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硅及硅钼合金常压反应烧结碳化硅基础研究
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作者 曹祥薇 李世建 +6 位作者 赵小康 杨光远 熊枫 杨怡婷 芮茂强 叶菁 邓腾飞 《陶瓷学报》 北大核心 2025年第1期159-166,共8页
对氩气气氛下不同熔体参与反应烧结碳化硅陶瓷进行了系统研究。结果表明:硅熔体对烧结样品的浸润作用及其所导致的物理性能变化对实验温度具有高度敏感性,其中在1530℃时抗折强度为58.6 MPa,而在1570℃时则大幅提升至317.0 MPa。硅与炭... 对氩气气氛下不同熔体参与反应烧结碳化硅陶瓷进行了系统研究。结果表明:硅熔体对烧结样品的浸润作用及其所导致的物理性能变化对实验温度具有高度敏感性,其中在1530℃时抗折强度为58.6 MPa,而在1570℃时则大幅提升至317.0 MPa。硅与炭黑之间的接触角是影响浸润深度的关键因素,而浸润深度与浸润温度呈正相关。硅钼合金浸润烧结样品在1530℃成功烧结,相对密度达到94%以上,这主要归因于钼硅合金较高的极化率,该特性有效降低了接触角。不同样品的物理性能随温度的变化改变不大,相对密度随温度升高最大增幅不超过2%,样品力学性能变化趋势相似。由于MoSi_(2)的偏析以及MoSi_(2)和SiC并不相容,样品的抗折强度和硬度低于在1570℃温度下被Si熔体反应烧结后样品。 展开更多
关键词 反应烧结 碳化硅 保护气氛 浸润 MoSi2合金
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碳化硅原料粉体制备的研究进展
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作者 冯东 刘悦 +3 位作者 丁国强 茹红强 罗旭东 游杰刚 《航空制造技术》 北大核心 2025年第3期92-101,共10页
碳化硅(SiC)材料因具有优异的物理化学性能,已被广泛应用于航空航天、工程陶瓷和半导体等领域。目前,SiC粉体的合成方法众多,其中碳热还原法是工业生产SiC粉体的主要方法,但在生产过程中,SiC粉体的颗粒度和杂质含量均会影响最终产物的... 碳化硅(SiC)材料因具有优异的物理化学性能,已被广泛应用于航空航天、工程陶瓷和半导体等领域。目前,SiC粉体的合成方法众多,其中碳热还原法是工业生产SiC粉体的主要方法,但在生产过程中,SiC粉体的颗粒度和杂质含量均会影响最终产物的各项性能。因此,如何对SiC粉体进行细化和纯化处理成为制备高性能SiC材料需要探索的问题。本文首先介绍了SiC粉体合成技术的种类、原理和特点;然后,详细阐述了近年来SiC粉体细化技术的研究进展,并对SiC粉体中无定形碳和金属及金属氧化物的纯化技术进行重点介绍;最后分析了目前制备SiC粉体需要解决的问题,并对其发展前景进行展望。 展开更多
关键词 碳化硅(SiC)粉体 SiC合成 碳热还原法 粉体细化 粉体纯化
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碳化硅砂对混凝土力学性能及耐高温性能的影响
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作者 王晓琴 张世明 +1 位作者 周群 何雄凯 《混凝土》 北大核心 2025年第2期84-89,共6页
为推动磨料行业碳化硅废料的回收再利用,将碳化硅作为细骨料取代河砂应用于混凝土领域。制备了碳化硅砂取代率为5%、10%、30%、50%、70%、100%的碳化硅砂改性混凝土,研究了碳化硅砂对混凝土力学性能的影响。在此基础上,对碳化硅砂改性... 为推动磨料行业碳化硅废料的回收再利用,将碳化硅作为细骨料取代河砂应用于混凝土领域。制备了碳化硅砂取代率为5%、10%、30%、50%、70%、100%的碳化硅砂改性混凝土,研究了碳化硅砂对混凝土力学性能的影响。在此基础上,对碳化硅砂改性混凝土进行了高温试验(200℃、400℃、600℃、800℃),研究了碳化硅砂对混凝土耐高温性能的影响。结果表明:碳化硅砂可以提高混凝土的力学性能。随着碳化硅砂取代率的增大,混凝土的力学性能不断增大。当碳化硅砂取代率大于30%时,混凝土力学性能具有较为显著的提高,其抗压强度、抗折强度和劈裂拉伸强度的增幅均大于10%。碳化硅砂可以提高混凝土的耐高温性能。随着碳化硅砂取代率的增大,混凝土高温后的质量损失率不断减小,高温后的抗压强度、劈裂拉伸强度、抗压强度保持率和劈裂拉伸强度保持率不断增大。温度越大,碳化硅砂对混凝土高温后力学性能的提高效果越明显。 展开更多
