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电子回旋共振等离子体源的朗谬尔探针诊断 被引量：5
1
作者 吴振宇 汪家友 杨银堂 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期71-73,共3页
电子回旋共振 (ECR)等离子体以其密度高、工作气压低、均匀性好、参数易于控制等优点在超大规模集成电路工艺中获得了广泛的应用。利用朗谬尔探针对ECR等离子体进行了初步的诊断研究 ,测量了等离子体的单探针伏安特性并计算出电子温度 ... 电子回旋共振 (ECR)等离子体以其密度高、工作气压低、均匀性好、参数易于控制等优点在超大规模集成电路工艺中获得了广泛的应用。利用朗谬尔探针对ECR等离子体进行了初步的诊断研究 ,测量了等离子体的单探针伏安特性并计算出电子温度 ,电子密度和等离子体电势等参量。实验证明 ,ECR等离子体源能够稳定地产生电子温度较低的高密度等离子体。 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体源 ECR 朗谬尔探针 等离子体诊断 饱和电流
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Langmuir单探针诊断电子回旋共振等离子体参数分布特性 被引量：1
2
作者 符斯列 陈俊芳 王春安 《大学物理实验》 2009年第3期27-32,共6页
本文采用Langmuir单静电探针法,分析诊断了电子回旋共振等离子体的参数分布特性,并分析了微波功率、气压对轴向、径向等离子体空间分布的影响。在微波功率400W^650W范围内等离子体具有较高的密度及良好的径向均匀性。
关键词 电子回旋共振等离子体 Langmuir单静电探 等离子体分布特性
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应用于电推进的碘工质电子回旋共振等离子体源
3
作者 李鑫 曾明 +2 位作者 刘辉 宁中喜 于达仁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第22期228-237,共10页
电子回旋共振(electron cyclotron resonance,ECR)源具有无需内电极、低气压电离、等离子体密度较高和结构紧凑等优点,适用于小功率电推进.因此,研究小功率碘工质ECR等离子体源具有重要意义.本文首先设计了一套耐腐蚀且可以均衡稳定输... 电子回旋共振(electron cyclotron resonance,ECR)源具有无需内电极、低气压电离、等离子体密度较高和结构紧凑等优点,适用于小功率电推进.因此,研究小功率碘工质ECR等离子体源具有重要意义.本文首先设计了一套耐腐蚀且可以均衡稳定输出碘蒸汽的储供系统;然后完成了耐碘腐蚀ECR推力器设计,利用耐腐蚀的同轴谐振腔结构将微波馈送到推力器,并将通道磁场变为会切型磁场以产生更多ECR层;最终联合点火实验成功,成为国际上首个可以用于电推进的ECR电离碘工质等离子体源.分析实验和静磁场、微波电场分布发现,小功率、低流量下的不稳定等离子体羽流闪烁由寻常波电子等离子体共振加热和非寻常波ECR加热模式之间的转化引起.高流量下电离率下降是由电子损失、壁面损失和碘工质电负性导致.并依据此原理提出了改进方案.放电后等离子体源没有明显损伤,说明具备长寿命潜力.此项工作初步证实了小功率碘工质ECR电推进方案可行. 展开更多
关键词 电推进 碘工质 贮供系统 电子回旋共振等离子体源
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电子回旋共振等离子体用于聚四氟乙烯材料表面改性
4
作者 温晓辉 詹如娟 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第5期372-375,共4页
在电子回旋共振 (ECR)等离子体装置中 ,使用Ar气 ,N2 气 ,H2 气和普通空气放电 ,对聚四氟乙烯 (PTFE)材料进行表面处理以提高其表面粘结性能。详细研究了在不同的放电气压 ,微波功率 ,处理时间 ,气体种类的情况下 ,样品表面的接触角的... 在电子回旋共振 (ECR)等离子体装置中 ,使用Ar气 ,N2 气 ,H2 气和普通空气放电 ,对聚四氟乙烯 (PTFE)材料进行表面处理以提高其表面粘结性能。详细研究了在不同的放电气压 ,微波功率 ,处理时间 ,气体种类的情况下 ,样品表面的接触角的变化。同时也讨论了样品导电性能和外观等的变化。使用红外吸收谱对样品结构处理前后的变化进行了测量 ,对等离子体处理的机理进行了初步的讨论。使用Langmuir探针测量了Ar气和N2 气等离子体中的离子密度 ,用能量分析器测量了离子的能量。发现在对样品的处理中 ,ECR等离子体的离子密度是影响表面性能的主要因素 。 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体 表面改性 聚四氟乙烯 离子密度 离子能量 工程塑料
