永磁电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统 被引量：5

1

作者 吴振宇 刘毅 +1 位作者 汪家友 杨银堂 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期317-320,共4页

研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学... 研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学气相沉积氧化硅和氮化硅薄膜工艺的研究。6英寸片内膜厚均匀性优于 95 % ,沉积速率高于 10 0nm/min ,FTIR光谱分析表明薄膜中H含量很低。 展开更多

关键词 电子回旋共振 等离子体化学气相沉积 膜厚均匀性 同轴 表面波 ECR 氮化硅薄膜 高密度等离子体 FTIR光谱 强磁场

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非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体刻蚀化学气相沉积金刚石膜 被引量：2

2

作者 谭必松 马志斌 +1 位作者 沈武林 吴振辉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1887-1890,共4页

分别应用郎缪尔双探针和离子灵敏探针对非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体的电子参数、空间分布和离子参数进行了测量,分析了气压对等离子体参数及空间分布的影响。利用该等离子体在优化的气压条件下对化学气相沉积金刚石膜进行了刻蚀... 分别应用郎缪尔双探针和离子灵敏探针对非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体的电子参数、空间分布和离子参数进行了测量,分析了气压对等离子体参数及空间分布的影响。利用该等离子体在优化的气压条件下对化学气相沉积金刚石膜进行了刻蚀,并研究了刻蚀机理。结果表明：电子温度为5～10 eV,离子温度为1 eV左右,而等离子体数密度在1010cm-3数量级。随气压的升高,电子和离子温度降低,而电子数密度先增大后减小。在低气压下等离子体数密度空间分布更均匀,优化的刻蚀气压为0.1 Pa。刻蚀过程中,离子的回旋运动特性得到了加强,有利于平行于金刚石膜表面的刻蚀,有效地保护了金刚石膜的晶界和缺陷。 展开更多

关键词 非对称磁镜场 电子回旋共振 氧等离子体 刻蚀 化学气相沉积

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电子回旋共振—微波等离子体化学气相沉积法制备a-C:H(N)薄膜 被引量：2

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作者 李新 唐祯安 +1 位作者 马国佳 邓新绿 《真空》 CAS 北大核心 2003年第5期28-30,共3页

采用电子回旋共振 -微波等离子体化学气相沉积技术 ,使用 CH4 和 N2 混合气作为反应气体 ,在硅衬底上制备掺氮含氢非晶碳 (a- C∶ H(N) )薄膜。紫外 Ram an光谱证实了薄膜的类金刚石特性 ;傅立叶变换红外光谱表明薄膜中存在 CH和 CN键... 采用电子回旋共振 -微波等离子体化学气相沉积技术 ,使用 CH4 和 N2 混合气作为反应气体 ,在硅衬底上制备掺氮含氢非晶碳 (a- C∶ H(N) )薄膜。紫外 Ram an光谱证实了薄膜的类金刚石特性 ;傅立叶变换红外光谱表明薄膜中存在 CH和 CN键结构。采用原子力显微镜 (AFM)观察薄膜的微观表面形貌 ,结果表明薄膜表面光滑。论文详细叙述了薄膜制备工艺 ,对测试结果进行了分析讨论 。 展开更多

关键词 电子回旋共振-微波等离子体化学气相沉积法 制备 CH4 N2 非晶碳薄膜 紫外Raman光谱 原子力显微镜

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微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜 被引量：2

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作者 左潇 魏钰 +2 位作者 陈龙威 舒兴胜 孟月东 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期356-361,共6页

利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件... 利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件下制备的样品进行了晶体结构和表面形貌分析,并讨论了多晶硅薄膜沉积的最佳条件。实验结果表明,玻璃衬底上多晶硅薄膜呈柱状生长,并有一定厚度的非晶孵化层;较高氢气比例和衬底温度有利于结晶,薄膜的结晶率达到了62%;晶粒团簇的最大尺寸约为500nm。 展开更多

关键词 电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积 低温 直接制备 多晶硅薄膜

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多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺

5

作者 邓婉婷 吴爱民 +3 位作者 张广英 秦富文 董闯 姜辛 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期436-440,共5页

采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)... 采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)取向择优生长,少数条件下会呈现(111)择优取向.当衬底温度为300℃、H2流速为25 mL/min、微波功率为600 W时,多晶硅薄膜结晶状态最好,且呈最佳的(220)取向. 展开更多

关键词 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜 低温生长

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H_(2)对HfO_(2)衬底上等离子体增强化学气相沉积石墨烯的影响

