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电子束曝光机子系统光柱控制器设计
1
作者 何远湘 龙会跃 +1 位作者 梁文彬 苏鑫 《电子工业专用设备》 2024年第4期30-35,共6页
为了提高电子束曝光机光柱控制器稳定性和控制精度,通过多年研究提出了一套功能较为完备的新型光柱控制的硬件设计方案,通过对电子束聚焦、对中、偏转、扫描曝光等参数精准控制,将图形发生器产生各项数字信号变换成对应的模拟量,稳定地... 为了提高电子束曝光机光柱控制器稳定性和控制精度,通过多年研究提出了一套功能较为完备的新型光柱控制的硬件设计方案,通过对电子束聚焦、对中、偏转、扫描曝光等参数精准控制,将图形发生器产生各项数字信号变换成对应的模拟量,稳定地控制电子束对承放在激光工作台上的掩模基片进行扫描曝光,从而达到高质量生产。 展开更多
关键词 电子束曝光机 光柱 聚焦 束闸 偏转 数模转换(DAC)转接
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电子束曝光机图形发生器系统研究
2
作者 何远湘 苏鑫 +1 位作者 梁文彬 黄云 《装备制造技术》 2024年第9期175-178,共4页
电子束曝光机是半导体晶片的制造过程中制造掩膜片或自写硅片的非常重要的设备。电子束曝光机可以在非常小的区域内进行高精度的曝光,从而实现对芯片的精细图案及图形制作。它由电子源、电子光学系统、扫描系统、真空系统、恒温控制系... 电子束曝光机是半导体晶片的制造过程中制造掩膜片或自写硅片的非常重要的设备。电子束曝光机可以在非常小的区域内进行高精度的曝光,从而实现对芯片的精细图案及图形制作。它由电子源、电子光学系统、扫描系统、真空系统、恒温控制系统、电气控制系统、传送系统等部分组成。图形发生器是扫描系统的主要组成部分,是完成精细图形制作的关键部件。该文提出一套功能较为完备的新型电子束曝光机图形发生器的硬件设计方案。该方案采用创龙ZYNQ-7000、TMS320C6678数字信号处理器芯片作为核心单元,并由可编程逻辑器、标记检测控制电路、DAC转接电路、束闸控制电路、消像散器和对中电源、运动控制校正电路等曝光控制电路和构成。图形发生器产生电子束曝光机要曝光的各点X、Y坐标值,再将这些值经过高速度、高精度数模转换器(D/A)变换成对应的模拟量,驱动高精度偏转放大器以控制电子束沿X、Y方偏转,对承放在激光工作台上的掩模基片进行扫描曝光。同时,图形发生器根据不同的工作状态,还要驱动束闸部件,控制电子束接通或切断。数据处理能力强、速度快、接口方便等优势,克服了传统图形发生器单纯依靠软件完成、速度慢、精度低、工作不稳定的缺点。 展开更多
关键词 电子束曝光机 图形发生器 束闸、标记、DAC转接
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电子束曝光技术发展动态 被引量：12
3
作者 刘明 陈宝钦 +4 位作者 梁俊厚 李友 徐连生 张建宏 张卫红 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期117-120,共4页
电子束曝光技术是近三十年来发展起来的一门技术 ,主要应用于 0 .1～ 0 .5μm的超微细加工 ,甚至可以实现纳米线条的曝光。文中重点介绍电子束曝光系统、电子束抗蚀剂以及电子束曝光技术的应用。
关键词 电子束曝光 微细加工 抗蚀剂
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电子束曝光技术及其应用综述 被引量：5
4
作者 王振宇 成立 +1 位作者 祝俊 李岚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期418-422,428,共6页
综述了几种目前已得到应用和正在发展中的电子束曝光技术,包括基于扫描电镜(SEM)电子束、高斯电子束、成型电子束和投影电子束曝光技术等,并分析比较了这些技术各自的特点、应用及发展前景。
关键词 电子束曝光 微细加工 光刻 纳米加工
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电子束曝光中电子散射模型的优化 被引量：8
5
作者 宋会英 张玉林 +1 位作者 魏强 孔祥东 《微细加工技术》 EI 2005年第3期14-19,共6页
