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题名卤素灯快速退火在硅浅结器件中的应用
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作者
李荣强
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机构
机电部第二十四研究所
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1991年第5期69-72,共4页
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文摘
用卤素灯快速退火工艺代替原始的炉退火工艺,使全离子注入的硅双极浅结器件的杂质浓度更高、结深更浅,从而有效地改善了器件的电参数性能。用这种新工艺制做的分频器,工作频率由原来的1300MHz提高到了1600MHz。该工艺操作方便,节省能源,均匀性、重复性、可控性都大大地优于原始炉退火工艺。
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关键词
浅结器件
退火
离子注入
卤素灯
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Keywords
Rapid thermal annealing, Oxide isolation isoplanar S process, All ion-implantation
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分类号
TN305.3
[电子电信—物理电子学]
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题名一种适于LSI及浅结器件的硅片表面加工技术
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作者
董尧德
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机构
浙江省开化六○一厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期57-60,共4页
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文摘
通过氧本征内吸杂工艺前后硅片的实际器件制管试验、少子寿命测试及吸杂硅片的纵向解剖，制管性能大大改善，管芯平均制造合格率提高５％～１５％，硅片表面少子寿命提高一个数量级以上。另外研究还表明，吸杂硅片经高温氧化、扩散等器件工艺后，硅片表面清洁区厚度及吸杂区内缺陷密度基本是稳定的。
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关键词
LSI
硅片
浅结器件
表面加工
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Keywords
Intrinsic oxygentter Application Technology
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分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名低温钝化工艺在浅结器件上的应用
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作者
陈长贵
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出处
《江南半导体通讯》
1992年第1期37-41,共5页
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关键词
磷砷硅玻璃
浅结器件
钝化
工艺
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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