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基于钠助熔剂法的GaN单晶生长研究进展
1
作者 王本发 王守志 +6 位作者 王国栋 俞娇仙 刘磊 李秋波 武玉珠 徐现刚 张雷 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第2期183-195,共13页
宽禁带氮化镓(GaN)材料以其独特的性质和应用前景成为国内外研究的热点,高质量GaN单晶衬底的制备是获得性能优异的光电子器件和功率器件的基础。钠助熔剂法生长条件温和,易获得高质量、大尺寸的GaN单晶,是一种具有广阔商业化前景的GaN... 宽禁带氮化镓(GaN)材料以其独特的性质和应用前景成为国内外研究的热点,高质量GaN单晶衬底的制备是获得性能优异的光电子器件和功率器件的基础。钠助熔剂法生长条件温和,易获得高质量、大尺寸的GaN单晶,是一种具有广阔商业化前景的GaN单晶生长方法。钠助熔剂法自20世纪90年代末期被发明以来,经过20多年的发展,钠助熔剂法生长的晶体在尺寸与质量上都取得了长足的进步。本文从晶体生长原理和关键工艺(籽晶选择、温度梯度以及添加剂)等方面综述了钠助熔剂法生长GaN单晶研究进展,并对其面临的挑战和未来发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 氮化镓单晶 钠助熔剂法 原料比 温度梯度 添加剂 籽晶
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助熔剂法生长的PLZST单晶的缺陷研究 被引量：4
2
作者 严清峰 宋锋兵 +1 位作者 张一玲 李强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期211-215,共5页
本文介绍了助熔剂缓慢降温自发成核法生长的稀土掺杂锆钛锡酸铅镧 (PLZST)晶体中出现的几种缺陷 :包裹体、开裂、位错、枝晶 ,分析了这些缺陷的形成机理并提出了减少和消除这些缺陷的一些措施。
关键词 PLZST单晶 晶体生长 助熔剂法 缺陷 自发成核法
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助熔剂法生长CaLa_2B_(10)O_(19)晶体 被引量：3
3
作者 万松明 傅佩珍 +5 位作者 吴以成 王俊新 郑峰 官向国 周惠琼 陈创天 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期432-435,共4页
本文通过X射线衍射 (XRD)分析、差热分析 (DTA)和化学分析研究了CaLa2 B10 O19(LCB)晶体中的包裹体及在晶体生长过程中包裹体产生的原因。说明了包裹体的主要成份是LaB3O6,高温溶液中B2 O3 的挥发是造成包裹体产生的主要原因。为消除包... 本文通过X射线衍射 (XRD)分析、差热分析 (DTA)和化学分析研究了CaLa2 B10 O19(LCB)晶体中的包裹体及在晶体生长过程中包裹体产生的原因。说明了包裹体的主要成份是LaB3O6,高温溶液中B2 O3 的挥发是造成包裹体产生的主要原因。为消除包裹体的产生 ,选择了合适的助溶剂 ,分别以 10 0mol%CaB4 O7和 5 0mol%B2 O3 和 15 0mol%CaB4 O7为助溶剂生长出了一定尺寸、光学质量较高的LCB晶体。 展开更多
关键词 助熔剂法 CaLa2B10O19晶体 晶体生产 LCB晶体 非线性光学晶体 包裹体
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熔剂法热浸镀铝工艺研究现状及发展 被引量：4
4
作者 王光文 刘炳 石传美 《表面技术》 EI CAS CSCD 2008年第5期75-78,共4页
介绍了熔剂法热浸镀铝法的表面处理,碳钢和铸铁助镀工艺的方法和区别,助镀剂和覆盖剂的选择,浸镀铝温度及浸镀时间的选择、浸铝后工件的热处理及热浸渗铝工件的性能和微观组织等方面;阐述了当前国内外热浸渗铝工艺的新方法。
关键词 热浸镀 熔剂法 助镀剂 耐蚀性 镀铝
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电熔剂法净化处理铝熔体的影响因素 被引量：3
5
作者 阎峰云 李文凤 +2 位作者 郝远 肇玉卿 吴正德 《有色金属》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期39-41,共3页
基于正交试验,研究工业纯铝中去除氧化夹杂物的电熔剂处理技术的净化效果及其影响因素。结果表明,熔剂层厚度是影响净化效果的主要因素。最佳工艺参数:电流15A、精炼温度70 0℃、流股直径7mm、熔剂层厚度2 0～3 0mm。铝合金中夹杂物去... 基于正交试验,研究工业纯铝中去除氧化夹杂物的电熔剂处理技术的净化效果及其影响因素。结果表明,熔剂层厚度是影响净化效果的主要因素。最佳工艺参数:电流15A、精炼温度70 0℃、流股直径7mm、熔剂层厚度2 0～3 0mm。铝合金中夹杂物去除率可达84 4%。 展开更多
