期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到75篇文章
< 1 2 … 4 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
沟槽型织构化火箭橇滑块磨损行为的有限元模拟
1
作者 严凯 林乃明 +3 位作者 王振霞 王玮华 曾群锋 吴玉程 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期190-202,共13页
火箭橇系统的服役工况条件直接导致火箭橇滑块磨损,而滑块的磨损严重威胁着火箭橇系统的可靠运行和长寿命服役安全,更是制约火箭橇系统发展和应用的主要技术瓶颈。因束缚于极端服役工况条件和高昂的试验成本,以及仅通过二维模型或只考... 火箭橇系统的服役工况条件直接导致火箭橇滑块磨损,而滑块的磨损严重威胁着火箭橇系统的可靠运行和长寿命服役安全,更是制约火箭橇系统发展和应用的主要技术瓶颈。因束缚于极端服役工况条件和高昂的试验成本,以及仅通过二维模型或只考虑局部碰撞变形的模拟仿真,尚且未能克服这一问题。根据Archard磨损理论、非线性自适应几何更新和弹塑性变形等有限元分析方法及表面织构技术,建立由0Cr18Ni9Ti不锈钢滑块和U71Mn钢轨钢滑轨组成的有限元三维磨损模型,并分别对火箭橇滑块光滑表面、沟槽型织构化表面进行磨损仿真,揭示滑块磨损过程中接触面磨损、Von-mises等效应力以及接触压力等接触特征的变化。结果表明:沟槽型织构能够显著影响滑块磨损,织构密度增加促进了接触面均匀磨损,使得应力分布均匀、梯度变化平稳,缓解了应力集中,避免了长时间的剧烈磨损;接触压力也随织构密度的增加而增加,使得接触面与目标面接触紧密、间隙更小,可有效避免磨粒或磨屑引起的三体磨损。有限元模拟表明,通过恰当表面设计获得沟槽型表面织构能够显著影响磨损,也可为实现兼具减摩抗磨性与结构可设计性于一体的火箭橇滑块提供技术参考和理论支撑。 展开更多
关键词 火箭橇滑块 有限元模拟 磨损 沟槽型表面织构
下载PDF
一种沟槽型SGTMOSFET终端结构
2
作者 湛涛 冯全源 《中国集成电路》 2023年第12期40-44,共5页
为了在提升终端耐压的同时减少终端的使用面积,基于屏蔽栅沟槽型MOSFET (shielded gate trench MOSFET,简称SGTMOSFET)设计了一种沟槽型终端。通过Sentaurus TCAD软件对终端结构进行仿真,仅改变沟槽和P型环参数,最终使终端的耐压达到了1... 为了在提升终端耐压的同时减少终端的使用面积,基于屏蔽栅沟槽型MOSFET (shielded gate trench MOSFET,简称SGTMOSFET)设计了一种沟槽型终端。通过Sentaurus TCAD软件对终端结构进行仿真,仅改变沟槽和P型环参数,最终使终端的耐压达到了135V,有效终端长度仅为18.5μm。此终端结构适用于中低压领域,且在SGTMOSFET元胞工艺步骤的基础上仅增加了一层掩膜,终端结构工艺和元胞工艺兼容,易于实现。 展开更多
关键词 屏蔽栅沟槽型金属氧化物场效应晶体管 沟槽终端 耗尽层 击穿电压
下载PDF
沟槽型织构摩擦学性能的数值模拟与实验研究 被引量：7
3
作者 陈平 项欣 +2 位作者 李俊玲 邵天敏 刘光磊 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期31-37,共7页
为研究沟槽型织构角度及排布形式对接触表面摩擦学性能的影响,通过有限元分析软件对不同角度及排布形式的沟槽型织构进行数值模拟,利用YLP-20型激光加工系统在不锈钢圆盘表面加工沟槽型织构,并利用UMT-2摩擦磨损仪在旋转条件下进行摩擦... 为研究沟槽型织构角度及排布形式对接触表面摩擦学性能的影响,通过有限元分析软件对不同角度及排布形式的沟槽型织构进行数值模拟,利用YLP-20型激光加工系统在不锈钢圆盘表面加工沟槽型织构,并利用UMT-2摩擦磨损仪在旋转条件下进行摩擦实验。结果表明:沟槽型织构的数值模拟结果与实验结果基本吻合,加工有织构的摩擦副其摩擦学性能得到改善,且不同角度及排布形式的沟槽型织构对摩擦副的摩擦学性能影响不同,即当摩擦速率小于300r/min时0°平行织构的摩擦因数较小;摩擦速率大于300r/min时90°平行织构有更好的减摩能力,故应用中要根据不同工况条件选择不同排布形式的沟槽型织构。 展开更多
关键词 沟槽型织构 排布形式 数值模拟 油润滑 摩擦因数
下载PDF
帕隆藏布流域沟槽型雪崩发育特征及分布规律研究 被引量：4
4
作者 张根 孙春卫 +2 位作者 杨成业 文洪 张烜途 《高原科学研究》 CSCD 2021年第1期35-43,共9页
