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浮空场限坏终端结构的仿真分析 被引量:1
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作者 范春雨 关艳霞 潘福泉 《电源技术应用》 2017年第5期25-29,共5页
为了提高功率半导体器件的耐压,常常在其结构终端上设置浮空场限环,而环宽、环间距以 及环数的确定是玚限环设计的难点.本文利用Baliga的理论基础,结合silvaco的仿真分析,给出了 1200V 平面功率半导体器件所需要的浮空场限环的设计参数.
关键词 功率器件 浮空场限环 终端结构
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1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计 被引量:2
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作者 汪玲 黄润华 +2 位作者 刘奥 陈刚 柏松 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期183-186,共4页
设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正... 设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正向电压1.75V时,导通电流达到40A。 展开更多
关键词 4H型碳化硅 肖特基势垒二极管 终端保护 浮空场限环
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平面结构4H-SiC BJT击穿特性及终端技术研究
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作者 王光 高寅生 《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第5期972-975,共4页
为提高4H-Si C双极晶体管(BJT)的耐高压能力,采用Sentaurus TCAD半导体器件模拟软件对采取结终端扩展(JTE)和浮空场限环(FFLRs)两种基本结终端结构的平面型器件的击穿特性和击穿机理进行了比较和分析,并在此基础上进行了器件结构优化设... 为提高4H-Si C双极晶体管(BJT)的耐高压能力,采用Sentaurus TCAD半导体器件模拟软件对采取结终端扩展(JTE)和浮空场限环(FFLRs)两种基本结终端结构的平面型器件的击穿特性和击穿机理进行了比较和分析,并在此基础上进行了器件结构优化设计。优化后的结终端结构相比于常规结终端结构能够更好地调制器件的表面电场,获得更高的击穿电压,器件最大击穿电压可达到3 700 V以上。 展开更多
关键词 固态电子器件 击穿电压 器件模拟 终端扩展 浮空场限环
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6500 V 15 A 4H-SiC JBS二极管的研制 被引量:1
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作者 薛爱杰 黄润华 +2 位作者 柏松 刘奥 栗锐 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第3期161-165,177,共6页
基于有限元仿真的方法对6 500 V15 A4H-SiC肖特基二极管开展了材料结构、有源区结型势垒肖特基(JBS)结构和终端保护结构的优化设计。基于4英寸(1英寸=2.54 cm)n型4H-SiC导电衬底,采用厚度为55μm、杂质浓度为9×1014 cm-3的外... 基于有限元仿真的方法对6 500 V15 A4H-SiC肖特基二极管开展了材料结构、有源区结型势垒肖特基(JBS)结构和终端保护结构的优化设计。基于4英寸(1英寸=2.54 cm)n型4H-SiC导电衬底,采用厚度为55μm、杂质浓度为9×1014 cm-3的外延材料、48个宽度为3.0μm浮空场限环实现了一款反向击穿电压大于6 500 V的4H-SiC JBS二极管。电特性测试结果表明,室温下正向电流为15 A时,正向电压为2.9 V,开启电压为1.3 V;150℃下正向电流为15 A时,正向电压为5.2 V,开启电压为1.2 V。 展开更多
关键词 4H-SIC 结型势垒肖特基(JBS)二极管 结终端技术 浮空场限环 4英寸外延
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A Novel High-Voltage Detector Integrated into SPIC by Using FFLR 被引量:1
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作者 韩磊 叶星宁 陈星弼 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1250-1254,共5页
A novel high voltage detector that can be integrated into SPIC (Smart Power IC) is proposed.The structure is designed on the basis of normal junction terminal technique of FFLR (Floating Field Limiting Rings) system.... A novel high voltage detector that can be integrated into SPIC (Smart Power IC) is proposed.The structure is designed on the basis of normal junction terminal technique of FFLR (Floating Field Limiting Rings) system.The field limiting ring as a voltage divider,is used to optimize the surface field.The voltage of main junction increases from 0 to a high value,while the utmost ring is designed to vary within a small range,which can be handled by using low voltage logic circuits.An example of 400V rings system is analyzed and simulated for this structure.The results prove that the high voltage detector can detect high voltage in SPIC.The structure can be integrated into SPIC.Besides,it is compatible with CMOS or BCD(Bipolar CMOS Dmos) technology,without any additional processes required. 展开更多
关键词 FFLR high voltage detector voltage divider detector ring
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