升高而降低,沉积温度为200℃时薄膜性能降低明显,硬度从4GPa降至2GPa,薄膜与基底间附着力从80mN以上降至35mN;薄膜在真空环境中的减摩作用不受沉积温度影响,摩擦因数平均值为0.02,波动范围为0.01～0.04,薄膜耐磨寿命随沉积温度升高而降低,50℃和100℃薄膜耐磨寿命相差不多,200℃薄膜样品耐磨寿命很差,是50℃和100℃薄膜样品的1/8～1/7。 展开更多
关键词 非平衡磁控溅射 MoS2-Ti复合薄膜 沉积温度 结构和性能
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