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固相外延生长法制备ZSM-5@Silicalite-1分子筛及其CO_(2)加氢耦合甲苯烷基化反应的影响
1
作者 贾艺敏 牛鹏宇 +5 位作者 贾丽涛 林明桂 郭荷芹 肖勇 侯博 李德宝 《燃料化学学报（中英文）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期1115-1130,共16页
本研究采用固相法在ZSM-5表面外延生长Silicalite-1,制备出ZSM-5@Silicalite-1分子筛。同时制备高活性氧化物ZnZrOx,并与ZSM-5@Silicalite-1物理混合组成ZnZrOx/ZSM-5@Silicalite-1双功能催化剂,研究了CO_(2)加氢耦合甲苯烷基化催化性... 本研究采用固相法在ZSM-5表面外延生长Silicalite-1,制备出ZSM-5@Silicalite-1分子筛。同时制备高活性氧化物ZnZrOx,并与ZSM-5@Silicalite-1物理混合组成ZnZrOx/ZSM-5@Silicalite-1双功能催化剂,研究了CO_(2)加氢耦合甲苯烷基化催化性能。相比于ZnZrOx/ZSM-5催化剂,分子筛改性后的双功能催化剂提高了对二甲苯(PX)选择性。研究了晶化条件(硅源、晶化过程、晶化次数)对ZSM-5外延生长Silicalite-1的影响,以及Silicalite-1钝化层厚度对CO_(2)加氢耦合甲苯烷基化反应性能的影响。在400℃、3 MPa反应条件下,ZZO/1:3.5Z5-Na-SiO_(2)催化剂的甲苯转化率为12.0%,二甲苯选择性为77.4%,在二甲苯中对二甲苯选择性为73.4%。通过SEM、XRD、N2吸附-脱附、XPS、NH3-TPD、Py-FTIR等表征,研究了分子筛的结构和酸性质。结果表明,通过固相外延生长,延长ZSM-5的孔道,增加间二甲苯(MX)、邻二甲苯(OX)的扩散阻力,同时钝化外表面的酸性,可以有效提高对二甲苯(PX)的选择性。固相外延生长法改性ZSM-5分子筛,摒弃了以往堵塞孔以缩小孔口改性分子筛的缺点,在保证催化剂活性的同时提高了产物选择性。 展开更多
关键词 MFI型分子筛 外延生长 对二甲苯 固相法 CO_(2)加氢耦合甲苯烷基化
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ZnO的激光分子束外延法制备及X射线研究 被引量：10
2
作者 杨晓东 张景文 +2 位作者 毕臻 贺永宁 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期485-489,共5页
利用激光分子束外延(L-MBE)技术在α-Al2O3(0001)衬底上生长出了沿C轴高度择优取向的ZnO外延薄膜,并采用Philips四晶高分辨X射线衍射仪(Philip′s X′Pert HR-MRD)对ZnO薄膜的表面及结构特性进行了研究.应用小角度X射线分析方法(GIXA)对... 利用激光分子束外延(L-MBE)技术在α-Al2O3(0001)衬底上生长出了沿C轴高度择优取向的ZnO外延薄膜,并采用Philips四晶高分辨X射线衍射仪(Philip′s X′Pert HR-MRD)对ZnO薄膜的表面及结构特性进行了研究.应用小角度X射线分析方法(GIXA)对ZnO薄膜的表面以及ZnO/Al2O3界面状况进行了定量表征.X射线反射率(XRR)曲线出现了清晰的源于良好表面及界面特性的Kiessig干涉振荡峰,通过对其精确拟合求得ZnO薄膜的表面及界面粗糙度分别为0.34nm和1.12nm.ZnO薄膜与α-Al2O3(0001)衬底的XRD在面(in-plane)Φ扫描结果表明形成了单一的平行畴(Alignedin-plane Oriented Domains),其在面外延关系为ZnO[1010]||Al2O3[1120].XRDω-2θ扫描以及ω摇摆曲线半峰宽分别为0.12度和1.27度,这一结果表明通过形成平行畴及晶格驰豫过程,ZnO薄膜中的应力得到了有效的释放,但同时也引入了螺位错. 展开更多
关键词 氧化锌 激光分子束外延 小角度X射线分析 X射线反射率
