ICP-AES法测定碘化铯晶体中的铊和钠 被引量：2

1

作者 武少华 姚士仲 +2 位作者 崔璐 王守兰 陶志青 《光谱实验室》 CAS CSCD 2001年第3期335-338,共4页

本文建立了电感耦合高频等离子体原子发射光谱法 ( ICP- AES)对碘化铯晶体中的铊和钠元素的直接同时测定方法。并对分析线的选择、溶液的酸度、基体效应、试样的溶解等条件进行了实验研究。用正交设计对仪器工作参数进行了最佳条件选择... 本文建立了电感耦合高频等离子体原子发射光谱法 ( ICP- AES)对碘化铯晶体中的铊和钠元素的直接同时测定方法。并对分析线的选择、溶液的酸度、基体效应、试样的溶解等条件进行了实验研究。用正交设计对仪器工作参数进行了最佳条件选择。采用本法测定碘化铯晶体中掺杂元素铊和钠的检出限分别为0 .2 1μg/ m L和 0 .0 95μg/ m L ;相对标准偏差分别为 3.7%和 2 .4 % ;加标回收率介于 87%— 10 2 %之间 ,该法简便、快速、准确 。 展开更多

关键词 碘化铯晶体 电感耦合高频等离子体-原子发射光谱法 铊 钠 同时测定 掺杂元素

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掺铊碘化铯晶体缺陷的研究 被引量：1

2

作者 倪海洪 刘光煜 +1 位作者 张键 沈定中 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期390-390,共1页

根据美国ＳＬＡＣ公司及日本ＫＥＫ公司的要求，我们为其提供高能探测器所需的大尺寸掺铊碘化铯晶体。他们对晶体性能提出了较高的要求，要求晶体透明不着色、无云层和杂质包裹体等缺陷。由于这些缺陷的存在会导致晶体光输出下降、均匀... 根据美国ＳＬＡＣ公司及日本ＫＥＫ公司的要求，我们为其提供高能探测器所需的大尺寸掺铊碘化铯晶体。他们对晶体性能提出了较高的要求，要求晶体透明不着色、无云层和杂质包裹体等缺陷。由于这些缺陷的存在会导致晶体光输出下降、均匀性变差、抗辐照损伤能力下降、甚至出现开裂而影响晶体的质量。但这些缺陷在生长过程中又不可避免，为此我们对这些缺陷进行了深入的研究。在卤化物晶体生长过程中，氧的存在哪怕是ｐｐｍ级的含量都会对生长带来危害，造成晶体性能下降，所以大多采用在真空状态下生长。对于掺铊的碘化铯晶体国外更是全部采用在真空状态下生长，而我们根据掺铊碘化铯晶体的生长特性采用不同于国外的真空炉生长而使用大气下坩埚下降法，且又不同于一般的坩埚下降生长法。在我们的工艺条件下主要产生上述三种缺陷，本文阐述了这些缺陷的形成和危害。其中晶体的着色表现为顶部泛黄，这主要是生长过程中来源于水分和外界空气中氧的进入。虽然我们在装料过程中采用了真空处理，然而仍不可避免氧的进入。晶体生长是排杂过程，氧离子作为阴离子杂质不断向上排，在顶部富集与铊离子结合从而使晶体顶部发黄。同样，云层也出现在晶体的上半部，但它的产生是由于温场变化而引起。主要是加热功率起伏? 展开更多

关键词 掺铊 碘化铯晶体 缺陷 包裹体 着色 半导体

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石墨炉原子吸收光谱法测定碘化铯晶体中铊 被引量：6

3

作者 陈天裕 《分析试验室》 CAS CSCD 1999年第3期27-30,共4页

采用平台石墨炉原子吸收光谱法测定了碘化铯晶体中铊。研究了碘化铯对钯－硝酸镁基体改进剂中铊吸光度影响。用预混合钯－硝酸镁和样品溶液，由于在碘化物溶液中易析出金属钯而使测定结果降低。用样品溶液和基体改进剂分别加入到石墨炉... 采用平台石墨炉原子吸收光谱法测定了碘化铯晶体中铊。研究了碘化铯对钯－硝酸镁基体改进剂中铊吸光度影响。用预混合钯－硝酸镁和样品溶液，由于在碘化物溶液中易析出金属钯而使测定结果降低。用样品溶液和基体改进剂分别加入到石墨炉中的标准加入法可得到满意的结果。 展开更多

