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应力促进PZT铁电陶瓷的电致滞后断裂
1
作者 王毅 褚武扬 +2 位作者 宿彦京 高克玮 乔利杰 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期585-588,共4页
用单边缺口拉伸试样研究了外加应力强度因子对PZT-5铁电陶瓷电致瞬时断裂以及在硅油中电致滞后断裂的影响结果表明,在硅油中发生瞬时断裂的临界电场强度E_F随外加应力强度因子K_I的升高而线性下降.外加正、负恒电场在硅油中能发生滞后断... 用单边缺口拉伸试样研究了外加应力强度因子对PZT-5铁电陶瓷电致瞬时断裂以及在硅油中电致滞后断裂的影响结果表明,在硅油中发生瞬时断裂的临界电场强度E_F随外加应力强度因子K_I的升高而线性下降.外加正、负恒电场在硅油中能发生滞后断裂,外加K_I则促进电致滞后断裂.电致滞后断裂的门槛电场E_(DF)随K_I升高而线性下降,且和电场符号无关外加应力促进恒电场下的滞后断裂表明,应力、电场和环境对铁电陶瓷的断裂存在耦合作用. 展开更多
关键词 PZT铁电陶瓷 应力 电致瞬时断裂 电致滞后断裂
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PZT-5H导电缺口电致滞后开裂
2
作者 乔光利 宿彦京 +1 位作者 乔利杰 褚武扬 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1103-1105,共3页
研究了PZT-5H铁电陶瓷导电缺口发生电致滞后断裂的可能性及其规律．结果表明,PZT-5H导电缺口发生电致断裂的临界电场E_F=14．7±3．2 kV/cm．如外加电场E＜EF,则在导电缺口前端瞬时产生电致微裂纹,若保持恒电场E,电致裂纹将缓慢扩... 研究了PZT-5H铁电陶瓷导电缺口发生电致滞后断裂的可能性及其规律．结果表明,PZT-5H导电缺口发生电致断裂的临界电场E_F=14．7±3．2 kV/cm．如外加电场E＜EF,则在导电缺口前端瞬时产生电致微裂纹,若保持恒电场E,电致裂纹将缓慢扩展直至试样发生滞后断裂,滞后断裂的门槛电场E_(DF)= 9．9 kV/cm．如E＜EDF,在恒电场作用下电致微裂纹也能缓慢扩展,但试样不发生断裂．如E＜EK=4．9 kV/cm,则电致裂纹并不瞬时形核,只有在恒电场下经过一定的孕育期后电致裂纹才形核并扩展一定距离,但试样也不会发生断裂．如E＜E_(DF)=2．4 kV/cm,即使长时间施加电场,裂纹也不形核．导电裂纹的滞后形核和滞后断裂归因于恒电场下从缺口顶端发出的电荷密度随时间而增大,当外加电场小于电荷发射的门槛电场时不会发生电致裂纹的滞后形核． 展开更多
关键词 PZT铁电陶瓷 导电缺口 电致开裂 电致滞后断裂
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