数值模拟顶部籽晶溶液生长法制备单晶碳化硅的研究进展 被引量：1

1

作者 隋占仁 徐凌波 +4 位作者 崔灿 王蓉 杨德仁 皮孝东 韩学峰 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期1067-1085,共19页

宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)凭借着其高击穿场强、高热导率、耐高温、高化学稳定性和抗辐射等优异性能,在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。大尺寸、高质量、低成本的单晶SiC的制备是SiC相关半导体... 宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)凭借着其高击穿场强、高热导率、耐高温、高化学稳定性和抗辐射等优异性能,在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。大尺寸、高质量、低成本的单晶SiC的制备是SiC相关半导体产品规模化应用的前提。顶部籽晶溶液生长(TSSG)法生长的单晶SiC有着晶体质量高、易扩径、易p型掺杂等优势,有望成为制备单晶SiC的主流方法。但目前由于该方法涉及的生长机理复杂,研究者对其内部机理的理解还不够充分,难以对TSSG生长设备和方法进行有效的改进与优化。利用计算机对TSSG法生长单晶SiC生长过程进行数值模拟被认为是对其内部机理探究的有效途径之一。本文首先回顾了TSSG法生长单晶SiC和相关数值模拟分析的发展历程,介绍了TSSG法生长单晶SiC和数值模拟的基本原理,然后介绍了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC模型涉及的主要模块、影响单晶生长的主要因素(如马兰戈尼力、浮力、电磁力等),以及对数值模型的优化方法。最后,指出了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC在未来的重点研究方向。 展开更多

关键词 宽禁带半导体 碳化硅 顶部籽晶溶液生长法 数值模拟 有限元 晶体生长 机器学习

下载PDF 职称材料

溶液生长法制备CdS薄膜 被引量：2

2

作者 李蓉萍 杨笛 +1 位作者 王志文 荣利霞 《内蒙古大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1998年第4期527-530,共4页

介绍了用溶液生长技术制备ＣｄＳ薄膜的方法，用此方法在玻璃衬底上获得了淡黄色的ＣｄＳ薄膜，薄膜为混合立方和六方晶系结构，呈ｎ型高阻状态．在可见光范围内有较高的透过率，在不同条件下对薄膜进行了热处理。

关键词 溶液生长法 热处理 硫化镉 薄膜

下载PDF 职称材料

温度梯度溶液生长法制备x=0.2的Cd_(1-x)Zn_xTe晶体及性能研究 被引量：1

3

作者 王东 闵嘉华 +5 位作者 梁小燕 孙孝翔 刘伟伟 李辉 张继军 王林军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1277-1280,共4页

利用温度梯度溶液生长法(TGSG)在较低生长温度下制备了掺Al和掺In的x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体,晶体起始生长温度约为1223K,温度梯度为20～30K/cm,坩埚的下降速度为1mm/h。采用红外显微镜、傅里叶红外光谱仪、扫描电镜能谱仪(SEM/EDS)和I-V... 利用温度梯度溶液生长法(TGSG)在较低生长温度下制备了掺Al和掺In的x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体,晶体起始生长温度约为1223K,温度梯度为20～30K/cm,坩埚的下降速度为1mm/h。采用红外显微镜、傅里叶红外光谱仪、扫描电镜能谱仪(SEM/EDS)和I-V测试分别研究了晶体中的Te夹杂相、红外透过率、Zn组分分布和电阻率。结果显示CdZnTe晶锭初始生长区、稳定生长区的Te夹杂相密度分别为8.3×103、9.2×103/cm-2,比垂直布里奇曼法生长的晶体低约1个数量级,红外透过率分别为61%、60%。Al掺杂CdZnTe晶体的电阻率为1.05×106Ω.cm,而In掺杂CdZnTe晶体的电阻率为7.85×109Ω.cm。晶锭初始生长区和稳定生长区的Zn组分径向分布均匀。 展开更多