关键词 铊 石墨炉 原子吸收光谱 碘化铯晶体 测定

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掺铊碘化铯晶体的生长缺陷 被引量：2

4

作者 山国强 马铭华 沈定中 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期389-389,共1页

掺铊碘化铯晶体为高能探测器用的闪烁晶体。由于高能粒子在材料中的衰减性能决定了该晶体材料作闪烁体应用时所需的尺寸为５５２×６７２×３００ｍｍ，晶体生长毛坯质量约１０ｋｇ。如此之大的晶体无疑为晶体生长带来了一定困... 掺铊碘化铯晶体为高能探测器用的闪烁晶体。由于高能粒子在材料中的衰减性能决定了该晶体材料作闪烁体应用时所需的尺寸为５５２×６７２×３００ｍｍ，晶体生长毛坯质量约１０ｋｇ。如此之大的晶体无疑为晶体生长带来了一定困难，器件要求晶体无明显宏观缺陷，即无开裂、无气泡、云层等缺陷。但在晶体实际生长中晶体生长参数的选择及生长炉内的温场分布，往往决定了晶体的不完整性，尤其是大直径晶体的生长。由于其大量结晶之潜热的释放，如不及时交换出去，将对晶体的生长前沿产生影响，即改变了晶体的生长机制。我们采用非真空坩埚下降法来生长该晶体，由于该生长法须用氧化铝管和氧化铝粉，在一定程度上阻止了热量的散发，使得晶体生长时的结晶热不能及时与环境交换，改变了晶体生长界面的形貌。在晶体生长后的一段距离于晶体的中心部位常出现一串气泡，且向上呈发散状或气泡可在晶体内保持直径达１０ｃｍ之后发散。气泡直径可由０．５～１ｃｍ左右不等，也有严重时达２ｃｍ左右。显然此时晶体处于凹界面的生长状态，生长界面呈反转现象，于是在晶体的中心热量不能及时带走，便有大量熔体被包裹于晶体内。在进一步的冷却过程中，这部分熔体凝固。由于固－液之间的体积差，在晶体的体内就留下了大量? 展开更多

关键词 掺铊 碘化铯晶体 布里奇曼法 缺陷 半导体

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碘化铯晶体的力学性能和超精密车削研究

5

作者 孙旭峰 姚鹏 +2 位作者 王庆伟 包晓宇 黄传真 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第10期284-292,共9页

目的研究碘化铯(CsI)晶体(110)晶面的力学性能和以及车削参数对超精密车削表面粗糙度的影响。方法分别采用纳米压痕和霍普金森压杆(SHPB)试验,获得并分析CsI晶体(110)晶面在准静态下和高应变率下的力学性能。采用单点金刚石车削(SPDT)... 目的研究碘化铯(CsI)晶体(110)晶面的力学性能和以及车削参数对超精密车削表面粗糙度的影响。方法分别采用纳米压痕和霍普金森压杆(SHPB)试验,获得并分析CsI晶体(110)晶面在准静态下和高应变率下的力学性能。采用单点金刚石车削(SPDT)的方法在不同的方向和车削参数对晶体进行超精密加工,并使用白光干涉仪、测力仪和红外热像仪分别测量超精密车削过程中已加工表面的粗糙度Ra、切削力和切削温度。结果CsI晶体在压痕过程中主要发生塑性变形,且无明显的脆性裂纹,其(110)晶面的维氏硬度约为100 MPa。当应变率从6000 s^(–1)提高8000 s^(–1)时,晶体的屈服强度提高了7 MPa。在试验中,沿着270°方向车削,可以获得Ra为20 nm以下的表面粗糙度。沿着该方向使用10°前角的金刚石车刀、转速为2000 r/min、进给速度为4μm/r、切削深度为2μm时,可以获得最好的表面质量,平均表面粗糙度Ra为8.53 nm,最大表面粗糙度Ra为11.02 nm。结论CsI晶体具有较强的塑性,且硬度低,高应变率下,材料的强度和硬度明显提高。通过提高转速即切削速度,增大超精密车削过程中的材料应变率,改善了软塑性材料的可加工性,使CsI晶体的表面粗糙度降低了80%。结合优选的车削方向、刀具前角、进给速度和切削深度等其他车削参数,获得了Ra在10 nm以下的光滑表面。 展开更多

