不同特征频率高频硅双极晶体管静电放电机器模型敏感特性 被引量：3

1

作者 张希军 董康宁 杨洁 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1631-1636,共6页

为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律,选取了12种典型的高频硅双极晶体管进行静电放电效应试验。试验结果表明:由于发射极E基极B之间的PN结(EB结)基区宽度比集电极C和基极B之间... 为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律,选取了12种典型的高频硅双极晶体管进行静电放电效应试验。试验结果表明:由于发射极E基极B之间的PN结(EB结)基区宽度比集电极C和基极B之间的PN结(CB结)窄,因而反偏注入MM ESD时,高频硅硅双极晶体管(BJT)的ESD最敏感端对是EB反偏结;当特征频率fT=600 MHz时,失效电压最大,并且随着fT的升高或降低,器件的失效电压逐渐减小;随着注入电压的升高,当fT≤600 MHz时,共发射极电流增益hFE突变至失效,当fT>600MHz时,hFE渐变至失效。该研究结果对于分析高频硅BJT在ESD作用下的敏感特性具有指导意义。 展开更多

关键词 硅双极晶体管 静电放电 机器模型 特征频率 基区宽度 电流增益

原文传递

一种高性能的低温硅双极晶体管 被引量：1

2

作者 郭维廉 郑云光 +1 位作者 李树荣 张咏梅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第8期30-35,共6页

本文设计并研制出在液氮温度（７７Ｋ）下，ｈＦＥ≈３００；在１０Ｋ下，ｈＦＥ＝２１．７的高性能硅双极晶体管，此值优于文献报导的水平［７］．测量了该器件在７７Ｋ的ＩＣ，ＩＢ－ＶＢＥ特性和ｈＦＥ－１／Ｔ特性，并对这些曲线的... 本文设计并研制出在液氮温度（７７Ｋ）下，ｈＦＥ≈３００；在１０Ｋ下，ｈＦＥ＝２１．７的高性能硅双极晶体管，此值优于文献报导的水平［７］．测量了该器件在７７Ｋ的ＩＣ，ＩＢ－ＶＢＥ特性和ｈＦＥ－１／Ｔ特性，并对这些曲线的解释进行了新的理论探讨。 展开更多

关键词 低温 晶体管 硅双极晶体管

下载PDF 职称材料

硅双极晶体管直流特性低温效应的研究 被引量：2

3

作者 郑茳 王曙 +3 位作者 王燕 吴金 魏同立 童勤义 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期173-179,共7页

从理论和实验上研究了硅双极晶体管直流特性的低温效应,建立了不同发射结结深的硅双极晶体管电流增益的温度模型,讨论了不同工作电流下H_(FE)的温度特性,并分析了大电流下基区展宽效应的温度关系。

关键词 低温 硅双极晶体管 直流特性

下载PDF 职称材料

低温硅双极晶体管电流增益研究 被引量：1

4

作者 李彦波 薄仕群 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期32-36,共5页

着重分析了多晶硅发射极对提高电流增益的作用和低温下集电区中性杂质碰撞电离引起的电流倍增效应。导出多晶硅发射极晶体管电流增益的表达式，很好地解释了实验结果。

关键词 硅双极晶体管 电流倍增 多晶硅发射极

下载PDF 职称材料

低温高注入硅双极晶体管电流增益的定量模拟

5

作者 肖志雄 魏同立 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期83-86,共4页

本文考虑了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高注入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００Ｋ时与... 本文考虑了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高注入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００Ｋ时与集电极电流的关系，并且与实验结果相吻合，计算还表明在低温７７Ｋ时，电流增益的大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在３００Ｋ时则由有效基区展宽效应决定。 展开更多

关键词 硅双极晶体管 电流增益 低温 高注入 定量模拟

下载PDF 职称材料

低温高注入硅双极晶体管电流增益和特征频率的定量模拟

6

作者 肖志雄 魏同立 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期42-49,共8页

本文定量地模拟了硅双极晶体管电流增益和特征频率与集电极电流在77K和300K时的关系，计算结果与实验相吻合．结果表明在77K时，电流增益大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在300K时则由有效基区展宽效应决定，... 本文定量地模拟了硅双极晶体管电流增益和特征频率与集电极电流在77K和300K时的关系，计算结果与实验相吻合．结果表明在77K时，电流增益大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在300K时则由有效基区展宽效应决定，特征频率在300K时主要由基区渡越时间决定，而在77K时，由于发射区禁带变窄效应非常明显，以至于发射区少于存贮时间可能成为主要因素．低温下特征频率蜕变的主要原因是禁带变窄效应，而不是低温浅能级杂质陷阱效应． 展开更多