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金属调制分子束外延生长氮化铝薄膜
3
作者 刘欢 邵鹏飞 +9 位作者 陈松林 周辉 李思琦 陶涛 谢自力 刘斌 陈敦军 郑有炓 张荣 王科 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期878-885,共8页
本文利用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)系统,对常规连续外延生长和金属调制外延(MME)生长AlN薄膜进行研究。研究发现:常规连续外延方法生长模式不易控制,容易出现过度富Al和富N模式生长,而且微富Al模式生长还会出现一些凹坑,表面形貌... 本文利用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)系统,对常规连续外延生长和金属调制外延(MME)生长AlN薄膜进行研究。研究发现:常规连续外延方法生长模式不易控制,容易出现过度富Al和富N模式生长,而且微富Al模式生长还会出现一些凹坑,表面形貌较粗糙;然而利用MME方法生长AlN薄膜,通过精准调控Al源和N源快门打开、关闭时间,可以获得形貌较好的AlN薄膜。通过调整优化获得的MME方案为:首先Al源快门打开30 s,然后Al源和N源快门打开60 s,最后单独打开N源快门72 s;单一周期内,Al源快门打开时间与N源快门打开时间比例为0.7。以上述方案为一个周期进行循环生长40个周期,可获得粗糙度低至0.3 nm(2μm×2μm),几乎无凹坑的AlN薄膜。 展开更多
关键词 金属调制 分子束外延 外延生长 氮化铝 粗糙度
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激光分子束外延及其在原子水平生长BaTiO_3薄膜中的应用 被引量：4
4
作者 崔大复 王会生 +5 位作者 马昆 陈正豪 周岳亮 吕惠宾 李林 杨国桢 《量子电子学》 CSCD 1996年第5期404-404,共1页
激光分子束外延及其在原子水平生长ＢａＴｉＯ＿３薄膜中的应用崔大复，王会生，马昆，陈正豪，周岳亮，吕惠宾，李林，杨国桢（中国科学院物理研究所北京１０００８０）原子水平微观尺度的科学与技术领域的研究促进了制造和技术的进步... 激光分子束外延及其在原子水平生长ＢａＴｉＯ＿３薄膜中的应用崔大复，王会生，马昆，陈正豪，周岳亮，吕惠宾，李林，杨国桢（中国科学院物理研究所北京１０００８０）原子水平微观尺度的科学与技术领域的研究促进了制造和技术的进步与革命，这是当代科学技术的重要发展... 展开更多
关键词 激光分子束外延 薄膜 原子水平生长 钛酸钡
原文传递
半导体单量子点的分子束外延生长及调控
5
作者 宋长坤 黄晓莹 +2 位作者 陈英鑫 喻颖 余思远 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期982-996,共15页
Ⅲ-Ⅴ化合物半导体外延单量子点具有类原子的分立能级结构,能够按需产生单光子和纠缠多光子态,而且可以直接与成熟的集成光子技术结合,因此被认为是制备高品质固态量子光源、构建可扩展性量子网络最有潜力的固态量子体系之一。本综述的... Ⅲ-Ⅴ化合物半导体外延单量子点具有类原子的分立能级结构,能够按需产生单光子和纠缠多光子态,而且可以直接与成熟的集成光子技术结合,因此被认为是制备高品质固态量子光源、构建可扩展性量子网络最有潜力的固态量子体系之一。本综述的重点是介绍高品质单量子点的分子束外延生长及精确调控的方法。首先介绍了晶圆级均匀单量子点的分子束外延生长,并探讨了调控浸润层态和量子点对称性的生长方法;接下来概述了利用应变层调控量子点发射波长的方法,总结了几种常见的电调控单个量子点器件的设计原理;最后讨论了最近为实现优异量子点光源而开发的液滴外延生长技术。 展开更多
关键词 单量子点 分子束外延 生长调控 S-K模式 液滴刻蚀 单光子源 纠缠光源
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激光分子束外延法制备氟铝共掺氧化锌薄膜及其物性研究 被引量：2
6
作者 马剑钢 林东 《物理实验》 2016年第9期4-8,共5页