6

作者 杨玉帅 王伟 +3 位作者 樊瑞祥 王凯 武海进 马勤政 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期78-84,共7页

HfO_(2)薄膜和石墨烯是用于制作石墨烯场效应晶体管的主要材料,而采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)在HfO_(2)衬底上原位生长石墨烯是极具潜力的一种石墨烯制备方法,这种方法有助于降低石墨烯转移过程对石墨烯质量的影响,从而提高... HfO_(2)薄膜和石墨烯是用于制作石墨烯场效应晶体管的主要材料,而采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)在HfO_(2)衬底上原位生长石墨烯是极具潜力的一种石墨烯制备方法,这种方法有助于降低石墨烯转移过程对石墨烯质量的影响,从而提高石墨烯场效应晶体管的性能。使用真空电子束蒸镀方法在重掺杂单抛硅片衬底上分别于50、150、250℃下沉积了100 nm厚的HfO_(2)薄膜样品;随后选用最优质量的HfO_(2)薄膜作为生长石墨烯的衬底,采用PECVD方法在温度为600℃、CH4流速为4 sccm的条件下,以不同的H2流速(0、5、10、15、20 sccm)原位生成石墨烯薄膜。结果显示,150℃下蒸镀的HfO_(2)薄膜粗糙度最低,表面最平整,同时也拥有最佳的介电性能。当H2流速为10 sccm时,可获得少层石墨烯薄膜,此时的石墨烯薄膜缺陷最小,表面平整且连续性好。通过对HfO_(2)衬底上石墨烯的生长机理进行分析发现,HfO_(2)衬底的低表面能导致含碳物种难以吸附到衬底上,石墨烯不易生长,但适当的H2参与可以有效降低CH4裂解反应的活化能,促进CH4的裂解,有利于生长出大面积的连续型石墨烯薄膜。 展开更多

关键词 HfO_(2)薄膜 石墨烯 真空电子束蒸镀 等离子体增强化学气相沉积 H2 生长机理

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用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)方法制备非晶态氮化硅薄膜

7

作者 李雪冬 《绵阳师范学院学报》 2005年第5期69-73,共5页

探讨如何用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)设备制备非晶态氮化硅介质膜和光学膜。通过改变工艺条件中的微波功率、硅烷(S iH4)、氮气(N2)、氩气(Ar)流量、样品台温度等,控制和优化氮化硅(S iNx)折射率和生长速率,得到了各工艺条件对... 探讨如何用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)设备制备非晶态氮化硅介质膜和光学膜。通过改变工艺条件中的微波功率、硅烷(S iH4)、氮气(N2)、氩气(Ar)流量、样品台温度等,控制和优化氮化硅(S iNx)折射率和生长速率,得到了各工艺条件对氮化硅(S iNx)折射率和生长速率影响曲线;通过测量用本方法制备的高反膜系的反射率,证实了镀光学膜时理论值与实际值符合的很好。 展开更多

关键词 电子回旋共振化学气相沉积 氮化硅 生长速率

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室温电子回旋共振化学气相沉积高质量TiN

8

作者 青春 《电子材料快报》 1995年第8期7-8,共2页

关键词 电子回旋共振 化学气相沉积 TIN 半导体薄膜

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ECR等离子体刻蚀增强机械抛光CVD金刚石 被引量：4

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作者 潘鑫 马志斌 +2 位作者 高攀 李国伟 曹为 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期174-178,共5页

采用电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀与机械抛光相结合的方法抛光化学气相沉积(CVD)金刚石,运用扫描电镜、Raman光谱观察、分析了刻蚀与抛光后金刚石的表面形貌和质量变化,并与单纯的机械抛光相比较,研究了等离子体刻蚀对后续机械抛光的... 采用电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀与机械抛光相结合的方法抛光化学气相沉积(CVD)金刚石,运用扫描电镜、Raman光谱观察、分析了刻蚀与抛光后金刚石的表面形貌和质量变化,并与单纯的机械抛光相比较,研究了等离子体刻蚀对后续机械抛光的影响,结果发现:金刚石经ECR等离子体刻蚀后非晶碳含量有一定程度降低,刻蚀过程在金刚石晶面形成的疏松表面有利于机械抛光,金刚石表面平均粗糙度更加快速降低。对比实验表明等离子体刻蚀对机械抛光前期的抛光效率的增强效果更为明显,在ECR等离子体刻蚀后的金刚石样品经10min机械抛光后粗糙度从7.284下降到1.054μm,而直接机械抛光30min时金刚石的表面粗糙度为1.133μm,在机械抛光的初始阶段,等离子体刻蚀后的机械抛光效率是单纯机械抛光效率的3倍。最终,经过三次重复刻蚀后机械抛光,金刚石表面粗糙度降为0.045μm。 展开更多

