基金Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant No 90301009, 60571008, 60471021, and 10374049, the National Key Basic Research and Development Programme of China under Grant No 2001CB610503, and the Natural Science Foundation of Jiangsu Province （DK 20042111）.
文摘我们报导结晶化和非结晶的 Si 的光致发光(PL ) 性质: H/SiNx : H 多层(ML ) 电影由一步一步的激光退火对待。结果 ofRaman 大小证明 nanocrystalline Si (nc-Si ) 谷物在 a-Si 被形成: 在抑制生长机制下面的 H 层。有谷物尺寸的 PL 山峰的蓝移动被观察并且能被归因于量监禁效果。为比较，我们也报导 a-Si 的结晶化和 PL : H/SiNx : 由正常一步舞处理的 H ML 样品。这个方法 ofstep-by-step 激光处理将是一个候选人在非结晶的 Si 使 nc-Si 成为量点: H/SiNx : HML 作为在微洞的活跃的层。