关键词 硅双极晶体管 电流增益 特征频率

下载PDF 职称材料

低温下硅双极晶体管击穿电压的温度特性与分析

7

作者 李彦波 薄仕群 张旭东 《半导体情报》 1997年第4期39-42,共4页

给出了从２００～１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释。

关键词 硅双极晶体管 低温 击穿电压

下载PDF 职称材料

收集区局部掺杂的硅双极晶体管的二维数值分析

8

作者 林绪伦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期754-758,共5页

对于硅ＮＰＮ晶体管中新型的收集区局部掺杂结构以及常规的收集区均匀掺杂结构，本义采用数值分析，计算出这两种结构的晶体管内部的电势及电场的：二维分布．结果表明：在常规结构中，其浓硼扩散结的弯曲边缘处存在着电场集中效应，收... 对于硅ＮＰＮ晶体管中新型的收集区局部掺杂结构以及常规的收集区均匀掺杂结构，本义采用数值分析，计算出这两种结构的晶体管内部的电势及电场的：二维分布．结果表明：在常规结构中，其浓硼扩散结的弯曲边缘处存在着电场集中效应，收集极雪崩出穿电压ＢＶｃｂｏ深受这种效应的影响．而在新型结构中，上述电场集中效应不复存在，其收集极雪崩击穿电压ＢＶｃｂｏ获得了明显的改善． 展开更多

关键词 硅双极晶体管 晶体管 掺杂 收集区 数值分析

下载PDF 职称材料

硅双极晶体管失效分析举例

9

作者 申云琴 王娟萍 《电子与自动化仪表信息》 1989年第4期2-4,共3页

关键词 硅双极晶体管 失效分析 功率晶体管

下载PDF 职称材料

77K多晶硅发射区双极型晶体管 被引量：3

10

作者 郑茳 王曙 +3 位作者 王燕 吴金 魏同立 童勤义 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第8期23-28,共6页

本文介绍了适于77K工作的多晶硅发射区双极型晶体管,给出了在不同工作电流条件下的电流增益的温度模型。结果表明在小电流条件下电流增益随温度下降而下降得更为剧烈,并且讨论了在不同注入情况下,浅能级杂质的陷阱作用对截止频率的影响。

关键词 77K 硅双极晶体管 发射区

下载PDF 职称材料

1．2～1．4GHz370W硅双极型晶体管研制 被引量：3

11

作者 刘洪军 王建浩 +5 位作者 丁晓明 高群 冯忠 庸安明 严德圣 蒋幼泉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期124-128,共5页

通过进一步优化芯片设计与工艺设计，研制出L波段370W硅双极型功率晶体管。该器件在42V工作电压下，脉宽150μs，占空比10％，频率1．2～1．4GHz全带内，输出功率可达370W以上，增益达8．7dB，效率大于55％，具有良好的抗失配性能。

关键词 硅双极型晶体管 L波段 脉冲功率管

下载PDF 职称材料

静电放电对高频小功率硅晶体管的双重作用

12

作者 杨洁 刘升 +1 位作者 武占成 张希军 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2010年第5期590-593,共4页

为了深入研究静电放电对双极晶体管的作用效应是否发生改变,对目前广泛使用的高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效进行了实验分析.采用相应的静电放电模拟器,进行不同电压的静电放电注入实验再配合加速寿命实验,一方面验证了低于失效... 为了深入研究静电放电对双极晶体管的作用效应是否发生改变,对目前广泛使用的高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效进行了实验分析.采用相应的静电放电模拟器,进行不同电压的静电放电注入实验再配合加速寿命实验,一方面验证了低于失效阈值的静电放电注入可能在该类晶体管内部造成潜在性失效,另一方面发现静电放电的注入也可能类似退火,对部分该类晶体管起到了训练加固的作用. 展开更多

关键词 硅双极晶体管 静电放电 潜在性失效 加固 高频小功率

下载PDF 职称材料

硅双极型晶体管的可缩放MEXTRAM模型及参数提取

13

作者 池毓宋 黄风义 +1 位作者 张少勇 吴忠洁 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期445-448,共4页

