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热释电探测器特性参数动态响应测量 被引量:4
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作者 高爱华 刘卫国 +1 位作者 张伟 秦文罡 《西安工业大学学报》 CAS 2007年第3期205-208,共4页
分析了热释电探测器对单脉冲辐射的响应,并组建了热释电探测器特性参数动态响应测试系统,利用相关检测原理检测热释电探测器的电压响应信号,提高了信噪比.设计了基于LabVIEW的测试软件,用此系统测试了热释电探测器对脉冲辐射的电压响应... 分析了热释电探测器对单脉冲辐射的响应,并组建了热释电探测器特性参数动态响应测试系统,利用相关检测原理检测热释电探测器的电压响应信号,提高了信噪比.设计了基于LabVIEW的测试软件,用此系统测试了热释电探测器对脉冲辐射的电压响应率Rv和归一化探测率D*,为热释电探测器参数测试提供了一种实用的全自动测试手段. 展开更多
关键词 热释电探测器 特性参数 电压响应率 归一化探测 LABVIEW
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基于超薄钽酸锂晶体材料高响应太赫兹探测器(英文) 被引量:4
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作者 梁志清 刘子骥 +3 位作者 蒋亚东 郑兴 王涛 于贺 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期520-524,616,共6页
太赫兹(Thz)探测器工作在室温条件下极大地促进了太赫兹科学与技术的应用。超薄(10μm)钽酸锂(LiTaO_3)晶片被用作太赫兹探测器敏感元材料。基于钽酸锂晶片太赫兹探测器在2.52 THz激光辐射源照射下,20Hz斩波频率时响应率可达到8.38×... 太赫兹(Thz)探测器工作在室温条件下极大地促进了太赫兹科学与技术的应用。超薄(10μm)钽酸锂(LiTaO_3)晶片被用作太赫兹探测器敏感元材料。基于钽酸锂晶片太赫兹探测器在2.52 THz激光辐射源照射下,20Hz斩波频率时响应率可达到8.38×10~4V/W,等效噪声功率NEP)可达到1.26×10^(-10)W。这种加工超薄钽酸锂晶片的方法为制备高响应率太赫兹探测器提供了一个可行的方法。 展开更多
关键词 太赫兹探测器 钽酸锂晶片 化学研磨及机械抛光 电压响应率 噪声等效功
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复合热释电薄膜红外探测器的制备和性能测试 被引量:4
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作者 王三红 吴小清 姚熹 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期146-148,共3页
为解决热释电薄膜红外探测器中的热损失问题 ,引入了复合热释电薄膜的概念 .它利用多孔二氧化硅具有的低热导率特点 ,有效地减少了热量从热释电层向衬底的热扩散 .利用溶胶 凝胶和金属有机物热分解等工艺制备的复合热释电薄膜红外探测... 为解决热释电薄膜红外探测器中的热损失问题 ,引入了复合热释电薄膜的概念 .它利用多孔二氧化硅具有的低热导率特点 ,有效地减少了热量从热释电层向衬底的热扩散 .利用溶胶 凝胶和金属有机物热分解等工艺制备的复合热释电薄膜红外探测器 ,在温度为 4 2 0K、频率为 10Hz时 ,电压响应率约为 140 0V/W ,探测器的星探测率D ( 4 2 0 ,10 ,2 )为 9 3× 10 7cm·Hz1/2 /W . 展开更多
关键词 红外探测器 复合热释电薄膜 溶胶-凝胶 电压响应率 星探测
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自支撑P(VDF-TrFE)红外探测器(英文)
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作者 田莉 孙璟兰 +2 位作者 王建禄 孟祥建 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期654-657,共4页
制备了具有自支撑绝热结构的Al/P(VDF-TrFE)/NiCr红外探测器单元,其中NiCr半透明膜作为探测器的上电极和吸收层.实验结果表明:P(VDF-TrFE)薄膜具有很好的铁电性和热释电性,其铁电剩余极化强度和热释电系数分别为7.1μC/cm^2和27μC/m^2K... 制备了具有自支撑绝热结构的Al/P(VDF-TrFE)/NiCr红外探测器单元,其中NiCr半透明膜作为探测器的上电极和吸收层.实验结果表明:P(VDF-TrFE)薄膜具有很好的铁电性和热释电性,其铁电剩余极化强度和热释电系数分别为7.1μC/cm^2和27μC/m^2K;探测器单元在10 Hz工作频率下对黑体温度500 K的辐射源的电压响应率和探测率分别为1500 V/W和5×10~7 cmHz^(1/2)W^(-1);通过对电压响应率随频率变化的实验数据进行拟合,得到探测器单位面积的热导和吸收率分别为2.5×10^(-3) W/cm^2K和0.1;利用P(VDF-TrFE)探测器单元可对目标物体实现热成像. 展开更多
关键词 P(VDF-TrFE)薄膜 电压响应率 红外探测器
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铌酸锶钡热电探测器的改进
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《激光与红外》 CAS 1977年第3期51-53,共3页
铌酸锶钡SBN晶体的热释电性能很早就已有过详尽的研究,这种材料在室温时具有很大的热释电系数,而且居里温度可以通过晶体中钡组分的高低加以调节。
关键词 电压响应率 晶体 铌酸锶钡 器件 热电探测器 探测 SBN 退极化 热释电性能
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