关键词 熔剂法 工业纯铝 铝熔体 铝合金 氧化夹杂 最佳工艺参数 夹杂物 层厚 影响因素 净化效果
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熔剂法去除废铝熔体中铁元素的试验研究 被引量：2
6
作者 孙德勤 徐越 +1 位作者 戴国洪 勾淑苹 《铸造》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期80-83,共4页
针对回收铝原料中Fe、Si等夹杂元素含量高的问题，开展了熔剂法去除废铝熔体中Fe元素的工艺试验。熔剂的组成为硼砂、硫磺和氯化锰（质量比2：1：1），加入量为1％～1．5％并维持30min左右时间的条件下，可以达到较好的除铁效果。
关键词 废铝再生 除铁反应 熔剂法 工艺控制
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高温熔剂法制备硼酸铝晶须的研究 被引量：2
7
作者 赵铭姝 翟玉春 田彦文 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1998年第3期81-83,共3页
研究了高温熔剂法制备９Ａｌ２Ｏ３·２Ｂ２Ｏ３的方法。通过正交试验，利用方差和极差分析法对生长硼酸铝晶须的反应条件进行了优化，找出了生长硼酸铝晶须的最佳工艺条件。结果表明，在高温熔剂法制备晶须的过程中，反应温度、氧... 研究了高温熔剂法制备９Ａｌ２Ｏ３·２Ｂ２Ｏ３的方法。通过正交试验，利用方差和极差分析法对生长硼酸铝晶须的反应条件进行了优化，找出了生长硼酸铝晶须的最佳工艺条件。结果表明，在高温熔剂法制备晶须的过程中，反应温度、氧化硼和氧化铝的摩尔配比及恒温时间为主要因素。并在最佳工艺条件下制得晶须的长径比５０～１００。 展开更多
关键词 硼酸铝 晶须 高温熔剂法 制备工艺 陶瓷晶须
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熔剂法去除废铝熔体中镁的试验研究 被引量：2
8
作者 孙德勤 戴国洪 徐越 《轻合金加工技术》 CAS 北大核心 2015年第12期23-27,共5页
废铝料中常常镁含量较高，在将废铝料熔炼成再生铝合金时，较高的镁含量有时不符合要求。试验研究了熔剂法去除废铝熔体中镁元素的工艺原理，并设计试验方案、开展了工艺试验。结果表明，用AlF3和MnCl2（质量比1：2）组成的复合熔剂，... 废铝料中常常镁含量较高，在将废铝料熔炼成再生铝合金时，较高的镁含量有时不符合要求。试验研究了熔剂法去除废铝熔体中镁元素的工艺原理，并设计试验方案、开展了工艺试验。结果表明，用AlF3和MnCl2（质量比1：2）组成的复合熔剂，加入量为1％--1．5％（质量分数），并静置30min左右时间的条件下，可以达到较为理想的除镁效果。 展开更多
关键词 废铝再生 除镁反应 熔剂法 工艺控制
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查塔姆助熔剂法合成红宝石──具暗色核心的新品种 被引量：6
9
作者 亓利剑 熊金言 裴景成 《宝石和宝石学杂志》 CAS 1999年第3期1-5,7,8,共7页
一种具暗色核心的助熔剂法合成红宝石近期由查塔姆公司推向珠宝市场。它表现出的特征是内部缺乏助溶剂残余物，并普遍发有暗色核心。测试结果表明，这种合成红宝石内部多发育完美的几何时称生长分区结构、相间分布的六边形暗色薄层及具... 一种具暗色核心的助熔剂法合成红宝石近期由查塔姆公司推向珠宝市场。它表现出的特征是内部缺乏助溶剂残余物，并普遍发有暗色核心。测试结果表明，这种合成红宝石内部多发育完美的几何时称生长分区结构、相间分布的六边形暗色薄层及具分带结构的暗色核心。紫外光区内0^(2-)－Fe(3+)荷移带吸收边＜230nm，且荷移带吸收尾部＜320nm．研究认为，该红宝石在生长过程中由于物化条件的变更和Cr，Ti杂质元素的不均匀局部聚集，是导致其暗色核心形成的主要缘由。 展开更多
关键词 助熔剂法 合成 红宝石 暗色核心 查塔姆公司
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助熔剂法合成RPO_4(R=La、Ce、Tb)晶体的研究 被引量：1
10
作者 于亚勤 李玫 胡宁海 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期25-32,共8页
本文研究了以(NH_4)_2HPO_4-Li_2CO_3-MoO_3(PbF_2)为助熔剂合成 RPO_4(R=La^(3+),Ce^(3+),Tb^(3+))晶体的工艺,测试和分析了晶胞参数和晶体结构。对 CePO_4和 TbPO_4晶体的激发光谱和荧光光谱进行了讨论和分析。