关键词 碘化铯晶体 超精密车削 表面粗糙度 力学性能 各向异性 高应变率

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碘化铯晶体内圆锯切中微量润滑技术的应用 被引量：1

6

作者 闫富有 《机电信息》 2019年第21期88-89,共2页

碘化铯晶体是一种人工晶体材料,属于功能晶体中的闪烁晶体。碘化铯晶体可以将X射线、γ射线等电离辐射转变为可见光,这种特性使得碘化铯晶体作为辐射探测材料被广泛应用在放射性监测、安检及医疗成像、工业CT和高能物理研究等领域。在... 碘化铯晶体是一种人工晶体材料,属于功能晶体中的闪烁晶体。碘化铯晶体可以将X射线、γ射线等电离辐射转变为可见光,这种特性使得碘化铯晶体作为辐射探测材料被广泛应用在放射性监测、安检及医疗成像、工业CT和高能物理研究等领域。在各种应用中,为了保证辐射探测器的整体性能,要求碘化铯晶体加工环节要达到非常高的加工精度和表面质量。传统的晶体切割加工过程中为了保证加工质量,会使用切削油来给刀片和晶体降温和润滑。这种方式切削油用量大、费用高,且切削油的废液处理有环境污染风险,进行环保回收的费用很高,所以,晶体切割加工中切削油使用一直是困扰相关企业的一个难题。现以碘化铯晶体的加工为例,采用一种新的润滑方式--微量润滑技术,很好地解决了以上问题,为相关企业改善晶体表面加工质量、降低制造成本和环境污染风险提供了一种新的思路。 展开更多

关键词 碘化铯晶体 微量润滑技术 加工实验 对比分析

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闪烁晶体碘化铯在紫外光和X射线激发下的发光特性 被引量：2

7

作者 吴正龙 王金梅 +2 位作者 王亚芳 陈鸾 杨百瑞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期831-835,共5页

室温下掺铊碘化铯（CsI∶Tl）晶体的吸收谱在230320 nm范围内有3个特征峰：310 nm（4 eV）、270nm（4.6 eV）和245 nm（5.1 eV）。采用这3种不同激发能量（对应不同激发机制）的近紫外（UV）光激发得到的荧光（PL）光谱相同。这些PL谱... 室温下掺铊碘化铯（CsI∶Tl）晶体的吸收谱在230320 nm范围内有3个特征峰：310 nm（4 eV）、270nm（4.6 eV）和245 nm（5.1 eV）。采用这3种不同激发能量（对应不同激发机制）的近紫外（UV）光激发得到的荧光（PL）光谱相同。这些PL谱与钨（W）靶X射线激发的辐照致荧光（RL）谱也类似。经分峰计算,PL和RL均含有4种熟知的3.1 eV（400 nm）、2.55 eV（486 nm）、2.25 eV（550 nm）和2.1 eV（590 nm）发光组分,但RL中2.1 eV组分高于PL,同时2.55 eV组分又低于PL。分析认为,这一差异来自于X射线对晶体的辐照损伤Tl＋Va＋、Tl0Va＋,相关的2.1 eV吸收峰与2.55 eV发光带重叠。结果表明：X射线比紫外光更易产生损伤从而影响晶体CsI∶Tl的发光特性。 展开更多

