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类氢杂质对束缚激子基态能和结合能的影响
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作者 赵玉岭 《南阳师范学院学报》 CAS 2005年第9期21-25,35,共6页
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含有类氢离子杂质的InxGa1-xN/GaN应变类量子点中激子基态能、结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律.计算结果显示,类氢离子杂质束对束缚激子... 利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含有类氢离子杂质的InxGa1-xN/GaN应变类量子点中激子基态能、结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律.计算结果显示,类氢离子杂质束对束缚激子的基态能和结合能有很强的影响. 展开更多
关键词 类氢杂质 InxGa1-xN/GaN量子点 激子基态能 激子结合能
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类氢杂质对In_xGa_(1-x)N/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响 被引量:1
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作者 郑冬梅 戴宪起 黄凤珍 《三明学院学报》 2005年第4期365-369,共5页
在效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响。结果表明:量子点中心引入类氢杂质,量子点的结构参数(半径、高度)和In含量存在临界值,当参... 在效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响。结果表明:量子点中心引入类氢杂质,量子点的结构参数(半径、高度)和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中激子的基态能减小,结合能增大,激子态的稳定性增强。杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定。随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小。 展开更多
关键词 类氢杂质 InxGa1-xN/GaN量子点 激子基态能 激子结合能
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类氢杂质对In_xGa_(1-x)N/GaN和GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中束缚激子态的影响 被引量:1
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作者 赵玉岭 戴宪起 《郑州大学学报(理学版)》 CAS 北大核心 2009年第4期53-57,共5页
在考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,运用变分方法研究了类氢施主杂质的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子态的影响.结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心,InxGa1-xN/GaN量子点的高度和In含量大于临界值时,约束在Q... 在考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,运用变分方法研究了类氢施主杂质的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子态的影响.结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心,InxGa1-xN/GaN量子点的高度和In含量大于临界值时,约束在QD中激子的基态能降低,激子态的稳定性增强,在较高的温度下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰,发光波长增大.而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子的基态能降低,杂质可能使在更高温度下观察到GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子,发光波长增大.研究发现类氢施主杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子基态能增加,激子的解离温度下降,发光波长减小. 展开更多
关键词 类氢施主杂质 量子点 束缚激子 激子基态能 发光波长
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GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中的激子态 被引量:1
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作者 郑冬梅 戴宪起 《淮北煤炭师范学院学报(自然科学版)》 2006年第2期31-35,共5页
在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的G aN/A lxG a1-xN量子点中的激子态.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的基态能降低,结合能升高,Q D系统的稳定性增强,光跃迁能减小;... 在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的G aN/A lxG a1-xN量子点中的激子态.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的基态能降低,结合能升高,Q D系统的稳定性增强,光跃迁能减小;杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定;随着杂质从量子点的上界面沿着z轴移至下界面,激子基态能和光跃迁能增大,结合能减小. 展开更多
关键词 类氢杂质 GaN/AlxGa1-xN量子点 激子基态能 激子结合能 光跃迁能
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Implementation of Controlled Geometric Phase Gate for Two Trapped Neutral Atoms
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作者 吴怀志 杨贞标 郑仕标 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2010年第11期835-839,共5页
We propose a scheme for realizing a controlled geometric phase gate for two neutral atoms.We apply thestimulated Raman adiabatic passage to transfer atoms from their ground states into Rydberg excited states, and use ... We propose a scheme for realizing a controlled geometric phase gate for two neutral atoms.We apply thestimulated Raman adiabatic passage to transfer atoms from their ground states into Rydberg excited states, and use theRydberg interaction induced energy shifts to generate geometric phase and construct quantum gates. 展开更多
关键词 neutral atom geometric phase gate Rydberg interaction
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