用改进的蒙特卡罗法模拟SF_6和CO_2混合气体电子崩参数 被引量：15

1

作者 吴变桃 肖登明 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第1期13-16,共4页

为了提高蒙特卡罗运行速度,在其仿真气体中电子崩运动时,对每一种碰撞过程都预先设定了一个频率上限,使得在仿真的每个时间段,仅仅需要计算一个碰撞截面来继续仿真。在E/N为272.83～364.51Td(1Td=10^(-17)Vcm^2)的场强范围内,仿真了SF_6... 为了提高蒙特卡罗运行速度,在其仿真气体中电子崩运动时,对每一种碰撞过程都预先设定了一个频率上限,使得在仿真的每个时间段,仅仅需要计算一个碰撞截面来继续仿真。在E/N为272.83～364.51Td(1Td=10^(-17)Vcm^2)的场强范围内,仿真了SF_6和CO_2混合气体中的电子崩发展,求出了有效电离系数,漂移速度和临界场强。计算结果和实验数据显示极好的一致性,验证了该方法的正确性。 展开更多

关键词 改进的蒙特卡罗 SF6和CO2混合气体 电子崩参数 临界场强

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电负性气体电子崩发展的四参数模型

2

作者 李旭光 肖登明 陈陈 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期1008-1011,共4页

提出了一种分析电负性气体中电子崩发展过程的四参数模型 .在该模型中 ,不仅存在电离和附着过程 ,而且存在着不稳定状态负粒子的去附着和转化过程 .依据该模型着重对去附着和转化过程对电子崩的发展进行了仿真分析 .结果表明 :随着去附... 提出了一种分析电负性气体中电子崩发展过程的四参数模型 .在该模型中 ,不仅存在电离和附着过程 ,而且存在着不稳定状态负粒子的去附着和转化过程 .依据该模型着重对去附着和转化过程对电子崩的发展进行了仿真分析 .结果表明 :随着去附着的加剧 ,电子崩增长速度加快 ,出现峰值的时间滞后 ;随着非稳定负粒子转化为稳定负粒子过程的加剧 ,电子崩发展受到抑制 。 展开更多

关键词 电子崩 电负性气体 去附着过程 四参数模型 转化过程 电离过程 气体放电 电子输运

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空气放电中电子崩过程的模拟 被引量：3

3

作者 王慧娟 《保定师范专科学校学报》 2007年第2期53-55,共3页

通过对空气放电中电子崩过程的模拟,讨论空间电荷对电场的影响,分析空气间隙的大小以及放电电压对放电模式的影响.

关键词 空气放电 电子崩 模拟

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大气压氩气直流放电一维仿真电子崩分析 被引量：2

4

作者 王薇 李洪超 《电子世界》 CAS 2021年第5期65-66,共2页

针对大气压氩气直流放电,建立一维仿真模型,设置了初始电子的密度和确切位置,通过求解,得到如下结果:初始电子崩由阴极的初始电子碰撞电离产生,电子碰撞电离产生17代电子之前,电子每发生一次碰撞电离走过的路程和时间都几乎未发生变化,... 针对大气压氩气直流放电,建立一维仿真模型,设置了初始电子的密度和确切位置,通过求解,得到如下结果:初始电子崩由阴极的初始电子碰撞电离产生,电子碰撞电离产生17代电子之前,电子每发生一次碰撞电离走过的路程和时间都几乎未发生变化,电子漂移的速度是恒定的,电子崩的发展速度是恒定的,在17代电子到20代电子时,电子每发生一次碰撞电离走过的路程和时间变长,电子漂移速度减慢,且电子在从初始位置走到0.9mm时,电子数随位置变化曲线呈指数型,在0.9mm后电子数分布在指数趋势线下,仿真分析结果与reather相关理论描述的相一致。 展开更多