提出了在0.1 keV^30 keV能量范围内进行电子束曝光Monte Carlo模拟的分段散射模型优化方案。在该方案中,对所有的弹性散射均采用精确的Mott弹性散射截面。而对非弹性散射,当能量处于E0≤10 keV,10 keV<E0≤20 keV和E0>20 keV时,... 提出了在0.1 keV^30 keV能量范围内进行电子束曝光Monte Carlo模拟的分段散射模型优化方案。在该方案中,对所有的弹性散射均采用精确的Mott弹性散射截面。而对非弹性散射,当能量处于E0≤10 keV,10 keV<E0≤20 keV和E0>20 keV时,分别采用了Joy修正的Bethe公式、通常的Bethe公式和相对论效应修正的Bethe公式来计算总能量损失率;当E0≤20 keV和E0>20 keV时,分别采用了Gryzinsky截面和Moller截面计算离散的能量损失率。发现模拟结果与实验结果很好地吻合,这比采用单一的散射模型和不考虑二次电子的Bethe公式得到的模拟结果更加符合实际的电子散射过程,其精度更高。 展开更多
关键词 电子束曝光 散射模型 MONTE CARLO方法 二次电子
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Monte Carlo方法模拟低能电子束曝光电子散射轨迹 被引量：8
6
作者 任黎明 陈宝钦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1519-1524,共6页
建立了一个适用于描述低能电子散射的物理模型 ,利用 Monte Carlo方法对低能电子在多元多层介质中的散射过程进行模拟 .低能电子弹性散射采用较严格的 Mott截面描述 ,为了节约机时 ,利用查表与线性插值方法获得 Mott截面值 ;低能电子非... 建立了一个适用于描述低能电子散射的物理模型 ,利用 Monte Carlo方法对低能电子在多元多层介质中的散射过程进行模拟 .低能电子弹性散射采用较严格的 Mott截面描述 ,为了节约机时 ,利用查表与线性插值方法获得 Mott截面值 ;低能电子非弹性散射能量损失采用 Joy修正的 Bethe公式计算 ,并对其加以改进 ,引入多元介质平均电离电位、平均原子序数、平均原子量概念 ,利用线性插值方法给出光刻胶 PMMA对应的 k值 .对电子穿越多层介质提出一种新的边界处理方法 .在此基础上运用 Monte Carlo方法模拟高斯分布低能电子束在 PMMA-衬底中的复杂散射过程 .模拟结果表明低能电子束曝光具有曝光效率高、邻近效应低、对衬底损伤轻等优点 ,与 L ee、Peterson等人通过实验得出的结论相符 . 展开更多
关键词 电子束曝光 电子散射 蒙特卡洛法 半导体工艺
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电子束曝光机安装调试中的电磁兼容设计 被引量：6
7
作者 刘祖京 杨中山 方光荣 《电工电能新技术》 CSCD 1997年第4期44-47,共4页
本文从定义电磁兼容设计目标函数出发，针对具体环境出现的各种干扰问题，根据评价表达式的要求来进行电磁兼容设计。本文所提出的设计思想，经在电子束曝光机安装调试过程中的实践所验证。
关键词 电子束曝光机 电磁兼容 设计 安装
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小型微纳米图形电子束曝光制作系统(英文) 被引量：2
8
作者 殷伯华 方光荣 +3 位作者 刘俊标 靳鹏云 薛虹 吕士龙 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2010年第4期290-294,共5页
为了满足科学实验过程中对制作半导体器件和微纳米结构的需要,同时避免受到昂贵的工业级电子束曝光(electron beam lithography,EBL)机的条件制约,构建了一种基于普通扫描电子显微镜(scanning electron microsco-py,SEM)的桌面级小型电... 为了满足科学实验过程中对制作半导体器件和微纳米结构的需要,同时避免受到昂贵的工业级电子束曝光(electron beam lithography,EBL)机的条件制约,构建了一种基于普通扫描电子显微镜(scanning electron microsco-py,SEM)的桌面级小型电子束曝光系统.