采用遥感手段解译帕隆藏布流域9106处沟槽型雪崩灾害点,通过应用GIS方法结合ALOS高精度数字地形数据,统计分析了帕隆藏布流域沟槽型雪崩的分布规律,并对典型沟槽雪崩的地形地貌及结构等发育特征进行了研究。结果显示:(1)帕隆藏布流域沟... 采用遥感手段解译帕隆藏布流域9106处沟槽型雪崩灾害点,通过应用GIS方法结合ALOS高精度数字地形数据,统计分析了帕隆藏布流域沟槽型雪崩的分布规律,并对典型沟槽雪崩的地形地貌及结构等发育特征进行了研究。结果显示:(1)帕隆藏布流域沟槽型雪崩发育明显的积雪区、运动区和堆积区,具有雪崩量大、运动速度快、冲击能量大、破坏力强等特征。(2)研究区沟槽型雪崩灾害分布呈从北到南、从东向西降低的趋势,集中分布在高海拔、森林覆盖率较低、狭窄陡峻的河谷岸坡上。(3)研究区沟槽型雪崩灾害分布在海拔3200∼5700 m内,坡度在25°∼50°之间,坡向在60°∼132°、222°∼288°范围内。 展开更多
关键词 帕隆藏布流域 沟槽型雪崩 雪崩发育特征 分布规律
下载PDF
沟槽型表面织构分布形式对机械密封特性的影响 被引量：1
5
作者 魏伟 《安徽工业大学学报（自然科学版）》 CAS 2016年第1期54-57,共4页
建立沟槽型表面织构端面气体密封理论模型,利用有限差分法求解流体动压润滑方程获得无量纲压力分布,并考察不同分布形式沟槽宽度和深度对气膜开启力、摩擦扭矩和刚度等密封特性的影响。结果表明:随着槽宽或槽深的增大,气膜开启力和刚度... 建立沟槽型表面织构端面气体密封理论模型,利用有限差分法求解流体动压润滑方程获得无量纲压力分布,并考察不同分布形式沟槽宽度和深度对气膜开启力、摩擦扭矩和刚度等密封特性的影响。结果表明:随着槽宽或槽深的增大,气膜开启力和刚度呈先增大后减小趋势,而摩擦扭矩则保持减小趋势;沟槽沿半径方向分布时具有最佳的综合性能。 展开更多
关键词 动压润滑 沟槽型织构 有限差分法 密封特性
下载PDF
沟槽型MOSFET的发展(英文) 被引量：1
6
作者 王翠霞 范学峰 +1 位作者 许维胜 谢福渊 《通信电源技术》 2009年第1期72-74,共3页
在功率变换器中沟槽型MOSFET取代功率二极管传递能量有两个优点:可以用PWM驱动电路灵活地控制MOSFET为不同的负载提供所需的能量;导通电阻低,能耗小。文章介绍了新研究出来的厚栅氧MOSFET,RSO MOSFET,集成肖特基二极管的沟槽型MOSFET,... 在功率变换器中沟槽型MOSFET取代功率二极管传递能量有两个优点:可以用PWM驱动电路灵活地控制MOSFET为不同的负载提供所需的能量;导通电阻低,能耗小。文章介绍了新研究出来的厚栅氧MOSFET,RSO MOSFET,集成肖特基二极管的沟槽型MOSFET,并对它们的机理和性能进行了阐述和分析。 展开更多
关键词 沟槽型MOSFET 厚栅氧 MOSFET RSO MOSFET 肖特基二极管
下载PDF
各向异性介质填充沟槽型无辐射介质波导的色散特性
7
作者 沈忠祥 王抗美 《电波科学学报》 EI CSCD 1991年第1期300-304,共5页
一、引言无辐射介质波导(NRD波导)是一种潜在的制作毫米波集成电路的新型导波结构。它具有结构简单、制作方便和低损耗等突出优点。沟槽型无辐射介质波导(GNRD波导)是NRD波导的一种改进结构,它克服了NRD波导难以固定介质块的缺点。
关键词 介质波导 色散 沟槽型 异性介质
下载PDF
沟槽型无辐射介质波导的研究进展
8
作者 章文勋 祝雷 肖利苓 《电波科学学报》 EI CSCD 1991年第1期275-278,共4页
一引言在毫米波技术获得迅速发展的八十年代,出现了名目繁多的新型波导传输结构,一类无辐射的敞开结构的波导以其低损耗、无泄漏、易于改变传输方向等优点而独树一帜。Yoneyama和Nishida率先提出无辐射介质(NRD)波导结构(图1a),并研制... 一引言在毫米波技术获得迅速发展的八十年代,出现了名目繁多的新型波导传输结构,一类无辐射的敞开结构的波导以其低损耗、无泄漏、易于改变传输方向等优点而独树一帜。Yoneyama和Nishida率先提出无辐射介质(NRD)波导结构(图1a),并研制了多种毫米波NRD波导的无源元件、有源电路和漏波天线。Oliner和Lampadello则提出无辐射沟槽(NRG)波导结构(图1b),并应用于漏波天线。在这种无辐射结构的横截面内,在含介质条或沟槽的区域以外,传输主模呈截止状态,使电磁波能量集中于介质条或沟槽区内及其邻近。 展开更多
关键词 沟槽型 无辐射 介质波导
下载PDF
沟槽型X射线两次衍射单色器研究 被引量：2
9
