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热注入法合成CuIn_(0.7)Ga_(0.3)S_(2)纳米颗粒及其器件应用研究
1
作者 吴文烛 杨增周 +6 位作者 刘祖刚 荆嘉伟 韩然然 韩晋琛 夏梽杰 赵虹 姚鑫 《光电子技术》 CAS 2024年第1期6-12,共7页
采用热注入法在200℃下合成CuIn_(0.7)Ga_(0.3)S_(2)纳米颗粒,保持投料中Cu、In、Ga原料的质量不变,通过调控活性剂油胺、溶剂二苄醚以及配位剂1-辛硫醇的体积分别为80 ml、4 ml和15 ml,精准地控制Cu、In、Ga、S元素的组分。制备得到的... 采用热注入法在200℃下合成CuIn_(0.7)Ga_(0.3)S_(2)纳米颗粒,保持投料中Cu、In、Ga原料的质量不变,通过调控活性剂油胺、溶剂二苄醚以及配位剂1-辛硫醇的体积分别为80 ml、4 ml和15 ml,精准地控制Cu、In、Ga、S元素的组分。制备得到的纳米颗粒材料的原子比为1∶0.688∶0.299∶2.03,即CuIn_(0.688)Ga_(0.299)S_(2.03),其纳米颗粒的尺寸为5~20 nm。利用有机溶剂极性性质,对纳米颗粒进行清洗提纯,得到的纳米颗粒不仅可以稳定的分散在甲苯溶剂中,且在环境更加友好的对二甲苯、环己烷等有机溶剂中也有良好的分散性。以此纳米颗粒为基础,配置了不同溶剂的墨水,制备了铜铟镓硫硒(CIGSSe)吸收层薄膜及太阳能电池。 展开更多
关键词 铜铟镓硒 热注入 纳米颗粒 溶液法 太阳能电池
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热注入法制备CuIn(Se,S)_2纳米材料的研究进展 被引量：1
2
作者 向卫东 杨海龙 +5 位作者 王京 赵寅生 钟家松 赵斌宇 骆乐 谢翠萍 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期15-20,共6页
介绍了CuIn(Se,S)2纳米材料的晶体结构和性质,以及热注入法的原理和特点。重点论述了近年来国内外采用热注入法制备不同形貌和结构CuIn(Se,S)2纳米材料的研究进展,概括了其反应机理和影响因素。综述了CuIn(Se,S)2纳米材料在太阳能电池、... 介绍了CuIn(Se,S)2纳米材料的晶体结构和性质,以及热注入法的原理和特点。重点论述了近年来国内外采用热注入法制备不同形貌和结构CuIn(Se,S)2纳米材料的研究进展,概括了其反应机理和影响因素。综述了CuIn(Se,S)2纳米材料在太阳能电池、QD-LED及生物标记上的应用。探讨了目前存在的问题及今后的研究方向。 展开更多
关键词 热注入法 CuIn(Se S)2 纳米材料 太阳能电池
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热注入法合成PbX(X=S,Se)量子点的结构和性能研究
3
作者 郑涛 侯国付 +3 位作者 丁毅 黄茜 张晓丹 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1288-1292,共5页
采用热注入的方法在空气氛围中合成Pb X（X=S,Se）量子点,液体石蜡和磷酸三丁酯（TBP）作为不同的溶剂优化PbSe量子点的合成;使用六甲基二硅硫烷（TMS）作为硫源合成了第一激子吸收峰在900～1500 nm分布的PbS量子点。通过透射电镜（TEM... 采用热注入的方法在空气氛围中合成Pb X（X=S,Se）量子点,液体石蜡和磷酸三丁酯（TBP）作为不同的溶剂优化PbSe量子点的合成;使用六甲基二硅硫烷（TMS）作为硫源合成了第一激子吸收峰在900～1500 nm分布的PbS量子点。通过透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）和吸收光谱等测试手段对合成的物质进行成分与光学性能分析表征,对比研究了Ⅳ-Ⅵ族化合物量子点在成核过程中的差异。结果表明在相同的实验条件下PbS量子点的反应条件相对温和,量子限域效应明显;而PbSe量子点的合成对环境的要求更加严苛,反应温度更高,量子点的尺寸分布更宽。 展开更多
关键词 热注入法 PbS量子点 PbSe量子点
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热注入法制备Ni_(3)S_(4)纳米棒及其电化学性能
4
