溅射参数对SmCo/Cr薄膜铬底层晶面取向及磁学性能的影响 被引量：4

1

作者 段静芳 许小红 +1 位作者 武海顺 李佐宜 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期561-564,共4页

采用直流磁控溅射法制备SmCo Cr薄膜磁记录材料 ,通过改变Cr底层制备过程中的功率、靶基距、溅射压强和溅射时间 ,得到了磁性能不同的SmCo Cr薄膜。利用X射线衍射法对Cr底层晶面取向和磁控溅射参数之间的关系进行了研究 ,结果表明 :如... 采用直流磁控溅射法制备SmCo Cr薄膜磁记录材料 ,通过改变Cr底层制备过程中的功率、靶基距、溅射压强和溅射时间 ,得到了磁性能不同的SmCo Cr薄膜。利用X射线衍射法对Cr底层晶面取向和磁控溅射参数之间的关系进行了研究 ,结果表明 :如果改变溅射参数 ,使沉积Cr原子获得较大的能量 ,则有利于Cr底层最终以 ( 110 )晶面择优取向。本实验中Cr底层以 ( 110 )晶面择优取向的最佳实验条件为 :溅射功率在 5 0～ 70W左右 ,靶基距为 6cm ,压强为 0 .5Pa ,溅射时间为 15min。利用振动样品磁强计 (VSM )测定SmCo Cr薄膜的磁学性能 ,结果表明 ,如果Cr底层能以 ( 110 )晶面择优取向 ,所得到的SmCo Cr薄膜的磁学性能较好。 展开更多

关键词 铬底层 晶面取向 溅射参数 SmCo/Cr薄膜 矫顽力

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溅射参数对Fe-Si化合物的相形成及结构的影响 被引量：4

2

作者 张晋敏 谢泉 +1 位作者 梁艳 曾武贤 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期593-596,共4页

对直流磁控溅射方法制备Fe-Si化合物的工艺过程进行了研究.首先通过改变溅射气压,溅射功率和Ar气流量,在Si(100)衬底上沉积约100 nm纯金属Fe膜,随后在真空退火炉中800℃长时间退火形成Fe-Si化合物.由X射线衍射(XRD)对所形成的Fe-Si化合... 对直流磁控溅射方法制备Fe-Si化合物的工艺过程进行了研究.首先通过改变溅射气压,溅射功率和Ar气流量,在Si(100)衬底上沉积约100 nm纯金属Fe膜,随后在真空退火炉中800℃长时间退火形成Fe-Si化合物.由X射线衍射(XRD)对所形成的Fe-Si化合物的物相和晶体结构进行分析,给出了一组最优化的溅射工艺参数:溅射Ar气压1.5 Pa,溅射功率100 W,溅射Ar气流量20 SCCM. 展开更多

关键词 磁控溅射 溅射参数 Fe—Si化合物 X-射线衍射 晶体结构

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溅射参数对Ge_2Sb_2Te_5薄膜光学常数的影响 被引量：1

3

作者 谢泉 侯立松 +2 位作者 阮昊 干福熹 李晶 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期187-192,共6页

研究了溅射参数对 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的光学常数随波长变化关系的影响 ,结果表明 :(1)当溅射功率一定时 ,随溅射氩气气压的增加 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的折射率先增大后减小 ,而消光系数先减小后增大 .(2 )当溅射氩气气压一定时 ,对于非晶态... 研究了溅射参数对 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的光学常数随波长变化关系的影响 ,结果表明 :(1)当溅射功率一定时 ,随溅射氩气气压的增加 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的折射率先增大后减小 ,而消光系数先减小后增大 .(2 )当溅射氩气气压一定时 ,对于非晶态薄膜样品 ,在 5 0 0 nm波长以下 ,折射率随溅射功率的增加先增加后减小 ,消光系数则逐渐减小 ;在 5 0 0 nm以上 ,折射率随溅射功率的增加逐渐减少 ,消光系数先减小后增加 .对于晶态薄膜样品 ,在整个波长范围折射率随溅射功率的增加先减小后增加 ,消光系数则逐渐减少 .(3)薄膜样品的光学常数都随波长的变化而变化 ,在长波长范围变化较大 ,短波长范围变化较小 .探讨了影响 Ge2 Sb2 Te5 展开更多

