碲化锌复合背接触层对碲化镉太阳电池性能的影响 被引量：24

1

作者 冯良桓 蔡伟 +6 位作者 郑家贵 蔡亚平 黎兵 张静全 武莉莉 朱居木 邵烨 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期401-408,共8页

碲化镉太阳电池的流行结构为n CdS p CdTe。通过对其能带结构的分析 ,采用ZnTe :Cu作背接触层 ,再在p CdTe和ZnTe :Cu之间引入不掺杂的ZnTe作过渡层 ,以改进这种电池的结特性和载流子收集。从实验上对三种结构的CdTe太阳电池进行了对比... 碲化镉太阳电池的流行结构为n CdS p CdTe。通过对其能带结构的分析 ,采用ZnTe :Cu作背接触层 ,再在p CdTe和ZnTe :Cu之间引入不掺杂的ZnTe作过渡层 ,以改进这种电池的结特性和载流子收集。从实验上对三种结构的CdTe太阳电池进行了对比研究 ,结果表明复合的ZnTe ZnTe :Cu背接触层 ,的确能大幅度提高CdTe太阳电池的转换效率。这种结构的电池经电子 2 0 5计量站测试 ,转换效率已达 11 6 %。 展开更多

关键词 碲化锌背接触层 碲化镉 太阳能电池 性能

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天宫二号碲化锌晶体生长 被引量：2

2

作者 陆液 王仍 +2 位作者 杜云辰 焦翠灵 李向阳 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期234-238,共5页

在天宫二号飞船综合材料实验炉六工位采用碲熔剂法生长了碲化锌晶体,生长时最高温度为800℃,以0.5mm·h^(-1)的提拉速度向炉膛内部提拉生长晶体.飞行实验后,用相同实验参数在地面进行了对比实验.结果发现,空间样品尾部有一个非常大... 在天宫二号飞船综合材料实验炉六工位采用碲熔剂法生长了碲化锌晶体,生长时最高温度为800℃,以0.5mm·h^(-1)的提拉速度向炉膛内部提拉生长晶体.飞行实验后,用相同实验参数在地面进行了对比实验.结果发现,空间样品尾部有一个非常大的橙色结晶区域(约10 mm×6mm×2 mm),而地面生长样品中碲化锌晶体尺寸仅为约3mm×3mm×1mm,空间生长的碲化锌晶粒尺寸明显优于地面.空间微重力环境下,由于毛细作用,空间样品的塞子处有Te和ZnTe的外延膜生成.而地面生长的锭条在塞子处只有零星点状气相生产物.因此微重力条件有利于碲化锌晶体材料的生长. 展开更多

关键词 碲化锌 微重力 天宫二号 碲熔剂法

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碲化锌镉摄像靶的材料和性能

3

作者 崇悦华 《真空电子技术》 北大核心 1990年第3期26-31,35,共7页

本文叙述了研制和生产碲化锌镉摄像管过程中的靶光导层材料试验的基本情况,着重讨论材料组成及其处理方法对摄像靶各种参数及靶背景中疵点的影响。还介绍几种碲化锌镉新结构靶的一些情况。

关键词 碲化锌镉 摄像管 摄像靶 材料

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多晶碲化锌薄膜载能子超快动力学实验研究

4

作者 贾琳 唐大伟 张兴 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期327-331,共5页

利用双波长飞秒激光抽运-探测实验方法测量了掺氮多晶Zn Te薄膜在飞秒激光加热情况下载能子超快动力学过程.采用包含电子弛豫过程和晶格加热过程的理论模型拟合实验数据,二者符合得很好.拟合得到10 ps以内影响掺氮多晶Zn Te薄膜表面超... 利用双波长飞秒激光抽运-探测实验方法测量了掺氮多晶Zn Te薄膜在飞秒激光加热情况下载能子超快动力学过程.采用包含电子弛豫过程和晶格加热过程的理论模型拟合实验数据,二者符合得很好.拟合得到10 ps以内影响掺氮多晶Zn Te薄膜表面超快反射率变化的三个弛豫过程的时间常数均为亚皮秒量级.其中,正振幅电子弛豫过程是由电子-光子相互作用引起的载流子扩散和带间载流子冷却过程,负振幅电子弛豫过程是由缺陷造成的光激载能子的俘获效应引起的,晶格加热过程主要通过电子-声子耦合过程进行的. 展开更多