关键词 闪烁晶体 掺铊碘化铯晶体 辐照缺陷 辐照致荧光

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不同浓度掺铊碘化铯(CsI∶Tl)晶体的光谱特性 被引量：2

8

作者 吴正龙 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期2141-2143,共3页

对含有不同浓度Tl+激活剂的CsI∶Tl晶体进行了光吸收光谱和荧光光谱测量,以研究CsI∶Tl的光学吸收和发光特性。实验观察到,在紫外吸收谱中包含有三个特征结构峰297,273和247nm,高浓度Tl+晶体的吸收结构峰比低浓度的峰明显加宽,其中A吸收... 对含有不同浓度Tl+激活剂的CsI∶Tl晶体进行了光吸收光谱和荧光光谱测量,以研究CsI∶Tl的光学吸收和发光特性。实验观察到,在紫外吸收谱中包含有三个特征结构峰297,273和247nm,高浓度Tl+晶体的吸收结构峰比低浓度的峰明显加宽,其中A吸收峰297nm红移20nm。室温下不同能量紫外光激发的荧光带形状相同,不受Tl+浓度影响。分析认为,晶体中掺杂Tl+后晶格畸变是导致吸收峰或荧光激发峰变化的主要原因,但对发光带峰宽和峰位影响不明显。 展开更多

关键词 碘化铯晶体 闪烁体 吸收光谱 三维荧光谱

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碘化铯晶体中电子型色心的电子结构研究

9

作者 濮春英 刘廷禹 +3 位作者 刘长捷 白晓明 李春萍 佘辉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期453-457,共5页

运用以密度泛函理论为基础的相对论性离散变分方法(DV-Xα)模拟计算了完整的和含有F心、F+心以及F2心的碘化铯(CsI)晶体的电子结构,得到了含F心和F+心以及F2心的CsI晶体电子态密度分布以及它们可能产生的光学跃迁模式.计算结果表明,含F... 运用以密度泛函理论为基础的相对论性离散变分方法(DV-Xα)模拟计算了完整的和含有F心、F+心以及F2心的碘化铯(CsI)晶体的电子结构,得到了含F心和F+心以及F2心的CsI晶体电子态密度分布以及它们可能产生的光学跃迁模式.计算结果表明,含F心和F2心的CsI晶体的禁带宽度明显变窄,F心和F2心的能级都出现在禁带中并且作为施主能级位于导带底部,利用过渡态理论计算得到其能级向Cs的5d轨道发生光学跃迁,能量跃迁值分别为1.69eV和1.15eV,该结果与实验结果完全一致,F+心没有能级出现在禁带中.计算结果从理论上成功地解释了碘化铯晶体经过辐照后电子型色心所产生的吸收带起源问题. 展开更多

关键词 碘化铯晶体 电子结构 电子型色心 模拟计算

原文传递

碘化铯晶体研制工艺技术获中国专利优秀奖

10

《现代材料动态》 2004年第4期25-25,共1页

关键词 碘化铯晶体 知识产权 专利评选 中国

原文传递

新型雪崩光电二极管和CsI（Tl）晶体组成的闪烁探测器 被引量：9

11

作者 何景棠 陈端保 +2 位作者 李祖豪 毛裕芳 董晓黎 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期87-90,共4页

本文介绍ｓ５３４５型雪崩光电二极管用于ＣｓＩ（Ｔｌ）晶体光信号的读出，测量了γ射线的能谱，对应于￣（２２）Ｎａ的１．２７ＭｅＶ的入射能量，得到６．８％的能量分辨率。并对能量分辨率与光耦合面积及晶体尺寸、成形时间、偏压... 本文介绍ｓ５３４５型雪崩光电二极管用于ＣｓＩ（Ｔｌ）晶体光信号的读出，测量了γ射线的能谱，对应于￣（２２）Ｎａ的１．２７ＭｅＶ的入射能量，得到６．８％的能量分辨率。并对能量分辨率与光耦合面积及晶体尺寸、成形时间、偏压的关系等进行了测量。将雪崩光电二极管和ＣｓＩ（Ｔｌ）晶体组成一种新型的闪烁探测器的实验研究这在国内尚属首次。 展开更多