关键词 电子崩 电子碰撞电离 电子漂移 大气压 理论描述 直流放电 一维仿真 初始位置

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砷化镓光导开关的畴电子崩理论分析 被引量：13

5

作者 刘鸿 阮成礼 郑理 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期679-684,共6页

在分析半绝缘(SI)砷化镓光导开关(PCSS)中丝状电流(流注)形成和传播的实验结果的基础上,提出了高增益砷化镓光导开关中的畴电子崩(EAD)理论.该理论完善了EAD概念,揭示了高增益GaAsPCSS中局域内的强电场作用和高载流子密度效应使非平衡... 在分析半绝缘(SI)砷化镓光导开关(PCSS)中丝状电流(流注)形成和传播的实验结果的基础上,提出了高增益砷化镓光导开关中的畴电子崩(EAD)理论.该理论完善了EAD概念,揭示了高增益GaAsPCSS中局域内的强电场作用和高载流子密度效应使非平衡载流子密度稳定增长,从而导致流注形成.应用EAD理论合理地解释了GaAsPCSS中电流丝的形成和传播,解释了在器件两端的偏置电场低于载流子本征碰撞电离的电场阈值条件下器件中存在载流子雪崩生长等实验现象,结果表明在这类具有转移电子效应的半导体器件中,EAD理论是分析流注形成的基本理论. 展开更多

关键词 光导开关 强电场作用 高载流子密度效应 稳定增长 畴电子崩 流注传播

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气隙长度对大气压下环氧树脂阻挡放电的影响研究

6

作者 张梦瑶 郑全福 +2 位作者 罗林根 盛戈皞 江秀臣 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第5期17-26,共10页

为了研究气隙长度对大气压下介质阻挡放电的影响机制,从而进一步明晰介质阻挡放电的放电机理及特性,基于气体放电流体模型,针对长度3 mm以下的环氧树脂阻挡同轴电极气隙,在外施电场恒定的条件下对其放电微观过程进行仿真,从带电粒子微... 为了研究气隙长度对大气压下介质阻挡放电的影响机制,从而进一步明晰介质阻挡放电的放电机理及特性,基于气体放电流体模型,针对长度3 mm以下的环氧树脂阻挡同轴电极气隙,在外施电场恒定的条件下对其放电微观过程进行仿真,从带电粒子微观运动角度研究气隙长度对气隙放电特性的影响。仿真结果表明:在长度小于3 mm的气隙中,环氧树脂的阻挡导致电子崩无法发展成为流注,其放电形式为汤森放电;气隙长度对放电过程的影响主要通过改变带电粒子的分布和电场强度来实现;气隙长度对放电发展速度几乎没有影响;当电子崩靠近较短气隙的阳极时,其崩头密度低于较长气隙;随着气隙长度的增加,放电电流峰值增大,上升速度和降落速度增加,脉冲宽度减小。通过对比理论计算与实验结果,证明了仿真方法的合理性。 展开更多

关键词 介质阻挡放电 气隙长度 汤森放电 电子崩 流体模型 放电电流

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打印微结构对表面电荷积聚特性的影响

7

作者 姚亦桐 杨洋 +3 位作者 牛广乾 钱志源 刘承山 穆海宝 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期2237-2246,共10页

航天器等真空设备面临着高电压、小型化的发展需求,但其中的固体-真空绝缘界面容易发生真空沿面闪络。为了提升真空绝缘的沿面耐电性能,通过3D打印技术在绝缘介质表面构建了微刻槽和打印金属两种微结构,并通过电荷积聚实验研究发现了打... 航天器等真空设备面临着高电压、小型化的发展需求,但其中的固体-真空绝缘界面容易发生真空沿面闪络。为了提升真空绝缘的沿面耐电性能,通过3D打印技术在绝缘介质表面构建了微刻槽和打印金属两种微结构,并通过电荷积聚实验研究发现了打印微结构能有效抑制表面电荷积聚过程;同时,改变微刻槽数量以及金属的宽度和数量,进一步通过实验对比研究了参数不同时的情况,发现增加微结构的数量和宽度均有利于提升其对电荷积聚的抑制效果;最后,构建真空沿面闪络粒子仿真模型,通过研究电子运动和二次电子崩的发展,并结合实验结果发现微结构能够散射电子,从而产生抑制电荷积聚、提升沿面耐电强度的效果。 展开更多

关键词 真空沿面闪络 3D打印 打印微结构 电荷积聚 二次电子崩 耐电强度

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SF_(6)气氛中表面电荷对环氧树脂气固界面电子倍增过程的影响机制 被引量：7