关键词 混凝土 碳化硅 力学性能 耐高温性能 取代率
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碳化硅颗粒增强铝基复合材料的钎焊工艺
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作者 吴叶军 《机械制造文摘(焊接分册)》 2025年第1期1-4,共4页
文中探讨了碳化硅颗粒增强铝基复合材料采用氩气保护下的钎焊可行性。通过试验表明,使用合适的焊接材料,以及合适的钎焊温度、保温时间等,能使钎料在母材上铺展,并形成良好的接头。接头剪切试验表明,当钎焊温度为575℃时接头的剪切强度... 文中探讨了碳化硅颗粒增强铝基复合材料采用氩气保护下的钎焊可行性。通过试验表明,使用合适的焊接材料,以及合适的钎焊温度、保温时间等,能使钎料在母材上铺展,并形成良好的接头。接头剪切试验表明,当钎焊温度为575℃时接头的剪切强度最高,达到了90.8 MPa,为母材强度的63.6%。通过金相组织观察和XRD,发现接头中熔入了SiC颗粒,说明母材向钎缝发生了扩散,适量的扩散有利于提高接头强度。断口扫描结果表明,接头属于韧性断裂。 展开更多
关键词 钎焊 铝基复合材料 XRD 断口扫描 碳化硅颗粒
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神经网络-遗传算法在碳化硅生产艺优化中的应月
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作者 崔玉萍 刘昀雯 《信息记录材料》 2025年第4期37-39,共3页
针对碳化硅生产工艺中存在的预测精度低、收敛速率慢和产品质量不稳定等问题,本研究提出一种基于神经网络和遗传算法的碳化硅生产工艺优化方法,通过神经网络建模与训练和遗传算法优化实现碳化硅生产工艺参数的精确建模与优化,显著提高... 针对碳化硅生产工艺中存在的预测精度低、收敛速率慢和产品质量不稳定等问题,本研究提出一种基于神经网络和遗传算法的碳化硅生产工艺优化方法,通过神经网络建模与训练和遗传算法优化实现碳化硅生产工艺参数的精确建模与优化,显著提高碳化硅产品的性能、降低生产成本。同时,神经网络-遗传算法优化法在预测精度、收敛速率、产品质量稳定性和生产成本方面的表现均优于传统的经验调整法和单一的神经网络建模法,展示出在碳化硅生产工艺优化中的优越性和实用价值,本研究结果可为我国碳化硅产业的技术进步和可持续发展提供理论依据和实践指导。 展开更多
关键词 碳化硅 神经网络 遗传算法 工艺优化
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加速器用铁氧体-碳化硅混合型高次模阻尼器的研制
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作者 陈欣 李晨 +6 位作者 赵伟 黄刚 向军 李天涛 杨洁 刘平 秦臻 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第2期108-113,共6页
大电流加速器束管中,当带电粒子流通过束管时,会在束管中激励起高频场,为了降低对束流的影响,束管中产生的高次模需要利用阻尼器将高频场能量转换成热量并通过冷却装置导走。介绍了某混合型高次模阻尼器的研制及主要性能。阻尼器采用的... 大电流加速器束管中,当带电粒子流通过束管时,会在束管中激励起高频场,为了降低对束流的影响,束管中产生的高次模需要利用阻尼器将高频场能量转换成热量并通过冷却装置导走。介绍了某混合型高次模阻尼器的研制及主要性能。阻尼器采用的吸收材料为铁氧体和碳化硅,吸收材料通过金属化和钎焊实现与金属基板的焊接。通过CST和COMSOL软件分别开展了微波性能仿真和热仿真,对阻尼器的结构进行了优化设计。阻尼器的测试结果表明:该混合型阻尼器的吸收效率与计算结果在1.7 GHz以下频段相接近,在1.7 GHz以上高频段后,仿真吸收效率高于实测结果,相差较大;真空漏率、极限真空、水路耐压均满足超导高频腔设计需求。 展开更多