关键词 光学常数 GE2SB2TE5薄膜 溅射参数 三元化合物半导体

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射频磁控溅射参数对Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3薄膜结构和性能的影响(英文)

4

作者 于军 杨卫明 +2 位作者 周申 宋超 王耘波 《电子器件》 CAS 2008年第1期216-219,共4页

采用射频磁控溅射法在Pt/TiO2/SiO2/Si(100)衬底上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜,研究了工作气压、衬底温度等溅射参数对Ba0 .7Sr0.3Ti O3薄膜结构和电学性质的影响。使用XRD分析了工作气压为2Pa、衬底温度分别为200 ℃、400 ℃、600 ℃(组a... 采用射频磁控溅射法在Pt/TiO2/SiO2/Si(100)衬底上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜,研究了工作气压、衬底温度等溅射参数对Ba0 .7Sr0.3Ti O3薄膜结构和电学性质的影响。使用XRD分析了工作气压为2Pa、衬底温度分别为200 ℃、400 ℃、600 ℃(组a) ,以及衬底温度为600 ℃、工作气压分别为1.5Pa、2.0Pa、2.5Pa、3.0Pa和5 .0Pa (组b)两组薄膜的微结构,结果表明工作气压在2.5Pa以下、衬底温度为600℃时沉积的薄膜具有较好的钙钛矿结构。在1.5Pa条件下溅射的薄膜具有明显的(111)择优取向。在2.5Pa时,Pt/Ba0.7Sr0.3TiO3/Pt电容有最优铁电性能,在外加4 V电压(电场为80 kV/cm)下,剩余极化(Pr)和矫顽场(Ec)分别为2.32μC/cm2、21.1 kV/cm。 展开更多

关键词 Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜 射频溅射参数 影响 性能

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磁控溅射参数对NiO_x薄膜光学常数的影响(英文)

5

作者 李小刚 唐晓东 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期302-306,共5页

采用反应性磁控溅射法制备了NiOx薄膜,并结合椭圆偏振仪、XRD和XPS研究了溅射参量对其光学常量的影响.NiOx薄膜的光学常量随着O2/Ar流量比的增大而减小;热退火后,折射率增大而消光系数下降了50%;溅射功率越大折射率也越大,而工作气压越... 采用反应性磁控溅射法制备了NiOx薄膜,并结合椭圆偏振仪、XRD和XPS研究了溅射参量对其光学常量的影响.NiOx薄膜的光学常量随着O2/Ar流量比的增大而减小;热退火后,折射率增大而消光系数下降了50%;溅射功率越大折射率也越大,而工作气压越大折射率反而越小.这些变化分别与薄膜中存在间隙O和Ni空位、NiOx分解以及NiOx薄膜的致密度有关. 展开更多

关键词 光学常数 NiOx薄膜 溅射参数

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Ag溅射参数对FePt/Ag薄膜取向生长的影响

6

作者 范九萍 《山西师范大学学报（自然科学版）》 2007年第1期77-79,共3页

采用有交互作用的正交实验方法对磁控溅射法在玻璃基片上制备FePt/Ag纳米双层膜Ag底层的溅射参数进行研究.通过直观分析,方差分析和XRD图分析,可以选出Ag底层诱导FePt层取向生长的最佳溅射条件,为FePt磁性层性能的进一步研究应用奠定了... 采用有交互作用的正交实验方法对磁控溅射法在玻璃基片上制备FePt/Ag纳米双层膜Ag底层的溅射参数进行研究.通过直观分析,方差分析和XRD图分析,可以选出Ag底层诱导FePt层取向生长的最佳溅射条件,为FePt磁性层性能的进一步研究应用奠定了基础. 展开更多

关键词 FePt/Ag双层膜 溅射参数 正交实验

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磁控溅射参数对SrTiO_3基片上沉积YIG薄膜微观结构和磁性能的影响

7

作者 张运英 杨佳 +2 位作者 边小兵 陈晓明 周剑平 《陕西师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2017年第5期23-29,共7页