作者 马骏 吉内德 +2 位作者 苏冬云 褚岩 孟祥康 《江苏大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2022年第3期341-345,共5页
针对采用涂敷法制备电极材料时,运行一段时间后会出现电极的比容量性能下降较快的问题,利用热注入的方法,合成电化学性能优异、尺寸约为100 nm的Ni_(3)S_(4)纳米棒.研究表明:制备小尺寸的纳米材料作为超级电容器的电极材料,有利于反应... 针对采用涂敷法制备电极材料时,运行一段时间后会出现电极的比容量性能下降较快的问题,利用热注入的方法,合成电化学性能优异、尺寸约为100 nm的Ni_(3)S_(4)纳米棒.研究表明:制备小尺寸的纳米材料作为超级电容器的电极材料,有利于反应过程中电解液的快速渗透,能够进一步提高其电化学性能;制备的Ni_(3)S_(4)纳米棒正极材料可以在0~0.55 V的电压区间内稳定工作;在电流密度为1 A·g^(-1)时,其比容量可达1097 F·g^(-1),在电流密度为20 A·g^(-1)时比容量仍可保持在740 F·g^(-1)左右;在电流密度为10 A·g^(-1)时,对Ni_(3)S_(4)纳米棒正极材料进行10000次循环测试,正极材料的保持率可达到91%. 展开更多
关键词 正极材料 硫化镍 热注入法 纳米棒 循环性能 超级电容器
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热注入法合成米粒状Cu_2ZnSnS_4
5
作者 王伟红 谭轶巍 《南京工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2019年第2期141-148,共8页
以乙酸锡(Sn(OAc)_4)、CuCl_2·2H_2O和ZnCl_2为金属前驱体原料,正十二硫醇(1-DDT)作为硫源,油胺(OAm)作为溶剂,采用热注入法合成铜锌锡硫(Cu_2ZnSnS_4,CZTS)纳米晶体,考察反应温度、反应时间、溶剂和离子掺杂对晶体形貌、尺寸的影... 以乙酸锡(Sn(OAc)_4)、CuCl_2·2H_2O和ZnCl_2为金属前驱体原料,正十二硫醇(1-DDT)作为硫源,油胺(OAm)作为溶剂,采用热注入法合成铜锌锡硫(Cu_2ZnSnS_4,CZTS)纳米晶体,考察反应温度、反应时间、溶剂和离子掺杂对晶体形貌、尺寸的影响。将产物用无水乙醇洗涤后分散到正己烷中制成胶体溶液,采用X线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见近红外光谱仪(UV-Vis)、拉曼光谱仪和能谱仪(EDS)对合成的纳米晶体进行表征。结果表明:米粒状产物属于纤锌矿Cu_2ZnSnS_4,粒子长度为10～30 nm,它对应的禁带宽度为1. 52 eV。 展开更多
关键词 纤锌矿 热注入法 米粒状Cu2ZnSnS4
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利用热注入的红外无损测试方法
6
作者 Kaplan., 顾聚兴 《红外》 CAS 1989年第7期41-42,共2页
关键词 热注入 红外技术 无损测试法 材料
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纳米CMOS器件中热载流子产生缺陷局域分布的表征
7
作者 马丽娟 陶永春 《物理学进展》 北大核心 2024年第2期96-101,共6页
本文针对纳米小尺寸CMOS器件,提出了一种根据表面势模型表征热载流子产生电荷陷阱和界面态局域分布的方法。热载流子注入(Hot Carrier Injectione,HCI)应力会在栅氧化层和Si/SiO_(2)界面中产生电荷陷阱和界面态,随着应力时间递增,这些... 本文针对纳米小尺寸CMOS器件,提出了一种根据表面势模型表征热载流子产生电荷陷阱和界面态局域分布的方法。热载流子注入(Hot Carrier Injectione,HCI)应力会在栅氧化层和Si/SiO_(2)界面中产生电荷陷阱和界面态,随着应力时间递增,这些缺陷的增多引起阈值电压等器件参数的漂移,在漏致势垒降低(Drain Induced Barrier Lowering,DIBL)效应下,可以选取表面势最大值处的阈值电压偏移量来表征沟道相应位置处HCI致电荷陷阱和界面态。研究发现,通过测量施加HCI应力前后器件阈值电压偏移量随源/漏极电压的分布,结合表面势模型计算出源/漏极电压随沟道表面势峰值的分布,可以得到HCI致电荷陷阱和界面态沿沟道的局域分布。利用此方法,精确地表征了在32 nm CMOS器件中HCI应力引起的电荷陷阱和界面态沿沟道的分布,并进一步分析了HCI效应的产生机理。 展开更多