文章在分析Mextram模型缩放性的基础上,介绍了可缩放Mextram模型的参数提取方法。结合不同几何尺寸的硅双极型晶体管的测试数据,进行了参数提取。得到的可缩放Mextram模型的仿真结果与测试数据吻合得很好。

关键词 硅双极型晶体管 Mextram 可缩放模型 参数提取

下载PDF 职称材料

高频小功率硅双极器件ESD潜在失效的无损检测方法 被引量：6

14

作者 杨洁 殷中伟 +2 位作者 张希军 王振兴 武占成 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期164-169,共6页

目前国内外研究人员多集中于研究MOS器件和GaAs器件的静电放电(ESD)潜在性失效,而对高频小功率硅双极晶体管的静电放电潜在性失效则研究较少。为此,参考国内外研究人员的研究结果,选择采用高温反偏法、低频噪声法以及电参数测量法来对... 目前国内外研究人员多集中于研究MOS器件和GaAs器件的静电放电(ESD)潜在性失效,而对高频小功率硅双极晶体管的静电放电潜在性失效则研究较少。为此,参考国内外研究人员的研究结果,选择采用高温反偏法、低频噪声法以及电参数测量法来对高频小功率硅双极晶体管静电放电潜在性失效的无损检测方法进行了较为细致的分析研究。通过详细比较后可以确定,高温反偏法和低频噪声法均不能用来检测高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效,也就更不能用来检测判别此类器件的静电放电潜在性失效。最后,通过对多个电参数的测量与对比发现,高频小功率硅双极晶体管集电极-基极反偏结漏电流的大范围变化可以表征此类器件静电放电潜在性失效的存在。 展开更多

关键词 静电放电(ESD) 潜在性失效 硅双极晶体管 检测方法 高频小功率 低频噪声 漏电流

原文传递

微波硅功率双极型管脉冲顶降和增益压缩特性分析

15

作者 傅义珠 盛国兴 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期371-376,共6页

对影响微波硅功率双极型晶体管脉冲波形顶降、顶升和增益压缩特性的器件设计、工艺和使用因素进行了分析。脉冲顶降的本质原因是结温上升,结温又同芯片特性、内匹配电路与芯片键合一致性密切相关;脉冲顶降还与器件在电路中的工作状态相... 对影响微波硅功率双极型晶体管脉冲波形顶降、顶升和增益压缩特性的器件设计、工艺和使用因素进行了分析。脉冲顶降的本质原因是结温上升,结温又同芯片特性、内匹配电路与芯片键合一致性密切相关;脉冲顶降还与器件在电路中的工作状态相关。脉冲顶升主要是与肖特基势垒接触和较低的器件工作温度有关;影响增益压缩的主要原因是电流饱和与电压饱和,其次还与基区宽变效应、大注入效应和工作状态等因素相关。从器件设计、工艺和电路应用等方面提出了改进器件脉冲顶降和增益压缩特性的途径。 展开更多

关键词 微波 硅功率双极型晶体管 脉冲顶降 增益压缩

下载PDF 职称材料

基于晶体三极管的不同中子能谱等效性实验研究 被引量：3

16

作者 鲁艺 邱东 +1 位作者 邹德惠 荣茹 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期60-65,共6页

辐射损伤等效性系数是评价不同中子能谱对样品的实验损伤差异的关键。利用晶体管直流增益的倒数与中子注量呈线性关系这一特点,采用参数一致性好的硅双极晶体管3DG121C作为位移损伤探测器,通过在线监测晶体管直流增益随累积中子注量的变... 辐射损伤等效性系数是评价不同中子能谱对样品的实验损伤差异的关键。利用晶体管直流增益的倒数与中子注量呈线性关系这一特点,采用参数一致性好的硅双极晶体管3DG121C作为位移损伤探测器,通过在线监测晶体管直流增益随累积中子注量的变化,分别获得了CFBR-II堆两个特定位置的损伤常数,推导出了不同中子能谱间的辐射损伤等效系数。结果表明,CFBR-II不同位置的辐射损伤没有显著差异。 展开更多