关键词 高次模 阻尼器 铁氧体 碳化硅 焊接
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倒装式碳化硅高温动态压力传感器封装仿真研究
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作者 李永伟 郭晋秦 +6 位作者 乔俊福 史建伟 张宇 张鑫 戴丽莉 芦婧 赵志诚 《传感技术学报》 北大核心 2025年第1期62-67,共6页
面向航空发动机高温测试环境中动态压力测试需求,利用有限元仿真分析软件从碳化硅高温压力传感器封装结构、高温密封方法设计及封装结构尺寸优化方面对碳化硅高温压力传感器封装进行了研究。封装设计层面,建立了倒装式传感器结构模型;... 面向航空发动机高温测试环境中动态压力测试需求,利用有限元仿真分析软件从碳化硅高温压力传感器封装结构、高温密封方法设计及封装结构尺寸优化方面对碳化硅高温压力传感器封装进行了研究。封装设计层面,建立了倒装式传感器结构模型;为降低封装热应力的影响,采用厚度为0.3 mm的玻璃密封层实现高温气密性,厚度为0.2 mm,直径为6 mm的无机胶粘合层实现芯片固定。性能指标层面,频响为1.78 kHz,固有频率为55.31 kHz,具有动态响应频率高特点,为进一步进行碳化硅高温压力传感器工艺制备提供了理论支撑。 展开更多
关键词 碳化硅 高温压力传感器 仿真分析 封装设计 倒装式
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碳化硅球辅助硅酸钙微波干燥的性能
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作者 冯帅 刘海玉 +3 位作者 郑仙荣 周世豪 乔晓磊 金燕 《兰州大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第1期129-135,共7页
对添加碳化硅球辅助微波干燥多孔硅酸钙进行试验和数值模拟,分析碳化硅球添加量和微波功率对硅酸钙干燥特性的影响.结果表明,碳化硅球的添加显著缩短了硅酸钙的干燥时间.在微波功率150 W时,15 g w(水)=75%的多孔硅酸钙中的碳化硅球最优... 对添加碳化硅球辅助微波干燥多孔硅酸钙进行试验和数值模拟,分析碳化硅球添加量和微波功率对硅酸钙干燥特性的影响.结果表明,碳化硅球的添加显著缩短了硅酸钙的干燥时间.在微波功率150 W时,15 g w(水)=75%的多孔硅酸钙中的碳化硅球最优添加量为12颗,较未添加碳化硅球的样品平衡温度提升15℃,干燥能耗降低46%,干燥有效扩散系数为1.42×10^(-7) m^(2)/s.随着微波功率的增加,硅酸钙的干燥能耗和干燥时间减小,但减小趋势随功率的增加而减缓.在高微波功率下,添加碳化硅球会进一步减少硅酸钙的干燥时间和能耗.对干燥过程进行多物理场仿真,考察样品内部温度、电场强度、水分浓度场的实时分布.干燥初期,碳化硅球的添加对微波加热样品并未起到明显作用,在干燥后期形成热点,有效提升样品温度,加快了硅酸钙的干燥速度. 展开更多
关键词 多孔硅酸钙 微波干燥 碳化硅 水分有效扩散系数 干燥能耗
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惰性碳源对两步反应烧结碳化硅陶瓷组织和性能的影响
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作者 潘鑫龙 张明君 +1 位作者 王波 杨建锋 《功能材料》 北大核心 2025年第1期1179-1183,1192,共6页
两步反应烧结可以降低反应烧结碳化硅中的残余硅含量,采用纳米炭黑为活性碳源,过量碳微球和金刚石分别为惰性碳源,通过两步反应烧结制备了碳化硅陶瓷,分析比较了两种惰性碳源的反应率,以及对碳化硅陶瓷力学性能和热学性能的影响。结果表... 两步反应烧结可以降低反应烧结碳化硅中的残余硅含量,采用纳米炭黑为活性碳源,过量碳微球和金刚石分别为惰性碳源,通过两步反应烧结制备了碳化硅陶瓷,分析比较了两种惰性碳源的反应率,以及对碳化硅陶瓷力学性能和热学性能的影响。结果表明,在碳密度和烧结工艺条件相同的情况下,金刚石的反应率低于碳微球,制备的烧结体中残余硅较多。在1550℃保温6 h条件下,使用高硬度的金刚石为惰性碳源制备的碳化硅的显微硬度达(2488±133)HV,高于使用碳微球制备的碳化硅。但是由于使用金刚石为惰性碳源制备的烧结体中低导热的残余硅较多,导致使用金刚石制备碳化硅的导热系数较低,在1550℃保温6 h条件下为115 W·m-1·K-1,低于碳微球使用的碳微球。 展开更多
