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题名中温烧结耐高温陶瓷电容的制备及性能研究
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作者
裴贞林
袁颖
张树人
李波
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机构
电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《材料导报（纳米与新材料专辑）》
2009年第1期366-369,共4页
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基金
国家“973”计划重大项目
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文摘
在BaTiO3（BT）BNT-Nb2O5-Zn系统中改变Nb、Zn掺杂量，对BTBNT-Nb-Zn进行介电性能研究，以期获得中烧耐高温陶瓷电容。研究发现，NbwO5、ZnO对BTBNT-Nb2O5-ZnO陶瓷介电性能以及电容量温度变化曲线的影响主要体现在居里温度和居里峰的变化。它们的改性机理可用掺杂后晶粒壳与晶粒芯体积分数的变化来解释。对比不同掺杂后钛酸钡陶瓷的SEM照片可以得出：陶瓷的室温介电常数与掺杂后钛酸钡陶瓷的晶粒生长情况密切相关。
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关键词
钛酸钡
掺杂
电容量温度变化率
介电常数温度特性
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Keywords
barium titanate, dope, temperature coefficient of capacitance, dielectric temperature properties
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分类号
TQ174.758
[化学工程—陶瓷工业]
TM53
[电气工程—电器]
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题名稀土掺杂对钛酸钡陶瓷介电性能的影响规律
被引量：10
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作者
唐斌
张树人
周晓华
尧彬
李波
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2007年第1期65-67,共3页
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文摘
在BaTiO3(BT)-Nb2O5-ZnO系统中引入硼硅酸盐助烧剂,加入不同稀土氧化物(Y,Nd,Gd,Ho,Yb,Er,Pr,Dy,La,Ce)对BT进行介电性能研究,以期获得中烧X7R陶瓷材料。研究发现,不同稀土氧化物对BT陶瓷电容量温度变化曲线低温峰(约40℃)和高温峰(约127℃)的影响可分为3类。其改性机理可用掺杂后晶粒壳与晶粒芯体积分数的变化来解释。对比上述三种典型的稀土掺杂后BT陶瓷的电镜扫描(SEM)照片得出,不同稀土掺杂BT的室温介电常数与掺杂后BT陶瓷的晶粒生长情况密切相关。
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关键词
X7R
钛酸钡
稀土掺杂
介电性能
电容量温度变化率
介温特性
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Keywords
X7R
barium titanate
rare earth doping
dielectric properties
variation of capacitance with temperature
dielectric temperature characteristics
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分类号
TM534
[电气工程—电器]
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