作者 何健 徐中民 +3 位作者 宋丽 杨铁莹 王纳秀 王劼 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期2085-2091,共7页
为获得高能量分辨率、高准直的同步辐射光,应用X射线衍射动力学原理,并依据上海光源小角散射线站光学参数,设计并加工了两次衍射的单晶硅(111)面沟槽型单色器。测量了两反射面平行度、斜切角及摇摆曲线,并对摇摆曲线的测量值进行了误差... 为获得高能量分辨率、高准直的同步辐射光,应用X射线衍射动力学原理,并依据上海光源小角散射线站光学参数,设计并加工了两次衍射的单晶硅(111)面沟槽型单色器。测量了两反射面平行度、斜切角及摇摆曲线,并对摇摆曲线的测量值进行了误差分析。理论模拟与实验数据对比分析显示:有效减小晶体加工过程中的残余应力导致的晶格畸变、改善晶体形貌、调整斜切角与增加衍射级次可降低晶体的衍射角宽,进而提高出射光的准直性和能量分辨率。经计算,在同步辐射光能量为10keV条件下,单晶硅(111)面沟槽型单色器的本征能量分辨率为1.452×10^(-4)。 展开更多
关键词 X射线光学 高分辨率 两次衍射 沟槽型单色器 摇摆曲线
下载PDF
从点滴做起，帮助电动汽车节能——罗姆公司（ROHM）推出沟槽型SiC-MOSFET
10
作者 李志 《汽车制造业》 2015年第16期43-43,共1页
ROHM为工业和汽车领域带来了世界首创的沟槽型SiC-MOSFET，该类产品以良好的开关性能和极低的导通损耗帮助提高电动机驱动、逆变器和充电器等设备的工作效率和精度。此类产品有助于降低电动汽车中功率元器件的能耗。
关键词 电动机驱动 汽车节能 沟槽型 点滴 导通损耗 开关性能 工作效率 电动汽车
下载PDF
沟槽型无辐射介质波导的耦合特性 被引量：1
11
作者 祝雷 肖利苓 章文勋 《微波学报》 CSCD 北大核心 1989年第1期1-5,共5页
本文采用横向谐振法和奇、偶激励法分析了平行耦合和对称弯曲耦合的沟槽型无辐射介质(GNRD)波导的耦合特性,并对实验样品进行了测试。理论计算结果和实验结果符合良好,为GNRD波导定向耦合器等元件的设计提供了理论依据。
关键词 GNRD 波导 耦合 横向谐振法 沟槽型
下载PDF
基于MATLAB的沟槽型节流缓冲装置仿真与分析 被引量：2
12
作者 孟尧 刘忠 李晶晶 《机床与液压》 北大核心 2014年第5期132-135,共4页
针对沟槽型节流缓冲装置缓冲过程进行理论分析,建立了缓冲过程的数学模型,并通过MATLAB软件对其缓冲过程进行仿真,分析了沟槽节流缓冲装置各个参数对缓冲效果的影响。仿真结果表明:所建立仿真模型能够反映液压缸的缓冲过程,为沟槽型缓... 针对沟槽型节流缓冲装置缓冲过程进行理论分析,建立了缓冲过程的数学模型,并通过MATLAB软件对其缓冲过程进行仿真,分析了沟槽节流缓冲装置各个参数对缓冲效果的影响。仿真结果表明:所建立仿真模型能够反映液压缸的缓冲过程,为沟槽型缓冲装置的设计提供一定的理论依据。 展开更多
关键词 液压缸 沟槽型缓冲装置 MATLAB仿真
下载PDF
U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响 被引量：2
13
作者 陈扶 唐文昕 +3 位作者 于国浩 张丽 徐坤 张宝顺 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期263-269,共7页
U型槽的干法刻蚀工艺是GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件关键的工艺步骤,干法刻蚀后GaN的侧壁状况直接影响GaN MOS结构中的界面态特性和器件的沟道电子输运.本文通过改变感应耦合等离子体干法刻蚀工艺中的射频... U型槽的干法刻蚀工艺是GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件关键的工艺步骤,干法刻蚀后GaN的侧壁状况直接影响GaN MOS结构中的界面态特性和器件的沟道电子输运.本文通过改变感应耦合等离子体干法刻蚀工艺中的射频功率和刻蚀掩模,研究了GaN垂直沟槽型MOSFET电学特性的工艺依赖性.研究结果表明,适当降低射频功率,在保证侧壁陡直的前提下可以改善沟道电子迁移率,从35.7 cm^2/(V·s)提高到48.1 cm^2/(V·s),并提高器件的工作电流.沟道处的界面态密度可以通过亚阈值摆幅提取,射频功率在50 W时界面态密度降低到1.90×10^12 cm^-2·eV^-1,比135 W条件下降低了一半.采用SiO2硬刻蚀掩模代替光刻胶掩模可以提高沟槽底部的刻蚀均匀性.较薄的SiO2掩模具有更小的侧壁面积,高能离子的反射作用更弱,过刻蚀现象明显改善,制备出的GaN垂直沟槽型MOSFET沟道场效应迁移率更高,界面态密度更低. 展开更多