关键词 辐射效应 损伤常数 等效性系数 硅双极晶体管 快中子临界装置

原文传递

掺杂多晶硅发射极技术研究

17

作者 聂卫东 梅海军 +1 位作者 范建超 孔德义 《微电子技术》 1998年第3期30-36,共7页

本文讨论了掺杂多晶硅发射极工艺技术中的关键影响因素：LPCVD条件、多晶硅股厚、前处理方法、多晶硅膜形成以后的运火状态，并给出了实验结果及流行的理论解释，为采用多晶硅发射极技术进行的集成电路生产和科研提供了一定的参考和技... 本文讨论了掺杂多晶硅发射极工艺技术中的关键影响因素：LPCVD条件、多晶硅股厚、前处理方法、多晶硅膜形成以后的运火状态，并给出了实验结果及流行的理论解释，为采用多晶硅发射极技术进行的集成电路生产和科研提供了一定的参考和技术支撑。 展开更多

关键词 多晶硅发射极 硅双极晶体管 LPCVD放大倍数 发射极电阻

下载PDF 职称材料

Sirenza优质LDMOS功率晶体管介绍

18

《电视技术》 北大核心 2007年第8期49-49,共1页

LDMOS是横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateral double—dif fused MOSFET）的简称。LDMOS制造工艺结合了硅双极晶体管制造工艺和砷化镓制造工艺。与标准MOS工艺不同的是，在器件封装上，LDMOS没有采用BeO氧化铍隔离层... LDMOS是横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateral double—dif fused MOSFET）的简称。LDMOS制造工艺结合了硅双极晶体管制造工艺和砷化镓制造工艺。与标准MOS工艺不同的是，在器件封装上，LDMOS没有采用BeO氧化铍隔离层，而是直接硬焊接在衬底上，导热性能得到较大改善，提高了器件的耐高温性，大大延长了器件寿命。 展开更多

关键词 LDMOS 功率晶体管 金属氧化物半导体场效应管 优质 制造工艺 硅双极晶体管 器件封装 MOS工艺

下载PDF 职称材料

硅微波BJT集电极-发射极漏电的失效机理分析

19

作者 胡顺欣 李明月 +1 位作者 苏延芬 邓建国 《电子工业专用设备》 2015年第7期18-22,共5页

介绍了硅微波双极晶体管中一种集电极-发射极漏电的失效模式,着重从芯片制造工艺方面研究了失效机理。建立了RIE等离子体刻蚀等效电容模型,研究了电容介质隧穿/击穿诱发的工艺损伤和接触孔侧壁角度对Pt Si的影响。结果表明:RIE干法刻蚀... 介绍了硅微波双极晶体管中一种集电极-发射极漏电的失效模式,着重从芯片制造工艺方面研究了失效机理。建立了RIE等离子体刻蚀等效电容模型,研究了电容介质隧穿/击穿诱发的工艺损伤和接触孔侧壁角度对Pt Si的影响。结果表明:RIE干法刻蚀在接触孔局部诱发Si损伤,接触孔侧壁角度减小导致参与合金的Pt总量增加,部分Pt沿此通道穿透发射结进入中性基区形成深能级陷阱,在高反偏集电极-发射极电压VCE作用下进入扩展的集电结空间电荷区,增加了空间电荷区电子-空穴对的产生率和集电结反偏电流ICO,形成快速增大的集电极-发射极漏电流ICEO,导致芯片失效。 展开更多

关键词 硅微波双极晶体管 介质击穿/隧穿 等离子体充电效应 等离子体损伤 PtSi合金

下载PDF 职称材料

功率晶体管匹配电路特性的两种测试方法

20

作者 马景芳 《电子世界》 2020年第16期138-139,共2页

现代射频和微波通信系统中,处于射频和微波发射机的功率放大器特性的精确表征至关重要。从传统的硅双极晶体管到砷化镓功率晶体管、LDMOS功率晶体管,乃至最新的大功率碳化硅和氮化镓功率晶体管,放大器设计人员为了从晶体管中获取越来越... 现代射频和微波通信系统中,处于射频和微波发射机的功率放大器特性的精确表征至关重要。从传统的硅双极晶体管到砷化镓功率晶体管、LDMOS功率晶体管,乃至最新的大功率碳化硅和氮化镓功率晶体管,放大器设计人员为了从晶体管中获取越来越大的功率电平,就需要精确表征其在工作状态下的特性参数。 展开更多

关键词 功率晶体管 微波通信系统 微波发射机 功率放大器 放大器设计 硅双极晶体管 功率电平 氮化镓

下载PDF 职称材料