关键词 晶体 雪崩光电二极管 闪烁探测器 碘化铯晶体

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(α、γ)分辨在测量CsI(Tl)晶体固有放射性本底中的应用 被引量：4

12

作者 刘延 李金 +2 位作者 王子敬 夏小米 赖元芬 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期497-502,共6页

描述了通过CAMAC -微机进行数据采集 ,用电荷比较法测量CsI(Tl)晶体的 (α、γ)分辨性能的方法 ;同时利用此方法测量了CsI(Tl)晶体固有放射性含量 ,估算了晶体内2 38U和2 32 Th的含量。

关键词 脉冲形状甄别 电荷比较法 (α、γ)分辨 CSI(TL)晶体 固有放射性 中微子测量 碘化铯晶体 无机闪烁体

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CsI:Tl晶体生长中存在的问题及其解决途径 被引量：2

13

作者 韩建儒 王卓 陈焕矗 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期743-745,F003,共4页

用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法制备了掺铊的碘化铯晶体。样品经过切割、研磨和抛光，观察了它们的缺陷，测量其光学性质。结果表明：气泡、包裹体和局部开裂严重地影响晶体的光学质量和完整性。通过使用高纯试剂、惰性气氛生长、分段和均匀掺... 用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法制备了掺铊的碘化铯晶体。样品经过切割、研磨和抛光，观察了它们的缺陷，测量其光学性质。结果表明：气泡、包裹体和局部开裂严重地影响晶体的光学质量和完整性。通过使用高纯试剂、惰性气氛生长、分段和均匀掺杂、窄的熔区和合适的温度梯度，能够明显地改善晶体的性质和质量。 展开更多

关键词 掺铊 碘化铯晶体 缺陷 质量 闪烁材料 晶体生长

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非真空气氛下生长的CsI(Tl)晶体中Tl^+分布及其对晶体性能的影响 被引量：1

14

作者 刘光煜 沈定中 +1 位作者 倪海洪 樊加荣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期302-302,共1页

非真空气氛下生长的ＣｓＩ（Ｔｌ）晶体中Ｔｌ＋分布及其对晶体性能的影响刘光煜沈定中倪海洪樊加荣（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０１８００）ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｏｆＴｌ＋ｉｎＣｓＩ（Ｔｌ）ＣｒｙｓｔａｌｓＧｒｏｗ... 非真空气氛下生长的ＣｓＩ（Ｔｌ）晶体中Ｔｌ＋分布及其对晶体性能的影响刘光煜沈定中倪海洪樊加荣（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０１８００）ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｏｆＴｌ＋ｉｎＣｓＩ（Ｔｌ）ＣｒｙｓｔａｌｓＧｒｏｗｉｎｇｕｎｄｅｒＵｎｖａｃｕｕｍＡ... 展开更多

关键词 闪烁晶体 碘化铯晶体 铊 晶体生长

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sI(Tl)晶体抗辐照性能与生长工艺的研究 被引量：1

15

作者 吴皓 邓群 +1 位作者 沈定中 殷之文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期301-301,共1页

ＣｓＩ（Ｔｌ）晶体抗辐照性能与生长工艺的研究吴皓邓群沈定中殷之文（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０００５０）ＤｅｖｅｌｏｐｉｎｇｏｆＣｓＩ（Ｔｌ）Ｃｒｙｓｔａｌ’ｓＲａｄｉａｔｉｏｎＨａｒｄｎｅｓｓａｎｄＱｕａｌ... ＣｓＩ（Ｔｌ）晶体抗辐照性能与生长工艺的研究吴皓邓群沈定中殷之文（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０００５０）ＤｅｖｅｌｏｐｉｎｇｏｆＣｓＩ（Ｔｌ）Ｃｒｙｓｔａｌ’ｓＲａｄｉａｔｉｏｎＨａｒｄｎｅｓｓａｎｄＱｕａｌｉｔｙＩｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔＷｕＨ... 展开更多