采用激光分子束外延方法,将高熔点的AlF3和ZnO混合后制成高质量靶材,制备出具有高电导率和热稳定性的氟、铝共掺氧化锌薄膜(AFZO),并研究了AZO和AFZO的光电性质随退火条件的变化,探讨了AZO薄膜缺陷的性质及其形成和作用机理.研究表明受... 采用激光分子束外延方法,将高熔点的AlF3和ZnO混合后制成高质量靶材,制备出具有高电导率和热稳定性的氟、铝共掺氧化锌薄膜(AFZO),并研究了AZO和AFZO的光电性质随退火条件的变化,探讨了AZO薄膜缺陷的性质及其形成和作用机理.研究表明受主型缺陷——锌空位是导致在空气退火时AZO电学性质劣化的主要原因,而氟掺杂可以抑制锌空位的形成. 展开更多
关键词 氟铝共掺氧化锌 激光分子束外延 透明导电 锌空位
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激光分子束外延生长动力学虚拟仿真实验建设 被引量：1
7
作者 于景侠 乔梁 +3 位作者 郭袁俊 杨宏春 聂锦兰 向霞 《实验科学与技术》 2022年第4期23-27,共5页
依托科研团队和科研设备,开发面向本科生教学的虚拟仿真实验项目,是实施科教融合和科研育人的有效方法。该文探讨了将激光分子束外延生长法这一凝聚态物理前沿技术转化为虚拟仿真实验的设计方案,分别从学科的理论基础、理论前沿和技术... 依托科研团队和科研设备,开发面向本科生教学的虚拟仿真实验项目,是实施科教融合和科研育人的有效方法。该文探讨了将激光分子束外延生长法这一凝聚态物理前沿技术转化为虚拟仿真实验的设计方案,分别从学科的理论基础、理论前沿和技术前沿解读该方法,突出展示了其分子动力学原理。对提升学生的科研兴趣、培养他们的科学实验素养起到了较好的促进作用。 展开更多
关键词 激光分子束外延生长法 动力学 虚拟仿真实验 科教融合
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分子束外延生长高速直接调制1·3μmInAs/GaAs量子点激光器
8
作者 杨涛 季海铭 徐鹏飞 《黑龙江大学工程学报》 2011年第3期98-101,共4页
介绍了分子束外延生长高速直接调制1．3μmInAs／GaAs量子点激光器。通过对量子点的生长温度和堆叠层数的优化研究，外延并制作了有源区包含5层InAs／GaAs量子点的1．3μm脊型波导边发射激光器。输出特性测试结果表明，条宽4μm、腔长60... 介绍了分子束外延生长高速直接调制1．3μmInAs／GaAs量子点激光器。通过对量子点的生长温度和堆叠层数的优化研究，外延并制作了有源区包含5层InAs／GaAs量子点的1．3μm脊型波导边发射激光器。输出特性测试结果表明，条宽4μm、腔长600μm的量子点激光器室温阈值电流仅为5mA，激射中心波长位于1293nm，并且可以在10-100℃范同内实现连续激射。大信号调制眼图测试表明，激光器在25℃下可以实现12Gb／s眼图的清晰张开。 展开更多
关键词 直接调制 量子点激光器 分子束外延
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分子束外延生长多量子阱激光器的实验研究
9
作者 刘斌 屠玉珍 +4 位作者 顾德英 金志良 方祖捷 周均铭 黄绮 《半导体情报》 1991年第6期76-78,共3页
本文报道了GaAlAs/GaAs多量子阱激光器的实验结果。采用Zn扩散平面条形结构的6μm宽单条激光器,获得了线性输出功率大于100mW的良好结果,其阈值电流密度为2000A/cm^2,室温下特征温度大于400K。
关键词 半导体激光器 量子阱 分子束外延
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激光分子束外延法制备AlN/Si异质结的电学性质 被引量：3
10
作者 方应龙 贾彩虹 +1 位作者 陈秀文 张伟风 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1043-1046,1052,共5页