采用射频磁控溅射法在SrTiO_3衬底上制备YIG薄膜,基于薄膜的成核理论研究溅射参数对薄膜结晶性、表面形貌和磁性的影响。结果表明,在其他溅射参数不变的情况下,薄膜的厚度随溅射时间成正比增长;在衬底温度为500℃、溅射气压为1Pa时,YIG... 采用射频磁控溅射法在SrTiO_3衬底上制备YIG薄膜,基于薄膜的成核理论研究溅射参数对薄膜结晶性、表面形貌和磁性的影响。结果表明,在其他溅射参数不变的情况下,薄膜的厚度随溅射时间成正比增长;在衬底温度为500℃、溅射气压为1Pa时,YIG薄膜表面较致密,晶粒大小均匀;沉积薄膜的化学组分受氧分压的影响较大,与靶材成分相比有一定偏差。溅射气体为纯氩气时,YIG薄膜的化学组分与靶材化学计量比接近,制备的YIG薄膜中存在一定量的Fe2+和氧空位;当退火温度为750℃时,在氧气中热处理40 min,形成纯的YIG相,饱和磁化强度为134emu/cm3。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 YIG薄膜 溅射参数 表面形貌 微观结构 磁性能

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ZnO薄膜对溅射参数的依赖关系以及制作在ZnO/InP上的SAW器件

8

作者 C.T.Lee 贺江涛 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1990年第3期61-64,共4页

为了弥补InP基材料的压电性,促使单片声—光器件和系统的应用,采取在InP基片上沉积具有择优取向和微细结构的高质量ZnO薄膜.研究了ZnO薄膜质量与RF溅射参数的关系.得到的最佳沉积条件是:基片温度250℃,溅射功率350W,氧含量20vol%.实验... 为了弥补InP基材料的压电性,促使单片声—光器件和系统的应用,采取在InP基片上沉积具有择优取向和微细结构的高质量ZnO薄膜.研究了ZnO薄膜质量与RF溅射参数的关系.得到的最佳沉积条件是:基片温度250℃,溅射功率350W,氧含量20vol%.实验证实了在ZnO/InP结构上制得中心频率为105MHz的SAW器件. 展开更多

关键词 SAW器件 ZnO/InP ZNO薄膜 溅射参数

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离子轰击入射角对溅射参数的影响 被引量：3

9

作者 邵其鋆 霍裕昆 +2 位作者 陈建新 吴士明 潘正瑛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期659-666,共8页

本文用基于两体碰撞近似的蒙特-卡罗模拟方法研究离子轰击入射角对溅射参数的影响,讨论了入射角与溅射产额、溅射粒子能谱、角分布和阈能的关系,并把计算结果与某些半经验公式和实验数据进行了比较。

关键词 离子轰击 入射角 溅射参数

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TiO_2薄膜溅射工艺参数对其光催化性能的影响 被引量：7

10

作者 侯亚奇 庄大明 +1 位作者 张弓 吴敏生 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期87-91,104,共6页

利用中频交流反应磁控溅射方法制备TiO2 薄膜光催化剂 ,研究了溅射工艺参数对薄膜光催化能力的影响。采用动态反应系统 ,紫外光源为TUV ,降解对象为 0 0 2mmol/L亚甲基蓝溶液。结果发现 :Ar/O2 混合反应溅射在O2 分压大于 9%之后亦可... 利用中频交流反应磁控溅射方法制备TiO2 薄膜光催化剂 ,研究了溅射工艺参数对薄膜光催化能力的影响。采用动态反应系统 ,紫外光源为TUV ,降解对象为 0 0 2mmol/L亚甲基蓝溶液。结果发现 :Ar/O2 混合反应溅射在O2 分压大于 9%之后亦可制备出光催化能力与纯O2 溅射相近的TiO2 薄膜。TiO2 薄膜厚度是影响其光催化降解能力的最敏感因素 ,80 0nm以下TiO2 薄膜降解能力基本与厚度成正比。TiO2 薄膜在黑暗环境下长期放置 ,光催化性能会出现一定下降 。 展开更多

