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题名消除硅通孔侧壁刻蚀损伤的方法
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作者
康建波
商庆杰
王利芹
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《电子工艺技术》
2023年第4期10-12,43,共4页
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基金
国家强基项目(亚毫米波3D集成与系统验证)。
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文摘
硅通孔刻蚀是TSV技术的重要工序步骤,采用标准博世(Bosch)工艺刻蚀硅通孔(宽为150μm),发现硅通孔侧壁出现多处刻蚀损伤。通过优化Bosch工艺参数增加沉积保护,消除了硅通孔侧壁刻蚀损伤问题,通孔开口差值,即通孔下开口宽度与通孔上开口宽度的差,从原来的22μm减小到13μm。利用优化后的工艺配方对硅通孔和硅腔(宽为1 500μm)同时进行刻蚀时,发现硅腔刻蚀后会产生硅针,不能应用到实际生产。经过多轮次Bosch工艺参数调整,把Bosch工艺沉积步骤的偏置功率设置为10 W,同时解决了硅通孔侧壁刻蚀损伤和硅腔刻蚀出现硅针问题,最终成功应用到MEMS环形器系列产品当中。
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关键词
硅通孔刻蚀
TSV技术
Bosch工艺
刻蚀损伤
硅腔
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Keywords
silicon via etching
TSV technology
bosch process
etching damage
silicon cavity
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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