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掺杂VO_2相变薄膜的电阻突变特性研究
被引量:
10
1
作者
徐时清
赵康
+2 位作者
谷臣清
马红萍
方吉祥
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期637-640,共4页
以V2 O5和MoO3粉为原料 ,采用无机溶胶 -凝胶法制备了掺Mo6 + 的VO2 相变薄膜。对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电阻突变量级和电阻突变温度的测试 ,结果发现 :所制备的掺杂薄膜其主要成分是VO2 ,所掺入的MoO3与VO2...
以V2 O5和MoO3粉为原料 ,采用无机溶胶 -凝胶法制备了掺Mo6 + 的VO2 相变薄膜。对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电阻突变量级和电阻突变温度的测试 ,结果发现 :所制备的掺杂薄膜其主要成分是VO2 ,所掺入的MoO3与VO2 完全互溶 ,但其中MoO3的价态未发生改变。掺杂薄膜随MoO3含量的增加其电阻突变温度明显下降 ,然而电阻突变量级也随之降低 ,当MoO3的质量分数为 5 %时 ,薄膜电阻突变温度降至 3 0℃左右 ,电阻突变量级仍可保持 2个数量级左右 。
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关键词
掺杂
VO2
相变薄膜
电阻突变特性
研究
氧化钒
无机溶胶-凝胶法
下载PDF
职称材料
题名
掺杂VO_2相变薄膜的电阻突变特性研究
被引量:
10
1
作者
徐时清
赵康
谷臣清
马红萍
方吉祥
机构
西安理工大学材料科学与工程学院
浙江科技学院
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期637-640,共4页
基金
陕西省自然科学基金 (2 0 0 0C3 2 )资助项目
文摘
以V2 O5和MoO3粉为原料 ,采用无机溶胶 -凝胶法制备了掺Mo6 + 的VO2 相变薄膜。对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电阻突变量级和电阻突变温度的测试 ,结果发现 :所制备的掺杂薄膜其主要成分是VO2 ,所掺入的MoO3与VO2 完全互溶 ,但其中MoO3的价态未发生改变。掺杂薄膜随MoO3含量的增加其电阻突变温度明显下降 ,然而电阻突变量级也随之降低 ,当MoO3的质量分数为 5 %时 ,薄膜电阻突变温度降至 3 0℃左右 ,电阻突变量级仍可保持 2个数量级左右 。
关键词
掺杂
VO2
相变薄膜
电阻突变特性
研究
氧化钒
无机溶胶-凝胶法
Keywords
vanadium dioxide
phase transition thin film
inorganic sol-gel method
doping
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺杂VO_2相变薄膜的电阻突变特性研究
徐时清
赵康
谷臣清
马红萍
方吉祥
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
10
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职称材料
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