关键词 合成 助熔剂法 磷酸铽 磷酸铈
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助熔剂法生长RbBe_2BO_3F_2晶体及热性能研究 被引量：1
11
作者 刘丽娟 徐滔 +1 位作者 王晓洋 陈创天 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期779-782,共4页
本文采用自发成核助熔剂法生长深紫外非线性光学晶体RbBe2BO3F2(RBBF)。研究了不同助熔剂体系的黏度对自发成核的影响,采用Rb2O-NaF-B2O3体系获得了厚度超过2.5 mm的大块透明RbBe2BO3F2晶体。研究了晶体的热学性能,包括熔点、比热、热... 本文采用自发成核助熔剂法生长深紫外非线性光学晶体RbBe2BO3F2(RBBF)。研究了不同助熔剂体系的黏度对自发成核的影响,采用Rb2O-NaF-B2O3体系获得了厚度超过2.5 mm的大块透明RbBe2BO3F2晶体。研究了晶体的热学性能,包括熔点、比热、热膨胀系数和热导率,并与KBBF同族晶体进行了比较。在30～300℃温度范围内,RBBF晶体比热是0.70～0.95 J/g·K,大于CBBF晶体。测得RBBF晶体沿c轴的热膨胀系数是z=47.16×10-6K-1,在298 K时沿c轴的热导率是3.04 W/m·K。 展开更多
关键词 RbBe2BO3F2晶体 助熔剂法 自发成核 热性能
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电熔剂法净化处理铝熔体的试验研究 被引量：1
12
作者 阎峰云 郝远 +2 位作者 黄秀玲 肇玉卿 吴正德 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期756-758,共3页
用正交试验方法研究了电熔剂法净化处理铝熔体的影响因素,以铝熔体中的夹杂含量为考察指标,通过对试验数据的极差和方差分析,确定了最佳工艺组合及不同影响因素的显著性,并对电熔剂法净化机理进行了初步分析。结果表明,熔剂层厚度是影... 用正交试验方法研究了电熔剂法净化处理铝熔体的影响因素,以铝熔体中的夹杂含量为考察指标,通过对试验数据的极差和方差分析,确定了最佳工艺组合及不同影响因素的显著性,并对电熔剂法净化机理进行了初步分析。结果表明,熔剂层厚度是影响净化效果的最主要因素,最佳的工艺条件为:熔剂层厚度为30mm,流股直径为7mm,电流强度为15A,精炼温度为700℃。 展开更多
关键词 铝熔体 电熔剂法 夹杂物 正交试验
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助熔剂法生长的锆钛锡酸铅镧(PLZST)晶体及生长余料的组分分析 被引量：1
13
作者 严清峰 宋锋兵 +1 位作者 张一玲 李强 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期377-380,共4页
以PbO -PbF2 复合体系作为助熔剂 ,采用助熔剂自发成核缓冷法率先制备出成分为 (Pb0 .94La0 .0 4) (Zr0 .37Ti0 .1 8Sn0 .45 )O3的弛豫型复合钙钛矿结构锆钛锡酸铅镧 (PLZST)晶体 .合适的生长工艺为 :助熔剂中PbO与PbF2 的摩尔比为 0 .... 以PbO -PbF2 复合体系作为助熔剂 ,采用助熔剂自发成核缓冷法率先制备出成分为 (Pb0 .94La0 .0 4) (Zr0 .37Ti0 .1 8Sn0 .45 )O3的弛豫型复合钙钛矿结构锆钛锡酸铅镧 (PLZST)晶体 .合适的生长工艺为 :助熔剂中PbO与PbF2 的摩尔比为 0 .5 5∶0 .45 ,原料与助熔剂的摩尔比为 1∶1,保温温度 12 5 0℃ ,保温时间 12h ,快降温速率为 5 0～ 10 0℃ /h ,慢降温速率为 1～ 5℃ /h ,快速降温与慢速降温的转变温度为 115 0℃ .本工作对晶体及晶体生长余料中的组分进行了分析 .结果表明 :对一定组成的初始配料 ,PLZST晶体组成相对富La,Ti和Zr ,生长后的余料相对富Sn ;PLZST晶体中存在两种包裹体缺陷 ,晶体除包裹体处以外各元素分布均匀 ;生长余料中各元素分布较均匀 。 展开更多
关键词 锆钛锡酸铅镧晶体 晶体生长 助熔剂法 组分分析 铁电晶体
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热浸镀合金用熔剂法助镀剂的研究 被引量：3
14
作者 孙永昌 陶小克 +1 位作者 刘杰 彭日升 《天津冶金》 CAS 1997年第4期25-28,共4页