关键词 碲化锌 多晶 飞秒激光 载能子

原文传递

ZnTe　MOCVD过程中金属有机源双甲基锌和双异丁基碲热裂解研究

5

作者 桑文斌 K.Durose +1 位作者 A.W.Brinkman J.Woods 《原子与分子物理学报》 CSCD 北大核心 1996年第4期501-507,共7页

利用与ＭＯＣＶＤ系统相连接的四极质谱仪实时研究了金属有机源Ｍｅ２Ｚｎ和Ｐｒｉ２Ｔｅ在反应器中热裂解行为。报告了纯态Ｍｅ２Ｚｎ和Ｐｒｉ２Ｔｅ及其混合物在Ｈ２和Ｈｅ气氛中的热裂解实验结果，并进行了分析讨论，导出了可能发生... 利用与ＭＯＣＶＤ系统相连接的四极质谱仪实时研究了金属有机源Ｍｅ２Ｚｎ和Ｐｒｉ２Ｔｅ在反应器中热裂解行为。报告了纯态Ｍｅ２Ｚｎ和Ｐｒｉ２Ｔｅ及其混合物在Ｈ２和Ｈｅ气氛中的热裂解实验结果，并进行了分析讨论，导出了可能发生的气相反应及热裂解机理。此外还探讨了Ｍｅ２Ｚｎ和Ｐｒｉ２Ｔｅ共裂解行为对ＺｎＴｅ外延生长的影响。 展开更多

关键词 MOCVD 金属有机源 裂解机理 碲化锌

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闪锌矿MTe(M=Zn/Mg)的几何结构、弹性性质、电子结构和光学性质(英文) 被引量：4

6

作者 郭雷 胡舸 +1 位作者 封文江 张胜涛 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第5期929-936,共8页

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)平面波超软赝势(PP-PW)方法,计算了闪锌矿型MTe(M=Zn/Mg)的几何结构、弹性性质、电子结构和光学性质.同时采用杂化密度泛函调准了带隙.结果表明,立方相ZnTe和MgTe均为直接带隙半导体材... 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)平面波超软赝势(PP-PW)方法,计算了闪锌矿型MTe(M=Zn/Mg)的几何结构、弹性性质、电子结构和光学性质.同时采用杂化密度泛函调准了带隙.结果表明,立方相ZnTe和MgTe均为直接带隙半导体材料.所得晶格参数、弹性常数及体模量与实验数据基本吻合.由弹性常数推导出ZnTe、MgTe的德拜温度分别为758、585K.研究了MTe的复介电函数、折射率、反射率和能量损失系数等光学性质,并基于电子能带结构和态密度对光学性质进行了解释. 展开更多

关键词 碲化锌 碲化镁 第一性原理计算 电子结构 弹性常数 光学性质

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ZnTe纳米材料的合成方法及性能研究进展

7

作者 黎硕 徐永鸿 +2 位作者 毕延羽 张林慧 仲斌年 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期14-19,29,共7页

ZnTe宽带隙半导体由于具有高的光学透明度、低电子亲和力和易于掺杂,目前在光电设备和光催化领域应用具有广泛的应用。大量研究表明,材料纳米化可以突破体相材料的应用限制,开发出更多优越的物理化学性能。然而,简单且可控的制备出结构... ZnTe宽带隙半导体由于具有高的光学透明度、低电子亲和力和易于掺杂,目前在光电设备和光催化领域应用具有广泛的应用。大量研究表明,材料纳米化可以突破体相材料的应用限制,开发出更多优越的物理化学性能。然而,简单且可控的制备出结构稳定、尺寸均一的ZnTe纳米材料是这一材料进一步应用的技术前提。介绍了通过热蒸发、分子束外延、磁控溅射、水热/溶剂热、密闭空间升华和化学气相沉积等合成ZnTe纳米材料的方法,讨论了不同形貌的ZnTe纳米材料在各种领域的应用。 展开更多

关键词 碲化锌纳米材料 制备方法 应用

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PVT法生长ZnTe晶体的技术 被引量：3

8

作者 李晖 徐永宽 +2 位作者 程红娟 史月增 郝建民 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第10期671-674,共4页