关键词 TIO2薄膜 二氧化钛薄膜 溅射工艺参数 光催化性能 磁控溅射 中频交流反应

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溅射参数对合金表面硬质膜层性能影响的研究现状

11

作者 付恩天 彭建洪 李海宾 《热加工工艺》 北大核心 2020年第20期15-18,共4页

为了增强合金表面的耐磨性和耐蚀性,提高合金的使用寿命,磁控溅射硬质膜层近年来受到广泛的研究。介绍了磁控溅射技术的原理及特点,综述了磁控溅射技术制备硬质膜层的研究进展。结合近年来的实验研究,综述了溅射参数对硬质膜层性能的影... 为了增强合金表面的耐磨性和耐蚀性,提高合金的使用寿命,磁控溅射硬质膜层近年来受到广泛的研究。介绍了磁控溅射技术的原理及特点,综述了磁控溅射技术制备硬质膜层的研究进展。结合近年来的实验研究,综述了溅射参数对硬质膜层性能的影响研究。对磁控溅射技术制备硬质膜层的发展进行了展望。 展开更多

关键词 磁控溅射 溅射参数 合金 硬质膜层 耐磨性 耐蚀性

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磁控溅射的发展和工艺参数的探讨

12

作者 李学龙 徐兴文 徐斌骁 《新型工业化》 2021年第9期9-10,共2页

磁控溅射是工业镀膜的主要技术之一。磁控溅射镀膜因为高速低温、成膜质量好、对基片损伤小,易于工业化生产等特点成为广泛关注的技术。但磁控溅射镀膜对其工艺参数要求相对严格,需采取合适的溅射功率、沉积时间、真空度、靶基距等。文... 磁控溅射是工业镀膜的主要技术之一。磁控溅射镀膜因为高速低温、成膜质量好、对基片损伤小,易于工业化生产等特点成为广泛关注的技术。但磁控溅射镀膜对其工艺参数要求相对严格,需采取合适的溅射功率、沉积时间、真空度、靶基距等。文章简述了磁控溅射的基本原理及特点并结合近年来国内外的研究动态,概括了磁控溅射的种类(反应溅射、射频溅射、脉冲溅射、中频溅射)并探讨了工艺参数(溅射功率、沉积时间、真空度、靶基距)对膜层的影响。 展开更多

关键词 溅射参数 镀膜 磁控溅射

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溅射工艺参数对TiAlSiN涂层硬度及膜基结合力的影响 被引量：6

13

作者 马璇 李刘合 +3 位作者 刘红涛 许亿 马全胜 朱鹏志 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期146-153,共8页

近年来超硬涂层的出现,为高速切削、干式切削的高质量刀具的发展,提供了契机。本文开展了磁控溅射法制备TiAlSiN涂层的工艺研究,在不同工艺下,获得了厚度2.0-4.0μm的TiAlSiN涂层,运用纳米压入硬度测试仪、划痕仪和洛氏硬度计等对涂层... 近年来超硬涂层的出现,为高速切削、干式切削的高质量刀具的发展,提供了契机。本文开展了磁控溅射法制备TiAlSiN涂层的工艺研究,在不同工艺下,获得了厚度2.0-4.0μm的TiAlSiN涂层,运用纳米压入硬度测试仪、划痕仪和洛氏硬度计等对涂层性能进行表征,研究了制备工艺参数对涂层硬度、膜基结合力的影响规律。结果表明：随着氮氩比、沉积温度和基体负偏压的增大,纳米硬度和弹性模量都是先升高后降低。靶基距为8 cm、温度为100℃、氮氩比为1/3、靶电流为1.5 A、基体负偏压为-100 V时涂层的平均纳米硬度超过40 GPa,达到了超硬水平;涂层与高速钢基体的膜基结合力随着靶基距的加大而降低,随着磁控电流的增大而增大;在沉积温度和基体负偏压由低到高变化时,涂层结合力变化趋势一致,都是先升高后降低。 展开更多

