期刊导航
期刊开放获取
重庆大学
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
石墨烯场效应管的Verilog-A建模
1
作者
邓雄彰
常胜
+2 位作者
王高峰
黄启俊
王豪
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第8期493-497,533,共6页
在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应管作为一种新型纳米器件受到了广泛关注。以漂移-扩散传输理论为基础,得到了石墨烯场效应管的漏电流解析表达式,并以此建立了适合电路设计的石墨烯场效应管Verilog-A模型。利用该...
在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应管作为一种新型纳米器件受到了广泛关注。以漂移-扩散传输理论为基础,得到了石墨烯场效应管的漏电流解析表达式,并以此建立了适合电路设计的石墨烯场效应管Verilog-A模型。利用该模型对栅长为10μm、沟道宽度为5μm的石墨烯场效应管进行HSPICE仿真,仿真结果与实验所测数据相符。在此基础上,给出了基于石墨烯场效应管的共源放大电路、共漏放大电路和共栅放大电路三种基本电路组态的仿真结果,表明石墨烯场效应管应用于模拟及RF电路具有广阔的前景。
展开更多
关键词
石墨烯场效应管(GFET)
纳米器件
漂移-扩散理论
Verilog—A
HSPICE
原文传递
题名
石墨烯场效应管的Verilog-A建模
1
作者
邓雄彰
常胜
王高峰
黄启俊
王豪
机构
武汉大学物理科学与技术学院
武汉大学微电子与信息技术研究院
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第8期493-497,533,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(60976067)
高等学校博士点专项科研基金资助项目(20100141120040
+1 种基金
20110141120074)
中央高校基本科研武汉大学资助项目(1101001)
文摘
在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应管作为一种新型纳米器件受到了广泛关注。以漂移-扩散传输理论为基础,得到了石墨烯场效应管的漏电流解析表达式,并以此建立了适合电路设计的石墨烯场效应管Verilog-A模型。利用该模型对栅长为10μm、沟道宽度为5μm的石墨烯场效应管进行HSPICE仿真,仿真结果与实验所测数据相符。在此基础上,给出了基于石墨烯场效应管的共源放大电路、共漏放大电路和共栅放大电路三种基本电路组态的仿真结果,表明石墨烯场效应管应用于模拟及RF电路具有广阔的前景。
关键词
石墨烯场效应管(GFET)
纳米器件
漂移-扩散理论
Verilog—A
HSPICE
Keywords
graphene field effect transistor （GFET）
nano
-
scale device
drift
-
diffusion theory
Verilog
-
A
HSPICE
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
石墨烯场效应管的Verilog-A建模
邓雄彰
常胜
王高峰
黄启俊
王豪
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