采用无籽晶物理气相传输(PVT)方法生长出ZnTe晶体。实验开始,温差较大,压强相对较低,造成晶体生长速率过快,从而以各成核点为中心进行岛状生长,形成了结构密集的ZnTe多晶结构。实验过程中,通过调整原料区与生长区温差和压强等工艺条件... 采用无籽晶物理气相传输(PVT)方法生长出ZnTe晶体。实验开始,温差较大,压强相对较低,造成晶体生长速率过快,从而以各成核点为中心进行岛状生长,形成了结构密集的ZnTe多晶结构。实验过程中,通过调整原料区与生长区温差和压强等工艺条件进行一系列籽晶扩大实验。发现适当缩小温差、增加生长压强有益于籽晶横向扩展。当温差缩小到35℃,压强增加到230 mbar(1 mbar=102 Pa),生长出了直径45 mm、厚度8 mm的ZnTe单晶。观察发现,晶体表面存在明显的孪晶线,孪晶线产生原因为生长前籽晶边缘有破损,导致生长过程突变。取其较大的单晶进行XRD测试,结果显示该ZnTe单晶具有良好的〈111〉晶向和结晶质量。 展开更多

关键词 碲化锌（ZnTe） 物理气相传输（PVT） 单晶 多晶 籽晶

原文传递

室温下ZnS－ZnTe应变超晶格的带间跃迁

9

作者 吕有明 杨宝均 +3 位作者 关郑平 陈连春 杨爱华 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期204-209,共6页

本文报导了ＺｎＳ－ＺｎＴｅ应变超晶格中的载流子在室温下跃迁复合性质．通过测量室温下光致发光光谱，对载流子在超晶格带间跃迁的过程进行了研究．

关键词 Ⅱ型超晶格 光致发光 硫化锌 碲化锌

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MEE生长参数对复合衬底材料质量的影响

10

作者 李震 高达 +1 位作者 王丛 胡雨农 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期726-729,共4页

Si基CdTe中ZnTe缓冲层的生长影响着材料表面粗糙度和半峰宽。本文为了验证分子束外延Si基CdTe中采用迁移增强外延(MEE)技术生长的ZnTe缓冲层的生长参数对复合衬底材料表面粗糙度和半峰宽的影响,对涉及到的MEE生长过程中的主要参数包括:Z... Si基CdTe中ZnTe缓冲层的生长影响着材料表面粗糙度和半峰宽。本文为了验证分子束外延Si基CdTe中采用迁移增强外延(MEE)技术生长的ZnTe缓冲层的生长参数对复合衬底材料表面粗糙度和半峰宽的影响,对涉及到的MEE生长过程中的主要参数包括:Zn与Te数值比、MEE生长温度、Zn与Te束流强度值进行研究,设计了三组实验,并使用高分辨X光衍射仪、白光干涉仪和红外傅里叶光谱仪测试外延薄膜生长结果,总结MEE生长参数对复合衬底材料质量影响,通过实验得到最优的外延工艺条件,提高材料质量。 展开更多

关键词 碲化锌 碲化镉 迁移增强外延 粗糙度 半峰宽

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小动物SPECT-CT装置的研发 被引量：1

11

作者 黄勇 孙明山 +1 位作者 安里奎.伊萨吉尔雷 布鲁斯.长谷川 《医疗设备信息》 2007年第9期4-6,52,共4页

本文介绍了一款用于小动物成像的SPECT-CT装置,它的主要特点是采用了多探头碲化锌镉(CZT)平板探测器的SPECT系统和高分辨率、微焦点、锥束X-CT系统,可实现滑环螺旋扫描和双核素SPECT成像,开放式的机架设计特别适合于基础医学研究、新药... 本文介绍了一款用于小动物成像的SPECT-CT装置,它的主要特点是采用了多探头碲化锌镉(CZT)平板探测器的SPECT系统和高分辨率、微焦点、锥束X-CT系统,可实现滑环螺旋扫描和双核素SPECT成像,开放式的机架设计特别适合于基础医学研究、新药开发研究和药理学的研究。 展开更多

关键词 双模式成像 SPECT X—CT 小动物成像 碲化锌镉(CZT)

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不同组分和掺杂的ZnTe（110）单晶的THz辐射特性及分析

12

作者 王秀敏 徐新龙 等 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期563-564,共2页

关键词 碲化锌单晶 110晶向 掺杂 THZ 辐射特性

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有限宽度的ZnSe/ZnTe应变超晶格中LA声子的拉曼频移(英文)

