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纳米硅化铁的高压研究
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作者 潘跃武 周镭 《同步辐射装置用户科技论文集》 1999年第1期261-263,共3页
采用同步辐射能散X射线衍射技术和金刚石地顶砧高压装置,对硅化铁纳米微粉进行了原位高压X光衍射实验。在27.1-29.5GPa的压力范围内出现了两条的衍射峰,对该实验现象进行了讨论。
关键词 纳米硅化铁 同步辐射 X射线研究
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Si衬底上生长的铁硅化合物结构和取向分析 被引量:6
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作者 李旭 邹志强 +1 位作者 刘晓勇 李威 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1370-1376,共7页
采用分子束外延法分别在650-920℃的Si(110)和920℃的Si(111)衬底表面生长出铁的硅化物纳米结构,并主要分析了920℃高温下纳米结构的形貌、组成相及其与Si衬底的取向关系.扫描隧道显微镜(STM)研究表明,920℃高温下,Si(110)衬底上生长的... 采用分子束外延法分别在650-920℃的Si(110)和920℃的Si(111)衬底表面生长出铁的硅化物纳米结构,并主要分析了920℃高温下纳米结构的形貌、组成相及其与Si衬底的取向关系.扫描隧道显微镜(STM)研究表明,920℃高温下,Si(110)衬底上生长的铁硅化合物完全以纳米线的形式存在,且其尺寸远大于650℃低温下外延生长的纳米线尺寸;Si(111)衬底上生长出三维岛和薄膜两种形貌的铁硅化合物,其中三维岛具有金属特性且直径约300 nm、高约155 nm,薄膜厚度约2 nm.电子背散射衍射研究表明920℃高温下Si(110)衬底上生长的纳米线仅以β-FeSi2的形式存在,且β-FeSi2相与衬底之间存在唯一的取向关系:β-FeSi2(101)//Si(11 1);β-FeSi2[010]//Si[110];Si(111)衬底上生长的三维岛由六方晶系的Fe2Si相组成,Fe2Si属于164空间群,晶胞常数为a=0.405 nm,c=0.509 nm;与衬底之间的取向关系为Fe2Si(001)∥Si(111)和Fe2Si[1 20]//Si[112]. 展开更多
关键词 扫描隧道显微镜 电子背散射衍射 硅化 纳米线 三维岛 结构 取向关系
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硼化球墨铸铁中硼化物层的断裂韧性 被引量:2
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作者 ugursen 徐鹏 +2 位作者 严明明 罗林 杨刚 《国外金属加工》 2005年第3期18-21,共4页
本文研究了硼化球墨铸铁中硼化物的断裂韧性。渗硼是在硼砂、硼酸和硅化铁组成的盐浴中进行的,其热处理工艺是在常压下,加热温度在850—950℃之间,时间为2—8小时。通过X—my衍射、扫描电子显微镜以及光学显微镜等方法验证了球墨铸... 本文研究了硼化球墨铸铁中硼化物的断裂韧性。渗硼是在硼砂、硼酸和硅化铁组成的盐浴中进行的,其热处理工艺是在常压下,加热温度在850—950℃之间,时间为2—8小时。通过X—my衍射、扫描电子显微镜以及光学显微镜等方法验证了球墨铸铁中形成的硼化物(如FeB,Fe2B)。试验结果表明,渗硼时间越长,所形成的硼化物层也越厚,硼化物层截面的光学显微镜观察表明硼化物呈枝晶状。硼化物层显微硬度和断裂韧性可用压痕法来测定。球墨铸铁中形成硼化层的维氏显微硬度在1160-2140HV0.1之间,其断裂韧性在2.19—4.47MPa√m之间,硼化层的硬度和断裂韧性与渗硼时间及温度有关。 展开更多
关键词 断裂韧性 硼化物层 球墨铸 扫描电子显微镜 显微硬度 热处理工艺 光学显微镜 显微镜观察 加热温度 方法验证 试验结果 硼化层 渗硼 硅化铁 时间 FEB 压痕法 盐浴
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Fe_3Si基合金板材的制备技术 被引量:8
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作者 林均品 钟太彬 +1 位作者 林志 陈国良 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期442-444,共3页
在既有的研究工作基础上,给出了更为合适的锻造、轧制等工艺参数和工艺方法.利用普通的锻造和轧制设备,成功制备了良好的约 1.5 mm厚的 Fe3Si基合金薄板,制备过程中典型的微观组织变化如下:铸态组织的晶粒较大且很不均... 在既有的研究工作基础上,给出了更为合适的锻造、轧制等工艺参数和工艺方法.利用普通的锻造和轧制设备,成功制备了良好的约 1.5 mm厚的 Fe3Si基合金薄板,制备过程中典型的微观组织变化如下:铸态组织的晶粒较大且很不均匀;锻造组织为通过再结晶而形成的晶粒较细且均匀的等轴状组织;轧态组织为纤维组织. 展开更多
关键词 Fe3Si基合金 温轧 再结晶 硅化铁基合金 板材
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β-FeSi_2热电材料的性能优化及测试方法 被引量:10
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作者 朱铁军 赵新兵 《材料科学与工程》 CSCD 1999年第4期55-59,共5页
本文讨论了β-FeSi2热电材料的微观组织结构特征、合金成分、掺杂和晶粒细化对β-FeSi2热电性能的影响,并给出了根据Harm an 方法自制的材料热电性能测量装置的原理与测量方法。