关键词 反应烧结碳化硅 碳源 两步反应烧结 残余硅
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200 V全碳化硅集成技术
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作者 顾勇 马杰 +5 位作者 刘奥 黄润华 刘斯扬 柏松 张龙 孙伟锋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2183-2189,共7页
本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物... 本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物半导体(Laterally-Diffused MOS,LDMOS)以及高压二极管等器件.采用P型缓冲层技术调节器件垂直方向电场分布,使高压器件垂直方向耐受电压提高212.4%;在1μm厚度的P型缓冲层和1μm厚度的P型外延层上,实现LDMOS、高压二级管和高侧区域耐受电压大于300 V.基于该工艺平台,搭建了SiC CMOS反相器和反相器链电路,均实现了0~20 V轨至轨的电压输出;设计了半桥驱动电路,低压侧驱动电路由四阶反相器构成;高压侧驱动电路由电平移位电路和高侧区域反相器链电路组成,实现了180~200 V浮空栅极驱动信号输出. 展开更多
关键词 碳化硅(SiC) 集成 碳化硅集成电路 碳化硅反相器 碳化硅横向扩散金属氧化物半导体
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碳化硅晶圆化学机械抛光工艺优化
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作者 李萍 张宝玉 《电镀与涂饰》 北大核心 2025年第3期127-132,共6页
[目的]化学机械抛光(CMP)技术广泛应用于半导体制造的多个环节,是实现晶圆表面平坦化的关键步骤,而工艺参数显著影响着CMP效果。[方法]通过正交试验研究了压力、抛光盘转速、磨料粒径及抛光液pH对SiC晶圆抛光时材料去除速率和表面粗糙... [目的]化学机械抛光(CMP)技术广泛应用于半导体制造的多个环节,是实现晶圆表面平坦化的关键步骤,而工艺参数显著影响着CMP效果。[方法]通过正交试验研究了压力、抛光盘转速、磨料粒径及抛光液pH对SiC晶圆抛光时材料去除速率和表面粗糙度的影响。[结果]当在压力400 N、抛光盘转速80 r/min、磨料粒径550 nm、pH 10的条件下抛光时,SiC晶圆Si面和C面的材料去除速率最大,分别为3.85μm/h和4.00μm/h,表面粗糙度也较小,Ra分别为0.165 nm和0.171 nm。[结论]工艺参数是影响材料化学机械抛光效果的重要因素,应合理控制,以实现晶圆表面高效率和高品质的抛光效果。 展开更多
关键词 碳化硅晶圆 化学机械抛光 材料去除速率 表面粗糙度
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碳化硅纤维表面热解碳涂层转化TiC-Ti_(2)AlC的行为研究
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作者 王宇槐 李朋 黄庆 《宁波大学学报(理工版)》 2025年第2期102-108,共7页
界面层对于碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料性能具有重要影响.为此,采用化学气相沉积工艺,在碳化硅纤维表面制备热解碳(PyC)涂层作为反应源,通过熔盐化学原位反应将PyC转化为TiC-Ti_(2)AlC涂层.通过对物相、微观结构以及形貌表征分... 界面层对于碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料性能具有重要影响.为此,采用化学气相沉积工艺,在碳化硅纤维表面制备热解碳(PyC)涂层作为反应源,通过熔盐化学原位反应将PyC转化为TiC-Ti_(2)AlC涂层.通过对物相、微观结构以及形貌表征分析发现:TiC在TiC-Ti_(2)AlC涂层中以较大层状晶粒与纤维基底相连,而Ti_(2)AlC以较小晶粒分散于TiC层.进一步研究表明:PyC涂层厚度对其向TiC-Ti_(2)AlC转化有重要影响,因而可调节TiC-Ti_(2)AlC与纤维的结合强度. 展开更多
