利用磁控溅射系统,N2和Ar作为溅射气体,生长N掺杂Zn O薄膜。溅射气氛中氮气流量分别为0,8,20,32 m L/min,通过改变氮气的流量,研究薄膜性能的变化。结果发现,随着溅射气氛中氮气流量的增加,薄膜的电阻率增加,薄膜中NO与(N2)O的掺杂浓度...利用磁控溅射系统,N2和Ar作为溅射气体,生长N掺杂Zn O薄膜。溅射气氛中氮气流量分别为0,8,20,32 m L/min,通过改变氮气的流量,研究薄膜性能的变化。结果发现,随着溅射气氛中氮气流量的增加,薄膜的电阻率增加,薄膜中NO与(N2)O的掺杂浓度同时在变大。当氮气流量为8 m L/min时,N的有效掺杂效率最高。另外,随着溅射气氛中氮气流量的增加,薄膜的厚度在减小。展开更多
文摘利用磁控溅射系统,N2和Ar作为溅射气体,生长N掺杂Zn O薄膜。溅射气氛中氮气流量分别为0,8,20,32 m L/min,通过改变氮气的流量,研究薄膜性能的变化。结果发现,随着溅射气氛中氮气流量的增加,薄膜的电阻率增加,薄膜中NO与(N2)O的掺杂浓度同时在变大。当氮气流量为8 m L/min时,N的有效掺杂效率最高。另外,随着溅射气氛中氮气流量的增加,薄膜的厚度在减小。