关键词 CMOS器件 热载流子注入 界面态 电荷陷阱
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CMOS器件热载流子注入老化的SPICE建模与仿真
8
作者 王正楠 张昊 李平梁 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第10期902-910,共9页
为了准确预测芯片电路寿命,建立了一种能成功双向预测CMOS器件寿命和器件老化程度的可靠性模型。结合改进的衬底电流方程、漏源电流和时间变量t,组建了Age(t)模型。通过挑选合适的BSIM4模型参数,联合Age(t)方程构建指数函数关系式,建立... 为了准确预测芯片电路寿命,建立了一种能成功双向预测CMOS器件寿命和器件老化程度的可靠性模型。结合改进的衬底电流方程、漏源电流和时间变量t,组建了Age(t)模型。通过挑选合适的BSIM4模型参数,联合Age(t)方程构建指数函数关系式,建立了一种可植入EDA工具内的CMOS老化SPICE模型,并提出了可获得精确模型性能的参数提取方法。在静态持续加电条件下,单级器件的仿真结果与实验数据吻合良好,并且表现出对寿命和老化率的良好预测性。采用该模型对由3级反相器组建的环形振荡电路进行动态信号仿真,得到20年后电路输出波形,验证了模型的合理性。 展开更多
关键词 热载流子注入(HCI) 可靠性仿真 老化模型 模型参数提取 SPICE模型
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热注入法制备银纳米颗粒及其结构表征
9
作者 田野 刘大博 +4 位作者 罗飞 刘勇 祁洪飞 成波 滕乐金 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期2161-2164,共4页
采用热注入法,以AgNO_3为前躯体、乙二醇为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮为稳定剂和分散剂,制备银纳米颗粒。利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)仪和紫外-可见光分光光度计(UV-Vis)对产物银颗粒的尺寸形貌、晶体结构以及光学性能进行表征... 采用热注入法,以AgNO_3为前躯体、乙二醇为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮为稳定剂和分散剂,制备银纳米颗粒。利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)仪和紫外-可见光分光光度计(UV-Vis)对产物银颗粒的尺寸形貌、晶体结构以及光学性能进行表征,同时根据Mie散射理论对消光谱进行模拟计算。结果表明,同传统的一步化学还原法相比,利用热注入法制备的银纳米颗粒粒径分布更加均匀,分散性更好。所制备的银颗粒呈类球形,粒度约为20 nm,其共振吸收谱线同模拟计算的结果基本符合。 展开更多
关键词 热注入 银纳米颗粒 表面等离子体共振
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CZTS和CZTSSe纳米晶热注入法合成与性能研究 被引量：1
10
作者 李云峰 夏冬林 +1 位作者 秦可 周逸琛 《武汉理工大学学报》 CAS 北大核心 2017年第6期1-7,共7页
采用热注入法制备Cu_2ZnSnS4(CZTS)和Cu_2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)纳米晶,研究了不同反应温度对所制备的CZTS和CZTSSe纳米晶的晶体结构、化学组分、形貌及光学性能的影响。实验结果表明:未掺杂Se元素的CZTS纳米晶,当反应温度为230℃时为锌... 采用热注入法制备Cu_2ZnSnS4(CZTS)和Cu_2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)纳米晶,研究了不同反应温度对所制备的CZTS和CZTSSe纳米晶的晶体结构、化学组分、形貌及光学性能的影响。实验结果表明:未掺杂Se元素的CZTS纳米晶,当反应温度为230℃时为锌黄锡矿结构,当反应温度在240~280℃范围变化时,锌黄锡矿和纤锌矿结构共存,纳米晶形貌由纳米颗粒和纳米棒组成,其禁带宽度在1.54~1.62eV之间变化。对于掺杂Se元素的CZTS纳米晶,当反应温度在230~260℃范围变化时,为锌黄锡矿结构,而当反应温度为270~280℃时,CZTSSe纳米晶由锌黄锡矿结构和少量纤锌矿结构组成,纳米晶形貌由纳米颗粒组成,其禁带宽度比CZTS的禁带宽度低,禁带宽度在1.41~1.46eV之间变化。 展开更多