关键词 刻蚀 机械抛光 电子回旋共振等离子体 化学气相沉积金刚石

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微波ECR等离子体特性及其对DLC膜性能的影响 被引量：3

10

作者 陈小锰 邓新绿 +3 位作者 张治国 刘天伟 丁万昱 徐军 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期146-149,共4页

为了解并优化在微波ECR等离子体增强化学气相沉积制备类金刚石膜工艺研究中的等离子体特性,利用朗缪尔探针法系统地测量了等离子体密度(Ne)、电子温度(Te)随工作气压(p)变化的关系。DLC膜的结构和性能依赖于沉积条件,提高等离子体密度... 为了解并优化在微波ECR等离子体增强化学气相沉积制备类金刚石膜工艺研究中的等离子体特性,利用朗缪尔探针法系统地测量了等离子体密度(Ne)、电子温度(Te)随工作气压(p)变化的关系。DLC膜的结构和性能依赖于沉积条件,提高等离子体密度有利于DLC膜的生长。本文示出了不同的CH4流量时,DLC膜的拉曼光谱和表面均方根粗糙度Rrms变化曲线,阐述了等离子体密度Ne、电子温度Te对DLC膜结构和性能的影响。 展开更多

关键词 等离子体特性 ECR 等离子体增强化学气相沉积 微波 膜性能 等离子体密度 结构和性能 DLC膜 均方根粗糙度 电子温度 类金刚石膜 工艺研究 工作气压 沉积条件 变化曲线 拉曼光谱 探针法 CH4 表面

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等离子体清洗GaAs和Al_2O_3衬底的RHEED图像分析

11

作者 章家岩 郎佳红 +1 位作者 秦福文 顾彪 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期88-91,共4页

针对GaAs和Al2O3作为外延GaN薄膜的主要衬底材料,采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积(ECRPEMOCVD)工艺对其分别进行纯氢、氢氮等离子体清洗,并配备高能电子衍射仪(RHEED)实时监测清洗过程.CCD的RHEED图像分析表明,在一... 针对GaAs和Al2O3作为外延GaN薄膜的主要衬底材料,采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积(ECRPEMOCVD)工艺对其分别进行纯氢、氢氮等离子体清洗,并配备高能电子衍射仪(RHEED)实时监测清洗过程.CCD的RHEED图像分析表明,在一定条件下用纯氢等离子体对GaAs衬底清洗只需1min左右,即可得到比较平整的清洗表面,但清洗2min以上表面质量开始变坏.若在氢气中加入少量氮气,清洗时间可延长至10min左右.而Al2O3衬底对纯氢等离子体的清洗时间比较敏感,清洗2min左右就能获得平整的清洗表面,若时间延长到4min,表面质量将开始变坏.如果采用氢氮等离子体清洗,约需20min时间,而且在很宽的清洗时间范围(20～30min)内都能获得良好的清洗表面. 展开更多

关键词 电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积 GaN 氢等离子体 氮化

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CHF_3/C_6H_6等离子体中的基团分析

12

作者 程珊华 宁兆元 +3 位作者 李戈扬 叶超 杜伟 辛煜 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第3期240-246,共7页

在一个微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统中,测量了CHF3、C6H6及其混合气体放电的质谱和发射光谱图,分析了等离子体中主要基团的分布及其产生的途径,研究了放电功率和流量对主要基团密度的影响,以及它们与氟化非晶碳薄膜沉积速... 在一个微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统中,测量了CHF3、C6H6及其混合气体放电的质谱和发射光谱图,分析了等离子体中主要基团的分布及其产生的途径,研究了放电功率和流量对主要基团密度的影响,以及它们与氟化非晶碳薄膜沉积速率和键结构之间的关联。结果表明,提高微波功率会增加CHx、CFx等成膜基团的密度,有利于加大沉积速率;而增加CHF3的进气量则会加大F原子基团的密度,这是由于它控制了薄膜的氟化程度。 展开更多

关键词 电子回旋共振等离子体 氟化非晶碳薄膜 四极质谱 发射光谱 化学气相沉积 薄膜 微波 CHF3 C6H6 基团

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氦等离子体前处理对多晶硅薄膜性能的影响

13

作者 汝丽丽 孟月东 陈龙威 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 北大核心 2013年第4期398-403,共6页