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微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜 被引量：2
5
作者 左潇 魏钰 +2 位作者 陈龙威 舒兴胜 孟月东 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期356-361,共6页
利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件... 利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件下制备的样品进行了晶体结构和表面形貌分析,并讨论了多晶硅薄膜沉积的最佳条件。实验结果表明,玻璃衬底上多晶硅薄膜呈柱状生长,并有一定厚度的非晶孵化层;较高氢气比例和衬底温度有利于结晶,薄膜的结晶率达到了62%;晶粒团簇的最大尺寸约为500nm。 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积 低温 直接制备 多晶硅薄膜
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电子回旋共振等离子体源的特性 被引量：4
6
作者 刘仲阳 孙官清 +2 位作者 张大忠 陈剑宣 钟光武 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期707-712,共6页
简要描述了一台频率为２．４５ＧＨｚ的电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体源的特性测试，结果表明，放电室内的等离子体密度和电子温度与静态磁场、微波输入功率和真空度等参数均有着密切关系。当磁场达到共振条件８７．５ｍＴ时，等离子... 简要描述了一台频率为２．４５ＧＨｚ的电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体源的特性测试，结果表明，放电室内的等离子体密度和电子温度与静态磁场、微波输入功率和真空度等参数均有着密切关系。当磁场达到共振条件８７．５ｍＴ时，等离子体很易产生，但等离子体密度的最大值却出现在９３ｍＴ处。ＥＣＲ源在真空度为０．１—ｌＰａ间均能运行。由石英、Ａｌ２Ｏ３陶瓷和ＢＮ构成的微波输入富有良好的阻抗匹配，在微波功率为２００—７００Ｗ间，反射系数仅为１％，等离子体密度达５．８×１０１１ｃｍ－３，电子温度为３－１２ｅＶ，该源的寿命超过３００ｈ。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体源 特性 结构 CAD
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电子回旋共振等离子体辅助脉冲式沉积氧化铝薄膜的研究 被引量：7
7
作者 桑利军 张跃飞 +1 位作者 陈强 李兴存 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期293-296,共4页
采用自行设计和加工的微波电子回旋共振装置、进气系统和工艺程序,以三甲基铝为前躯体,氧气为氧化剂,HF处理过的单晶硅片为基片,在无任何外加热条件下进行原子层沉积氧化铝薄膜的实验研究。利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显... 采用自行设计和加工的微波电子回旋共振装置、进气系统和工艺程序,以三甲基铝为前躯体,氧气为氧化剂,HF处理过的单晶硅片为基片,在无任何外加热条件下进行原子层沉积氧化铝薄膜的实验研究。利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、原子力显微镜、高分辨率透射电子显微镜等分析手段对薄膜进行了化学成分和微观结构的表征。结果表明,制备的氧化铝薄膜为非晶态结构,薄膜的表面非常光滑平整。薄膜的截面微观结构图像显示,薄膜厚度大约为80nm,界面清晰、按照周期数和层数线形生长规律进行生长。 展开更多
关键词 电子回旋共振 原子层沉积 三甲基铝 氧化铝
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永磁电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统 被引量：5
8
作者 吴振宇 刘毅 +1 位作者 汪家友 杨银堂 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期317-320,共4页