关键词 Β-FESI2 热电材料 热电性能 性能优化 硅化铁
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βFeSi_2的高压研究
6
作者 李延春 刘景 +5 位作者 曹立民 董宇辉 李晓东 南云 高振山 王文魁 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期224-226,共3页
对 β FeSi2 晶体进行了原位X射线衍射高压研究。利用同步辐射X射线衍射原位研究了 β FeSi2 的高压相演化 ,发现压力在 4 3GPa时出现相变 ,在 2 5 8GPa时相变完成。指标化结果表明 :经高压处理后得到的产物具有四方结构 ,其晶格常数为... 对 β FeSi2 晶体进行了原位X射线衍射高压研究。利用同步辐射X射线衍射原位研究了 β FeSi2 的高压相演化 ,发现压力在 4 3GPa时出现相变 ,在 2 5 8GPa时相变完成。指标化结果表明 :经高压处理后得到的产物具有四方结构 ,其晶格常数为 :a =b =1 0 0 4 9nm ,c =0 3394nm。 展开更多
关键词 Β-FESI2 高压 同步辐射 硅化铁 半导体材料
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Mn,Co添加Fe_(1-x)M_xSi_2烧结体的β相转移和稳定性研究
7
作者 崔湘浩 田元益 魏长平 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第12期1954-1956,共3页
In this paper, p type Fe 1- x Mn x Si 2( x =0—0 12) and n type Fe 1-y Co y Si 2( y =0—0 12) were synthesized by means of ceramic technology. The influence of additive amounts of Mn and Co, and heat treatment on the ... In this paper, p type Fe 1- x Mn x Si 2( x =0—0 12) and n type Fe 1-y Co y Si 2( y =0—0 12) were synthesized by means of ceramic technology. The influence of additive amounts of Mn and Co, and heat treatment on the amounts of β phase formed were studied. Experimental results indicate that addition of Mn and Co could inhibit the amounts and velocity of phase formation. High relative density( D r) of p type Fe 1- x Mnx Si 2 and n type Fe 1-y Co y Si 2 causes excellent corrosion resistance and heat resistance which are beneficial for manufacture of thermoelectric components. 展开更多
关键词 热电材料 硅化铁烧结 β相转移 稳定性
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离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征
8
作者 吴正龙 杨锡震 秦复光 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期206-211,共6页
用电子能谱分析方法对低能离子束外延(IBE)生长的β-FeSi2进行了详细研究,并对其电子能谱进行了表征.实测出XPS价带谱与有关理论计算结果相符,用XPS价带谱来表征β-FeSi2比光电子峰更为清晰、可取.同时,对样品纵向分析表明界面... 用电子能谱分析方法对低能离子束外延(IBE)生长的β-FeSi2进行了详细研究,并对其电子能谱进行了表征.实测出XPS价带谱与有关理论计算结果相符,用XPS价带谱来表征β-FeSi2比光电子峰更为清晰、可取.同时,对样品纵向分析表明界面处存在有较厚的过渡层.根据分析结果对低能IBE生长机理进行了探讨.经研究认为:Fe,Si通过空位机制进行的增强互扩散,在高温下生长出与St晶格相匹配的β-FeSi2. 展开更多
关键词 电子能谱 离子束外延 增强扩散 硅化铁 薄膜
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退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响 被引量:2
9
作者 梁艳 谢泉 +4 位作者 曾武贤 张晋敏 杨吟野 肖清泉 任雪勇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期373-375,共3页
采用磁控溅射的方法,在高真空条件下,沉积金属Fe到Si(100)衬底上,然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理,直接形成了β-FeSi2薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)对样品进行了晶体结构分析,利用卢瑟福背散射(RBS)对Fe... 采用磁控溅射的方法,在高真空条件下,沉积金属Fe到Si(100)衬底上,然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理,直接形成了β-FeSi2薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)对样品进行了晶体结构分析,利用卢瑟福背散射(RBS)对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究,利用扫描电镜(SEM)对样品表面的显微结构进行表征,结果表明,在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi2薄膜,超过这一温度β相将开始向α相转化,到1000℃,β-FeSi2全部转化为α-FeSi2。 展开更多
