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ICP-AES法同时测定高纯碘化铯中杂质元素 被引量：3
1
作者 颜广炅 童坚 +1 位作者 佟伶 张英新 《分析试验室》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期63-65,共3页
研究了用ICP-AES法同时测定高纯铯盐中Mn、Mg、Sr、Ca、Ba的方法。在选定的仪器工作参数下，加标回收率达到96％～104％，对合成样品10次重复测定的相对标准偏差〈0．5％，方法简便快捷。
关键词 ICP-AES 高纯碘化铯 锰 镁 钙 锶 钡
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闪烁晶体碘化铯在紫外光和X射线激发下的发光特性 被引量：3
2
作者 吴正龙 王金梅 +2 位作者 王亚芳 陈鸾 杨百瑞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期831-835,共5页
室温下掺铊碘化铯（CsI∶Tl）晶体的吸收谱在230320 nm范围内有3个特征峰：310 nm（4 eV）、270nm（4.6 eV）和245 nm（5.1 eV）。采用这3种不同激发能量（对应不同激发机制）的近紫外（UV）光激发得到的荧光（PL）光谱相同。这些PL谱... 室温下掺铊碘化铯（CsI∶Tl）晶体的吸收谱在230320 nm范围内有3个特征峰：310 nm（4 eV）、270nm（4.6 eV）和245 nm（5.1 eV）。采用这3种不同激发能量（对应不同激发机制）的近紫外（UV）光激发得到的荧光（PL）光谱相同。这些PL谱与钨（W）靶X射线激发的辐照致荧光（RL）谱也类似。经分峰计算,PL和RL均含有4种熟知的3.1 eV（400 nm）、2.55 eV（486 nm）、2.25 eV（550 nm）和2.1 eV（590 nm）发光组分,但RL中2.1 eV组分高于PL,同时2.55 eV组分又低于PL。分析认为,这一差异来自于X射线对晶体的辐照损伤Tl＋Va＋、Tl0Va＋,相关的2.1 eV吸收峰与2.55 eV发光带重叠。结果表明：X射线比紫外光更易产生损伤从而影响晶体CsI∶Tl的发光特性。 展开更多
关键词 闪烁晶体 掺铊碘化铯晶体 辐照缺陷 辐照致荧光
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纯碘化铯(CsI)晶体的发光与光衰减特性研究 被引量：2
3
作者 任国浩 宋朝晖 +4 位作者 张子川 张侃 杨帆 李焕英 陈晓峰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期169-174,共6页
纯碘化铯晶体是一种具有快衰减闪烁特性的新型辐射探测材料,在伽马射线、中子和其它辐射探测技术中有重要的应用前景。本研究以Bridgman法所生长的纯碘化铯为对象,分别研究了该晶体的透射光谱以及在紫外光、连续X射线、脉冲X射线和宇宙... 纯碘化铯晶体是一种具有快衰减闪烁特性的新型辐射探测材料,在伽马射线、中子和其它辐射探测技术中有重要的应用前景。本研究以Bridgman法所生长的纯碘化铯为对象,分别研究了该晶体的透射光谱以及在紫外光、连续X射线、脉冲X射线和宇宙射线激发下的发射光谱、时间响应特性和沿晶体生长方向不同部位的光输出分布特点。实验测得晶体的吸收边为240 nm,激发和发射波长分别位于241 nm和318 nm,发光衰减时间分别为2~3 ns和18~25 ns。以尺寸为30 mm×30 mm×200 mm的晶体籽晶端和尾端与PMT耦合所测得的光输出分别是143 p.e/Me V和127 p.e./Me V,尽管晶体两端的光输出存在12.6%的差异,但没有观察到衰减时间长于100 ns的慢分量。这些性能进一步证明纯碘化铯晶体具有作为快闪烁体的优势。 展开更多
关键词 纯碘化铯 晶体 透光性 发光 衰减时间 光输出
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聚乙烯-碘化铯中子阴极的最佳化 被引量：2
4
作者 廖华 张焕文 李冀 《光子学报》 EI CAS CSCD 1999年第8期735-739,共5页