关键词 闪烁晶体 碘化铯晶体 抗辐照性能 掺铊

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大尺寸CsI（Tl）晶体生长缺陷的研究

16

作者 张凤银 任绍霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期370-370,共1页

关键词 掺铊 碘化铯晶体 缺陷 晶体生长

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硅光电二极管与电荷灵敏前置放大器在中微子实验中的设计应用研究 被引量：7

17

作者 张志勇 刘正山 +4 位作者 程昶 李金 刘延 石峰 王子敬 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期136-138,165,共4页

在台湾中微子实验项目先期研究中 ,用硅光电二极管测读中微子作用于 Cs I(Tl)晶体的光谱信号。

关键词 CSI(TL)晶体 硅光电二极管 电荷灵敏前置放大器 中微子实验 设计 碘化铯晶体

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半导体探测器的厚度确定及CsI(Tl)的刻度 被引量：4

18

作者 魏志勇 段利敏 +9 位作者 吴和宇 靳根明 李祖玉 张保国 王宏伟 肖志刚 柳永英 王素芳 诸永泰 胡荣江 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期468-472,共5页

根据核反应过程中发射带电粒子在硅半导体中的最大能量沉积 ,利用带电粒子在硅半导体中的阻止本领曲线 ,同时实现半导体探测器的厚度确定及与之组合的CsI(Tl)

关键词 能量刻度 半导体探测器 厚度 碘化铯晶体

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中能重离子核反应产物测量装置4π带电粒子探测设备的研制 被引量：3

19

作者 李松林 诸永泰 +5 位作者 靳根明 徐瑚珊 殷旭 王晓秋 李祖玉 卢俊 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期485-488,共4页

介绍了 4 π带电粒子多探测器系统 ,该系统由 2 76个探测器单元组成 ,每个单元分别由快、慢塑料闪烁体、碘化铯晶体、硅半导体探测器所组成的望远镜构成。总立体角覆盖约 86 %的 4 π以及有一个很低的能量探测阈。整个探测器系统轴向对... 介绍了 4 π带电粒子多探测器系统 ,该系统由 2 76个探测器单元组成 ,每个单元分别由快、慢塑料闪烁体、碘化铯晶体、硅半导体探测器所组成的望远镜构成。总立体角覆盖约 86 %的 4 π以及有一个很低的能量探测阈。整个探测器系统轴向对称排列 ,工作在真空中。该探测器系统可以鉴别氢、氦的同位素 ,具有大的能量测量动态范围。 展开更多

关键词 中能重离子核反应 产物 测量装置 4π带电粒子多探测器设备 塑料闪烁体 碘化铯晶体

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高能γ光子CsI(Tl)谱仪的研究与设计 被引量：2

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作者 孙长春 李家才 +2 位作者 姚淑德 张亚伟 张少平 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期376-378,358,共4页

利用EGS4程序包模拟研究了6.6MeV的高能γ光子在CsI闪烁体中的运动行为,决定了探测这种能量γ光子所需CsI晶体的大小。根据模拟计算和实验的要求,设计了CsI(Tl)γ光子谱仪。用137Cs和22Na源对谱仪的测试表明,此探测器具有较好的探测效率... 利用EGS4程序包模拟研究了6.6MeV的高能γ光子在CsI闪烁体中的运动行为,决定了探测这种能量γ光子所需CsI晶体的大小。根据模拟计算和实验的要求,设计了CsI(Tl)γ光子谱仪。用137Cs和22Na源对谱仪的测试表明,此探测器具有较好的探测效率,在0.662MeV的光电峰上可以达到74%。模拟计算对3.3和6.6MeV的光电峰可以分别达到37.12%和23.00%。 展开更多

关键词 蒙特卡罗技术 γ光子 碘化铯晶体 Γ谱仪 反符合 探测效率

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