13

作者 郭子政 梁希侠 《光散射学报》 2002年第3期134-139,共6页

考虑到真实超晶格系统的有限宽度会造成晶格的非周期性 ,我们修正了用来决定拉曼频移峰值位置的公式中的倒格矢一项。在线性驰豫应变假设下给出了应变超晶格纵向原子间距的几何模型。在上述理论基础上计算了有限宽度的ZnSe/ZnTe应变超晶... 考虑到真实超晶格系统的有限宽度会造成晶格的非周期性 ,我们修正了用来决定拉曼频移峰值位置的公式中的倒格矢一项。在线性驰豫应变假设下给出了应变超晶格纵向原子间距的几何模型。在上述理论基础上计算了有限宽度的ZnSe/ZnTe应变超晶格LA声子的拉曼频移。数值计算结果同现有实验结果作了比较 ,符合很好。 展开更多

关键词 有限宽度 ZnSe/ZnTe 超晶格 LA声子 拉曼频移 应变 硒化锌 碲化锌 数值计算

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半导体ZnTe外延层中三重位错带的显微结构研究

14

作者 韩培德 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第1期44-50,共7页

应用电子显微镜首次在ＺｎＴｅ外延膜中观察到分布在（１１１）和（１１１）滑移面上、宽度为４０ｎｍ的三重位错带。每条位错带含有三根不全位错，其Ｂｕｒｇｅｒｓ矢量为三个相同的〈１１２〉ａ／６。在进行了各种衍衬的分析和模拟之... 应用电子显微镜首次在ＺｎＴｅ外延膜中观察到分布在（１１１）和（１１１）滑移面上、宽度为４０ｎｍ的三重位错带。每条位错带含有三根不全位错，其Ｂｕｒｇｅｒｓ矢量为三个相同的〈１１２〉ａ／６。在进行了各种衍衬的分析和模拟之后，这类三重位错带被证明是由两个部分重叠的层错组成的。它们的来源归结为两个相互垂直扩展的失配位错的“强制”反应。 展开更多

关键词 碲化锌 砷化镓 三重位错带 半导体材料 异质结构

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ZnSe体单晶THz波段时域光谱测量及分析 被引量：17

15

作者 徐新龙 王秀敏 +2 位作者 李福利 张希成 汪力 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1153-1156,共4页

利用透射型THz时域光谱技术 ,对ZnSe(110 )体单晶在THz波段的色散和吸收性质进行了测量和分析。根据Drude理论获得了ZnSe体单晶的静电介电常数及高频介电常数 。

关键词 碲化锌体单晶 THz时域光谱技术 Drude理论 静电介电常数 高频介电常数 多声子吸收效应

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ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格的喇曼散射 被引量：2

16

作者 陈唏 李晓莅 +8 位作者 刘继周 王晶晶 周赫田 王学忠 陈辰嘉 凌震 王杰 王迅 孔祥贵 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期102-106,共5页

在１３～３００Ｋ温度下研究了稀磁半导体ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格的喇曼散射，观测到多个声子喇曼峰．在近共振条件下，峰的强度增强，线宽显著变窄，并观测到更多不同声子组合的喇曼散射峰．计算和分析了超晶格中应力引... 在１３～３００Ｋ温度下研究了稀磁半导体ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格的喇曼散射，观测到多个声子喇曼峰．在近共振条件下，峰的强度增强，线宽显著变窄，并观测到更多不同声子组合的喇曼散射峰．计算和分析了超晶格中应力引起的声子频移，与实验结果一致． 展开更多

关键词 超晶格 喇曼散射 界面模 半导体 碲化锌

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快速退火对ZnTe外延层性能及In电极的影响 被引量：1

17

作者 杨秋旻 刘超 +2 位作者 张家奇 崔利杰 曾一平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期110-113,125,共5页

研究了在GaAs(001)衬底上外延生长的本征ZnTe薄膜样品在氮气氛中450～550℃下的快速退火行为。对于1 min退火的样品,随着退火温度的升高,ZnTe(004)峰双晶X射线(DCXRD)摇摆曲线的半高宽(FWHM)逐渐下降;样品表面粗糙度均方根值(RMS)由退... 研究了在GaAs(001)衬底上外延生长的本征ZnTe薄膜样品在氮气氛中450～550℃下的快速退火行为。对于1 min退火的样品,随着退火温度的升高,ZnTe(004)峰双晶X射线(DCXRD)摇摆曲线的半高宽(FWHM)逐渐下降;样品表面粗糙度均方根值(RMS)由退火前的5.3 nm下降至4.7 nm左右。对于450℃退火5 min的样品,其晶体质量与550℃退火1 min的样品相当,但RMS值下降到4.26 nm。ZnTe薄膜表面的In电极之间在未退火时呈高阻状态,在适当条件下退火后In电极之间可以导通,且随着退火温度的降低,所需的退火时间将延长。但550℃退火时In电极的外观形貌发生改变且不能导通。 展开更多