关键词 硅化 退火温度 β-FeSi2薄膜 XRD SEM RBS
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Entrapment of Inclusions in Diamond Crystals Grown from Fe-Ni-C System
10
作者 Yuxian LIU, Limei XIAO and Longwei YINCollege of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan 250061, China 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第2期171-172,共2页
Diamond single crystals grown from Fe-Ni-C system at high temperature-high pressure (HPHT) usually contain inclusions related to the metallic catalyst. During the diamond growth, the metallic inclusions are trapped by... Diamond single crystals grown from Fe-Ni-C system at high temperature-high pressure (HPHT) usually contain inclusions related to the metallic catalyst. During the diamond growth, the metallic inclusions are trapped by the growth front or are formed through reaction between the contaminants trapped in the diamond. In the present paper, the metallic inclusions related to the catalyst were systematically examined by transmission electron microscopy (TEM). The chemical composition and crystal structure of the metallic inclusions were for the first time determined by selected area electron diffraction pattern (SADP) combined with energy dispersive X-ray spectrometry (EDS). It is shown that the inclusions are mainly composed of orthorhombic FeSi2, fcc (FeNi)23C6, and orthorhombic Fe3C, hexagonal Ni3C. 展开更多
关键词 人造金刚石晶体 晶体生长 碳体系 杂质 碳化镍 硅化铁 扫描电子显微镜
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FeSi掺杂的MnNiO热敏材料的研究
11
作者 李芳孝 宋世庚 陶明德 《新疆大学学报(自然科学版)》 CAS 1996年第2期57-60,共4页
本文采用FeSi掺杂的办法,在材料常数B值改变较小的情况下.明显的提高了热敏材料的电阻率,为获得具有较大实用价值的热敏电阻提供了非常有效的方法.通过分析表明:FeSi和MnNiO发生反应,有利于尖晶石结构的形成.复阻... 本文采用FeSi掺杂的办法,在材料常数B值改变较小的情况下.明显的提高了热敏材料的电阻率,为获得具有较大实用价值的热敏电阻提供了非常有效的方法.通过分析表明:FeSi和MnNiO发生反应,有利于尖晶石结构的形成.复阻抗分析和X-RAY分析均表明:纯MnNiO为复相结构(包括NiO和Mn3O4),而FeSi掺杂的MnNiO为尖晶石固溶体其中Si以SiO2的形式存在晶界中.因此,复阻抗分析为材料的相成分分析提供了新的手段. 展开更多
关键词 硅化铁 掺杂 热敏材料 MnNiO 电阻率 热敏电阻
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加Y和Y_2O_3对β-FeSi_2热电性能的影响
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作者 启明 《金属功能材料》 CAS 2005年第2期4-4,共1页
关键词 Β-FESI2 热电性能 Y2O3 发电方法 振动和噪声 热电发电 原料来源 抗氧化性 热电材料 实用价值 高电阻率 热电动势 无公害 硅化铁 半导体 无毒性 导热率
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微处理器芯片技术的发展及展望
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作者 施劲松 胡越明 《微型电脑应用》 2002年第12期5-6,11,共3页