关键词 碳化硅纤维 界面层 化学气相沉积 热解碳 TiC-Ti_(2)AlC
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碳化硅MOSFET有源门极驱动的电压电流过冲快速检测电路设计
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作者 王俊波 张殷 +3 位作者 唐琪 王正磊 陈钰凯 刘平 《固体电子学研究与进展》 2025年第2期16-22,共7页
碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管(Silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,SiC MOSFET)因其高工作频率和耐高温等优势得到广泛应用。然而,SiC MOSFET驱动电路存在的开关高电气应力、电压电流超调和开关... 碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管(Silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,SiC MOSFET)因其高工作频率和耐高温等优势得到广泛应用。然而,SiC MOSFET驱动电路存在的开关高电气应力、电压电流超调和开关振荡等问题降低了变流器的可靠性。为了提高系统的可靠性,本文提出了一种碳化硅MOSFET有源门极驱动的电压电流过冲快速检测电路。首先,分析SiC MOSFET的开通和关断过程,对漏极电流上升阶段和下降阶段的电压和电流状态设计过冲快速检测电路;然后,为了抑制电压和电流尖峰,设计控制电路动态调节栅极电流;最后,根据原理图确定器件选型方案并搭建测试平台,分析所选器件的工作性能以及自身硬件延时情况。实验结果表明,本文所提设计方案能够快速检测电压和电流过冲状态,并有效抑制电压和电流尖峰。 展开更多
关键词 碳化硅MOSFET 快速检测 有源驱动 硬件延时
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铝基碳化硅复合材料超快激光表面加工研究现状
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作者 王星 李诚 +1 位作者 冯杰才 彭效海 《材料保护》 2025年第2期1-18,共18页
铝基碳化硅(SiC/Al)复合材料具有高强度、低密度等优异性能,广泛应用于航空、航天等领域。然而,SiC/Al复合材料的硬度和熔点都较高,电火花、机械加工等传统加工方法存在加工效率低、质量一致性差等问题。近年来,超快激光因具有极短脉冲... 铝基碳化硅(SiC/Al)复合材料具有高强度、低密度等优异性能,广泛应用于航空、航天等领域。然而,SiC/Al复合材料的硬度和熔点都较高,电火花、机械加工等传统加工方法存在加工效率低、质量一致性差等问题。近年来,超快激光因具有极短脉冲宽度、极高脉冲能量等特点,有望成为SiC/Al复合材料新的高效高质表面加工方法。阐明材料对激光能量的吸收及传递是揭示超快激光加工复杂物理化学过程的首要解决的问题。此外,明确材料的去除机制是实现高精高效超快激光加工的关键,为按需制备表面微纳功能性结构提供了理论基础。因此,针对SiC/Al复合材料超快激光表面加工过程,总结了超快激光与材料相互作用时的能量吸收、能量传递和材料去除机制的研究现状;其次,分析了SiC/Al复合材料超快激光表面微纳结构制备工艺与表面润湿性、胶接性能等应用现状;最后,梳理了SiC/Al复合材料超快激光表面加工目前面临的挑战和未来发展趋势。 展开更多
关键词 铝基碳化硅 超快激光 能量吸收 能量传递 微纳结构 加工工艺
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激光切片,将成为未来8英寸碳化硅切割的主流技术——访南京大学修向前教授
