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静电放电次数与半导体器件潜在性失效的关系 被引量:2
1
作者 杨洁 刘尚合 +1 位作者 刘红兵 祁树锋 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2007年第6期620-624,共5页
为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体模型ESD注入实验.注入电压为1.50 kV.注入管脚为器件对ESD最敏感的端对.器件分组注入不同次数的ESD后,将... 为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体模型ESD注入实验.注入电压为1.50 kV.注入管脚为器件对ESD最敏感的端对.器件分组注入不同次数的ESD后,将注入和未注入过ESD的器件同时进行加速寿命实验.通过比较各组器件损伤率的大小来反映器件使用寿命的变化.经统计分析与计算发现:开始时,随放电次数的增加,器件出现潜在性失效的概率增大,当概率达到一定极限值后,又会随放电次数的增大而减小,说明ESD的注入不仅可能在部分硅器件内部造成潜在性失效,也可能提高另外一部分器件的可靠性. 展开更多
关键词 硅双极晶体管 静电放电 潜在性失效 注人次数 微波低噪声小功率 加速寿命实验
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低电压ESD对2SC3356造成的事件相关潜在性失效 被引量:2
2
作者 祁树锋 杨洁 +2 位作者 刘红兵 刘尚合 巨楷如 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2007年第3期326-328,336,共4页
研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的事件相关潜在性失效.从CB管脚对微波低噪声NPN晶体管2SC3356施加低电压人体模型(HBM)的ESD应力,发现,随着ESD应力次数的增加,器件的放大特性hFE逐渐退化,并且当电压达到一定水平,多次的ES... 研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的事件相关潜在性失效.从CB管脚对微波低噪声NPN晶体管2SC3356施加低电压人体模型(HBM)的ESD应力,发现,随着ESD应力次数的增加,器件的放大特性hFE逐渐退化,并且当电压达到一定水平,多次的ESD可以使器件失效.研究表明,低电压的ESD对器件造成的损伤具有潜在性和积累性. 展开更多
关键词 ESD 微电子器件 潜在性失效
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ESD对微电子器件造成潜在性失效的研究综述 被引量:6
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作者 祁树锋 杨洁 +2 位作者 刘红兵 巨楷如 刘尚合 《军械工程学院学报》 2006年第5期27-31,共5页
静电放电(ESD)潜在性失效问题是当前微电子工业面临的可靠性问题之一,并且越来越引起人们的重视.国内外学者在微电子器件ESD潜在性失效的检测及探讨失效机理方面的研究取得了较大的进展.研究表明:MOS电路等微电子器件,在ESD作用下确实... 静电放电(ESD)潜在性失效问题是当前微电子工业面临的可靠性问题之一,并且越来越引起人们的重视.国内外学者在微电子器件ESD潜在性失效的检测及探讨失效机理方面的研究取得了较大的进展.研究表明:MOS电路等微电子器件,在ESD作用下确实存在潜在性失效问题.因此,开展ESD潜在性失效研究具有重要意义. 展开更多
关键词 ESD 微电子器件 潜在性失效
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MOS器件静电放电潜在性失效概述 被引量:1
4
作者 杨洁 武占成 +1 位作者 张希军 胡有志 《河北科技大学学报》 CAS 北大核心 2011年第S1期34-37,共4页
各类微电子器件在向着微型化与集成化方向发展的同时,随之而来的便是其抗静电放电能力的下降。然而,静电放电不仅能够在微电子器件内部造成明显失效,而且能够在其内部造成潜在性失效。潜在性失效,是目前最具争议的一种失效模式,也最具... 各类微电子器件在向着微型化与集成化方向发展的同时,随之而来的便是其抗静电放电能力的下降。然而,静电放电不仅能够在微电子器件内部造成明显失效,而且能够在其内部造成潜在性失效。潜在性失效,是目前最具争议的一种失效模式,也最具威胁性。国内外研究人员在此方面积极开展了多项研究并取得了较大的进展,他们的研究结果表明:在MOS器件中确实存在静电放电潜在性失效问题。同时,在他们的研究中对MOS器件静电放电潜在性失效的损伤机理、检测方法等进行了相应研究。 展开更多
关键词 静电放电 MOS器件 潜在性失效 检测
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2SC3356晶体管ESD潜在性失效判别的参数研究
5
作者 祁树锋 曾泰 +2 位作者 张晓倩 刘红兵 杨洁 《青岛科技大学学报(自然科学版)》 CAS 2011年第5期538-542,共5页
针对2SC3356晶体管进行了ESD潜在性失效判别的参数研究,研究的参数包括结电容和噪声系数、结反向击穿电压和结反向漏电流,以及高温反偏的方法来检验器件是否受到潜在性损伤。提出了检验双极型硅器件受到ESD潜在性损伤的最有效方法,即精... 针对2SC3356晶体管进行了ESD潜在性失效判别的参数研究,研究的参数包括结电容和噪声系数、结反向击穿电压和结反向漏电流,以及高温反偏的方法来检验器件是否受到潜在性损伤。提出了检验双极型硅器件受到ESD潜在性损伤的最有效方法,即精确测试器件的直流参数,特别是直流放大倍数hFE及反向漏电流ICEO,是检验双极型硅器件是否受到ESD潜在性损伤的最有效方法。 展开更多
关键词 2SC3356晶体管 ESD 微电子器件 潜在性失效
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静电放电对2SC3356造成的潜在性失效的实验模拟
6
作者 祁树锋 杨洁 +1 位作者 刘红兵 刘尚合 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2006年第6期656-659,共4页
研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的潜在性失效.采用人体模型(HBM)对微波低噪声晶体管2SC3356施加了一系列低电压的ESD应力,结果表明:低于损伤阈值的ESD应力可以使微电子器件产生潜在性损伤,从而影响器件的使用寿命.
