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题名双层结构对ZnO TFT稳定性的影响
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作者
张悦
高晓红
王晗
王森
孙玉轩
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机构
吉林建筑大学电气与计算机学院
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出处
《吉林建筑大学学报》
CAS
2024年第2期76-82,共7页
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基金
吉林省科技厅科技发展计划项目(20190303114SF)。
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文摘
室温下采用射频磁控溅射方法在SiO_(2)/Si衬底上沉积了单层ZnO薄膜和高氧/低氧双层ZnO薄膜,采用电子束蒸发设备蒸镀Al电极,制备单沟道ZnO TFTs和双层沟道ZnO TFTs。比较两种结构ZnO TFTs的各种性能参数,分析双层结构对TFTs产生的影响。实验结果表明,底部高含氧量ZnO层和顶部低含氧量ZnO层构成了DAL同质结且高氧/低氧薄膜存在载流子浓度产差,利用载流子从高浓度向低浓度扩散的性质,可以填补栅介电层和沟道层之间的界面态缺陷,使器件界面类受主陷阱减少,有效降低TFTs的滞回现象。与单有源层TFTs相比,双沟道层TFTs还具有电学调制作用,其电学性能和稳定性均有明显的提高,得到最佳TFTs的开/关电流比达到3.44×10^(9),亚阈值摆幅为0.68 V/dec,阈值电压偏移为1.2 V。
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关键词
ZNO薄膜
ZnO
TFT
滞回稳定性
双层结构
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Keywords
ZnO film
ZnO TFT
hysteretic stability
double-layer structure
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分类号
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名退火气氛对ZnO薄膜晶体管电学稳定性的影响
被引量：2
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作者
张文通
高晓红
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机构
吉林建筑大学电气与计算机学院
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出处
《吉林建筑大学学报》
2019年第5期81-86,共6页
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文摘
在低温条件下(90℃)使用射频磁控溅射在表面长有100 nm厚的氧化硅绝缘层的硅衬底上沉积ZnO薄膜,并制备成薄膜晶体管器件,然后放入不同气氛下进行退火.研究不同的退火气氛对ZnO薄膜晶体管(TFT)的电学性能的影响,并对ZnO薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试和光致发光(PL)测试,使用场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察ZnO薄膜的表面形貌.实验结果表明,不同的退火气氛对ZnO薄膜晶体管的性能有着显著的影响,在N2氛围下进行退火的器件性能最优,电流开关比达到了5.88×107,滞回稳定性ΔVTH仅为0.2 V,界面态密度DIT为3.34×1012cm-2eV-1.
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关键词
ZnO薄膜晶体管
滞回稳定性
退火
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Keywords
ZnO thin film transistors
hysteretic stability
annealing
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分类号
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
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