关键词 碲化锌 快速退火 晶体质量 表面形貌 铟电极

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低温缓冲层对MBE生长ZnTe材料性能的改善 被引量：1

18

作者 张家奇 赵杰 +2 位作者 刘超 崔利杰 曾一平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期37-41,共5页

研究了低温缓冲层对在GaAs(001)衬底上用分子束外延(MBE)生长ZnTe薄膜晶体质量的影响。发现插入低温缓冲层后ZnTe的结晶质量、表面形貌和发光质量都得到了显著的提高,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnTe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从529 arcse... 研究了低温缓冲层对在GaAs(001)衬底上用分子束外延(MBE)生长ZnTe薄膜晶体质量的影响。发现插入低温缓冲层后ZnTe的结晶质量、表面形貌和发光质量都得到了显著的提高,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnTe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从529 arcsec减小到421 arcsec,表面均方根(RMS)粗糙度从6.05 nm下降到3.93 nm。而作为对比,插入高温缓冲层并不能对ZnTe薄膜的质量起到改善作用。基本上实现了优化工艺的目标并为研制ZnTe基光电器件微结构材料奠定了很好的实验基础。 展开更多

关键词 碲化锌 异质外延 低温缓冲层 高温缓冲层 分子束外延

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应变层超晶格（CdTe）_n／（ZnTe）_m的带偏移与亚带结构 被引量：1

19

作者 王红欣 黄和鸾 +1 位作者 李威 齐荔 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 1995年第1期39-45,共7页

本文由形变势理论研究了应变对超晶格（ＣｄＴｅ）＿ｎ／（ＺｎＴｅ）＿ｍＴ点带边的影响计算了带偏移。在有效质量近似下，计算了对称的双量子阱中的亚带结构随阱宽与垒宽的变化规律及电子和空穴的几率密度分布。

关键词 应变层超晶格 带偏移 亚带结构 碲化镉 碲化锌

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低压MOCVD ZnSeTe ZnSe多量子阱的制备及质量判别

20

作者 赵晓薇 范希武 +3 位作者 张吉英 杨宝均 于广友 申德振 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期331-331,共1页

宽带ⅡⅥ族半导体如ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ等材料在室温有大的禁带宽度，成为蓝绿波段光电器件的主要候选材料，因而有关它们的研究备受瞩目。但对于ＺｎＳｅＴｅ三元化合物和ＺｎＳｅＴｅＺｎＳｅ多层结构的报道却很少见，而且其中大都... 宽带ⅡⅥ族半导体如ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ等材料在室温有大的禁带宽度，成为蓝绿波段光电器件的主要候选材料，因而有关它们的研究备受瞩目。但对于ＺｎＳｅＴｅ三元化合物和ＺｎＳｅＴｅＺｎＳｅ多层结构的报道却很少见，而且其中大都采用分子束外延（ＭＢＥ）技术。本文首次报道用低压金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）制备的ＺｎＳｅＴｅＺｎＳｅ多量子阱。用Ｘ射线衍射、光致发光（ＰＬ）和受激发射实验检测该结构。使用低压ＭＯＣＶＤ装置，在（１００）ＧａＡｓ衬底上以用高纯氢气作载气的二甲基锌（ＤＭＺｎ）、二乙基碲（ＤＥＴｅ）和Ｈ２Ｓｅ源材料生长５０周期ｘ＝０．０７和ｘ＝０．１６的ＺｎＳｅ１ｘＴｅｘＺｎＳｅ多层结构。生长温度和压力分别是４５０℃和３８Ｔｏｒ。Ⅱ族源和Ⅵ族源分别从不同的管道进入反应室，Ⅱ／Ⅵ（Ｈ２）是０．８／１．２，经实验验证，在这个比值可以生长成均匀的薄膜。Ｘ射线衍射的测试采用Ｄ／ＭａｘｒＡ型旋转阳极衍射仪的Ｃｕ钯Ｋα特征谱线。Ｘ射线衍射谱出现四个明显可分辨的卫星峰，这些峰位于ＧａＡｓ衬底衍射峰左侧，主要峰值半宽度小于２０ａｒｃ／ｓｅｃ。多级卫星峰的出现和小的谱线宽度表明，样品已形成具有陡峭界面的周期性多量子阱结? 展开更多

关键词 化学气相沉积法 多量子阱 硒化锌 碲化锌 半导体

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