采用微波电子回旋共振等离子体增强磁控溅射(microwave electron cyclotron resonance plasma-enhanced magnetron sputtering,ECR-PEMS)和电子回旋共振等离子体辅助化学气相沉积(microwave electroncyclotron resonance chemical vapor... 采用微波电子回旋共振等离子体增强磁控溅射(microwave electron cyclotron resonance plasma-enhanced magnetron sputtering,ECR-PEMS)和电子回旋共振等离子体辅助化学气相沉积(microwave electroncyclotron resonance chemical vapor deposition,ECR-CVD)技术,分别在单晶硅片(100)基底上低温制备了多晶硅薄膜.采用拉曼光谱仪、X射线衍射仪以及原子力显微镜对薄膜微观结构及表面形貌进行表征,研究纯氦等离子体基底前期处理对所沉积薄膜性能的影响.结果表明,氦等离子体前处理技术能大幅提高多晶硅薄膜结晶度和颗粒尺寸,明显改善ECR-CVD法所得多晶硅薄膜的微观结构特性和表面形貌. 展开更多

关键词 等离子体物理 多晶硅薄膜 电子回旋共振 等离子体增强 氦等离子体 磁控溅射 化学气相沉积 薄膜结晶度 纳米材料

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第二十二讲 化学气相沉积(CVD)技术

14

作者 张以忱 《真空》 CAS 2023年第3期86-88,共3页

(接2023年第2期88页)(5)扩大了化学气相沉积的应用范围,特别是提供了在不同的基片制备各种金属膜、非晶态无机物膜、有机聚合膜有可能性。PECVD的缺点如下:(1)PECVD反应是非选择性的。在等离子体中,电子能量分布的范围宽,除电子碰撞外,... (接2023年第2期88页)(5)扩大了化学气相沉积的应用范围,特别是提供了在不同的基片制备各种金属膜、非晶态无机物膜、有机聚合膜有可能性。PECVD的缺点如下:(1)PECVD反应是非选择性的。在等离子体中,电子能量分布的范围宽,除电子碰撞外,其离子的碰撞和放电时产生的射线作用也可产生新的粒子。从这一点上看,等离子体增强CVD的反应未必是选择性的,有可能存在几种化学反应,致使反应产物难以控制。有些反应机理也难以解释清楚。所以采用等离子体增强CVD难以获得纯净的物质。 展开更多

关键词 电子碰撞 等离子体增强 化学气相沉积 电子能量分布 金属膜 聚合膜 反应产物 PECVD

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流量比对等离子体基团分布和薄膜结构的影响 被引量：1

15

作者 杜伟 程珊华 +3 位作者 宁兆元 叶超 辛煜 黄松 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第2期123-127,共5页

使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加,成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大,而刻蚀基团F的密度也会增加,从而使得a-C:F薄膜的沉积... 使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加,成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大,而刻蚀基团F的密度也会增加,从而使得a-C:F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明,在高CHF3流量下沉积的a-C:F薄膜中含有更高的C-F键成分。可见在a-C:F薄膜的制备中CHF3/(CHF3+C6H6)流量比是重要的控制参量。 展开更多

关键词 电子回旋共振放电等离子体 化学气相沉积 氟化非晶碳薄膜 发射光谱 流量比 薄膜结构 基团分布

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螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜 被引量：15

16

作者 于威 刘丽辉 +3 位作者 侯海虹 丁学成 韩理 傅广生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期687-691,共5页

利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积 (HWP CVD)技术 ,以SiH4 和N2 为反应气体进行了氮化硅 (SiN)薄膜沉积 ,并研究了实验参量对薄膜特性的影响 .利用傅里叶变换红外光谱、紫外—可见光谱和椭偏光检测等技术对薄膜的结构、厚度和折射率... 利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积 (HWP CVD)技术 ,以SiH4 和N2 为反应气体进行了氮化硅 (SiN)薄膜沉积 ,并研究了实验参量对薄膜特性的影响 .利用傅里叶变换红外光谱、紫外—可见光谱和椭偏光检测等技术对薄膜的结构、厚度和折射率等参量进行了测量 .结果表明 ,采用HWP CVD技术能在低衬底温度条件下以较高的沉积速率制备低H含量的SiN薄膜 ,所沉积的薄膜主要表现为Si—N键合结构 .采用较低的反应气体压强将提高薄膜沉积速率 ,并使薄膜的致密性增加 .适当提高N2 SiH4 比例有利于薄膜中H含量的降低 . 展开更多

