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CVD外延锗锡及其光电探测器最新研究进展 被引量：1
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作者 苗渊浩 王桂磊 +4 位作者 孔真真 赵雪薇 芦宾 董林鹏 RADAMSON H H 《微纳电子与智能制造》 2021年第1期129-135,共7页
锗锡具有吸收系数高、直接带隙发光效率高、可用CVD生长、器件制备与硅工艺兼容等优势,是非常重要的硅基光电子材料。锗锡CVD生长技术及其探测器在理论意义和长远的军民用价值,受到欧美军事部门及政府机构的广泛资助。综述了锗锡CVD生... 锗锡具有吸收系数高、直接带隙发光效率高、可用CVD生长、器件制备与硅工艺兼容等优势,是非常重要的硅基光电子材料。锗锡CVD生长技术及其探测器在理论意义和长远的军民用价值,受到欧美军事部门及政府机构的广泛资助。综述了锗锡CVD生长技术的研究历史、生长难点与发展趋势。基于CVD技术生长的锗锡,并结合锗锡探测器的发展史,探讨了高性能锗锡探测器在短波红外(SWIR)、中波红外(MWIR)和长波红外(LWIR)波段应用所面临的关键科学问题,强调了锗锡单光子雪崩光电二极管(SPAD)的优势及其在量子计算、激光雷达和无人驾驶等领域的应用前景。 展开更多
关键词 锗锡 CVD 探测器 硅工艺兼容
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