关键词 TiAlSiN涂层 磁控溅射 溅射工艺参数 膜基结合力

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磁控溅射对锦纶拉伸性能的影响及镀膜形貌观察 被引量：3

14

作者 肖惠 郭兴峰 王西山 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期59-62,共4页

为研究磁控溅射对纺织材料性能的影响,利用JPGF-450I型磁控溅射镀膜机,以锦纶织物为基材,制备纳米铝膜。通过改变溅射功率、工作压强等工艺参数,获得在不同工艺条件下的镀铝膜锦纶织物,测试镀膜后锦纶织物中纱线的断裂强度、断裂功等拉... 为研究磁控溅射对纺织材料性能的影响,利用JPGF-450I型磁控溅射镀膜机,以锦纶织物为基材,制备纳米铝膜。通过改变溅射功率、工作压强等工艺参数,获得在不同工艺条件下的镀铝膜锦纶织物,测试镀膜后锦纶织物中纱线的断裂强度、断裂功等拉伸性能,研究溅射功率与工作压强对镀膜织物中纱线拉伸性能的影响。结果表明:在室温下,镀膜纱线与原纱相比断裂强度有所提高,断裂强度不匀率降低,断裂功受断裂伸长率影响明显;随溅射功率的增加,镀膜纱线的断裂功和断裂伸长率都呈减小的趋势;工作压强在0.8～0.9Pa时,镀膜纱线的断裂功和断裂伸长率达到最大值。通过AFM原子力显微镜观察了镀膜锦纶织物的表面形态发现,锦纶丝的表面形成了较完整均匀的纳米铝膜。 展开更多

关键词 磁控溅射 铝膜 锦纶 拉伸性能 溅射参数

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磁控溅射法中影响薄膜生长的因素及作用机理研究 被引量：16

15

作者 郝正同 谢泉 杨子义 《贵州大学学报（自然科学版）》 2010年第1期62-66,共5页

磁控溅射法是制备薄膜材料的重要手段,薄膜属性受其制备参数的制约,诸参数相互关联,共同影响薄膜的沉积、成核及生长。本文在简要介绍了磁控溅射制备薄膜的基本原理及基本流程的基础上,讨论了溅射参数影响薄膜属性的基本规律和作用机理... 磁控溅射法是制备薄膜材料的重要手段,薄膜属性受其制备参数的制约,诸参数相互关联,共同影响薄膜的沉积、成核及生长。本文在简要介绍了磁控溅射制备薄膜的基本原理及基本流程的基础上,讨论了溅射参数影响薄膜属性的基本规律和作用机理,并简述了使用磁控溅射法制备薄膜的注意事项。 展开更多

关键词 磁控溅射 溅射参数 薄膜制备 退火处理 薄膜属性

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SmCo/Cr薄膜中Cr底层最佳溅射条件的正交设计研究 被引量：1

16

作者 许小红 段静芳 +3 位作者 王芳 武海顺 李震 李佐宜 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1033-1036,共4页

在SmCo/Cr薄膜中,Cr底层的取向结构对薄膜的磁学性能有很大的影响。设计了4因素3水平的正交实验L9(34),并通过数理统计的方法分析了Cr底层的溅射参数对SmCo/Cr薄膜矫顽力的影响。用较少的实验得到Cr底层的最佳实验条件:靶基距为4cm,功率... 在SmCo/Cr薄膜中,Cr底层的取向结构对薄膜的磁学性能有很大的影响。设计了4因素3水平的正交实验L9(34),并通过数理统计的方法分析了Cr底层的溅射参数对SmCo/Cr薄膜矫顽力的影响。用较少的实验得到Cr底层的最佳实验条件:靶基距为4cm,功率为50W,溅射气压为0.5Pa,溅射时间为9min。并发现了靶基距、功率和溅射气压对薄膜矫顽力的影响较大,其中靶基距是薄膜矫顽力最主要的控制因素。而溅射时间在所取的水平上对薄膜矫顽力的影响最小。本实验设计可达到95%的置信度。 展开更多

关键词 SmCo/Cr薄膜 矫顽力 Cr底层 溅射参数

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溅射法制备梯度薄膜研究进展

17

作者 宋娟 《盐城工学院学报（自然科学版）》 CAS 2009年第3期24-27,共4页

梯度薄膜是一种涂覆型梯度材料,具有均质薄膜无法比拟的优越性。溅射法效率较高且环保,较广泛地应用于梯度薄膜的制备。对于反应溅射,可通过连续改变反应气体流量制得化学成分比连续变化的梯度薄膜。对于非反应溅射,可通过溅射一系列不... 梯度薄膜是一种涂覆型梯度材料,具有均质薄膜无法比拟的优越性。溅射法效率较高且环保,较广泛地应用于梯度薄膜的制备。对于反应溅射,可通过连续改变反应气体流量制得化学成分比连续变化的梯度薄膜。对于非反应溅射,可通过溅射一系列不同成分比的靶材制得梯度薄膜,但成本较高,且梯度层有限。而通过连续改变溅射参数来制备梯度薄膜是较常用的方法。 展开更多