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作者 修向前 《中国粉体工业》 2025年第1期59-60,共2页
2024年12月24日,由中国粉体网主办的“2024半导体行业用金刚石材料技术大会”在河南郑州滨河假日酒店隆重召开。会议期间,我们邀请到多位业内专家学者做客“对话”栏目,就金刚石材料在半导体行业中的应用进展以及技术现状进行了访谈交... 2024年12月24日,由中国粉体网主办的“2024半导体行业用金刚石材料技术大会”在河南郑州滨河假日酒店隆重召开。会议期间,我们邀请到多位业内专家学者做客“对话”栏目,就金刚石材料在半导体行业中的应用进展以及技术现状进行了访谈交流。本期为您分享的是中国粉体网对南京大学修向前教授的专访。 展开更多
关键词 半导体行业 南京大学 假日酒店 河南郑州 业内专家学者 主流技术 碳化硅 技术现状
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气冷微堆碳化硅材料初级离位原子及损伤剂量研究
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作者 王子祺 管婧宇 +4 位作者 董舵 张成龙 朱思阳 贺楷 刘国明 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第1期160-167,共8页
气冷微堆是一种固有安全性非常高的可作为移动式微型核电装置的先进堆型,其燃料系统采用以碳化硅材料为基体的新型包覆颗粒弥散燃料。燃料在服役过程中将受到堆内中子辐照,产生离位损伤、辐照肿胀、元素嬗变等一系列辐照损伤,导致微结... 气冷微堆是一种固有安全性非常高的可作为移动式微型核电装置的先进堆型,其燃料系统采用以碳化硅材料为基体的新型包覆颗粒弥散燃料。燃料在服役过程中将受到堆内中子辐照,产生离位损伤、辐照肿胀、元素嬗变等一系列辐照损伤,导致微结构发生变化进而影响材料各项性能。为研究堆芯碳化硅材料在服役期间受到的中子损伤程度,利用蒙特卡罗程序建立堆芯模型计算中子能谱,采用SPECTRAPKA程序计算堆芯典型位置处碳化硅材料的原子平均离位。研究结果表明:堆芯中子辐照剂量最高处碳化硅的年辐照损伤低于1 dpa,损伤水平较低;弹性散射在中子辐照损伤产生中占主导地位,主要是由于低能中子能谱下其反应截面较大,此外非弹性散射与Si元素嬗变反应也有微量贡献。 展开更多
关键词 气冷微堆 碳化硅 原子平均离位 中子辐照 辐照损伤
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长脉冲激光辐照强场阴极材料碳化硅释气特性研究
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作者 陈威 吕燕 +2 位作者 王程明 吴鼎 丁洪斌 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第1期43-49,共7页
文章在超高真空(8.5×10^(-7) Pa)条件下采用波长1064 nm,脉宽750μs的激光模拟脉冲热冲击,对碳化硅(SiC)材料的释气特性进行了实验研究。主要探讨了激光能量、激光光斑大小和激光脉冲数对SiC释气特性的影响。通过全量程真空规和四... 文章在超高真空(8.5×10^(-7) Pa)条件下采用波长1064 nm,脉宽750μs的激光模拟脉冲热冲击,对碳化硅(SiC)材料的释气特性进行了实验研究。主要探讨了激光能量、激光光斑大小和激光脉冲数对SiC释气特性的影响。通过全量程真空规和四极杆质谱仪(QMS)监测了激光脉冲热冲击过程中真空腔室内气压和质谱检测的气体成分(N_(2)^(+))的变化。研究表明,增加激光能量密度为6.46 J/cm^(2)时,SiC表面开始有气体分子(粒子)释放;随着激光能量密度的进一步增加,释气量也进一步增加。当激光能量密度达到22.49 J/cm^(2)时,SiC表面释放的气体分子(粒子)数明显增多。研究还表明,适当的激光能量密度可以有效诱导SiC材料表面的气体释放,但过高的能量密度可能导致材料损伤,实验测定的SiC损伤阈值为22.49 J/cm^(2)。在激光能量为139 mJ的条件下,通过调节聚焦透镜焦点到SiC表面的距离改变光斑直径,单位面积释放的粒子数在光斑直径为0.68 mm处达到最大值,此时的激光能量密度为38.04 J/cm^(2),并不是最大的激光能量密度。这说明SiC单位面积释放的粒子数不仅与激光能量密度相关,还与激光辐照区域面积大小相关。在激光能量密度为25.76 J/cm^(2)的条件下,随着脉冲数的增加,SiC的释气量逐渐增加,但每次脉冲引起的粒子释放量和烧蚀坑深度随脉冲数逐渐减小。其原因可能是由于激光重复辐照导致材料表面粗糙度降低,从而降低材料对激光能量的吸收效率。 展开更多