建立了以浮点DSP为控制核心的高速图形发生器硬件系统.利用线性计算方法实现了电子束曝光场的增益、旋转和位移的校正算法.在本曝光系统中应用了新型压电陶瓷电机驱动的精密位移台来实现纳米级定位.利用此位移台所具有的纳米定位能力,采用标记追逐法实现了电子束曝光场尺寸和形状的校准.电子束曝光实验结果表明,场拼接及套刻精度误差小于100 nm.为了测试曝光分辨率,在PMMA抗蚀剂上完成了宽度为30 nm的密集线条曝光实验.利用此系统,在负胶SU8和双层PMMA胶表面进行了曝光实验;并通过电子束拼接和套刻工艺实现了氮化物相变存储器微电极的电子束曝光工艺. 展开更多
关键词 扫描电子显微镜(SEM) 电子束曝光(EBL) 图形发生器 纳米结构
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电子束曝光系统中精密工件台的测量系统 被引量：2
9
作者 严伟 胡松 +4 位作者 杨勇 周绍林 蒋文波 李艳丽 乔俊仙 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第4期244-249,共6页
介绍了电子束曝光技术的原理。根据精密工件台对测量系统的需要,设计了三轴工件台测量系统布局方式,并简单介绍了激光干涉测量系统所需元器件数量的计算方法。重点讨论了双频激光干涉测量原理、双频光束与运动方向敏感性的关系以及读出... 介绍了电子束曝光技术的原理。根据精密工件台对测量系统的需要,设计了三轴工件台测量系统布局方式,并简单介绍了激光干涉测量系统所需元器件数量的计算方法。重点讨论了双频激光干涉测量原理、双频光束与运动方向敏感性的关系以及读出装置信号处理方法。在此基础上,对研制的电子束曝光系统精密工件台进行了直线性和垂直性实验测试,其测量分辨率达到0.6nm,测量重复性精度达到±0.06μm,测量绝对误差达到0.011μm。结果表明,采用双频激光测量系统可确保工件台系统测量和定位准确性。 展开更多
关键词 电子束曝光机 激光干涉仪 精密工件台 光刻 方向敏感性
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亚微米电子束曝光机激光工件台系统 被引量：3
10
作者 刘业异 田桐 钱进 《光电工程》 EI CAS CSCD 1998年第3期37-44,48,共9页
介绍了正在现场使用的亚微米电子束曝光机激光工件台系统，详细论述了它的技术特征，分析了影响重复测量精度的误差因素，给出了系统各部分实际检测达到的技术指标。
关键词 电子束曝光机 精密定位 工件台 激光干涉仪
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电子束曝光中的邻近效应修正技术 被引量：11
11
作者 刘明 陈宝钦 +1 位作者 张建宏 李友 《微细加工技术》 EI 2000年第1期16-20,共5页
邻近效应是指电子在抗蚀剂和基片中的散射引起图形的改变 ,它严重地影响了图形的分辨率。有多种方法对邻近效应进行修正如剂量调整、图形调整等。我们以JBX 5 0 0 0LS为手段 ,用三种方法 :1图形尺寸修正 ,2大小图形分类和剂量分配 ,3图... 邻近效应是指电子在抗蚀剂和基片中的散射引起图形的改变 ,它严重地影响了图形的分辨率。有多种方法对邻近效应进行修正如剂量调整、图形调整等。我们以JBX 5 0 0 0LS为手段 ,用三种方法 :1图形尺寸修正 ,2大小图形分类和剂量分配 ,3图形分层和大小电流混合曝光 ,对邻近效应进行了修正 ,均取得较好效果。 展开更多
关键词 电子束曝光 邻近效应 集成电路
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电子束曝光机大物面强磁透镜的研究 被引量：3
12
作者 尹明 孙晓军 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期509-512,共4页
以SDS 3电子束曝光机的聚焦透镜系统为基础 ,在 0 .0 0 5弧度半张角 ,3× 10 - 5的高压纹波 ,5 0mm的像距 ,30× 30mm扫描场的条件下 ,研究了电磁透镜成像的笛卡尔坐标系中的近轴轨迹方程 ,给出了相应的计算初值条件和实例 讨... 以SDS 3电子束曝光机的聚焦透镜系统为基础 ,在 0 .0 0 5弧度半张角 ,3× 10 - 5的高压纹波 ,5 0mm的像距 ,30× 30mm扫描场的条件下 ,研究了电磁透镜成像的笛卡尔坐标系中的近轴轨迹方程 ,给出了相应的计算初值条件和实例 讨论了电子束曝光机聚焦透镜系统中的球差、彗差、像散。 展开更多
