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基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 被引量：2
1
作者 郑剑 乔倩 +13 位作者 张振中 王立昆 韩舜 张吉英 刘益春 王双鹏 陈星 姜明明 李炳辉 赵东旭 刘雷 刘可为 单崇新 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1291-1296,共6页
在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29Zn0.71O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件,30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm),对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生长在立方相MgZnO薄膜上的极薄的结构相变层引入了高密度的界面... 在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29Zn0.71O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件,30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm),对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生长在立方相MgZnO薄膜上的极薄的结构相变层引入了高密度的界面态,在立方相薄膜表面电极接触中起到了降低势垒、减小耗尽层宽度、增强电极注入电子的能力的作用,使得器件形成高的光导增益。 展开更多
关键词 立方MgZnO 深紫外探测器 光导增益
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基于大厚度六方氮化硼中子探测器的制备
2
作者 刘敬润 曹炎 +8 位作者 刘晓航 范盛达 王帅 陈曦 刘洪涛 刘艳成 赵江滨 何高魁 陈占国 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第3期415-419,共5页
六方氮化硼是一种中子敏感材料。介绍了使用低压气相化学沉积在1673K下以大约20μm/h的生长速率制备了高质量203μm厚的六方氮化硼。在氮化硼的两侧沉积厚度为100nm的金电极,制备了垂直结构的六方氮化硼中子探测器。该器件的电学性质表... 六方氮化硼是一种中子敏感材料。介绍了使用低压气相化学沉积在1673K下以大约20μm/h的生长速率制备了高质量203μm厚的六方氮化硼。在氮化硼的两侧沉积厚度为100nm的金电极,制备了垂直结构的六方氮化硼中子探测器。该器件的电学性质表明制备的六方氮化硼材料的迁移率寿命的乘积(μτ)为2.8×10^(-6)cm^(2)/V,电阻率为1.5×10^(14)Ω·cm。在850V电压下,该探测器对热中子的探测效率为34.5%,电荷收集效率为60%。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 六方氮化硼 中子探测 低压气相化学沉积 深紫外光电探测器
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金属–半导体–金属结构非极性α-AlGaN深紫外探测器的制备
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作者 贾辉 徐建飞 +2 位作者 石璐珊 梁征 张滢 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1304-1308,共5页
通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）高温外延生长的未掺杂非极性α-AlGaN半导体薄膜,制备了金属–半导体–金属（MSM）结构的深紫外光电探测器,研究了在α-AlGaN半导体薄膜表面磁控溅射不同时间的SiO2纳米颗粒对α-AlGaN MSM结构的深紫... 通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）高温外延生长的未掺杂非极性α-AlGaN半导体薄膜,制备了金属–半导体–金属（MSM）结构的深紫外光电探测器,研究了在α-AlGaN半导体薄膜表面磁控溅射不同时间的SiO2纳米颗粒对α-AlGaN MSM结构的深紫外探测器性能的影响。结果表明：5 V偏压下,探测器光谱响应峰值提高了大约3个数量级,深紫外近可见抑制比高达10^4,具有很好的深紫外特性,同时暗电流也下降了2-3个数量级,磁控溅射SiO2纳米颗粒提升了α-AlGaNMSM结构深紫外探测器性能。 展开更多
关键词 深紫外探测器 二氧化硅纳米颗粒 非极性α面铝镓氮 金属–半导体–金属结构
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热氧化GaN制备的β-Ga2O3基日盲紫外探测器 被引量：1
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作者 孟瑞林 姬小利 +4 位作者 张勇辉 张紫辉 毕文刚 王军喜 魏同波 《半导体光电》 CAS 北大核心 2019年第5期637-642,共6页
利用热氧化法将电化学腐蚀制备的多孔GaN薄膜氧化成三维孔隙状β-Ga2O3薄膜,分析了多孔GaN薄膜与传统GaN薄膜在氧化机理上的区别,并通过材料表征证明了多孔GaN薄膜能够实现更快的氧化速率。随后将氧化生成的β-Ga2O3薄膜制备成MSM型β-G... 利用热氧化法将电化学腐蚀制备的多孔GaN薄膜氧化成三维孔隙状β-Ga2O3薄膜,分析了多孔GaN薄膜与传统GaN薄膜在氧化机理上的区别,并通过材料表征证明了多孔GaN薄膜能够实现更快的氧化速率。随后将氧化生成的β-Ga2O3薄膜制备成MSM型β-Ga2O3基日盲紫外探测器,在260nm光照及10V偏压下,器件的响应度为16.9A/W,外量子效率为8×10^3%,探测率D^*达到了2.03×10^14 Jones,能够满足弱光信号的探测需求。此外,器件的瞬态响应具有非常好的稳定性,相应的上升时间为0.75s/4.56s,下降时间为0.37s/3.48s。 展开更多
关键词 热氧化 电化学腐蚀 β-Ga2O3 深紫外探测器 GAN
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