8

作者 许航 司马文霞 +3 位作者 孙魄韬 邵千秋 徐建伟 李闯 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期1716-1725,共10页

为了研究表面电荷对绝缘介质气固界面电子倍增过程的影响机制,本文搭建表面电荷定量注入与沿面闪络动态观测平台。在SF_(6)气氛中通过非接触式电晕放电向环氧树脂表面注入定量电荷,根据光电倍增管探测放电发出的光信号判断沿面放电起始... 为了研究表面电荷对绝缘介质气固界面电子倍增过程的影响机制,本文搭建表面电荷定量注入与沿面闪络动态观测平台。在SF_(6)气氛中通过非接触式电晕放电向环氧树脂表面注入定量电荷,根据光电倍增管探测放电发出的光信号判断沿面放电起始时刻,并对沿面放电起始电压UIFO和闪络电压UFO进行测量;同时通过Monte Carlo法求解SF_(6)中电子输运参数,结合Poisson方程计算沿面放电电子崩起始电压,并利用电子崩对流-扩散方程计算电子崩发展参数,研究表面电荷对沿面放电电子崩起始与电子崩发展的影响规律。研究结果表明:表面电荷一方面通过增强电极三结合点处场强,提高SF_(6)气体有效电离系数,促进电子崩起始;另一方面,积聚在电子崩发展临界长度xele内的表面电荷通过减小电子崩中空间电荷数量与增加电子崩头部半径阻碍电子崩的发展,抑制流注的形成,在两种机制的共同作用下,沿面闪络电压随着电荷沉积位置的变化呈现非单调性下降。 展开更多

关键词 表面电荷 闪络起始电压 闪络电压 临界场强 电子崩

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氩气直流放电过程电子行为的粒子模拟 被引量：2

9

作者 李静 曹云东 姜旭 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 2009年第2期139-143,共5页

气体放电初始过程是一不平衡的物理过程,为了验证空间电荷对气体放电的影响,建立一种粒子模拟(PIC)与蒙特卡洛(MCC)方法相结合、用来模拟放电初始阶段电子行为的微观模型.分析了气压为67 Pa、极间距离为64 mm、气体温度为300 K、极间电... 气体放电初始过程是一不平衡的物理过程,为了验证空间电荷对气体放电的影响,建立一种粒子模拟(PIC)与蒙特卡洛(MCC)方法相结合、用来模拟放电初始阶段电子行为的微观模型.分析了气压为67 Pa、极间距离为64 mm、气体温度为300 K、极间电压为直流500 V时的气体放电过程.通过计算机跟踪大量电子运动得到宏观参数.通过仿真很好地解释在气体击穿初期,低能量电子被电极吸收及在电场加速作用下电子能量倍增产生激烈碰撞电离的过程. 展开更多

关键词 气体放电 电子崩 碰撞截面 粒子法 蒙特卡罗

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大气压下流注放电光电离过程的数值仿真 被引量：18

10

作者 张赟 曾嵘 +2 位作者 杨学昌 张波 何金良 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第4期110-116,共7页

将光电离模型引入气体流注放电的流体模型中,针对光电离数值仿真计算需要对空间任意两点建立联系,导致方程求解计算量增大、计算较困难的问题,提出了光电离模型的简化计算方法。然后求解流注放电流体模型,仿真棒–板空气间隙放电过程,... 将光电离模型引入气体流注放电的流体模型中,针对光电离数值仿真计算需要对空间任意两点建立联系,导致方程求解计算量增大、计算较困难的问题,提出了光电离模型的简化计算方法。然后求解流注放电流体模型,仿真棒–板空气间隙放电过程,并比较了有和没有光电离2种情况,结果表明光电离提供了流注放电所必须的二次电子崩的种子电子,在没有光电离时,不能形成流注放电。在考虑光电离情况下仿真了流注发展过程,得到各时刻电子、光电子、电场空间分布,并从流注发展速度、通道半径、电场强度多方面与实验结果比较,验证了模型和算法的正确性。 展开更多

关键词 光电离 流注放电 流体模型 二次电子崩

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不同电极结构下介质阻挡放电的特性研究 被引量：14

11

作者 王辉 孙岩洲 +2 位作者 方志 曾正中 邱毓昌 《高压电器》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期25-27,共3页