关键词 Cu2ZnSnS4 CZTS Cu2ZnSn(S Se)4 CZTSSe 纳米晶 热注入
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N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化 被引量：3
11
作者 王文博 宋李梅 +2 位作者 王晓慧 杜寰 孙贵鹏 《电子器件》 CAS 2007年第4期1129-1132,共4页
研究了一种N-LDMOS器件的热载流子注入效应,分析了热载流子效应产生的机理、对器件性能以及可靠性的影响,提出了改进方法.为了降低此器件的热载流子注入效应,我们利用华润上华公司提供的ISE软件对N-LDMOS高压工艺进行模拟,根据模拟结果... 研究了一种N-LDMOS器件的热载流子注入效应,分析了热载流子效应产生的机理、对器件性能以及可靠性的影响,提出了改进方法.为了降低此器件的热载流子注入效应,我们利用华润上华公司提供的ISE软件对N-LDMOS高压工艺进行模拟,根据模拟结果调整了器件结构,通过增大器件的场板长度、漂移区长度以及增加N阱与有源区的交叠长度等措施,使得相同偏置条件下,表征热载流子注入强度的物理量——器件衬底电流降为改进前的1/10,显著改善了该器件的热载流子注入效应. 展开更多
关键词 LDMOS 热载流子注入 可靠性
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MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性 被引量：1
12
作者 余学峰 任迪远 +3 位作者 艾尔肯 张国强 陆妩 郭旗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1975-1978,共4页
通过对MOS电容进行热载子注入和总剂量辐照实验,探讨了MOS结构热载子注入与总剂量辐射响应的相关性.研究结果表明,热载子注入和总剂量辐射都会引起MOS结构的损伤,但前者产生的损伤是由于热电子注入在MOS结构的Si/SiO2系统引入氧化物负... 通过对MOS电容进行热载子注入和总剂量辐照实验,探讨了MOS结构热载子注入与总剂量辐射响应的相关性.研究结果表明,热载子注入和总剂量辐射都会引起MOS结构的损伤,但前者产生的损伤是由于热电子注入在MOS结构的Si/SiO2系统引入氧化物负电荷引起的,后者产生的损伤是由于电离辐射在MOS结构的Si/SiO2系统感生氧化物正电荷和界面态而导致的.进一步的研究表明,针对总剂量辐射损伤采用的加固工艺,能对热电子注入感生氧化物负电荷起到非常有效的抑制作用. 展开更多
关键词 热载子注入 总剂量辐照 相关性
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注入热焓法测定萃取磷酸中三氧化硫 被引量：2
13
作者 吴孟强 张其翼 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期407-409,共3页
以钡离子与硫酸根离子沉淀反应的热效应为基础，通过测定孤立体系中的温度变 化，建立了测定萃取磷酸中三氧化硫的注入热焓法。该法在 ４．０～３２．０ ｇ／Ｌ范围内可准确测 定ＳＯ３的含量，相对标准偏差为１．８％；标准加入回收率... 以钡离子与硫酸根离子沉淀反应的热效应为基础，通过测定孤立体系中的温度变 化，建立了测定萃取磷酸中三氧化硫的注入热焓法。该法在 ４．０～３２．０ ｇ／Ｌ范围内可准确测 定ＳＯ３的含量，相对标准偏差为１．８％；标准加入回收率为９８％～１０３％。 展开更多
关键词 注入热焓法 三氧化硫 萃取磷酸 磷酸生产 测定
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77K　NMOSFET沟道热载流子注入效应
14
作者 刘卫东 李志坚 +1 位作者 刘理天 魏同立 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第11期849-853,共5页
