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不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究
被引量：
1
1
作者
钱聪
张恩霞
+9 位作者
贺威
张正选
张峰
林成鲁
王英民
王小荷
赵桂茹
恩云飞
罗宏伟
师谦
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期308-312,共5页
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(...
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作。研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置。通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α。
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关键词
绝缘体上硅(SOI)
总剂量辐照效应
环栅结构
H型
栅
结构
下载PDF
职称材料
总剂量效应对CMOS读出电路影响及设计加固方法研究
2
作者
李敬国
温建国
陈彦冠
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第3期355-360,共6页
总剂量效应会对CMOS读出电路的性能产生明显的影响,甚至使CMOS读出电路功能完全失效。本文主要分析了总剂量效应对NMOS器件阈值、漏电流和器件间漏电流的影响机理。随后,针对640×512 CMOS读出电路提出了可行的抗辐照版图设计方法...
总剂量效应会对CMOS读出电路的性能产生明显的影响,甚至使CMOS读出电路功能完全失效。本文主要分析了总剂量效应对NMOS器件阈值、漏电流和器件间漏电流的影响机理。随后,针对640×512 CMOS读出电路提出了可行的抗辐照版图设计方法。总剂量试验表明,采用环栅结构、环源结构的640×512读出电路芯片抗总剂量能力可以达到100 krad(Si)以上。
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关键词
总剂量效应
读出电路
环
源
结构
环栅结构
抗辐照
下载PDF
职称材料
题名
不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究
被引量：
1
1
作者
钱聪
张恩霞
贺威
张正选
张峰
林成鲁
王英民
王小荷
赵桂茹
恩云飞
罗宏伟
师谦
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国航天时代电子公司第
信息产业部电子第五研究所(中国赛宝实验室)
出处
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期308-312,共5页
文摘
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作。研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置。通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α。
关键词
绝缘体上硅(SOI)
总剂量辐照效应
环栅结构
H型
栅
结构
Keywords
silicon on insulator
total - dose irradiation effect
gate - all - around structure
H - gate structure
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
总剂量效应对CMOS读出电路影响及设计加固方法研究
2
作者
李敬国
温建国
陈彦冠
机构
华北光电技术研究所
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第3期355-360,共6页
文摘
总剂量效应会对CMOS读出电路的性能产生明显的影响,甚至使CMOS读出电路功能完全失效。本文主要分析了总剂量效应对NMOS器件阈值、漏电流和器件间漏电流的影响机理。随后,针对640×512 CMOS读出电路提出了可行的抗辐照版图设计方法。总剂量试验表明,采用环栅结构、环源结构的640×512读出电路芯片抗总剂量能力可以达到100 krad(Si)以上。
关键词
总剂量效应
读出电路
环
源
结构
环栅结构
抗辐照
Keywords
total dose effect
ROIC
ringed-source geometry
enclosed gate geometry
radiation hardening
分类号
TN216 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究
钱聪
张恩霞
贺威
张正选
张峰
林成鲁
王英民
王小荷
赵桂茹
恩云飞
罗宏伟
师谦
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
下载PDF
职称材料
2
总剂量效应对CMOS读出电路影响及设计加固方法研究
李敬国
温建国
陈彦冠
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2019
0
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职称材料
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