关键词 碲锌镉 温度梯度溶液生长法 红外透过率 Te夹杂

下载PDF 职称材料

仿生溶液生长法磷酸钙涂层种植体的研究进展 被引量：4

4

作者 邓炜 王贻宁 《国外医学（口腔医学分册）》 2001年第2期76-78,共3页

种植体表面磷酸钙的涂层方法很多,但每一种方法都有它各自的技术局限性,为改进金属种植体的涂层,最新的通过仿生溶液生长法制备的磷酸钙涂层,具有其它方法无可比拟的优点。本文对仿生溶液法进行了综述,介绍仿生溶液法的制备、涂层的性... 种植体表面磷酸钙的涂层方法很多,但每一种方法都有它各自的技术局限性,为改进金属种植体的涂层,最新的通过仿生溶液生长法制备的磷酸钙涂层,具有其它方法无可比拟的优点。本文对仿生溶液法进行了综述,介绍仿生溶液法的制备、涂层的性能、优缺点以及发展趋势。 展开更多

关键词 仿生溶液生长法 磷酸钙涂层 种植体 生物降解

下载PDF 职称材料

ACRT-Te溶液Bridgman法生长的In掺杂CdMnTe界面研究(英文) 被引量：1

5

作者 杜园园 介万奇 +3 位作者 郑昕 王涛 白旭旭 于晖 《中国有色金属学会会刊：英文版》 CSCD 2012年第S1期143-147,共5页

采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30mm、长度为60mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法生长的 CdMnTe晶锭中的孪晶大大减少。但是由于较高的Te夹杂相密度,红外透过成像显示晶锭生长界面的微观... 采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30mm、长度为60mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法生长的 CdMnTe晶锭中的孪晶大大减少。但是由于较高的Te夹杂相密度,红外透过成像显示晶锭生长界面的微观形貌既不均匀也不规则。同时,采用激光共聚焦显微镜也观察到CdMnTe富Te区存在无规律沉积的含有孔洞的不规则形状Te相。如果采用合适的生长工艺得到较为平直的生长界面,Te溶液垂直布里奇曼法可以有效减少CdMnTe晶体中的孪晶。 展开更多

关键词 溶液法生长 垂直Bridgman法 CDMNTE 孪晶 生长界面 Te夹杂相

下载PDF 职称材料

界面动力学对微重力下溶液法晶体生长的生长界面和溶解界面稳定性的影响

6

作者 朱振和 《中央民族大学学报（自然科学版）》 2003年第1期5-14,26,共11页

　用一个二维的数学模型研究微重力条件下溶液法晶体生长的晶体生长界面和溶解界面的稳定性以及界面动力学对界面稳定性的影响.研究表明,不管是否考虑界面动力学效应都存在稳定的晶体生长界面和溶解界面,其形状都是上部适当后倾的适当... 　用一个二维的数学模型研究微重力条件下溶液法晶体生长的晶体生长界面和溶解界面的稳定性以及界面动力学对界面稳定性的影响.研究表明,不管是否考虑界面动力学效应都存在稳定的晶体生长界面和溶解界面,其形状都是上部适当后倾的适当形状的曲面.计算了在各种情况下晶体生长稳定界面和溶解稳定界面的形状.界面动力学使晶体生长稳定界面的倾斜度变小,使溶解稳定界面的倾斜度略微变小. 展开更多

关键词 微重力 溶液法晶体生长 界面 界面动力学

下载PDF 职称材料

两步溶液法制备亚微米ZnO棒阵列及其退火后的发光 被引量：3

7

作者 胡俊涛 郭鹏 +1 位作者 梅嘉伟 郭常新 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期221-224,共4页

通过改变溶液浓度、酸碱度等生长条件，用两步化学溶液沉积法在玻璃衬底上制备出有序排列的亚微米级ZnO棒阵列，棒的截面呈正六边形，直径约为200-500nm。测量了样品的XRD谱和扫描电镜像，证明这些样品都是六方纤锌矿结构的ZnO单晶，且... 通过改变溶液浓度、酸碱度等生长条件，用两步化学溶液沉积法在玻璃衬底上制备出有序排列的亚微米级ZnO棒阵列，棒的截面呈正六边形，直径约为200-500nm。测量了样品的XRD谱和扫描电镜像，证明这些样品都是六方纤锌矿结构的ZnO单晶，且以[002]方向择优生长。将样品退火前后的PL光谱进行比较分析，发现退火后样品的发射光谱中紫外峰消失而长波段的红色发光峰红移并且增强（峰位由630nm左右移到720nm），而其激发光谱中的室温激子激发峰也增强。当退火时间增加到6h后，出现了由430nm的蓝峰和505nm绿峰组成的宽谱带蓝绿色发射。并对发光机理进行了讨论。 展开更多