通过综合测试７７Ｋ和２９５Ｋ下先电子后空穴以及先空穴后电子注入时阈值电压和平带电压漂移以及Ｉ－Ｖ特性的蜕变，研究了ＮＭＯＳＦＥＴ中电荷俘获、界面态产生以及器件蜕变的低温特性和机制．提出的界面蜕变模型成功地解释了低温下... 通过综合测试７７Ｋ和２９５Ｋ下先电子后空穴以及先空穴后电子注入时阈值电压和平带电压漂移以及Ｉ－Ｖ特性的蜕变，研究了ＮＭＯＳＦＥＴ中电荷俘获、界面态产生以及器件蜕变的低温特性和机制．提出的界面蜕变模型成功地解释了低温下ＮＭＯＳＦＥＴ热载流子增强蜕变的微观机制． 展开更多
关键词 NMOSFET 热载流子注入 蜕变 电子注入
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pMOS器件的热载流子注入和负偏压温度耦合效应
15
作者 刘红侠 郝跃 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期1005-1009,共5页
研究了在热载流子注入HCI(hot-carrier injection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性.测量了pMOS器件应力前后的电流电压特性和典型的器件参数漂移,并与单独HCI和NBT应力下的特性进行了对比.在这... 研究了在热载流子注入HCI(hot-carrier injection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性.测量了pMOS器件应力前后的电流电压特性和典型的器件参数漂移,并与单独HCI和NBT应力下的特性进行了对比.在这两种应力偏置条件下,pMOS器件退化特性的测量结果显示高温NBT应力使得热载流子退化效应增强.由于栅氧化层中的固定正电荷引起正反馈的热载流子退化增强了漏端电场,使得器件特性严重退化.给出了NBT效应不断增强的HCI耦合效应的详细解释. 展开更多
关键词 PMOS器件 热载流子注入 负偏压温度不稳定性 界面态 氧化层固定正电荷
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超短沟道绝缘层上硅平面场效应晶体管中热载流子注入应力导致的退化对沟道长度的依赖性 被引量：2
16
作者 刘畅 卢继武 +5 位作者 吴汪然 唐晓雨 张睿 俞文杰 王曦 赵毅 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第16期384-390,共7页
随着场效应晶体管(MOSFET)器件尺寸的进一步缩小和器件新结构的引入,学术界和工业界对器件中热载流子注入(hot carrier injections,HCI)所引起的可靠性问题日益关注.本文研究了超短沟道长度(L=30—150 nm)绝缘层上硅(silicon on insulat... 随着场效应晶体管(MOSFET)器件尺寸的进一步缩小和器件新结构的引入,学术界和工业界对器件中热载流子注入(hot carrier injections,HCI)所引起的可靠性问题日益关注.本文研究了超短沟道长度(L=30—150 nm)绝缘层上硅(silicon on insulator,SOI)场效应晶体管在HCI应力下的电学性能退化机理.研究结果表明,在超短沟道情况下,HCI应力导致的退化随着沟道长度变小而减轻.通过研究不同栅长器件的恢复特性可以看出,该现象是由于随着沟道长度的减小,HCI应力下偏压温度不稳定性效应所占比例变大而导致的.此外,本文关于SOI器件中HCI应力导致的退化和器件栅长关系的结果与最近报道的鳍式场效晶体管(Fin FET)中的结果相反.因此,在超短沟道情况下,SOI平面MOSFET器件有可能具有比Fin FET器件更好的HCI可靠性. 展开更多
关键词 绝缘层上硅 场效应晶体管 热载流子注入 沟道长度
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基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析 被引量：4
17
作者 何玉娟 刘远 章晓文 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期531-536,共6页