采用激光分子束外延法在Si(111)衬底上制备出沿c轴取向的AlN薄膜,在此基础上制备了Au/AlN/Si金属-绝缘体-半导体(MIS)结构。研究了结构的电流传输机制、AlN/Si界面处的界面态密度值及分布情况。结果表明:AlN/Si异质结具有很好的整流特性... 采用激光分子束外延法在Si(111)衬底上制备出沿c轴取向的AlN薄膜,在此基础上制备了Au/AlN/Si金属-绝缘体-半导体(MIS)结构。研究了结构的电流传输机制、AlN/Si界面处的界面态密度值及分布情况。结果表明:AlN/Si异质结具有很好的整流特性,电流传输符合空间电荷限制传输机制,理想因子为2.88;结构的界面态密度约为1.1×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2),主要分布在距离Si衬底价带顶0.26eV附近,由生长过程中引入的O杂质、N空位/N替代和Si原子代替N原子形成的Al-Si键组成。 展开更多
关键词 AlN/Si(111) 异质结 激光分子束外延 空间电荷限制电流 电导法 界面态密度
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利用分子束外延在GaAs基上生长高特征温度的InAs量子点激光器 被引量：1
11
作者 袁野 苏向斌 +7 位作者 杨成奥 张一 尚金铭 谢圣文 张宇 倪海桥 徐应强 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期667-670,共4页
通过MBE外延系统生长了1.3µm的GaAs基InAs量子点激光器.为了获得更好的器件性能,InAs量子点的最优生长温度被标定为520℃,并且在有源区中引入Be掺杂.制备了脊宽100µm,腔长2 mm的激光器单管器件,在未镀膜的情况下,达到了峰值功... 通过MBE外延系统生长了1.3µm的GaAs基InAs量子点激光器.为了获得更好的器件性能,InAs量子点的最优生长温度被标定为520℃,并且在有源区中引入Be掺杂.制备了脊宽100µm,腔长2 mm的激光器单管器件,在未镀膜的情况下,达到了峰值功率1.008 W的室温连续工作,阈值电流密度为110 A/cm^-2,在80℃下仍然可以实现连续工作,在50℃以下范围内,特征温度达到405 K. 展开更多
关键词 量子点激光器 分子束外延 特征温度 中红外
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Si(111)和Si(100)衬底上AlN薄膜的激光分子束外延生长特征 被引量：2
12
作者 李雪飞 谢尚昇 +1 位作者 何欢 符跃春 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期38-40,59,共4页
采用激光分子束外延技术在Si(111)和Si(100)衬底上制备了AlN薄膜,研究了衬底温度和激光能量对薄膜物相结构和形貌的影响。结果表明:低的激光能量和高的衬底温度有益于薄膜的取向度和表面质量;激光能量为100mJ时,Si(111)衬底上的AlN薄膜... 采用激光分子束外延技术在Si(111)和Si(100)衬底上制备了AlN薄膜,研究了衬底温度和激光能量对薄膜物相结构和形貌的影响。结果表明:低的激光能量和高的衬底温度有益于薄膜的取向度和表面质量;激光能量为100mJ时,Si(111)衬底上的AlN薄膜呈单一的h-AlN(002)取向,Si(100)衬底上的薄膜在600℃时出现小的h-AlN(100)衍射峰,在700℃时呈微弱的h-AlN(002)取向;在Si(111)衬底上更易生长出取向度高的AlN薄膜。 展开更多
关键词 ALN薄膜 硅 激光分子束外延 晶体结构
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气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器
13
作者 杨海东 李世国 +3 位作者 陈朋 高山 徐承福 龚谦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期871-873,共3页