本文的中子阴级由聚乙烯、导电基底（Ａｌ）和碘化铯二次电子发射体组成．文中建立了一个此中子阴级的新的物理模型，并采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟了中子同阴极作用产生低能二次电子的物理过程．模拟得到的出射二次电子能谱和产... 本文的中子阴级由聚乙烯、导电基底（Ａｌ）和碘化铯二次电子发射体组成．文中建立了一个此中子阴级的新的物理模型，并采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟了中子同阴极作用产生低能二次电子的物理过程．模拟得到的出射二次电子能谱和产额与实验结果和理论分析符合得较好． 展开更多
关键词 中子阴极 散射 聚乙烯 碘化铯 蒙特卡洛模拟
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ICP-AES法测定碘化铯晶体中的铊和钠 被引量：2
5
作者 武少华 姚士仲 +2 位作者 崔璐 王守兰 陶志青 《光谱实验室》 CAS CSCD 2001年第3期335-338,共4页
本文建立了电感耦合高频等离子体原子发射光谱法 ( ICP- AES)对碘化铯晶体中的铊和钠元素的直接同时测定方法。并对分析线的选择、溶液的酸度、基体效应、试样的溶解等条件进行了实验研究。用正交设计对仪器工作参数进行了最佳条件选择... 本文建立了电感耦合高频等离子体原子发射光谱法 ( ICP- AES)对碘化铯晶体中的铊和钠元素的直接同时测定方法。并对分析线的选择、溶液的酸度、基体效应、试样的溶解等条件进行了实验研究。用正交设计对仪器工作参数进行了最佳条件选择。采用本法测定碘化铯晶体中掺杂元素铊和钠的检出限分别为0 .2 1μg/ m L和 0 .0 95μg/ m L ;相对标准偏差分别为 3.7%和 2 .4 % ;加标回收率介于 87%— 10 2 %之间 ,该法简便、快速、准确 。 展开更多
关键词 碘化铯晶体 电感耦合高频等离子体-原子发射光谱法 铊 钠 同时测定 掺杂元素
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掺铊碘化铯晶体缺陷的研究 被引量：1
6
作者 倪海洪 刘光煜 +1 位作者 张键 沈定中 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期390-390,共1页
根据美国ＳＬＡＣ公司及日本ＫＥＫ公司的要求，我们为其提供高能探测器所需的大尺寸掺铊碘化铯晶体。他们对晶体性能提出了较高的要求，要求晶体透明不着色、无云层和杂质包裹体等缺陷。由于这些缺陷的存在会导致晶体光输出下降、均匀... 根据美国ＳＬＡＣ公司及日本ＫＥＫ公司的要求，我们为其提供高能探测器所需的大尺寸掺铊碘化铯晶体。他们对晶体性能提出了较高的要求，要求晶体透明不着色、无云层和杂质包裹体等缺陷。由于这些缺陷的存在会导致晶体光输出下降、均匀性变差、抗辐照损伤能力下降、甚至出现开裂而影响晶体的质量。但这些缺陷在生长过程中又不可避免，为此我们对这些缺陷进行了深入的研究。在卤化物晶体生长过程中，氧的存在哪怕是ｐｐｍ级的含量都会对生长带来危害，造成晶体性能下降，所以大多采用在真空状态下生长。对于掺铊的碘化铯晶体国外更是全部采用在真空状态下生长，而我们根据掺铊碘化铯晶体的生长特性采用不同于国外的真空炉生长而使用大气下坩埚下降法，且又不同于一般的坩埚下降生长法。在我们的工艺条件下主要产生上述三种缺陷，本文阐述了这些缺陷的形成和危害。其中晶体的着色表现为顶部泛黄，这主要是生长过程中来源于水分和外界空气中氧的进入。虽然我们在装料过程中采用了真空处理，然而仍不可避免氧的进入。晶体生长是排杂过程，氧离子作为阴离子杂质不断向上排，在顶部富集与铊离子结合从而使晶体顶部发黄。同样，云层也出现在晶体的上半部，但它的产生是由于温场变化而引起。主要是加热功率起伏? 展开更多
关键词 掺铊 碘化铯晶体 缺陷 包裹体 着色 半导体
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石墨炉原子吸收光谱法测定碘化铯晶体中铊 被引量：6
7
作者 陈天裕 《分析试验室》 CAS CSCD 1999年第3期27-30,共4页
采用平台石墨炉原子吸收光谱法测定了碘化铯晶体中铊。研究了碘化铯对钯－硝酸镁基体改进剂中铊吸光度影响。用预混合钯－硝酸镁和样品溶液，由于在碘化物溶液中易析出金属钯而使测定结果降低。用样品溶液和基体改进剂分别加入到石墨炉... 采用平台石墨炉原子吸收光谱法测定了碘化铯晶体中铊。研究了碘化铯对钯－硝酸镁基体改进剂中铊吸光度影响。用预混合钯－硝酸镁和样品溶液，由于在碘化物溶液中易析出金属钯而使测定结果降低。用样品溶液和基体改进剂分别加入到石墨炉中的标准加入法可得到满意的结果。 展开更多
关键词 铊 石墨炉 原子吸收光谱 碘化铯晶体 测定