关键词 ESD 微电子器件 潜在性失效
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砷化镓场效应管的潜在性失效 被引量:2
7
作者 桂建勋 刘庆祥 王文生 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 1997年第5期585-590,共6页
为提高GaAsMESFET静电放电失效阈值,通过ESD实验前、后直流参数和热分布变化获取不足10%的器件表现为永久性失效,而90%以上的器件表现为潜在性失效的结果。潜在性失效机理为:在强电场、大电流及ns级瞬时冲击下... 为提高GaAsMESFET静电放电失效阈值,通过ESD实验前、后直流参数和热分布变化获取不足10%的器件表现为永久性失效,而90%以上的器件表现为潜在性失效的结果。潜在性失效机理为:在强电场、大电流及ns级瞬时冲击下,辅之以电热迁移和扩散,致使GaAsMESFET肖特基势垒受到不同程度损伤,G-S、G-D间的界面离化或击穿。研究其潜在性失效机理,找出在设计、工艺和材料上的缺陷,以提高器件抗静电能力. 展开更多
关键词 砷化镓 场效应管 静电放电 失效 潜在性失效
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基于加速寿命试验的晶体管静电放电潜在性失效的研究 被引量:1
8
作者 胡有志 武占成 +1 位作者 杨洁 原青云 《军械工程学院学报》 2011年第3期20-23,共4页
对高频小功率硅双极结型晶体管2SC3356进行静电放电试验,并利用加速寿命试验原理对两组器件进行加速寿命试验。采用Arrhenius模型对试验结果进行计算分析,发现低于损伤阈值的ESD注入可以使器件的寿命缩短,得出ESD可以在高频小功率硅双... 对高频小功率硅双极结型晶体管2SC3356进行静电放电试验,并利用加速寿命试验原理对两组器件进行加速寿命试验。采用Arrhenius模型对试验结果进行计算分析,发现低于损伤阈值的ESD注入可以使器件的寿命缩短,得出ESD可以在高频小功率硅双极结型晶体管内部造成潜在性失效,使得器件寿命缩短。 展开更多
关键词 ESD 潜在性失效 加速寿命试验
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高频小功率硅双极器件ESD潜在失效的无损检测方法 被引量:6
9
作者 杨洁 殷中伟 +2 位作者 张希军 王振兴 武占成 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期164-169,共6页
目前国内外研究人员多集中于研究MOS器件和GaAs器件的静电放电(ESD)潜在性失效,而对高频小功率硅双极晶体管的静电放电潜在性失效则研究较少。为此,参考国内外研究人员的研究结果,选择采用高温反偏法、低频噪声法以及电参数测量法来对... 目前国内外研究人员多集中于研究MOS器件和GaAs器件的静电放电(ESD)潜在性失效,而对高频小功率硅双极晶体管的静电放电潜在性失效则研究较少。为此,参考国内外研究人员的研究结果,选择采用高温反偏法、低频噪声法以及电参数测量法来对高频小功率硅双极晶体管静电放电潜在性失效的无损检测方法进行了较为细致的分析研究。通过详细比较后可以确定,高温反偏法和低频噪声法均不能用来检测高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效,也就更不能用来检测判别此类器件的静电放电潜在性失效。最后,通过对多个电参数的测量与对比发现,高频小功率硅双极晶体管集电极-基极反偏结漏电流的大范围变化可以表征此类器件静电放电潜在性失效的存在。 展开更多
关键词 静电放电(ESD) 潜在性失效 硅双极晶体管 检测方法 高频小功率 低频噪声 漏电流
原文传递
静电放电电磁脉冲对微电子器件的双重作用 被引量:1
10
作者 祁树锋 张晓倩 +2 位作者 曾泰 刘红兵 杨洁 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2011年第6期579-581,共3页
研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的潜在性失效,采用人体模型(HBM)对微波低噪声晶体管2SC3356施加不同电压的ESD应力.结果表明:高电压的ESD注入对2SC3356器件造成的损伤主要是不可恢复的损伤,而低电压的ESD注入对2SC3356器... 研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的潜在性失效,采用人体模型(HBM)对微波低噪声晶体管2SC3356施加不同电压的ESD应力.结果表明:高电压的ESD注入对2SC3356器件造成的损伤主要是不可恢复的损伤,而低电压的ESD注入对2SC3356器件造成的损伤是可恢复的损伤;ESD的注入对器件有双重作用:一方面ESD在器件中可引入潜在性损伤,另一方面ESD对器件有加固作用,并且注入ESD电压越高,这些作用越明显. 展开更多
关键词 ESD 微电子器件 潜在性失效
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静电放电对高频小功率硅晶体管的双重作用
11
作者 杨洁 刘升 +1 位作者 武占成 张希军 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2010年第5期590-593,共4页