关键词 电子束曝光机 透镜 像差 畸变 近轴轨迹
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低能电子束曝光中的Monte Carlo方法及沉积能分布 被引量：3
13
作者 谭震宇 何延才 《计算物理》 CSCD 北大核心 1997年第4期499-501,共3页
建立一个低能电子在多元多层介质中散射ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟计算方法。低能电子在多元介质中弹性散射用Ｍｏｔ截面描述并应用作者提出的平均散射截面方法进行模拟计算；给出多元介质中修正的Ｂｅｔｈｅ方程计算低能电子非弹性散射... 建立一个低能电子在多元多层介质中散射ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟计算方法。低能电子在多元介质中弹性散射用Ｍｏｔ截面描述并应用作者提出的平均散射截面方法进行模拟计算；给出多元介质中修正的Ｂｅｔｈｅ方程计算低能电子非弹性散射能量损失。计算了低能电子在电子束曝光胶中能量沉积分布。 展开更多
关键词 低能电子散射 电子束曝光 能量沉积 集成电路
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HSQ用于电子束曝光的性能分析 被引量：2
14
作者 赵珉 陈宝钦 +2 位作者 刘明 谢常青 朱效立 《微细加工技术》 EI 2008年第4期10-13,共4页
作为一种非化学放大的无机负性电子束光刻抗蚀剂,HSQ(hydrogen silsesquioxane)具有极高的分辨率(约5 nm),由于灵敏度较低,限制了其在微纳米加工方面的应用。从化学结构变化的角度分析了HSQ在电子束曝光中的性能,通过实验验证了其灵敏... 作为一种非化学放大的无机负性电子束光刻抗蚀剂,HSQ(hydrogen silsesquioxane)具有极高的分辨率(约5 nm),由于灵敏度较低,限制了其在微纳米加工方面的应用。从化学结构变化的角度分析了HSQ在电子束曝光中的性能,通过实验验证了其灵敏度及对比度受前烘温度及显影液浓度的影响较大,并且其在电子束曝光中的邻近效应也可以通过改变这两个条件而得到一定的抑制。根据所得优化工艺条件,在450 nm胶层上,制作出100 nm等间距光栅结构胶层图形,且其侧壁陡直性良好。 展开更多
关键词 HSQ(hydrogen silsesquioxane) 电子束曝光技术 抗蚀剂工艺 邻近效应
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缩小投影电子束曝光原理论证机 被引量：4
15
作者 彭开武 顾文琪 +1 位作者 吴桂君 张福安 《微细加工技术》 2001年第4期6-11,共6页
系统阐述了缩小投影 (或纳米投影 )电子束曝光技术的原理 ,以及如何将一台透射电镜改装为原理论证机的主要过程。内容包括机械结构的变动、电子光路的选择、调焦及曝光、成像系统的逐步演化。
关键词 电子束曝光 透射电镜 微细加工
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纳米级电子束曝光机用图形发生器 被引量：4
16
作者 刘伟 方光荣 顾文琪 《微细加工技术》 EI 2005年第1期1-5,16,共6页
为满足纳米级电子束曝光系统的要求,设计了高速图形发生器。该图形发生器包括硬件和软件两部分。硬件方面主要是利用高性能数字信号处理器(DSP)将要曝光的单元图形拆分成线条和点,然后通过优化设计的数模转换电路,将数字量转化成高精度... 为满足纳米级电子束曝光系统的要求,设计了高速图形发生器。该图形发生器包括硬件和软件两部分。硬件方面主要是利用高性能数字信号处理器(DSP)将要曝光的单元图形拆分成线条和点,然后通过优化设计的数模转换电路,将数字量转化成高精度的模拟量,驱动扫描电镜的偏转器,实现电子束的扫描。通过图形发生器还可以对标准样片进行图像采集以及扫描场的校正。配合精密定位的工件台和激光干涉仪,还可以实现曝光场的拼接和套刻。利用配套软件可以新建或导入通用格式的曝光图形,进行曝光参数设置、图形修正、图形分割、临近效应修正等工作,完成曝光图形的准备。结果表明,该图形发生器能够与整个纳米级电子束曝光系统协调工作,刻画出纳米级的图形。 展开更多