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不同浓度掺铊碘化铯(CsI∶Tl)晶体的光谱特性 被引量：2
8
作者 吴正龙 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期2141-2143,共3页
对含有不同浓度Tl+激活剂的CsI∶Tl晶体进行了光吸收光谱和荧光光谱测量,以研究CsI∶Tl的光学吸收和发光特性。实验观察到,在紫外吸收谱中包含有三个特征结构峰297,273和247nm,高浓度Tl+晶体的吸收结构峰比低浓度的峰明显加宽,其中A吸收... 对含有不同浓度Tl+激活剂的CsI∶Tl晶体进行了光吸收光谱和荧光光谱测量,以研究CsI∶Tl的光学吸收和发光特性。实验观察到,在紫外吸收谱中包含有三个特征结构峰297,273和247nm,高浓度Tl+晶体的吸收结构峰比低浓度的峰明显加宽,其中A吸收峰297nm红移20nm。室温下不同能量紫外光激发的荧光带形状相同,不受Tl+浓度影响。分析认为,晶体中掺杂Tl+后晶格畸变是导致吸收峰或荧光激发峰变化的主要原因,但对发光带峰宽和峰位影响不明显。 展开更多
关键词 碘化铯晶体 闪烁体 吸收光谱 三维荧光谱
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碘化铯闪烁晶体在光电检测过程中的机理分析 被引量：1
9
作者 王菊霞 《渭南师范学院学报》 2015年第10期26-29,89,共5页
简述了光电检测的基本原理,从电子辐射、能量分布、光电效应的角度分析了碘化铯在光电检测过程中的机理,研究表明:入射光强大约为0.1 MW/cm2时,碘化铯可形成双光子光电效应.碘化铯晶体是目前较为普遍使用的较好闪烁体,可将X射线直接转... 简述了光电检测的基本原理,从电子辐射、能量分布、光电效应的角度分析了碘化铯在光电检测过程中的机理,研究表明:入射光强大约为0.1 MW/cm2时,碘化铯可形成双光子光电效应.碘化铯晶体是目前较为普遍使用的较好闪烁体,可将X射线直接转换为可见光,从而获得数字图像,实现光电检测的目的. 展开更多
关键词 光电检测 碘化铯 电子辐射 光电效应 机理
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碘化铯晶体中Ph^(2+)基聚集相的发光性质
10
作者 冯锡淇 赵建林 +2 位作者 高明 S.kapphan 张雁行 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期416-420,共5页
掺铅的碘化铯（Pb：CsI）晶体在400℃空气中进行热处理可以在晶体中诱导产生发光中心，这些发光中心的激发谱与CS－Pb-I体系中一系列化合物的激子吸收谱相吻合．它们被认为是由该晶体在退火过程中所形成的CsPbI3、Cs4PbI6等聚集相产生... 掺铅的碘化铯（Pb：CsI）晶体在400℃空气中进行热处理可以在晶体中诱导产生发光中心，这些发光中心的激发谱与CS－Pb-I体系中一系列化合物的激子吸收谱相吻合．它们被认为是由该晶体在退火过程中所形成的CsPbI3、Cs4PbI6等聚集相产生的．测量了10～30K温度范围内分别在410nm和360nm波长激发下Ph：CsI的发射谱，观察到各发射谱的相对强度随退火时间而变化，这表明在400℃退火温度下晶体中各类Cs－Ph－I聚集相的形成和转化已十分活跃． 展开更多
关键词 掺铅 碘化铯 聚集相 发光性质 晶体 铅离子
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石墨炉原子吸收法测定高纯碘化铯中痕量铬、锰、铁、铝
11
作者 马玉平 韩益青 《光谱实验室》 CAS CSCD 1992年第5期23-26,32,共5页
本文采用恒温平台与石墨管改进技术,石墨炉原子吸收法测定高纯碘化铯中痕量铬、锰、铁、铝,得到了较好的结果。特征质量分别为:Cr0.9;Mn0.7、Fe0.8、A12.4皮克/0.0044A。
关键词 碘化铯 铬 锰 铁 铝 原子吸收
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碘化铯分子的光离解及生成物铯原子的共振电离研究
12
作者 霍炳海 GieGao +1 位作者 Z.T.Salim H.H.Telle 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期225-228,共4页