随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪... 随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪声技术计算出HCI效应前后氧化层陷阱电荷和界面态陷阱电荷变化量,以及栅氧化层附近陷阱密度情况。通过I-V测试方法只能计算出HCI效应诱生的陷阱电荷变化量,对于其陷阱电荷的分布情况却无法计算,而相比于常用的I-V测试方式,低频噪声测试能更准确计算出随HCI后器件界面态陷阱电荷和氧化层陷阱电荷的具体数值及其HCI效应诱生变化值,并计算出氧化层附近的陷阱电荷空间分布情况。 展开更多
关键词 热载流子注入(HCI)效应 低频噪声 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 界面态陷阱电荷 氧化层陷阱电荷
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减少热注入：中途落日油田的热管理
18
作者 J.H.Fram 高贵生 《国外石油动态》 2003年第1期22-25,共4页
关键词 热注入 中途落日油田 热管理 美国 加利福尼亚州
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高压单边器件的衬底电流再次升高和相关的热载流子注入效应 被引量：1
19
作者 戴明志 刘韶华 +5 位作者 程波 李虹 叶景良 王俊 江柳 廖宽仰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期757-764,共8页
基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入(HCI)效应和ISUB相关.因此,ISUB特征曲线的解释理论和基于理论的正确公式表述对于确保器件... 基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入(HCI)效应和ISUB相关.因此,ISUB特征曲线的解释理论和基于理论的正确公式表述对于确保器件设计的可靠性尤为重要.高压器件的ISUB随栅极电压变化在峰值后再次升高.然而在普通低压器件的经典特征曲线中,ISUB仅呈现一个峰.高压器件的ISUB再次升高及其相关的可靠性问题成为新的研究热点.最广为接受的理论(Kirk effect)认为,ISUB再次升高是因为栅控沟道内的经典强电场区移动到沟道外n+漏极的边缘.本文与之不同,认为高压器件ISUB的再次升高并非因为经典强电场区的移动,而是因为在n+漏极边缘出现独立的强电场区,和经典强电场区同时并存,这就是双强电场模型.该双强电场模型仅有经典强电场的ISUB方程不适用于高压器件,新的ISUB方程也由此双强电场模型推导出来,公式与实验结果吻合.进一步地,双强电场模型引进了空穴在氧化层的陷落机制,解释了高压器件的热载流子注入效应. 展开更多
关键词 衬底电流 双强电场模型 衬底电流公式 热载流子注入
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基于生成对抗网络的注入电流式热声成像逆问题研究 被引量：3
20
作者 郭亮 王祥业 姜文聪 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第S01期22-30,共9页
注入电流式热声成像结合了电阻抗成像高对比度和超声成像高分辨率的优势,在生物医学成像领域具有广阔的应用前景。该成像方法激励效率高、检测信噪比强,但在较低频率的电磁激励下,重建目标体电导率的高分辨率图像仍然具有很大的挑战。... 注入电流式热声成像结合了电阻抗成像高对比度和超声成像高分辨率的优势,在生物医学成像领域具有广阔的应用前景。该成像方法激励效率高、检测信噪比强,但在较低频率的电磁激励下,重建目标体电导率的高分辨率图像仍然具有很大的挑战。该文提出一种基于生成对抗网络的电导率重建新方法,包含三个步骤:首先用维纳滤波反卷积,将超声探头输出的电信号还原为真实声信号;然后利用滤波反投影获得初始声源图像;最后将初始声源图像和电导率图像进行匹配,作为生成对抗网络的训练样本,构建用于电导率重建的深度学习模型。经理论分析与仿真研究发现,新方法通过引入深度神经网络,能够挖掘出蕴含在数据中的逆问题求解模型,进而重建高分辨率的电导率图像,且具有很强的抗干扰特性。新方法的提出为解决注入电流式热声成像的电导率重建问题提供了新思路。 展开更多
关键词 注入电流式热声成像 逆问题 电导率重建 深度学习 生成对抗网络
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