关键词 GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管 U型槽 射频功率 刻蚀掩模
下载PDF
4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET高低温下的特性 被引量：1
14
作者 祁金伟 田凯 +1 位作者 张勇 张安平 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第8期609-616,共8页
采用自对准工艺制备了1.2 kV4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET器件,并在90~490 K的温度范围内对4H-SiC MOSFET器件的静态和动态特性与商用1.2 kV Si IGBT器件的性能进行了对比研究。4H-SiC MOSFET器件的静态特性包括导通电阻(Ron)和阈值电压(... 采用自对准工艺制备了1.2 kV4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET器件,并在90~490 K的温度范围内对4H-SiC MOSFET器件的静态和动态特性与商用1.2 kV Si IGBT器件的性能进行了对比研究。4H-SiC MOSFET器件的静态特性包括导通电阻(Ron)和阈值电压(Vth),而动态特性则重点研究了开关能量损耗(ESW)随温度的变化。首次在低温下针对与沟道缺陷相关的4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET的动态导通电阻退化机理进行了定量化分析。实验结果发现4H-SiC平面型MOSFET器件的开启瞬态的延迟较小短,而4H-SiC沟槽型MOSFET器件表现出显著的开启瞬态延迟和动态导通电阻退化现象,在低温下动态电阻退化现象更为严重。CV特性曲线显示动态导通电阻退化是由于沟槽型器件沟道中与工艺相关的缺陷造成的。随着4HSiC沟槽型MOSFET器件制备工艺的不断成熟,工艺相关的缺陷有望得到缓解,从而从根本上消除动态导通电阻的退化。 展开更多
关键词 4H-碳化硅(SiC) 平面型MOSFET 沟槽型MOSFET 温度效应 动态导通电阻退化
原文传递
车辆行星轮轴向滑动支承沟槽型织构润滑特性分析 被引量：2
15
作者 王宏伟 孙利娟 +2 位作者 赵喜敬 黄凯 史策 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2017年第9期111-117,共7页
在车辆旋转轴向滑动支承表面加工不同槽型微米级的沟槽,包括椭圆形槽、圆弧槽、三角形槽、梯形槽和矩形槽,利用流体流经浅槽表面产生流体动压力来减小摩擦。在考虑空化和流体惯性影响下,通过数值求解基于质量守恒边界条件的不可压缩定常... 在车辆旋转轴向滑动支承表面加工不同槽型微米级的沟槽,包括椭圆形槽、圆弧槽、三角形槽、梯形槽和矩形槽,利用流体流经浅槽表面产生流体动压力来减小摩擦。在考虑空化和流体惯性影响下,通过数值求解基于质量守恒边界条件的不可压缩定常Reynolds方程,分析不同槽型的结构参数(槽数、槽宽比、径向宽度)和工况参数(转速、槽深比)对润滑性能的影响。结果表明:研究的5种槽型的承载力由大到小依次为三角形、圆弧形、梯形、椭圆形和矩形;增加槽宽比、槽深比、径向宽度有利于降低润滑油温升,而增加槽深比则有利于降低空化率;研究的5种槽型中,矩形槽的润滑油温升最低且润滑流量最大,梯形槽的空化率较小。 展开更多
关键词 轴向滑动支承 沟槽型织构 质量守恒边界 润滑性能
下载PDF
基于沟槽型功率器件的三层掩膜板工艺设计
16
作者 王善屹 郭筝 +1 位作者 楼颖颖 钱亮 《现代电子技术》 北大核心 2015年第20期146-149,153,共5页
针对低压功率器件传统工艺流程进行创新和优化,以原有的6层掩膜板为基础,对掩膜板层数进行削减,用接触孔掩膜板完成原有的保护环掩膜板,工作区掩膜板及N+区掩膜板的作用。器件的电性参数目标,通过设计具体工艺参数,并对其进行仿真,以验... 针对低压功率器件传统工艺流程进行创新和优化,以原有的6层掩膜板为基础,对掩膜板层数进行削减,用接触孔掩膜板完成原有的保护环掩膜板,工作区掩膜板及N+区掩膜板的作用。器件的电性参数目标,通过设计具体工艺参数,并对其进行仿真,以验证工艺可行性。所用的参数与设计方案适用于所有低压功率器件生产制造。 展开更多