研究了平板-平板电极、多针-平板电极和筛网电极3种电极结构DBD的放电特性,通过测量电压-电流波形图及放电发光图比较了它们的区别,并从放电机理角度对实验结果作了解释。结果表明:平板-平板电极DBD表现为稳定的细丝状放电。而多针-平... 研究了平板-平板电极、多针-平板电极和筛网电极3种电极结构DBD的放电特性,通过测量电压-电流波形图及放电发光图比较了它们的区别,并从放电机理角度对实验结果作了解释。结果表明:平板-平板电极DBD表现为稳定的细丝状放电。而多针-平板电极DBD融合针尖的电晕效应,使得放电空间中呈现扩散圆锥形放电。筛网电极DBD可以实现大气压辉光放电(APGD),放电更加均匀,放电空间内看不到放电细丝的存在。 展开更多

关键词 介质阻挡放电 大气压辉光放电 电子崩

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均匀场中SF6二维流注放电模型的动态仿真 被引量：18

12

作者 王湘汉 汪沨 邱毓昌 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1358-1362,共5页

为了对SF6气体的放电过程进行深入研究,使用含电子、正离子、负离子的连续方程对SF6气体的放电过程建模,通过耦合泊松方程进行了解决空间电荷对电场的畸变影响的研究。使用通量校正传输法(Flux-Corrected Transport)求解连续方程,并首... 为了对SF6气体的放电过程进行深入研究,使用含电子、正离子、负离子的连续方程对SF6气体的放电过程建模,通过耦合泊松方程进行了解决空间电荷对电场的畸变影响的研究。使用通量校正传输法(Flux-Corrected Transport)求解连续方程,并首次实现了二维情况下的SF6放电过程的动态仿真。模拟过程考虑了带电粒子及中性气体分子的电离、吸附、复合、扩散以及光电离等过程。从仿真结果可见,SF6放电时的电子崩转化成了正、负流注,并且光电离过程加速了流注的发展。通过仿真使得SF6流注放电机制的研究从定性变为定量,这对于进一步研究SF6及相关气体的放电机理具有重要意义。 展开更多

关键词 六氟化硫 气体放电 电子崩 流注 通量校正传输法 模拟

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介质阻挡放电的放电过程仿真研究 被引量：15

13

作者 方志 邱毓昌 王辉 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期62-65,共4页

为深入地理解介质阻挡放电(DBD)的放电机理和实现DBD等离子体的大规模工业应用,采用基于连续性方程和泊松方程的DBD模型仿真研究了大气压空气中DBD的放电过程,计算得到放电空间的电子密度、电场强度和电压电流随时间变化的规律,讨论了... 为深入地理解介质阻挡放电(DBD)的放电机理和实现DBD等离子体的大规模工业应用,采用基于连续性方程和泊松方程的DBD模型仿真研究了大气压空气中DBD的放电过程,计算得到放电空间的电子密度、电场强度和电压电流随时间变化的规律,讨论了阻挡介质在DBD放电不同阶段的作用。仿真结果表明,DBD的微放电过程可分为电子崩、流注和放电熄灭3个连续的阶段。在电子崩和流注阶段间,阻挡介质主要起到加速流注形成的作用;而在放电熄灭阶段,阻挡介质主要起到限制放电电流的自由增长,从而阻止放电发展到电弧的作用。 展开更多

关键词 常压低温等离子体 介质阻挡放电 放电模型 放电过程 电子崩 流注

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环氧树脂材料对极不均匀场局部放电发展的影响研究 被引量：5

14

作者 肖智刚 董明 +3 位作者 任明 张崇兴 毕建刚 阎春雨 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2015年第3期60-67,72,共9页