关键词 氧化锌 光致发光 微米晶体棒 溶液法微晶生长

下载PDF 职称材料

非线性光学晶体K_(3)B_(6)O_(10)Br的生长与光电性能研究

8

作者 刘青雄 王天予 +5 位作者 刘孚安 吴倩 尹延如 赫崇君 高泽亮 夏明军 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第7期1296-1301,共6页

采用顶部籽晶溶液生长法成功生长出尺寸为42 mm×20 mm×18 mm的高光学质量的紫外非线性光学晶体K_(3)B_(6)O_(10)Br(KBB)。根据其结构对称性要求,将KBB晶体定向加工成不同的器件切型,系统表征其光电性能。对KBB晶体电弹常数进... 采用顶部籽晶溶液生长法成功生长出尺寸为42 mm×20 mm×18 mm的高光学质量的紫外非线性光学晶体K_(3)B_(6)O_(10)Br(KBB)。根据其结构对称性要求,将KBB晶体定向加工成不同的器件切型,系统表征其光电性能。对KBB晶体电弹常数进行了系统的表征,受微观结构影响,压电常数各向异性较大,最大的压电常数d 33=6.69 pC/N。KBB晶体具有良好的激光频率变换、电光及压电性能,在光电子领域显示出潜在的应用前景。 展开更多

关键词 紫外非线性光学晶体 K_(3)B_(6)O_(10)Br 顶部籽晶溶液生长法 晶体生长 电光系数 压电性能

下载PDF 职称材料

加入法生长ADP晶体的研究

9

作者 韩效溪 许实 王红印 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期283-283,共1页

加入法生长ＡＤＰ晶体的研究韩效溪许实王红印（上海交通大学应用物理系，上海２００２４０）ＧｒｏｗｔｈｏｆＡＤＰＣｒｙｓｔａｌｓｂｙＵｓｉｎｇＡｄｄｉｎｇＭｅｔｈｏｄＨａｎＸｉａｏｘｉＸｕＳｈｉＷａｎｇＨｏｎｇｙｉｎ（Ｄ... 加入法生长ＡＤＰ晶体的研究韩效溪许实王红印（上海交通大学应用物理系，上海２００２４０）ＧｒｏｗｔｈｏｆＡＤＰＣｒｙｓｔａｌｓｂｙＵｓｉｎｇＡｄｄｉｎｇＭｅｔｈｏｄＨａｎＸｉａｏｘｉＸｕＳｈｉＷａｎｇＨｏｎｇｙｉｎ（ＤｅｐａｒｍｅｎｔｏｆＡｐｐｌｉｅｄ... 展开更多

关键词 非线性光学晶体 溶液法生长晶体 磷酸铝

下载PDF 职称材料

二维圆周平动法ADP单晶生长流动与传质数值模拟

10

作者 刘杭 李明伟 +2 位作者 王鹏飞 胡志涛 尹华伟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第20期20022-20027,共6页

本工作提出一种名为“二维圆周平动法”的新型晶体生长方法。采用有限容积法和动网格技术,对转晶法及二维圆周平动法的ADP单晶生长过程进行数值模拟。比较了两种生长方法下晶体表面时均过饱和度分布及均方差,分析了不同特征转速ω、不... 本工作提出一种名为“二维圆周平动法”的新型晶体生长方法。采用有限容积法和动网格技术,对转晶法及二维圆周平动法的ADP单晶生长过程进行数值模拟。比较了两种生长方法下晶体表面时均过饱和度分布及均方差,分析了不同特征转速ω、不同圆周轨道半径R、不同晶体尺寸A对晶面时均过饱和度及均方差的影响。结果表明:与转晶法相比,二维圆周平动法晶面过饱和度及其分布均匀性得到提高。随着特征转速ω或圆周轨道半径R的增加,晶面时均过饱和度增加,均匀性变好,有利于晶面形貌的稳定。然而,随着尺寸A的增大,晶面时均过饱和度值降低,其均匀性变差。因而,随着晶体的长大,应该适当增加特征转速ω或圆周轨道半径R。 展开更多