关键词 激光热冲击 释气 碳化硅 高功率微波源
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超声作用下碳化硅CMP流场特性分析
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作者 王泽晓 叶林征 +4 位作者 祝锡晶 刘瑶 啜世达 吕博洋 王栋 《金刚石与磨料磨具工程》 北大核心 2025年第1期102-112,共11页
针对目前碳化硅抛光效率低、表面质量差等加工难题,采用超声辅助CMP(UCMP)加工工艺对其表面进行光滑无损化抛光。为探究超声辅助对CMP流场的影响,以超声振动下的抛光流场特性为研究对象,基于可实现k−ε模型对超声作用下的抛光流场特性... 针对目前碳化硅抛光效率低、表面质量差等加工难题,采用超声辅助CMP(UCMP)加工工艺对其表面进行光滑无损化抛光。为探究超声辅助对CMP流场的影响,以超声振动下的抛光流场特性为研究对象,基于可实现k−ε模型对超声作用下的抛光流场特性进行分析,并采用有限元分析方法探究不同超声频率、超声振幅、液膜厚度对抛光流场内速度、压力的影响,且开展CMP和UCMP对照试验。结果表明:超声频率对抛光液流场有明显地促进作用,随着超声频率从20 kHz增大到40 kHz,流场最大速度从324.10 m/s增大到698.20 m/s,最大压力从177.00 MPa增大到1580.00 MPa;与CMP相比,UCMP后碳化硅晶片可获得更好的抛光质量与更高的材料去除率,其表面粗糙度R_(a)、材料去除率R_(MRR)分别为3.2 nm和324.23 nm/h。 展开更多
关键词 超声辅助 碳化硅 流体动力学仿真 化学机械抛光
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Wolfspeed第二个8英寸碳化硅工厂将竣工投产
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《变频器世界》 2025年第2期47-47,共1页
2月6日,据Construction Review报道,Wolfspeed第二个8英寸碳化硅工厂一一查塔姆材料工厂即将竣工投产。值得注意的是,Wolfspeed第一个8英寸碳化硅工厂-莫霍克谷器件工厂已于2022年4月投产,单季度营收达到5200万美元(约合人民币3.79亿)。
关键词 竣工投产 碳化硅 营收 工厂 人民币
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机械密封用碳化硅材料干摩擦试验研究
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作者 姚黎明 刘杰 +3 位作者 李香 丁思云 彭骞 谢星 《液压气动与密封》 2025年第3期30-35,共6页
针对机械密封常用的碳化硅摩擦副材料,在试验机上进行摩擦副在不同转速、法向载荷以及材料配对条件下进行摩擦试验,对比分析密封环的摩擦系数和端面形貌变化规律。结果显示:在干运转工况下,密封环摩擦系数受转速、压力和材料的影响,试... 针对机械密封常用的碳化硅摩擦副材料,在试验机上进行摩擦副在不同转速、法向载荷以及材料配对条件下进行摩擦试验,对比分析密封环的摩擦系数和端面形貌变化规律。结果显示:在干运转工况下,密封环摩擦系数受转速、压力和材料的影响,试验阶段密封环摩擦副的摩擦系数随时间不断变化,且加碳碳化硅(SSiC+C)/反应烧结碳化硅(RBSiC)的摩擦系数在运行初始阶段要小于反应烧结碳化硅(RBSiC)/反应烧结碳化硅(RBSiC)。因此,当选用碳化硅/碳化硅配对的机械密封需短暂的运行干摩擦工况时,窄密封环可选用加碳碳化硅,通过降低转速、载荷和减少运行时间,可减少干摩擦工况对机械密封端面的损伤。 展开更多
关键词 机械密封 碳化硅 密封环 干摩擦 摩擦系数
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