研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学... 研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学气相沉积氧化硅和氮化硅薄膜工艺的研究。6英寸片内膜厚均匀性优于 95 % ,沉积速率高于 10 0nm/min ,FTIR光谱分析表明薄膜中H含量很低。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体化学气相沉积 膜厚均匀性 同轴 表面波 ECR 氮化硅薄膜 高密度等离子体 FTIR光谱 强磁场
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微波电子回旋共振等离子体阴极电子束的实验研究 被引量：2
9
作者 李亮 刘亦飞 +5 位作者 陈龙威 王功 刘鸣 任兆杏 刘兵山 赵光恒 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期21-27,共7页
介绍了实验室研制的微波电子回旋共振(ECR)等离子体阴极电子束系统及初步研究结果,该系统包括微波ECR等离子体源、电子束引出极、聚焦线圈等。通过测量水冷靶电流和靶上的束斑尺寸,实验研究了微波ECR等离子体阴极电子束的流强、聚束性... 介绍了实验室研制的微波电子回旋共振(ECR)等离子体阴极电子束系统及初步研究结果,该系统包括微波ECR等离子体源、电子束引出极、聚焦线圈等。通过测量水冷靶电流和靶上的束斑尺寸,实验研究了微波ECR等离子体阴极电子束的流强、聚束性能等随电子束系统工作条件的变化。结果表明:微波输入功率越高、引出电压越高,引出电子束流强越大;工作气压对电子束流强的影响较复杂,随气压增加呈现出先降低后升高的特点;在7×10-4Pa的极低气压下电子束流强可达75m A,引出电压9kV;能量利用率可达0.6;调整聚焦线圈的驱动电流,电子束的束斑直径从20mm减小到13mm,电子束流强未有明显变化。 展开更多
关键词 微波回旋共振 等离子体阴极 电子束
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电子回旋共振等离子体技术新进展 被引量：2
10
作者 恩云飞 杨银堂 孙青 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期425-434,共10页
叙述了电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体技术的基本工作原理、主要特点以及发展概况，着重从ＥＣＲ等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研究等方面对ＥＣＲ技术进行了讨论。由于ＥＣＲ微波等离子体技术具有密度高、电离度大... 叙述了电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体技术的基本工作原理、主要特点以及发展概况，着重从ＥＣＲ等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研究等方面对ＥＣＲ技术进行了讨论。由于ＥＣＲ微波等离子体技术具有密度高、电离度大、工作气压低、表面损伤小等特点，在反应离子刻蚀（ＲＩＥ）、等离子体化学气相淀积（ＣＶＤ）和溅射方面具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体 刻蚀 VLSI
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微波电子回旋共振等离子体刻蚀研究 被引量：4
11
作者 丁振峰 任兆杏 +2 位作者 史义才 张束清 戴松元 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第6期439-444,共6页
研究了线圈、多极混合磁位形ECR等离子体及刻蚀特性。静电探针测量结果表明，在φ200mm，φ100mm范围内等离子体离子流强径向不均匀性为±21．5％，±5．3％。4英寸片片内刻蚀不均匀性≤±0．5％，0．25μm线宽刻蚀方向性为... 研究了线圈、多极混合磁位形ECR等离子体及刻蚀特性。静电探针测量结果表明，在φ200mm，φ100mm范围内等离子体离子流强径向不均匀性为±21．5％，±5．3％。4英寸片片内刻蚀不均匀性≤±0．5％，0．25μm线宽刻蚀方向性为0．75。并结合等离子体特性及刻蚀机理，对有关结果进行了分析。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 电子回旋共振 亚微米 刻蚀