利用脉冲激光束与分子的相互作用，对ＣｓＩ分子进行了光离解。同时，用另一束可调谐激光对ＣｓＩ分子离解后产生的中性铯原子进行共振激发，然后把处在激发态的铯原子进行光电离。对Ｃｓ＋的飞行时间质谱进行了分析，并对光离解及光电... 利用脉冲激光束与分子的相互作用，对ＣｓＩ分子进行了光离解。同时，用另一束可调谐激光对ＣｓＩ分子离解后产生的中性铯原子进行共振激发，然后把处在激发态的铯原子进行光电离。对Ｃｓ＋的飞行时间质谱进行了分析，并对光离解及光电离过程中可能存在的多光子电离（ＭＰＩ）进行了讨论。 展开更多
关键词 光离解 共振电离 多光子 碘化铯分子 铯离子
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碘化铯非晶硅平板探测器的原理及应用 被引量：9
13
作者 桂朝伟 唐晓薇 +1 位作者 翟俊鹏 崔彦青 《中国医学装备》 2009年第9期10-13,共4页
通过介绍碘化铯非晶硅平板探测器的材料特性、工作原理和临床应用等特点,表明了该项技术的优缺点、发展方向及在数字化摄影系统中的重要地位。
关键词 数字化摄影(DR) 平板探测器 碘化铯 非晶体硅
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掺铊碘化铯晶体的生长缺陷 被引量：2
14
作者 山国强 马铭华 沈定中 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期389-389,共1页
掺铊碘化铯晶体为高能探测器用的闪烁晶体。由于高能粒子在材料中的衰减性能决定了该晶体材料作闪烁体应用时所需的尺寸为５５２×６７２×３００ｍｍ，晶体生长毛坯质量约１０ｋｇ。如此之大的晶体无疑为晶体生长带来了一定困... 掺铊碘化铯晶体为高能探测器用的闪烁晶体。由于高能粒子在材料中的衰减性能决定了该晶体材料作闪烁体应用时所需的尺寸为５５２×６７２×３００ｍｍ，晶体生长毛坯质量约１０ｋｇ。如此之大的晶体无疑为晶体生长带来了一定困难，器件要求晶体无明显宏观缺陷，即无开裂、无气泡、云层等缺陷。但在晶体实际生长中晶体生长参数的选择及生长炉内的温场分布，往往决定了晶体的不完整性，尤其是大直径晶体的生长。由于其大量结晶之潜热的释放，如不及时交换出去，将对晶体的生长前沿产生影响，即改变了晶体的生长机制。我们采用非真空坩埚下降法来生长该晶体，由于该生长法须用氧化铝管和氧化铝粉，在一定程度上阻止了热量的散发，使得晶体生长时的结晶热不能及时与环境交换，改变了晶体生长界面的形貌。在晶体生长后的一段距离于晶体的中心部位常出现一串气泡，且向上呈发散状或气泡可在晶体内保持直径达１０ｃｍ之后发散。气泡直径可由０．５～１ｃｍ左右不等，也有严重时达２ｃｍ左右。显然此时晶体处于凹界面的生长状态，生长界面呈反转现象，于是在晶体的中心热量不能及时带走，便有大量熔体被包裹于晶体内。在进一步的冷却过程中，这部分熔体凝固。由于固－液之间的体积差，在晶体的体内就留下了大量? 展开更多
关键词 掺铊 碘化铯晶体 布里奇曼法 缺陷 半导体
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碘化铯晶体的水解抛光实验研究 被引量：1
15
作者 殷际东 吕玉山 +3 位作者 刘新伟 李伟凡 李雨菲 赵国伟 《沈阳理工大学学报》 CAS 2017年第3期77-80,92,共5页
为获得具有超光滑表面的碘化铯(CsI(TI))基片,需对其表面进行抛光加工处理。利用CsI(TI)晶体的水解特性和化学机械抛光理论,提出对CsI(TI)采用水解抛光的加工方法。通过改变抛光加工中的工艺参数,即抛光液配比、转速和压强进行实验,获... 为获得具有超光滑表面的碘化铯(CsI(TI))基片,需对其表面进行抛光加工处理。利用CsI(TI)晶体的水解特性和化学机械抛光理论,提出对CsI(TI)采用水解抛光的加工方法。通过改变抛光加工中的工艺参数,即抛光液配比、转速和压强进行实验,获得水解抛光CsI(TI)晶体的抛光机制及表面粗糙度Ra与材料去除率随加工用量的变化规律。 展开更多
关键词 碘化铯 水解抛光 粗糙度 去除率
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应用SEM研究碘化铯光阴极的微观结构
16
作者 谈凯声 潘智勇 刘风琴 《真空电子技术》 北大核心 1993年第4期23-27,16,共6页
本文应用 SEM(扫描电子显微镜)研究了制备碘化铯光阴极时基底的温度,真空烘烤和露置大气对光阴极的微观结构的影响。
关键词 扫描电子显微镜 碘化铯光阴极 微观结构 SEM
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应用XPS研究碘化铯光阴极的热稳定性