利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器。有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010cm-2左右,势垒层为InGaAsP。室温下量子点的光致发光中心波长在1.55μm,发光峰半高... 利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器。有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010cm-2左右,势垒层为InGaAsP。室温下量子点的光致发光中心波长在1.55μm,发光峰半高宽为108 meV。通过化学湿法腐蚀制备双沟道8μm宽脊条激光器,在20℃连续波工作模式下,腔长为0.7 mm的激光器的阈值电流为143 mA(2.5 kA/cm2),器件的激射中心波长在1.55μm。由于量子点尺寸的非均匀性,在大电流注入,激光器的激射谱展宽。器件单端面最大输出功率为27 mW,功率斜率效率为130 mW/A。 展开更多
关键词 激光器 自组织 量子点 光谱 气源分子束外延
原文传递
钙钛矿型氧化物SrTiO3/BaTiO3多层膜的激光分子束外延生长研究
14
作者 姚海军 李燕 +3 位作者 罗佳慧 姜斌 邓宏 蒋书文 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期2890-2893,2897,共5页
用激光分子束外延技术在SrTiO3(001)衬底上外延生长SrTiO3/BaTiO3多层膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)原位实时监测并结合原子力显微镜(AFM),研究了不同基片温度下所生长薄膜的表面平整度,利用X射线衍射(XRD)对外延薄膜进行了结构分析... 用激光分子束外延技术在SrTiO3(001)衬底上外延生长SrTiO3/BaTiO3多层膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)原位实时监测并结合原子力显微镜(AFM),研究了不同基片温度下所生长薄膜的表面平整度,利用X射线衍射(XRD)对外延薄膜进行了结构分析,结果表明薄膜具有二维生长模式,在基片温度为380～470℃之间生长的薄膜具有原子级光滑,并且具有完全C轴取向.同时运用X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜界面的互扩散,结果表明降低制备薄膜时的基片温度有利于减少互扩散. 展开更多
关键词 激光分子束外延 SrTiO3/BaTiO3 多层膜 反射式高能电子衍射 原子力显微镜
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分子束外延法及离子束溅射法生长CdTe和HgCdTe膜的比较 被引量：1
15
作者 龚琰民 《红外与激光技术》 CSCD 1991年第2期35-46,共12页
本文评论关于红外应用的分子束外延(MBE)生长CdTe和HgCdTe膜的现状。MBE方法的实力在于有极好的均匀性、体状霍耳特性和清晰的界面控制。不过,生长方法是复杂的,掺杂难以控制,需要的高汞流量引起了制作方面的问题。本文还叙述离子束溅... 本文评论关于红外应用的分子束外延(MBE)生长CdTe和HgCdTe膜的现状。MBE方法的实力在于有极好的均匀性、体状霍耳特性和清晰的界面控制。不过,生长方法是复杂的,掺杂难以控制,需要的高汞流量引起了制作方面的问题。本文还叙述离子束溅射法的初步结果,并针对MBE的局限性,讨论这种技术的适用性。 展开更多
关键词 分子束外延 离子束溅射 碲化镉 碲镉汞 晶体生长
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单原子层外延生长多层膜和超晶格的激光分子束外延新技术 被引量：1
16
作者 杨国桢 李林 《薄膜科学与技术》 1994年第3期257-260,共4页
关键词 外延生长 激光分子束外延 超晶格 多层膜
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用等离子体辅助分子束外延生长氧化锌单晶薄膜 被引量：9
17
作者 梁红伟 颜建锋 +7 位作者 吕有明 申德振 刘益春 赵东旭 李炳辉 张吉英 范希武 范景田 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期147-150,共4页
