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激光致溅射沉积Ge_2Sb_2Te_5薄膜的结晶行为研究 被引量：2
1
作者 刘波 阮昊 干福熹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期637-640,共4页
利用ＸＲＤ研究了激光致溅射沉积Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的结晶行为;研究发现,与热致相变不同的是,激光致相变只发生从非晶态到ＦＣＣ晶态结构的转变,从ＦＣＣ到ＨＣＰ的结构转变不再发生,这有利于提高相变光盘的信噪比．Ｇｅ２Ｓｂ２... 利用ＸＲＤ研究了激光致溅射沉积Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的结晶行为;研究发现,与热致相变不同的是,激光致相变只发生从非晶态到ＦＣＣ晶态结构的转变,从ＦＣＣ到ＨＣＰ的结构转变不再发生,这有利于提高相变光盘的信噪比．Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的结晶程度受初始化功率和转速的影响． 展开更多
关键词 激光致溅射沉积 GE2SB2TE5薄膜 结晶行为 激光致相变 X射线衍射 面心立方 光盘 相变光存储材料
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