期刊导航
期刊开放获取
重庆大学
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
5
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管
1
作者
陈福元
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期50-51,共2页
本文介绍硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管工艺，结合光刻门极化学挖槽技术，简化制管工序，改善了器件的电性能指标。
关键词
硅片粘合
杂质扩散
晶闸管
下载PDF
职称材料
适合于制作绝缘体上硅的硅片粘合技术及其应用
2
作者
龚裕才
邹修庆
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995年第2期48-50,共3页
本文介绍了将我们开发的硅片粘合技术与传统Ｖ形槽隔离工艺相结合而研制成功的一种新的介质隔离方法。文中指出了传统Ｖ形槽介质隔离方法的不足，给出了新的介质隔离方法的工艺路线，介绍了该方法在抗辐照集成稳压器中的应用。
关键词
介质隔离
集成电路
硅
硅片粘合
绝缘体
下载PDF
职称材料
适用于制作绝缘体上硅的硅片粘合技术
3
作者
W.P.Maszara
岳和平
《微电子学》
CAS
CSCD
1989年第5期57-64,共8页
本文从几个方面探讨了一种应用粘合二氧化硅片制作绝缘体上硅的新技术。粘合是通过将一对亲水表面相互贴合的硅片置于惰性气体中加热来实现的。提出了一种以裂解传播理论为基础的适用于计算粘合表面能的定量方法。研究发现粘合强度随着...
本文从几个方面探讨了一种应用粘合二氧化硅片制作绝缘体上硅的新技术。粘合是通过将一对亲水表面相互贴合的硅片置于惰性气体中加热来实现的。提出了一种以裂解传播理论为基础的适用于计算粘合表面能的定量方法。研究发现粘合强度随着粘合温度的升高而增加,从室温下的60～85尔格/cm^2升到1400℃时的2 200尔格/cm^2。粘合强度基本上与键合时间无关。通过800℃退火10分钟达到的机械强度,足以承受为获得所需厚度而对上面硅片进行的机械或化学减薄加工以及随后的器件制作工序。提出了一种模型解释在实验温度范围内粘合的三种明显状态。采用金属-氧化物-半导体(MOS)电容器来测试粘合的电特性,其结果与在粘合界面处的负电行密度约10^(11)cm^(-2)一致。采用两次深腐蚀工艺将芯片低薄到希望的厚度,其厚度均匀性在 4英寸硅片上为± 20nm。剩余硅层中的线位错密度是10~2～10~3cm^(-2),残留的掺杂剂浓度少于5×10^(15)cm^(-3),两者都是腐蚀阻挡层的剩余物。在20～100mm厚的硅层上制作的互补金属-氧化物-半导体(CMOS)器件具有 60mV/dec亚阈值斜率(包括n沟和p沟MOS晶体管)。有效载流子寿命在80nm和300nm厚硅膜中是15～20μs。在硅膜覆盖的氧化层界面上的界面态密度是≥5 ×10^(10)cm(-2)。
展开更多
关键词
绝缘体上硅
硅片粘合
制备
下载PDF
职称材料
采用硅片粘合和内向腐蚀法制作的CMOS/SOI器件的辐射响应
4
作者
L.J.Palkuti
武俊齐
《微电子学》
CAS
CSCD
1989年第5期70-74,共5页
研究了采用硅片粘接和先用金刚石研磨、然后用非接触抛光的腐蚀方法(BE-SOI)制作薄膜SOI的制造工艺和这种膜的缺陷特性。制作了一些MOS器件,并测试了它们在辐射前后的电特性。采用TEM进行的分析表明。、这种BESOI膜无缺陷。CMOS器件具...
研究了采用硅片粘接和先用金刚石研磨、然后用非接触抛光的腐蚀方法(BE-SOI)制作薄膜SOI的制造工艺和这种膜的缺陷特性。制作了一些MOS器件,并测试了它们在辐射前后的电特性。采用TEM进行的分析表明。、这种BESOI膜无缺陷。CMOS器件具有很高的迁移率和很低的漏电流(小于1.0pA/微米)。这些器件的上表面和边缘的氧化层的辐射响应与体硅器件相近。在10兆拉德(SiO_2)剂量的辐射下,正电荷俘获和界面陷阱产生分别为-0.8和0.8V。
展开更多
关键词
硅片粘合
内向腐蚀
CMOS/SOI器件
下载PDF
职称材料
BESOI薄膜的缺陷分析和应力研究
被引量：
1
5
作者
蒋美萍
黄宜平
李金华
《微电子学》
CAS
CSCD
1996年第3期156-159,共4页
用机械减薄和氧化剥层法获得表层硅厚度约０．４μｍ的ＢＥＳＯＩ薄膜。对这种薄膜用Ｓｅｃｃｏ腐蚀液腐蚀并分析了缺陷种类，计量了缺陷密度。用波长为０．５１４５μｍ的激光Ｒａｍａｎ谱测量了ＢＥＳＯＩ薄膜和界面附近的应力密度。...