关键词 功率器件 沟槽型功率器件 掩膜板 工艺仿真
下载PDF
沟槽型VDMOS的重离子辐射失效研究 被引量：1
17
作者 廖聪湘 徐海铭 《电子与封装》 2022年第8期70-73,共4页
空间辐射环境中含有各种高能带电粒子,高能带电粒子与电子器件相互作用可能引发单粒子效应(SEE),单粒子效应中单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)是两种最主要的单粒子事件。对重离子环境下的器件退化和失效进行了研究,分析了重离子环... 空间辐射环境中含有各种高能带电粒子,高能带电粒子与电子器件相互作用可能引发单粒子效应(SEE),单粒子效应中单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)是两种最主要的单粒子事件。对重离子环境下的器件退化和失效进行了研究,分析了重离子环境下的失效机理,提出了重离子条件下的器件改善结构,同时完成了仿真和重离子实验验证,提升了MOSFET抗重离子能力。 展开更多
关键词 功率晶体管 沟槽型VDMOS MOSFET 单粒子烧毁 单粒子栅穿
下载PDF
基于鸟翼轮廓的沟槽型织构润滑性能分析
18
作者 王宏伟 苏园 孙利娟 《河北工程大学学报（自然科学版）》 CAS 2018年第4期106-112,共7页
为减小车辆行星齿轮双向旋转轴向滑动支承磨损,将仿生学理念引入支承端面微织构的设计,将空气动力学优良的鸟翼结构抽象简化为抛物线槽,双抛物线三角形槽以及双抛物线梯形槽三种基本的槽型,建立基于质量守恒边界条件的空化效应数值模型... 为减小车辆行星齿轮双向旋转轴向滑动支承磨损,将仿生学理念引入支承端面微织构的设计,将空气动力学优良的鸟翼结构抽象简化为抛物线槽,双抛物线三角形槽以及双抛物线梯形槽三种基本的槽型,建立基于质量守恒边界条件的空化效应数值模型,从而分析比较不同槽型的工况参数和结构参数对润滑特性的影响。研究结果表明基于仿生的这三种槽型中,双抛物线三角形槽的油膜承载力和摩擦系数最优,双抛物线梯形槽的润滑油流量和空化率最优,抛物线槽的的各项润滑性能没有太优异的也没有太差的,但其综合润滑性能在三者中最优。 展开更多
关键词 轴向滑动支承 沟槽型织构 仿生学 润滑性能
下载PDF
Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率
19
《电子设计工程》 2015年第2期159-159,共1页
Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流（TrenchSBR）技术的器件SBRTl5U50SP5及SBRT20U50SLP。能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。
关键词 电池充电器 整流器 沟槽型 势垒
下载PDF
Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率
20
《单片机与嵌入式系统应用》 2015年第2期86-86,共1页
Diodes推出两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流（Treneh SBR）技术的器件——SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP，能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流，并以较低的... Diodes推出两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流（Treneh SBR）技术的器件——SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP，能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流，并以较低的温度工作，有效满足充电器输出整流二极管的要求，从而易于处理36kHz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。 展开更多
关键词 电池充电器 整流器 沟槽型 势垒 整流二极管 正向电压 电流脉冲 电器设计
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 4 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部