关键词 梯度薄膜 气体流量 溅射参数

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SiO_2/Si上直流磁控反应溅射制备AlN薄膜

18

作者 范克彬 沈伟东 +1 位作者 王立春 熊斌 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期48-51,共4页

利用正交设计分析了直流磁控溅射中溅射气压,衬底温度和N2浓度对SiO2/Si衬底上制备的AlN薄膜的(002)择优取向的影响水平。利用X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶向和表面形貌进行了分析,得到制备高... 利用正交设计分析了直流磁控溅射中溅射气压,衬底温度和N2浓度对SiO2/Si衬底上制备的AlN薄膜的(002)择优取向的影响水平。利用X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶向和表面形貌进行了分析,得到制备高度择优取向的AlN薄膜的最佳期望条件:衬底温度为250℃,溅射气压为2Pa,N2浓度为75%;并得出了氮气浓度对薄膜的(002)择优取向的影响较大。具有择优取向的AlN薄膜的折射率约为2.06。 展开更多

关键词 氮化铝薄膜 正交设计 溅射参数 择优取向

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Ni80Cr20合金薄膜制备影响因素的试验研究 被引量：4

19

作者 李学瑞 武文革 +3 位作者 安春华 成云平 刘丽娟 隋安平 《工具技术》 北大核心 2017年第7期39-41,共3页

利用直流磁控溅射的方法制备Ni80Cr20合金薄膜,以氩气流量、氩气工作压强、溅射功率作为三因素进行正交试验,在溅射时间相同的条件下分别测试了薄膜厚度、表面粗糙度、电阻率并进行了极差分析。分析结果表明:在一定范围内,氩气工作压强... 利用直流磁控溅射的方法制备Ni80Cr20合金薄膜,以氩气流量、氩气工作压强、溅射功率作为三因素进行正交试验,在溅射时间相同的条件下分别测试了薄膜厚度、表面粗糙度、电阻率并进行了极差分析。分析结果表明:在一定范围内,氩气工作压强与溅射功率对薄膜厚度的影响较大;在氩气工作压强为3.0Pa时,薄膜厚度与溅射功率近似成正比关系;随着氩气流量的增大,Ni80Cr20薄膜厚度呈现先增大后减小的趋势;在氩气流量为50cm^3/min时,薄膜厚度达到最大值;各因素对薄膜表面粗糙度及电阻率影响不明显。 展开更多

关键词 直流磁控溅射 镍铬薄膜 溅射参数

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磁控溅射技术制备氮化钛薄膜的研究进展 被引量：1

20

作者 高正源 杨栋 +2 位作者 孙程锦 卢再亮 孙鹏飞 《热加工工艺》 北大核心 2023年第8期6-11,共6页

氮化钛薄膜具有出色的涂层性能,如高硬度、低电阻率和良好的耐蚀耐磨性等,在汽车、航空航天和生物医学中有着广泛的应用。磁控溅射技术因其成本低、沉积速率高以及绿色环保等优势,成为氮化钛薄膜制备的主要技术之一。综述了磁控溅射工... 氮化钛薄膜具有出色的涂层性能,如高硬度、低电阻率和良好的耐蚀耐磨性等,在汽车、航空航天和生物医学中有着广泛的应用。磁控溅射技术因其成本低、沉积速率高以及绿色环保等优势,成为氮化钛薄膜制备的主要技术之一。综述了磁控溅射工艺参数对氮化钛薄膜择优取向、晶粒大小、膜层厚度、相组成和力学性能等的影响规律和作用机制。另外,还讨论了掺杂元素的种类、浓度和不同的退火温度对氮化钛薄膜组织结构与性能的影响。最后,提出了磁控溅射制备氮化钛薄膜的研究难点,并展望了未来磁控溅射技术制备氮化钛薄膜的发展方向。 展开更多

关键词 磁控溅射 氮化钛薄膜 溅射参数 择优取向 力学性能

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