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用磁控溅射和真空硒化退火方法制备高质量的铜铟硒多晶薄膜 被引量：6
1
作者 谢大弢 赵夔 +5 位作者 王莉芳 朱凤 全胜文 孟铁军 张保澄 陈佳洱 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1377-1382,共6页
用双靶磁控溅射的方法在玻璃衬底上制备了Cu1 1 In9合金薄膜 ,然后将Cu1 1 In9合金薄膜封闭在石墨盒中进行真空硒化退火得到CuInSe2 薄膜 .用扫描电子显微镜 (SEM)和X射线粉末衍射 (XRD)对CuInSe2 薄膜进行了表征 ,结果表明CuInSe2 薄... 用双靶磁控溅射的方法在玻璃衬底上制备了Cu1 1 In9合金薄膜 ,然后将Cu1 1 In9合金薄膜封闭在石墨盒中进行真空硒化退火得到CuInSe2 薄膜 .用扫描电子显微镜 (SEM)和X射线粉末衍射 (XRD)对CuInSe2 薄膜进行了表征 ,结果表明CuInSe2 薄膜具有单一的晶相 ,均匀、致密的结构 ,以及粒径超过了 3μm的晶粒 . 展开更多
关键词 真空硒化退火 制备 铜铟硒多晶薄膜 磁控溅射 太阳能电池
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铜铟硒多晶薄膜太阳电池的制备技术 被引量：7
2
作者 姚若河 邹心遥 张红 《可再生能源》 CAS 北大核心 2003年第4期22-24,共3页
简述了铜铟硒多晶薄膜太阳电池的研究现状,讨论了其制备技术及其特点,给出了进一步研究和要解决的现存问题。
关键词 铜铟硒多晶薄膜 太阳电池 制备技术 异质结 硒化退火 蒸发法 溅射 夹层结构
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电沉积法制备CuInSe_2薄膜的组成与形貌 被引量：10
3
作者 张治安 刘芳洋 +3 位作者 吕莹 赖延清 李劼 刘业翔 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期560-566,共7页
采用电沉积法制备了CuInSe2薄膜材料,研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响。研究结果表明:最佳的沉积电位范围为-0.6～-0.8 V(vs SCE);硒化退火是获得高质量CuInSe2薄膜的必要过程,硒化退火温度应控制在440～610℃范围内;... 采用电沉积法制备了CuInSe2薄膜材料,研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响。研究结果表明:最佳的沉积电位范围为-0.6～-0.8 V(vs SCE);硒化退火是获得高质量CuInSe2薄膜的必要过程,硒化退火温度应控制在440～610℃范围内;在不同沉积电位和不同电解质浓度组成溶液中,通过电沉积并在500℃下硒化退火均可获得黄铜矿结构CuInSe2多晶薄膜;沉积电位的负移会使膜层中CuInSe2的相对含量增加,晶型完善,且杂相减少;随着电解质浓度的增加,电沉积CuInSe2退火后结晶程度变好,颗粒变得粗壮,致密性也有所改善;电沉积并硒化退火后薄膜中的铜铟摩尔比受沉积电位和电解质浓度影响较大,当沉积电位为-0.7和-0.8 V时,铜铟摩尔比约为1较为理想,且铜铟摩尔比的变化与电解液中CuCl2和InCl3的摩尔比变化一致。 展开更多
关键词 CuInSe2(CIS) 太阳电池 薄膜 电沉积 硒化退火
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电沉积CuInSe_2(CIS)薄膜材料的组成与形貌 被引量：3
4
作者 陶华超 杜晶晶 +1 位作者 龙飞 邹正光 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期165-168,共4页
采用乙醇为溶剂,通过恒电流的方法电沉积制备了CuInSe2薄膜材料,研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响,研究结果表明:最佳的沉积电流为-2mA(vs.SCE),且电流密度的增加有利于电位较负元素的沉积;沉积膜中元素的原子比与电解... 采用乙醇为溶剂,通过恒电流的方法电沉积制备了CuInSe2薄膜材料,研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响,研究结果表明:最佳的沉积电流为-2mA(vs.SCE),且电流密度的增加有利于电位较负元素的沉积;沉积膜中元素的原子比与电解液中的浓度比变化一致;硒化退火是获得高质量黄铜矿结构CuInSe2薄膜的必要过程,随着退火温度的升高和退火时间的延长,CuInSe2薄膜退火后结晶程度变好,颗粒变大,致密性也有所改善。 展开更多
关键词 CuInSe2(CIS) 薄膜 电沉积 硒化退火
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真空热蒸发镀CIAS薄膜
5
作者 任海芳 周艳文 +1 位作者 肖旋 郑欣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期8086-8089,共4页
采用真空热蒸发方法在普通玻璃基底上制备Cu In0.7Al0.3Se2(CIAS)薄膜,并对之进行450℃真空硒化退火处理。结果表明,制备的CIAS薄膜具有黄铜矿结构并且以(112)晶面优先生长。真空硒化退火后,薄膜晶体结构更完整,晶粒长大,成分分布均匀,... 采用真空热蒸发方法在普通玻璃基底上制备Cu In0.7Al0.3Se2(CIAS)薄膜,并对之进行450℃真空硒化退火处理。结果表明,制备的CIAS薄膜具有黄铜矿结构并且以(112)晶面优先生长。真空硒化退火后,薄膜晶体结构更完整,晶粒长大,成分分布均匀,更接近CIAS晶体的化学计量比。薄膜为P型半导体,退火后的薄膜禁带宽度减小至1.38 e V,带电粒子数下降至2.41E+17 cm-3,带电粒子迁移率增加至5.29 cm2/(N·s),电阻率升高至4.9Ω·cm。 展开更多
关键词 CIAS薄膜 真空蒸发 硒化退火
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