用机械减薄和氧化剥层法获得表层硅厚度约０．４μｍ的ＢＥＳＯＩ薄膜。对这种薄膜用Ｓｅｃｃｏ腐蚀液腐蚀并分析了缺陷种类，计量了缺陷密度。用波长为０．５１４５μｍ的激光Ｒａｍａｎ谱测量了ＢＥＳＯＩ薄膜和界面附近的应力密度。结果表明，该薄膜的主要缺陷为氧化层错，密度约１．８×１０３／ｃｍ２，总的缺陷密度为２．６×１０３／ｃｍ２，张应力密度δ≤５×１０３Ｎ／ｃｍ２。
展开更多
关键词
半导体材料
SOI
硅片粘合
缺陷
BESOI薄膜
下载PDF
职称材料
题名
硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管
1
作者
陈福元
机构
浙江大学功率器件研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期50-51,共2页
文摘
本文介绍硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管工艺，结合光刻门极化学挖槽技术，简化制管工序，改善了器件的电性能指标。
关键词
硅片粘合
杂质扩散
晶闸管
分类号
TN340.5 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
适合于制作绝缘体上硅的硅片粘合技术及其应用
2
作者
龚裕才
邹修庆
机构
重庆电子工业部第
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995年第2期48-50,共3页
文摘
本文介绍了将我们开发的硅片粘合技术与传统Ｖ形槽隔离工艺相结合而研制成功的一种新的介质隔离方法。文中指出了传统Ｖ形槽介质隔离方法的不足，给出了新的介质隔离方法的工艺路线，介绍了该方法在抗辐照集成稳压器中的应用。
关键词
介质隔离
集成电路
硅
硅片粘合
绝缘体
Keywords
SOI,Dielectric isolation,Radiation hardening,Integrated voltage regulator
分类号
TN405.95 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
适用于制作绝缘体上硅的硅片粘合技术
3
作者
W.P.Maszara
岳和平
机构
联合信号航宇公司
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1989年第5期57-64,共8页
文摘
本文从几个方面探讨了一种应用粘合二氧化硅片制作绝缘体上硅的新技术。粘合是通过将一对亲水表面相互贴合的硅片置于惰性气体中加热来实现的。提出了一种以裂解传播理论为基础的适用于计算粘合表面能的定量方法。研究发现粘合强度随着粘合温度的升高而增加,从室温下的60～85尔格/cm^2升到1400℃时的2 200尔格/cm^2。粘合强度基本上与键合时间无关。通过800℃退火10分钟达到的机械强度,足以承受为获得所需厚度而对上面硅片进行的机械或化学减薄加工以及随后的器件制作工序。提出了一种模型解释在实验温度范围内粘合的三种明显状态。采用金属-氧化物-半导体(MOS)电容器来测试粘合的电特性,其结果与在粘合界面处的负电行密度约10^(11)cm^(-2)一致。采用两次深腐蚀工艺将芯片低薄到希望的厚度,其厚度均匀性在 4英寸硅片上为± 20nm。剩余硅层中的线位错密度是10~2～10~3cm^(-2),残留的掺杂剂浓度少于5×10^(15)cm^(-3),两者都是腐蚀阻挡层的剩余物。在20～100mm厚的硅层上制作的互补金属-氧化物-半导体(CMOS)器件具有 60mV/dec亚阈值斜率(包括n沟和p沟MOS晶体管)。有效载流子寿命在80nm和300nm厚硅膜中是15～20μs。在硅膜覆盖的氧化层界面上的界面态密度是≥5 ×10^(10)cm(-2)。
关键词
绝缘体上硅
硅片粘合
制备
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
采用硅片粘合和内向腐蚀法制作的CMOS/SOI器件的辐射响应
4
作者
L.J.Palkuti
武俊齐
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1989年第5期70-74,共5页
文摘
研究了采用硅片粘接和先用金刚石研磨、然后用非接触抛光的腐蚀方法(BE-SOI)制作薄膜SOI的制造工艺和这种膜的缺陷特性。制作了一些MOS器件,并测试了它们在辐射前后的电特性。采用TEM进行的分析表明。、这种BESOI膜无缺陷。CMOS器件具有很高的迁移率和很低的漏电流(小于1.0pA/微米)。这些器件的上表面和边缘的氧化层的辐射响应与体硅器件相近。在10兆拉德(SiO_2)剂量的辐射下,正电荷俘获和界面陷阱产生分别为-0.8和0.8V。
关键词
硅片粘合
内向腐蚀
CMOS/SOI器件
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
BESOI薄膜的缺陷分析和应力研究
被引量：
1
5
作者
蒋美萍
黄宜平
李金华
机构
江苏石油化工学院功能材料实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1996年第3期156-159,共4页
文摘
用机械减薄和氧化剥层法获得表层硅厚度约０．４μｍ的ＢＥＳＯＩ薄膜。对这种薄膜用Ｓｅｃｃｏ腐蚀液腐蚀并分析了缺陷种类，计量了缺陷密度。用波长为０．５１４５μｍ的激光Ｒａｍａｎ谱测量了ＢＥＳＯＩ薄膜和界面附近的应力密度。结果表明，该薄膜的主要缺陷为氧化层错，密度约１．８×１０３／ｃｍ２，总的缺陷密度为２．６×１０３／ｃｍ２，张应力密度δ≤５×１０３Ｎ／ｃｍ２。
关键词
半导体材料
SOI
硅片粘合
缺陷
BESOI薄膜
Keywords
Semiconductor material
SOI
Wafer bonding
Defect
Stress
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管
陈福元
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994
0
下载PDF
职称材料
2
适合于制作绝缘体上硅的硅片粘合技术及其应用
龚裕才
邹修庆
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995
0
下载PDF
职称材料
3
适用于制作绝缘体上硅的硅片粘合技术
W.P.Maszara
岳和平
《微电子学》
CAS
CSCD
1989
0
下载PDF
职称材料
4
采用硅片粘合和内向腐蚀法制作的CMOS/SOI器件的辐射响应
L.J.Palkuti
武俊齐
《微电子学》
CAS
CSCD
1989
0
下载PDF
职称材料
5
BESOI薄膜的缺陷分析和应力研究
蒋美萍
黄宜平
李金华
《微电子学》
CAS
CSCD
1996
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