关键词 流动传质 ADP单晶 二维圆周平动法 溶液法晶体生长 数值模拟

下载PDF 职称材料

电光晶体硒酸氢铷过饱和溶液的成核研究 被引量：1

11

作者 陈建中 郭飞云 +1 位作者 庄乃锋 林树坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期376-380,共5页

本文对硒酸氢铷 (RbHSeO4 ,RHSe)晶体生长过饱和溶液的均匀成核过程进行了初步的研究。通过动态目视法测量RHSe过饱和溶液的诱导期 ,讨论过饱和比、温度对诱导期的影响 ,并根据经典均匀成核理论计算不同温度下的晶体表面张力、成核自由... 本文对硒酸氢铷 (RbHSeO4 ,RHSe)晶体生长过饱和溶液的均匀成核过程进行了初步的研究。通过动态目视法测量RHSe过饱和溶液的诱导期 ,讨论过饱和比、温度对诱导期的影响 ,并根据经典均匀成核理论计算不同温度下的晶体表面张力、成核自由能和临界成核半径 ,为探讨RHSe单晶的水溶液生长的较佳条件提供依据。 展开更多

关键词 硒酸氢铷 均匀成核 诱导期 溶液生长法 电光晶体

下载PDF 职称材料

蓝宝石晶体的制备方法及特点概述 被引量：8

12

作者 刘杰 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期102-106,共5页

简述了人造蓝宝石晶体的应用领域,介绍了8种熔体生长方式制备人造蓝宝石晶体的过程和特点,并比较了不同制备方法的优缺点。

关键词 氧化铝单晶 蓝宝石晶体 制备方法 溶液生长法 熔体生长法 气相生长法

下载PDF 职称材料

大尺寸高质量三硼酸铋单晶生长及其频率转换 被引量：1

13

作者 董胜明 王继扬 +6 位作者 王正平 张建秀 滕冰 邵宗书 林学春 李瑞宁 许祖彦 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期836-841,共6页

借助于顶端籽晶溶液法,采用[110]和[111]方向籽晶生长了大尺寸高质量三硼酸铋(BiB_3O_6,BIBO)单晶,尺寸为30mm×30mm×40mm,最大晶体质量接近100g。用X射线衍射和偏光显微镜确定折射率主轴方向与结晶轴方向x//b,(y,c)=47.2°... 借助于顶端籽晶溶液法,采用[110]和[111]方向籽晶生长了大尺寸高质量三硼酸铋(BiB_3O_6,BIBO)单晶,尺寸为30mm×30mm×40mm,最大晶体质量接近100g。用X射线衍射和偏光显微镜确定折射率主轴方向与结晶轴方向x//b,(y,c)=47.2°,(z,a)=31.6°。根据折射率色散方程计算了位相匹配方向,实验确定1064 nm激光倍频方向(168.9,°90°),三倍频方向(146.4°,90。),946 nm激光的倍频方向(161.9°,90°)。以2.4 mm和6 mm长BIBO晶体实现了1064 nm激光的倍频和三倍频,效率分别为67.7％和39.5％(10 Hz,35 ps);以5 mm长的BIBO晶体分别在钛宝石激光器和LD泵浦Nd:YAG准连续激光器实现了946 nm到473 nm的激光输出,总效率分别为5.2％和4.8％,后者采用10 mm的LBO晶体作对比,其总效率为2.7％。讨论了晶体生长中遇到的主要问题及其解决办法,并指出BIBO的抗光损伤阈值是值得重视的问题。 展开更多

关键词 三硼酸铋 顶端籽晶溶液法生长 位相匹配 频率变换 非线性光学晶体

下载PDF 职称材料

KDP晶体快速生长的研究 被引量：5

14

作者 黄炳荣 苏根博 +1 位作者 江日洪 张春 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期251-251,共1页