作为计算机核心的微处理器芯片问世至今三十多年以来,式样不断翻新,产品性能突飞猛进,有力的带动了信息产业发展。本文回顾了三十年以来从4004微处理器到当今Pentium4的技术发展历程,从芯片所用材料的变更、封装技术及光布线技术发展的... 作为计算机核心的微处理器芯片问世至今三十多年以来,式样不断翻新,产品性能突飞猛进,有力的带动了信息产业发展。本文回顾了三十年以来从4004微处理器到当今Pentium4的技术发展历程,从芯片所用材料的变更、封装技术及光布线技术发展的角度进一步探讨,展望了微处理器芯片未来的发展趋势。 展开更多
关键词 微处理器 晶体管 铜布线工艺 耗电量 光布线 光纤连接 硅化 集成电路芯片
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关注计算机的核心——计算机芯片的发展
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作者 施劲松 《集成电路应用》 2002年第5期11-12,共2页
微处理器芯片是计算机的核心,问世至今三十多年以来,式样不断翻新,产品性能突飞猛进,有力地带动了信息产业发展。本文回顾了三十年以来从4004微处理器到当今Pentium4的发展历程,从芯片所用材料的变更、封装技术及光布线技术发展的角度... 微处理器芯片是计算机的核心,问世至今三十多年以来,式样不断翻新,产品性能突飞猛进,有力地带动了信息产业发展。本文回顾了三十年以来从4004微处理器到当今Pentium4的发展历程,从芯片所用材料的变更、封装技术及光布线技术发展的角度进一步探讨和展望了微处理器未来的发展趋势。 展开更多
关键词 计算机芯片 微处理器 铜布线工艺 耗电量 无电极表面积层 光布线 光纤连接 β硅化
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用于半导体制备的6N超纯铁
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作者 邓志杰 《现代材料动态》 2002年第5期9-9,共1页
关键词 半导体 制备 6N超纯 阴离子交换 超纯金属 硅化铁
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一种新型光电材料──β-FeSi_2的结构,光电特性及其制备 被引量:8
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作者 王连卫 陈向东 +1 位作者 林成鲁 邹世昌 《物理》 CAS 北大核心 1995年第2期83-89,共7页
B-FeSi2是近年来发展起来的新型硅基光电材料。详细介绍了B-FeSi2的结构,电学、光学性质以及它的制备技术。对目前存在的问题以及未来的研究动向作了简要的讨论。
关键词 光电材料 结构 光电特性 制备 硅化铁
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离子注入合成β-FeSi_2薄膜的显微结构 被引量:6
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作者 李晓娜 聂冬 +3 位作者 董闯 马腾才 金星 张泽 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期115-124,共10页
采用MEVVA源 (MetalVaporVacuumArcIonSource)离子注入合成 β FeSi2 薄膜 ,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下 β FeSi2 薄膜的显微结构变化 .研究结果表明 :调整注入能量和剂量 ,可以得到厚度不同的β FeSi2 表面层和... 采用MEVVA源 (MetalVaporVacuumArcIonSource)离子注入合成 β FeSi2 薄膜 ,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下 β FeSi2 薄膜的显微结构变化 .研究结果表明 :调整注入能量和剂量 ,可以得到厚度不同的β FeSi2 表面层和埋入层 .制备过程中生成的α ,β ,γ和CsCl型FeSi2 相的相变顺序为γ FeSi2 →β FeSi2 →α FeSi2 ,CsCl FeSi2 →β FeSi2 →α FeSi2 或 β FeSi2 →α FeSi2 .当注入参数增加到 60kV ,4× 10 1 7ions cm2 ,就会导致非晶的形成 ,非晶在退火后会晶化为 β FeSi2 相 ,相变顺序就变为非晶→β FeSi2 →α FeSi2 .随退火温度逐渐升高硅化物颗粒逐渐长大 ,并向基体内部生长 ,在一定的退火温度下硅化物层会收缩断裂为一个个小岛状 ,使得硅化物 硅界面平整度下降 .另外 ,对于 β FeSi2 Si界面取向关系的研究表明 ,在Si基体上难以形成高质量 β FeSi2 薄膜的原因在于多种非共格取向关系的并存。 展开更多
关键词 Β-FESI2 半导体薄膜 金属硅化 离子注入 透射电子显微镜 显微结构 硅化铁
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β-FeSi2基热电材料中原位生成弥散分布的氮化物颗粒
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《科技开发动态》 2004年第9期52-53,共2页
关键词 硅化铁基热电材料 氮化物颗粒 弥散分布 氮气 原位反应
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含弥散分布氮化物颗粒的p-型β-FeSi2基热电材料
19
《科技开发动态》 2004年第9期52-52,共1页
关键词 弥散分布 氮化物颗粒 硅化铁基热电材料 热导率
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