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电子回旋共振等离子体的刻蚀技术 被引量：1
12
作者 吴振宇 汪家友 +1 位作者 杨银堂 徐新艳 《真空电子技术》 2004年第2期61-63,共3页
用电子回旋共振等离子体进行了硅基材料的刻蚀技术研究,进行了沟槽刻蚀实验,得到了较为陡直的侧壁。制作了精细图形,等离子体损伤较低。
关键词 电子回旋共振 等离子体 刻蚀 硅
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封闭式电子回旋共振等离子体低温沉积SrTiO_3膜 被引量：1
13
作者 蔡长龙 刁东风 +1 位作者 T.Matsumoto S.Miyake 《西安工业学院学报》 CAS 2004年第3期214-217,共4页
在室温条件下 ,用封闭式电子回旋共振 (MCECR)等离子体溅射方法沉积了SrTiO3(STO)膜 .用Ar等离子体在Si基片上溅射的STO膜是非晶的 ,然而用Ar/O2 等离子体在Pt/Ti/SiO2 /Si上溅射的是充分结晶的STO膜 .为了使非晶薄膜结晶 ,用电炉加热或... 在室温条件下 ,用封闭式电子回旋共振 (MCECR)等离子体溅射方法沉积了SrTiO3(STO)膜 .用Ar等离子体在Si基片上溅射的STO膜是非晶的 ,然而用Ar/O2 等离子体在Pt/Ti/SiO2 /Si上溅射的是充分结晶的STO膜 .为了使非晶薄膜结晶 ,用电炉加热或 2 8GHz微波辐射对非晶STO膜进行退火处理 .采用微波辐射 ,使基片温度为 5 73K时 ,在Si上的STO膜退火后的介电常数大约为 2 6 0 ,这值近似等于块状STO材料的介电常数 .由于微波辐射能够降低薄膜的退火温度和提高薄膜的电特性 。 展开更多
关键词 封闭式电子回旋共振(MCECR) 微波 SrTiO3(SrO) 等离子体溅射
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分布式电子回旋共振等离子体制备高质量二氧化硅薄膜 被引量：2
14
作者 江南 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第3期161-169,共9页
介绍了一种采用DECR等离子体在低温下制备高质量SiO2薄膜的PECVD工艺。讨论了DECRPECVD工艺中气相O／Si原子比以及沉积速率对SiO2薄膜性能的影响。采用包括高能离子分析、椭偏仪、化学刻蚀以及红外吸收谱等物理和化学方法，对所镀SiO2... 介绍了一种采用DECR等离子体在低温下制备高质量SiO2薄膜的PECVD工艺。讨论了DECRPECVD工艺中气相O／Si原子比以及沉积速率对SiO2薄膜性能的影响。采用包括高能离子分析、椭偏仪、化学刻蚀以及红外吸收谱等物理和化学方法，对所镀SiO2薄膜的各种理化特性进行了分析和研究。在此基础上，还采用准静态I-U和高、低频C-U技术对优化工艺后的SiO2薄膜进行了电学性能测试，并在最后给出了采用DECRSiO2的薄膜晶体管的特性曲线。 展开更多
关键词 薄膜 分布式 电子回旋共振 二氧化硅
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电子回旋共振等离子体辅助溅射沉积锂磷氧氮薄膜
15
作者 李驰麟 傅正文 +1 位作者 舒兴胜 任兆杏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期193-198,共6页
用电子回旋共振(ECR)等离子体辅助射频溅射沉积法制备快锂离子传导的锂磷氧氮 (LiPON)薄膜． X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱等手段表征了在不同ECR功率辅助下沉积的薄膜．结果显示,ECR等离子体对磁控溅射沉积薄膜... 用电子回旋共振(ECR)等离子体辅助射频溅射沉积法制备快锂离子传导的锂磷氧氮 (LiPON)薄膜． X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱等手段表征了在不同ECR功率辅助下沉积的薄膜．结果显示,ECR等离子体对磁控溅射沉积薄膜的生长有明显的影响,能够提高N的插入量,改变薄膜的组成与结构．但是过高的ECR功率反而易破坏薄膜的结构,不利于N的插入．最佳的实验条件是在ECR 200W辅助下沉积的LiPON薄膜, 它的电导率约为8×10-6S／cm．讨论了ECR对沉积LiPON薄膜的N插入机理． 展开更多
关键词 锂磷氧氮薄膜 溅射沉积 电子回旋共振 锂离子传导率
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电子回旋共振等离子体特性的数值模拟 被引量：1
16