关键词 图形发生器 电子束曝光机 纳米
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电子束曝光数据格式的改进设计与实现 被引量：2
17
作者 魏淑华 刘伟 +2 位作者 李晓娜 张今朝 韩立 《微细加工技术》 2006年第6期6-10,共5页
根据中国科学院电工研究所研制的DY-2000型实用化电子束曝光系统对曝光图形数据格式的要求及用户的需要,对原曝光文件格式(EDF)进行了改进,利用VC++6.0开发环境实现了EDF格式文件的图形创建、结构体引用以及文件保存,同时增加了多层图... 根据中国科学院电工研究所研制的DY-2000型实用化电子束曝光系统对曝光图形数据格式的要求及用户的需要,对原曝光文件格式(EDF)进行了改进,利用VC++6.0开发环境实现了EDF格式文件的图形创建、结构体引用以及文件保存,同时增加了多层图形套刻和邻近效应修正数据处理的功能。实验结果表明,改进后的电子束曝光图形文件格式可满足用户的需求,便于用户新建版图文件,同时也提高了文件传输速度及曝光的效率。 展开更多
关键词 电子束曝光 图形发生器 图形文件格式 套刻
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一种新型电子束曝光文件格式设计及其应用 被引量：2
18
作者 李晓娜 张今朝 +2 位作者 刘伟 孙红三 韩立 《微细加工技术》 EI 2005年第2期24-27,45,共5页
提出一种新型的电子束曝光数据格式,引入了面向对象的设计和适应于矢量型电子束扫描方式的设计,提高了对通用图形数据格式转换的精确度和效率,同时更便于对电子束曝光机的曝光控制。该设计已在电工所的科研项目“纳米级电子束曝光系统... 提出一种新型的电子束曝光数据格式,引入了面向对象的设计和适应于矢量型电子束扫描方式的设计,提高了对通用图形数据格式转换的精确度和效率,同时更便于对电子束曝光机的曝光控制。该设计已在电工所的科研项目“纳米级电子束曝光系统”中得到应用,被称之为EDF数据格式。 展开更多
关键词 电子束曝光机 数据格式转换 面向对象的设计 矢量型电子束扫描
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电子束曝光机束斑的自动测控系统 被引量：4
19
作者 陈振生 杨立才 张玉林 《微细加工技术》 EI 1996年第4期16-22,共7页
根据亚微米电子束曝光机束斑直径、束流大小与各磁透镜电流之间的关系以及刀口法测试束斑的原理，设计了一套总线式的束斑自动测控系统。该系统以ＩＢＭ—ＰＣ／ＡＴ作为主控机，系统包括用于总线扩展的总线驱动板、电子束扫描控制板和... 根据亚微米电子束曝光机束斑直径、束流大小与各磁透镜电流之间的关系以及刀口法测试束斑的原理，设计了一套总线式的束斑自动测控系统。该系统以ＩＢＭ—ＰＣ／ＡＴ作为主控机，系统包括用于总线扩展的总线驱动板、电子束扫描控制板和束流信号数据采集板。 展开更多
关键词 电子束曝光机 束斑 自动测控系统
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电子束曝光数据格式转换中的图形离散算法研究 被引量：1
20
作者 魏淑华 韩立 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2010年第4期201-204,共4页
开展了圆环弧类图形离散算法的研究,提出了一种以图形的曲率半径作为离散精度依据的离散算法,既保证了高的离散精度又减小了数据量,提高了数据传输效率.该算法为曝光版图中不断出现的圆环弧类图形进行精确曝光提供了保障.通过图形实例... 开展了圆环弧类图形离散算法的研究,提出了一种以图形的曲率半径作为离散精度依据的离散算法,既保证了高的离散精度又减小了数据量,提高了数据传输效率.该算法为曝光版图中不断出现的圆环弧类图形进行精确曝光提供了保障.通过图形实例进行验证,表明此种离散方法合理,离散结果适于电子束曝光要求. 展开更多
关键词 电子束曝光 数据格式转换 图形离散
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