ＫＤＰ晶体快速生长的研究黄炳荣苏根博江日洪张春（中国科学院福建物质结构研究所，福州３５０００２）ＳｔｕｄｙｏｎＲａｐｉｄＧｒｏｗｔｈｏｆＫＤＰＣｒｙｓｔａｌｓＨｕａｎｇＢｉｎｇｒｏｎｇＳｕＧｅｎｂｏＪｉａｎｇＲｉｈｏ... ＫＤＰ晶体快速生长的研究黄炳荣苏根博江日洪张春（中国科学院福建物质结构研究所，福州３５０００２）ＳｔｕｄｙｏｎＲａｐｉｄＧｒｏｗｔｈｏｆＫＤＰＣｒｙｓｔａｌｓＨｕａｎｇＢｉｎｇｒｏｎｇＳｕＧｅｎｂｏＪｉａｎｇＲｉｈｏｎｇＺｈａｎｇＣｈｕｎ（Ｆｕｊｉａ... 展开更多

关键词 非线性光学晶体 溶液法晶体生长 磷酸钾 磷酸盐

下载PDF 职称材料

一种全新的金属有机配合物非线性光学晶体CdHg(SCN)_4(C_2H_5NO)_2的生长、物化和光学性能表征 被引量：1

15

作者 刘雪松 刘希涛 王新强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期12055-12059,共5页

在以水和N-甲基甲酰胺的混合溶剂中制备了一种潜在的二阶非线性光学晶体:二N-甲基甲酰胺合硫氰酸汞镉(CdHg(SCN)4(C2H5NO)2(CMTN));用溶液降温法生长出了尺寸为30 mm×27 mm×9mm的较高光学质量的单晶体。采用元素分析、粉末衍... 在以水和N-甲基甲酰胺的混合溶剂中制备了一种潜在的二阶非线性光学晶体:二N-甲基甲酰胺合硫氰酸汞镉(CdHg(SCN)4(C2H5NO)2(CMTN));用溶液降温法生长出了尺寸为30 mm×27 mm×9mm的较高光学质量的单晶体。采用元素分析、粉末衍射、红外和拉曼光谱、热分析和紫外/可见/近红外透过光谱表征了它的结构、物理化学、热分解和光学性质。该晶体在128.5℃开始分解,其紫外截止波长为358nm。 展开更多

关键词 金属有机配合物 非线性光学晶体 CdHg(SCN)4(C2H5NO)2 溶液法生长 表征

下载PDF 职称材料

DKDP晶体生长亚稳区的影响因素 被引量：3

16

作者 常新安 臧和贵 +5 位作者 陈学安 陈丹 杨鹏 涂衡 王金淑 周美玲 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1070-1076,共7页

从热力学和动力学角度研究与分析了磷酸二氘钾[K(D1-xHx)2PO4,DKDP]晶体生长体系稳定性的主要影响因素,包括氘含量、溶液纯度、饱和温度、晶转(或搅拌)速度、过热温度与时间、生长均匀性、晶体受力情况、籽晶尺寸等。提出采用高纯原料... 从热力学和动力学角度研究与分析了磷酸二氘钾[K(D1-xHx)2PO4,DKDP]晶体生长体系稳定性的主要影响因素,包括氘含量、溶液纯度、饱和温度、晶转(或搅拌)速度、过热温度与时间、生长均匀性、晶体受力情况、籽晶尺寸等。提出采用高纯原料、超细过滤(孔径为0.15μm)、高出饱和点10℃过热20h,以及优质点状籽晶均匀生长等措施,可拓宽DKDP晶体生长亚稳区,从而提高晶体生长起始温度达50℃以上,在溶液过饱和度较大的条件下可实现DKDP晶体全方位快速生长。 展开更多

关键词 磷酸二氘钾晶体 溶液法晶体生长 溶液稳定性 生长亚稳区 快速生长

下载PDF 职称材料

快速生长KH_2PO_4晶体的缺陷和{100}生长表面形貌研究(英文)

17

作者 滕冰 于正河 +6 位作者 钟德高 李建宏 马江涛 庄树杰 张世明 张炳涛 黄万霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期260-263,269,共5页