17
作者 谈凯声 潘智勇 刘风琴 《光电子技术》 CAS 1993年第3期54-59,共6页
本文应用XPS(X射线光电子能谱仪)研究了真空烘烤对碘化铯光阴极化学状态的影响。实验结果表明在高真空环境中,碘化铯光阴极在低于180℃的烘烤条件下即以缓慢的速率升华,但是,它的化学状态是稳定的。而在高于180℃的烘烤条件下,它的化学... 本文应用XPS(X射线光电子能谱仪)研究了真空烘烤对碘化铯光阴极化学状态的影响。实验结果表明在高真空环境中,碘化铯光阴极在低于180℃的烘烤条件下即以缓慢的速率升华,但是,它的化学状态是稳定的。而在高于180℃的烘烤条件下,它的化学状态将发生变化。 展开更多
关键词 光电子能谱仪 碘化铯光阴极 热稳定
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碘化铯晶体的力学性能和超精密车削研究
18
作者 孙旭峰 姚鹏 +2 位作者 王庆伟 包晓宇 黄传真 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第10期284-292,共9页
目的研究碘化铯(CsI)晶体(110)晶面的力学性能和以及车削参数对超精密车削表面粗糙度的影响。方法分别采用纳米压痕和霍普金森压杆(SHPB)试验,获得并分析CsI晶体(110)晶面在准静态下和高应变率下的力学性能。采用单点金刚石车削(SPDT)... 目的研究碘化铯(CsI)晶体(110)晶面的力学性能和以及车削参数对超精密车削表面粗糙度的影响。方法分别采用纳米压痕和霍普金森压杆(SHPB)试验,获得并分析CsI晶体(110)晶面在准静态下和高应变率下的力学性能。采用单点金刚石车削(SPDT)的方法在不同的方向和车削参数对晶体进行超精密加工,并使用白光干涉仪、测力仪和红外热像仪分别测量超精密车削过程中已加工表面的粗糙度Ra、切削力和切削温度。结果CsI晶体在压痕过程中主要发生塑性变形,且无明显的脆性裂纹,其(110)晶面的维氏硬度约为100 MPa。当应变率从6000 s^(–1)提高8000 s^(–1)时,晶体的屈服强度提高了7 MPa。在试验中,沿着270°方向车削,可以获得Ra为20 nm以下的表面粗糙度。沿着该方向使用10°前角的金刚石车刀、转速为2000 r/min、进给速度为4μm/r、切削深度为2μm时,可以获得最好的表面质量,平均表面粗糙度Ra为8.53 nm,最大表面粗糙度Ra为11.02 nm。结论CsI晶体具有较强的塑性,且硬度低,高应变率下,材料的强度和硬度明显提高。通过提高转速即切削速度,增大超精密车削过程中的材料应变率,改善了软塑性材料的可加工性,使CsI晶体的表面粗糙度降低了80%。结合优选的车削方向、刀具前角、进给速度和切削深度等其他车削参数,获得了Ra在10 nm以下的光滑表面。 展开更多
关键词 碘化铯晶体 超精密车削 表面粗糙度 力学性能 各向异性 高应变率
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低余辉碘化铯闪烁晶体的生长与性能研究 被引量：1
19
作者 唐华纯 李中波 张亮 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第7期1147-1151,共5页
低余辉碘化铯晶体的开发对于碘化铯晶体在现代安检及医疗CT设备中的应用具有十分重要的意义。本文首先通过原料纯化处理,去掉对晶体余辉有明显影响的杂质,然后采用共掺杂的方式,以改进的布里奇曼法生长低余辉碘化铯晶体,研究了该晶体的... 低余辉碘化铯晶体的开发对于碘化铯晶体在现代安检及医疗CT设备中的应用具有十分重要的意义。本文首先通过原料纯化处理,去掉对晶体余辉有明显影响的杂质,然后采用共掺杂的方式,以改进的布里奇曼法生长低余辉碘化铯晶体,研究了该晶体的闪烁性能。研究结果表明,该方法获得的碘化铯晶体的余辉值约0.31%@50 ms,远低于常规碘化铯晶体的余辉值。 展开更多
关键词 碘化铯 闪烁晶体 低余辉 光输出 粉料提纯 共掺杂
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安检设备中使用的短余辉碘化铯(铊)晶体 被引量：1
20
作者 董加彬 彭贺新 《警察技术》 北大核心 1998年第2期20-23,共4页
关键词 余辉测试 碘化铯 短余辉 余辉特性 晶体生长 晶体加工 X射线照射 大气法 闪烁体 碘化铝
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