为了研究环氧树脂材料对极不均匀场局部放电的影响特征,依据局部放电测量标准IEC 60270设计了一套局部放电测量回路,采用光电倍增管(PMT)、罗氏线圈以及PDcheck等多种手段对6种典型沿面及悬浮缺陷进行检测,获得了不同电压下空气中6种缺... 为了研究环氧树脂材料对极不均匀场局部放电的影响特征,依据局部放电测量标准IEC 60270设计了一套局部放电测量回路,采用光电倍增管(PMT)、罗氏线圈以及PDcheck等多种手段对6种典型沿面及悬浮缺陷进行检测,获得了不同电压下空气中6种缺陷的放电脉冲图谱以及PRPD图谱。对比悬浮放电和沿面放电的典型特征,将放电分为辉光放电、电子崩放电、流注放电3个阶段,根据不同阶段下悬浮放电和沿面放电的特征,分析了环氧树脂材料对放电发展的影响。结果表明:在放电初始阶段环氧树脂对放电的影响较小,随着电压的增大,环氧树脂会阻碍放电的发展,到达一定阶段又有助于沿面流注的形成。对比分析了不同位置金属颗粒的典型放电图谱,将沿面缺陷简化为等效电路模型,解释了缺陷在不同位置时正负半周期放电的差异。 展开更多

关键词 悬浮放电 沿面放电 环氧树脂 电子崩放电 流注放电

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多层高梯度绝缘技术研究 被引量：4

15

作者 李光杰 严萍 +1 位作者 高巍 袁伟群 《高压电器》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期40-42,共3页

真空中沿面闪络现象是制约真空设备耐压强度的一个重要因素,采用多层高梯度绝缘技术,比传统绝缘结构能显著提高击穿场强。介绍了该技术的研究现状,并从真空沿面闪络的二次电子崩理论入手,分析该结构对闪络过程的影响。同时,从小间隙串... 真空中沿面闪络现象是制约真空设备耐压强度的一个重要因素,采用多层高梯度绝缘技术,比传统绝缘结构能显著提高击穿场强。介绍了该技术的研究现状,并从真空沿面闪络的二次电子崩理论入手,分析该结构对闪络过程的影响。同时,从小间隙串联的模型以及对外加电场的影响两方面,解释了多层高梯度绝缘结构可以提高绝缘性能的原因,它与公开的实验现象和结论也比较符合。 展开更多

关键词 多层高梯度绝缘技术 真空闪络 二次电子崩 小间隙 电场畸变

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SF_6/N_2混合气体流注放电二维动力学模型的计算机仿真 被引量：8

16

作者 王湘汉 汪沨 邱毓昌 《绝缘材料》 CAS 2007年第4期70-73,共4页

使用流体连续方程对SF6/N2混合气体放电过程进行建模,并采用通量校正传输法(Flux-Corrected Transport,FCT)首次实现了低SF6含量的SF6/N2二维流体模型的求解。结果表明,SF6/N2放电过程可分为电子崩和流注两个阶段;正负电荷分离后使得间... 使用流体连续方程对SF6/N2混合气体放电过程进行建模,并采用通量校正传输法(Flux-Corrected Transport,FCT)首次实现了低SF6含量的SF6/N2二维流体模型的求解。结果表明,SF6/N2放电过程可分为电子崩和流注两个阶段;正负电荷分离后使得间隙电场发生了畸变,并导致等离子体更快地向两极发展;光电离对负流注的形成与发展造成了很大的影响。 展开更多

关键词 电子崩 流注放电 等离子体 通量校正传输法

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均匀电场SF_6短气隙放电过程动态模拟 被引量：2

17

作者 郑殿春 夏云双 +2 位作者 朱士华 王文龙 赵大伟 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2012年第6期867-875,共9页

根据基本物理定律和流体力学,构建均匀电场下SF6短气隙放电流体模型,运用通量校正传输法(flux-corrected transport)数值分析大气压下4 mm间隙SF6的放电过程,展现放电空间带电粒子产生、复合、附着、扩散以及光致电离动态过程,获得了放... 根据基本物理定律和流体力学,构建均匀电场下SF6短气隙放电流体模型,运用通量校正传输法(flux-corrected transport)数值分析大气压下4 mm间隙SF6的放电过程,展现放电空间带电粒子产生、复合、附着、扩散以及光致电离动态过程,获得了放电间隙电场畸变、带电粒子动力学行为和放电通道形成发展历程和时空分布,根据R-M判据求出模型放电过程中电子崩转向流注的时空临界点,印证了光致电离在流注发展阶段的重要作用. 展开更多

关键词 气体放电 六氟化硫 电子崩 流注 光致电离

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超短脉冲激光辐照硅膜的热弹性 被引量：2

18

作者 郭春凤 于继平 +1 位作者 王德飞 齐文宗 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期907-911,共5页