利用原子力显微镜和光学显微镜观测了快速生长KH2PO4晶体的表面形貌。发现在较高生长温度下的{100}生长表面容易出现二维成核生长机制,在本文的实验条件下,{100}生长表面上的宏观台阶平均高度为2.34nm,而宏观台阶平台宽度的尺寸各不相... 利用原子力显微镜和光学显微镜观测了快速生长KH2PO4晶体的表面形貌。发现在较高生长温度下的{100}生长表面容易出现二维成核生长机制,在本文的实验条件下,{100}生长表面上的宏观台阶平均高度为2.34nm,而宏观台阶平台宽度的尺寸各不相同。在{100}生长表面上观察到了由杂质阻碍作用引起的台阶聚并和台阶弯曲,并讨论了杂质和生长台阶之间的相互作用机理。利用同步辐射白光形貌术分析了快速生长KDP晶体内部的位错缺陷。 展开更多

关键词 表面结构 溶液法生长 同步辐射白光形貌术

下载PDF 职称材料

温致变色的GaP纳米晶水溶液性质研究

18

作者 潘教青 崔得良 +2 位作者 黄柏标 秦晓燕 蒋民华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期119-,共1页

用苯热方法合成了一种温致变色的GaP纳米晶水溶液 ,它在室温下是透明深蓝色的 ,加热到 5 0℃以后呈现透明浅黄色 ,冷却到室温以后它恢复成透明深蓝色。经过多次加热、冷却后该溶液的温致变色性质不变。测试了该溶液在不同温度下的光谱... 用苯热方法合成了一种温致变色的GaP纳米晶水溶液 ,它在室温下是透明深蓝色的 ,加热到 5 0℃以后呈现透明浅黄色 ,冷却到室温以后它恢复成透明深蓝色。经过多次加热、冷却后该溶液的温致变色性质不变。测试了该溶液在不同温度下的光谱吸收性质 ,进行了初步的理论解释 ,GaP纳米晶的不同团聚状态有不同的光吸收性质 ,而不同温度下纳米晶在水溶液中团聚成的颗粒不一样 ,这导致了温致变色效应。但该溶液在长期保存时性质不稳定 ,这和GaP纳米晶有很高的化学活性有关。 展开更多

关键词 GaP纳米晶 溶液法晶体生长 光谱吸收

下载PDF 职称材料

石墨/金属盐复合电极材料制备方法研究进展

19

作者 于思洋 周健康 +2 位作者 门丽娟 刘安 陈春钰 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第S01期180-182,190,共4页

石墨/金属盐复合电极是目前电极制备的主要方向,无论是锂离子电池负极材料还是各种吸附电极,石墨/金属盐复合电极往往是第一选择。针对石墨/金属盐复合电极材料的制备,从材料制备角度出发,介绍了溶液生长法、涂覆法、电化学法制备方法... 石墨/金属盐复合电极是目前电极制备的主要方向,无论是锂离子电池负极材料还是各种吸附电极,石墨/金属盐复合电极往往是第一选择。针对石墨/金属盐复合电极材料的制备,从材料制备角度出发,介绍了溶液生长法、涂覆法、电化学法制备方法。从实际生产和实验设计的角度出发,对制备方法的优缺点进行了评析。 展开更多

关键词 石墨电极 溶液生长法 电化学法 涂覆法

原文传递

硝酸钡晶体的生长

20

作者 陈万春 张春林 +1 位作者 刘道丹 马文漪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期275-275,共1页

硝酸钡晶体的生长陈万春张春林刘道丹马文漪（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）ＧｒｏｗｔｈｏｆＢａｒｉｕｍＮｉｔｒａｔｅＣｒｙｓｔａｌＣｈｅｎＷａｎｃｈｕｎＺｈａｎｇＣｈｕｎｌｉｎＬｉｕＤａｏｄａｎＭａＷｅｎｙｉ... 硝酸钡晶体的生长陈万春张春林刘道丹马文漪（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）ＧｒｏｗｔｈｏｆＢａｒｉｕｍＮｉｔｒａｔｅＣｒｙｓｔａｌＣｈｅｎＷａｎｃｈｕｎＺｈａｎｇＣｈｕｎｌｉｎＬｉｕＤａｏｄａｎＭａＷｅｎｙｉ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｙｓｉ... 展开更多

关键词 硝酸钡晶体 非线性光学材料 溶液法晶体生长

下载PDF 职称材料