通过对热浸镀Zn—Al合金助镀剂的试验研究,找到了一种在常温下实现助镀的最佳配方,实现了在室温下助镀的工艺,简化了热浸镀Zn—Al合金的工艺流程。试验表明,助镀剂有加速热浸剂与钢制品表面冶金结合的作用,在相同热浸镀层的条件下,热浸... 通过对热浸镀Zn—Al合金助镀剂的试验研究,找到了一种在常温下实现助镀的最佳配方,实现了在室温下助镀的工艺,简化了热浸镀Zn—Al合金的工艺流程。试验表明,助镀剂有加速热浸剂与钢制品表面冶金结合的作用,在相同热浸镀层的条件下,热浸镀的时间可缩短的1/3,明显提高生产效率,节约能源,降低成本。 展开更多
关键词 热浸镀 助镀剂 合金 熔剂法
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钢铁件热浸镀铝工艺比较(Ⅰ)——一浴熔剂法 被引量：3
15
作者 吴元康 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期71-74,9,共4页
介绍了钢铁件一浴熔剂法热浸镀铝的前处理、热浸镀铝工艺及其相应的配方和作用;列出了典型钢铁件后处理的种类、配方和效果,总结了本法的特点和存在的问题。
关键词 热浸镀铝 一浴熔剂法 前处理 工艺配方 后处理
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用熔剂法改善铸造铝硅合金组织和性能 被引量：4
16
作者 许锋 张建安 《上海工程技术大学学报》 CAS 1996年第3期37-40,共4页
本文介绍用XF－5型熔剂改善铸造铝硅合金组织和性能的试验研究结果，获得了硅晶体呈细小颗粒状、α相细化且均匀分布以及化合物相被打碎且弥散分布的铸态最佳组织，并显著减少合金气缩松倾向，增加合金流动性，有效地除气、除渣，从而... 本文介绍用XF－5型熔剂改善铸造铝硅合金组织和性能的试验研究结果，获得了硅晶体呈细小颗粒状、α相细化且均匀分布以及化合物相被打碎且弥散分布的铸态最佳组织，并显著减少合金气缩松倾向，增加合金流动性，有效地除气、除渣，从而使合金性能得到明显提高，铸件合格率上升。 展开更多
关键词 铸造 铝硅合金 熔剂法 显微组织
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熔剂法制备硼酸铝晶须的实验研究 被引量：1
17
作者 李新华 翟玉春 《化工冶金》 CSCD 北大核心 1996年第3期196-199,共4页
以Al2O3和B2O3为原料，采用熔剂法制备了性能良好的硼酸铝晶须．通过正交实验，得到了本方法生产硼酸铝晶须的最佳工艺条件，探讨了熔剂法制备硼酸铝晶须的机理．运用XRD,SEM等分析检测技术对硼酸铝晶须进行了测试，结果表明：其主要性... 以Al2O3和B2O3为原料，采用熔剂法制备了性能良好的硼酸铝晶须．通过正交实验，得到了本方法生产硼酸铝晶须的最佳工艺条件，探讨了熔剂法制备硼酸铝晶须的机理．运用XRD,SEM等分析检测技术对硼酸铝晶须进行了测试，结果表明：其主要性能指标达到或接近日本同类产品的水平． 展开更多
关键词 硼酸铝 晶须 熔剂法 生长机理
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Galfn镀层及其熔剂法热镀工艺 被引量：2
18
作者 骆更新 《腐蚀与防护》 CAS 1996年第1期27-29,11,共4页
1 前言 比利时冶金研究中心(CRM)受国际铅锌研究协会(ILZRO)的委托,于1978年开发成功了一种新型Zn—Al合金热镀层,该合金镀层的化学成份为5％Al—0.1％RE—Zn,其商品名为'Gallan”。
关键词 合金 镀层 热浸镀 熔剂法
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熔剂法热浸镀铝工艺及性能研究 被引量：2
19
作者 王光文 刘炳 石传美 《涂装与电镀》 2008年第5期25-29,共5页
本文介绍了熔剂法热浸镀铝的表面处理、碳钢和铸铁助镀工艺及助镀剂和覆盖剂的选择、浸镀铝温度及浸镀时间、浸铝后的热处理及热浸铝工件的性能和微观组织等,并阐述了国内外热浸渗铝工艺的新进展。
关键词 热浸镀 熔剂法 助镀剂
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用硫化助熔剂法合成红外上转换材料的研究
20
作者 龚平 杜力 +4 位作者 张大慰 过晓晖 刘英 侯洵 贾炜 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第7期618-622,共5页
本文采用一种优化的硫化助熔剂方法合成了红外上转换材料，这种材料能够在室温下将红外光转换成可见光。这种新工艺在反应效率、生产成本、环境保护、工艺难度等方面均优于传统的热熔工艺。文章给出了红外上转换材料的激励光谱和发射光谱。
关键词 硫化助熔剂法 红外 上转换材料
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