作者 陶孟仙 《佛山科学技术学院学报（社会科学版）》 1996年第4期31-34,共4页
以电子作为流体、离子作为粒子这一混合模型，研究了电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体微波放电的热现象及离子沿偏离轴向磁力线的输运．结果表明气压对ＥＣＲ等离子体影响很大．
关键词 电子回旋共振 离子粒子 电子流体
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微波电子回旋共振等离子体刻蚀技术
17
作者 丁振峰 邬钦崇 任兆杏 《真空电子技术》 北大核心 1996年第6期1-8,共8页
本文介绍各种类型ＥＣＲ等离子体源和工艺研究，以及由此发展形成的几种新型刻蚀技术。
关键词 电子回旋共振 等离子体 反应离子刻蚀
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微波电子回旋共振等离子体的阻抗特性分析
18
作者 胡海天 邬钦崇 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第3期194-197,共4页
基于微波电子回旋共振（ECR）等离子体中的物理和化学性质变化会引起微波传输线阻抗的变化，采用微波三探针研究了ECR等离子体的微波阻抗随装置运行参数的变化情况，并通过一个简单的放电等效电路将阻抗的变化和等离子体性质的变化联系... 基于微波电子回旋共振（ECR）等离子体中的物理和化学性质变化会引起微波传输线阻抗的变化，采用微波三探针研究了ECR等离子体的微波阻抗随装置运行参数的变化情况，并通过一个简单的放电等效电路将阻抗的变化和等离子体性质的变化联系起来。实验结果表明，通过对ECR等离子体进行阻抗特性分析，可以在不对其产生干扰的情况下了解其性质的变化。阻抗特性分析为ECR等离子体的机理研究提供了一种新的诊断途径，有利于ECR等离子体工艺的推广和应用。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体 微波阻抗 诊断
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电子回旋共振等离子体溅射沉积薄膜的技术
19
作者 吴雪梅 邬钦崇 隋毅峰 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 1992年第4期426-431,共6页
本文推出了利用电子回旋共振(ECR)等离子体在低温(～室温)和低压下(10^(-5)～10^(-3)Torr)产生的高密度、高电离度的等离子体溅射沉积薄膜的新技术、叙述了微波ECR等离子体溅射沉积薄膜的装置、原理。研究了微波ECR等离子体沉积金属薄... 本文推出了利用电子回旋共振(ECR)等离子体在低温(～室温)和低压下(10^(-5)～10^(-3)Torr)产生的高密度、高电离度的等离子体溅射沉积薄膜的新技术、叙述了微波ECR等离子体溅射沉积薄膜的装置、原理。研究了微波ECR等离子体沉积金属薄膜时各工作参数之间的关系和工作参数对薄膜沉积速率的影响、分析了微波ECR等离子体对成膜速率产生影响的原因。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体 溅射 薄膜
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DMCPS电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH低介电常数薄膜结构及物性研究
20
作者 叶超 宁兆元 +1 位作者 王婷婷 俞笑竹 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期97-100,共4页
本文采用电子回旋共振(ECR)等离子体技术和十甲基环五硅氧烷(DMCPS)源开展了SiCOH薄膜的研究工作,获得了介电常数为2.88的SiCOH低介电常数薄膜.薄膜经400℃热处理后,膜厚减小,最大相对变化率小于15%,呈现较好的热稳定性.薄膜在1MV/cm场... 本文采用电子回旋共振(ECR)等离子体技术和十甲基环五硅氧烷(DMCPS)源开展了SiCOH薄膜的研究工作,获得了介电常数为2.88的SiCOH低介电常数薄膜.薄膜经400℃热处理后,膜厚减小,最大相对变化率小于15%,呈现较好的热稳定性.薄膜在1MV/cm场强下的漏电流为8.9×10-6A/cm2,且场强达到2.5 MV/cm时,未发生击穿现象,具有较优越的绝缘性能.因此,采用ECR-CVD技术和DMCPS源可以制备热稳定性优良的、绝缘性能优越的低介电常数SiCOH薄膜. 展开更多
关键词 低介电常数薄膜 电子回旋共振等离子体
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