利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0... 利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0.20°,证实为ZnO单晶薄膜。室温下吸收谱(ABS)和光致发光(PL)谱显示了较强的激子吸收和发射,且无深能级(DL)发光。电学性能测量表明,生长的ZnO为n型半导体,室温下载流于浓度为7×10^(16) cm^(-3),与体单晶ZnO中的载流子浓度相当。 展开更多
关键词 氧化锌单晶薄膜 薄膜生长 分子束外延 等离子体辅助 蓝宝石衬底 反射式高能衍射仪 光电材料
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激光分子束外延工艺用ZnO陶瓷靶材的研究 被引量：3
18
作者 贺永宁 朱长纯 +1 位作者 候洵 杨晓东 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期299-303,共5页
由改进的电子陶瓷工艺制备了ZnO(99.99%)高纯陶瓷靶材。用激光分子束外延(lasermolecularbeamepitaxy,L MBE))工艺,采用 这种靶材在蓝宝石基片上较低温度下生长了高结晶质量的ZnO半导体光电子薄膜。研究了ZnO高纯陶瓷靶材的烧结机理、... 由改进的电子陶瓷工艺制备了ZnO(99.99%)高纯陶瓷靶材。用激光分子束外延(lasermolecularbeamepitaxy,L MBE))工艺,采用 这种靶材在蓝宝石基片上较低温度下生长了高结晶质量的ZnO半导体光电子薄膜。研究了ZnO高纯陶瓷靶材的烧结机理、微观结构及形貌, 认为靶材的后期烧结速率主要决定于氧空位扩散机制。根据辐照后靶材的电镜分析结果,对L MBE工艺中靶材表面与脉冲激光相互作用过 程中等离子体羽辉的形成过程及其动力学特征进行了研究,认为该等离子体羽辉是激光支持的燃烧波,其波前传播速度为亚声速并且沿靶材 法线方向,粒子的动力学特征使得L MBE工艺适于ZnO薄膜的二维平面生长。 展开更多
关键词 氧化锌陶瓷 激光分子束外延 脉冲激光辐照效应 外延薄膜制备 激光脉冲沉积技术 生长方法
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硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究 被引量：2
19
作者 陈祥君 杨宇 +5 位作者 龚大卫 陆昉 王建宝 樊永良 盛篪 孙恒慧 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第11期826-830,共5页
利用硅分子束外延技术和Ｂ２Ｏ３掺杂源，成功地实现了硅中的硼δ掺杂，硼δ掺杂面密度ＮＢ可达３．４×１０１４ｃｍ－２（１／２单层）以上，透射电镜所示宽度为１．５ｎｍ．我们首次用原位俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对硼在Ｓｉ（１... 利用硅分子束外延技术和Ｂ２Ｏ３掺杂源，成功地实现了硅中的硼δ掺杂，硼δ掺杂面密度ＮＢ可达３．４×１０１４ｃｍ－２（１／２单层）以上，透射电镜所示宽度为１．５ｎｍ．我们首次用原位俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对硼在Ｓｉ（１００）表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究，发现在ＮＢ＜３．４×１０１４ｃｍ－２时，硼δ掺杂面密度与时间成正比，衬底温度６５０℃，掺杂源温度９０００℃时，粘附速率为４．４×１０１３ｃｍ－２／ｍｉｎ；在ＮＢ＞３．４×１０１４ｃｍ－２时，粘附有饱和趋势，测量表明在硼δ掺杂面密度ＮＢ高达４．４×１０１４ｃｍ－２，都未观察到氧．我们还用反射式高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）和Ｃ－Ｖ测试对硼δ掺杂样品进行了观察． 展开更多
关键词 硅 分子束外延 硼 掺杂 外延生长
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