关键词 螺旋波等离子体增强化学气相沉积 氮化硅薄膜 制备 微电子学

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利用微波等离子体增强化学气相沉积法定向生长纳米碳管的研究 被引量：1

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作者 王淼 李振华 +1 位作者 竹川仁士 齐藤弥八 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期888-890,共3页

利用微波等离子体增强化学气相沉积法在氢气和甲烷的混合气体中定向生长纳米碳管 .经扫描电子显微镜观察与分析 ,发现纳米碳管在与基板垂直的方向上整齐排列 。

关键词 纳米碳管 微波等离子体增强化学气相沉积法 定向生长 扫描电子显微镜 薄膜生长

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丙酮环境下ECR微波等离子体辅助化学气相沉积类金刚石薄膜研究 被引量：2

18

作者 杨武保 王久丽 +3 位作者 张谷令 范松华 刘赤子 杨思泽 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期3099-3103,共5页

利用电子回旋共振 (ECR)微波等离子体辅助化学气相沉积技术、工作气氛为丙酮 ,在光学玻璃衬底上得到了光滑、致密、均匀的类金刚石薄膜 .在工艺研究中 ,对等离子体中氧的存在及其作用进行了分析 .原子力显微镜分析表明 ,薄膜的表面粗糙... 利用电子回旋共振 (ECR)微波等离子体辅助化学气相沉积技术、工作气氛为丙酮 ,在光学玻璃衬底上得到了光滑、致密、均匀的类金刚石薄膜 .在工艺研究中 ,对等离子体中氧的存在及其作用进行了分析 .原子力显微镜分析表明 ,薄膜的表面粗糙度小于 1 0nm ,晶粒尺寸约为 1 0 0nm .拉曼光谱和中红吸收谱研究发现 ,薄膜具有强烈的荧光效应 ,含有sp1 ,sp2 ,sp3杂化C—C ,sp3杂化CH3,羰基CO、含氧多元环以及—COOH基等 .利用纳米力学探针以及近红区红外透射谱分析了薄膜的力学及光学性能 ,结果表明 ,薄膜的显微硬度接近 4GPa ,体弹性模量约为 1 1GPa ;薄膜在近红区完全没有吸收峰 ,折射系数为 1 .5 76 ;根据薄膜干涉花样 ,计算薄膜的沉积速率为 4 6 0nm h . 展开更多

关键词 类金刚石薄膜 丙酮气氛 红外光谱 电子回旋共振微波等离子体 化学气相沉积法

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栅网与偏压对CHF_3电子回旋共振放电等离子体特性的影响 被引量：2

19

作者 叶超 杜伟 +1 位作者 宁兆元 程珊华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期1802-1807,共6页

研究了电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积系统中栅网的增加和栅网上施加 +6 0V和 - 6 0V偏压对CHF3放电等离子体特性的影响 .发现在低微波功率下栅网与偏压对等离子体中基团分布的影响较大 ,而高微波功率下的影响逐渐减小 .这是由... 研究了电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积系统中栅网的增加和栅网上施加 +6 0V和 - 6 0V偏压对CHF3放电等离子体特性的影响 .发现在低微波功率下栅网与偏压对等离子体中基团分布的影响较大 ,而高微波功率下的影响逐渐减小 .这是由于低微波功率下等离子体中电子温度较低 ,基团的分布同时受栅网鞘电场和电子碰撞分解的共同作用 ;而高微波功率下电子温度较高 ,栅网鞘电场的作用减弱 。 展开更多

关键词 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积系统 栅网 偏压 薄膜沉积技术 PECVD ECR CHF3放电等离子体特性

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MWECRCVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究 被引量：3

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作者 胡跃辉 阴生毅 +5 位作者 陈光华 吴越颖 周小明 周健儿 王青 张文理 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期2263-2269,共7页

分别研究了磁场线圈电流为 115 2和 137 7A以及 137 7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法 ,来改变单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌 .用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度 .研究了磁场梯度对沉积a ... 分别研究了磁场线圈电流为 115 2和 137 7A以及 137 7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法 ,来改变单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌 .用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度 .研究了磁场梯度对沉积a Si:H薄膜性能的影响 .研究表明 :在衬底附近 ,高的磁场梯度可以获得高的沉积速率 ;在温度不很高时 ,高的磁场梯度可得到光敏性较好的a Si:H薄膜 . 展开更多

关键词 梯度磁场 洛伦兹拟合 微波电子回旋共振化学气相沉积技术 薄膜生长 沉积速率

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