为了深入研究静电放电对双极晶体管的作用效应是否发生改变,对目前广泛使用的高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效进行了实验分析.采用相应的静电放电模拟器,进行不同电压的静电放电注入实验再配合加速寿命实验,一方面验证了低于失效... 为了深入研究静电放电对双极晶体管的作用效应是否发生改变,对目前广泛使用的高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效进行了实验分析.采用相应的静电放电模拟器,进行不同电压的静电放电注入实验再配合加速寿命实验,一方面验证了低于失效阈值的静电放电注入可能在该类晶体管内部造成潜在性失效,另一方面发现静电放电的注入也可能类似退火,对部分该类晶体管起到了训练加固的作用. 展开更多
关键词 硅双极晶体管 静电放电 潜在性失效 加固 高频小功率
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关于静电标准的“碰撞”
12
《中国标准化》 2012年第12期37-42,共6页
随着科学技术的发展,静电已经远远不是物理范畴原来的物理含义。静电在石化、电报装置,各个领域造成易燃易爆的危害事故,受到世人的关注。特别是随着微电子器件的发展,静电造成的危害更是不容忽视。静电放电可能给微电子器件造成隐... 随着科学技术的发展,静电已经远远不是物理范畴原来的物理含义。静电在石化、电报装置,各个领域造成易燃易爆的危害事故,受到世人的关注。特别是随着微电子器件的发展,静电造成的危害更是不容忽视。静电放电可能给微电子器件造成隐性损伤或者说潜在性失效,潜在性失效一般的测试方法是很难判断的,因此,就更需要从管理层面上规范生产过程中的一些工艺, 展开更多
关键词 静电放电 微电子器件 潜在性失效 碰撞 标准 科学技术 易燃易爆 隐性损伤
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LED Failure Modes Implications in Ex-e Applications 被引量:2
13
作者 Roberto Sebastiano Faranda Lorenzo Fame Kim Fumagalli 《Journal of Energy and Power Engineering》 2015年第11期986-997,共12页
Design reliable and safe LED (light emitting diode) lighting equipment for potentially explosive atmospheres should require knowledge about the possible failure modes of LED sources. Nowadays, LED technology potenti... Design reliable and safe LED (light emitting diode) lighting equipment for potentially explosive atmospheres should require knowledge about the possible failure modes of LED sources. Nowadays, LED technology potential is not adequately considered by IECEx (International Electrotechnical Commission system for certification to standards relating to equipment for use in explosive atmospheres) yet. Standards only consider LEDs adequate for Zone 1 when luminary is realized by the Ex-d protection strategy, or ifa big limitation in terms of power is guarantee, for Ex-i mode. In particular, Ex-d LED luminaries are obtained by using heavy, thick and expensive flameproof enclosures, entrusting safety only to the mechanical strength of the case. Luminous efficiency's also reduced since the glass used is very thick (10% reduction of approximately every 10 mm of thickness of the glass). The paper shows a study about different possible causes of LED failure and their implication with explosive atmospheres, investigating whether LED technology can be used safely with other safety strategy like Ex-e, which can guarantee better performance and less cost. 展开更多
关键词 Luminaries power LED failure modes EX ATEX (ATmosph6res ed EXplosibles) IECEx luminous efficiency thermaldissipation.
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