考虑到热电子崩力的影响,在基于玻耳兹曼理论弛豫时间近似的非线性自相关模型基础上,将晶格温度与应变速率相耦合,建立了超短脉冲激光作用下半导体材料的超快热弹性模型。在单轴应变条件下,利用有限差分法模拟了500 fs脉冲激光作用下2μ... 考虑到热电子崩力的影响,在基于玻耳兹曼理论弛豫时间近似的非线性自相关模型基础上,将晶格温度与应变速率相耦合,建立了超短脉冲激光作用下半导体材料的超快热弹性模型。在单轴应变条件下,利用有限差分法模拟了500 fs脉冲激光作用下2μm厚硅膜内的载流子温度、晶格温度、载流子数密度、热应力和热电子崩力等的变化情况。结果表明:在低能量密度激光条件下,热弹性效应对半导体材料的影响很小;载流子温度达到峰值的时间比激光强度达到峰值的时间早,随后载流子数密度达到峰值,以及激光脉冲作用5 ps以后硅膜趋于总体热平衡;在脉冲辐照早期,非热平衡阶段形成的热电子崩力在超快损伤过程中起主要作用。 展开更多

关键词 超短脉冲激光 硅膜 热弹性 热电子崩力 有限差分法

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脉冲电压下油膜涂覆绝缘体真空沿面闪络特征 被引量：1

19

作者 李逢 蒋吉昊 +2 位作者 王勐 徐乐 杨尊 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期1995-2000,共6页

为进一步提高真空绝缘体沿面闪络电压,采用变压器油涂敷于真空绝缘体表面,实验研究了脉冲电压下油膜涂覆绝缘体的真空沿面耐压性能。实验结果表明:真空中油膜涂覆绝缘体首次沿面闪络电压和老练电压均有大幅度提高,但耐受电压与未涂覆绝... 为进一步提高真空绝缘体沿面闪络电压,采用变压器油涂敷于真空绝缘体表面,实验研究了脉冲电压下油膜涂覆绝缘体的真空沿面耐压性能。实验结果表明:真空中油膜涂覆绝缘体首次沿面闪络电压和老练电压均有大幅度提高,但耐受电压与未涂覆绝缘体的耐受电压基本一致。根据实验结果结合真空沿面闪络二次电子崩理论和液体击穿二次电子崩理论,初步认为闪络发生在绝缘体与油膜交接面处,油介质的涂覆抑制了绝缘体表面二次电子崩的发展和解吸附气体的释放,提高了首次闪络电压和耐受电压,但较高的闪络电流释放的热量将可能在绝缘体表面形成固有闪络通道从而降低油膜涂覆绝缘体耐受电压,油介质的涂覆促使电极与绝缘体接触良好从而降低了闪络电压的分散性。该涂覆方法有希望应用于对真空无特殊要求的固体支撑结构来提高真空耐压性能,但油介质对真空的影响还有待进一步研究。 展开更多

关键词 绝缘体 油膜涂覆 沿面闪络 二次电子崩 解吸附气体 变压器油 闪络电流

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空气中电晕放电的Monte Carlo模拟 被引量：1

20

作者 万博 刘尚合 +1 位作者 胡小峰 雷晓勇 《电讯技术》 北大核心 2011年第4期111-114,共4页

采用Monte Carlo法模拟电子崩的不平衡变化,得到了电子崩、正负离子积聚随时间变化的空间电场的形成发展物理过程。从理论出发,用计算机仿真了电晕放电的基本物理过程,在外部电场和空间电荷的作用下,采用Monte Carlo模型研究电晕放电在... 采用Monte Carlo法模拟电子崩的不平衡变化,得到了电子崩、正负离子积聚随时间变化的空间电场的形成发展物理过程。从理论出发,用计算机仿真了电晕放电的基本物理过程,在外部电场和空间电荷的作用下,采用Monte Carlo模型研究电晕放电在阴极点-平面的空气间隙内发展过程,计算得到了电荷密度变化和电离的速度在电晕放电物理过程中的动力学性能,验证了空间电荷和光电离在电晕放电过程中的重要作用。 展开更多

关键词 电晕放电 MONTE Carlo法 电子崩 碰撞

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