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双倍剂量链霉蛋白酶服用时机对磁控胶囊胃镜检查效果的影响
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作者 常鲁杰 马兴彬 +2 位作者 刘海燕 李琼 高桃 《中国内镜杂志》 2024年第2期1-8,共8页
目的探讨双倍剂量链霉蛋白酶的服用时机对磁控胶囊胃镜(MCE)检查质量的影响。方法选取2021年2月-2022年3月于该院行MCE检查的225例患者作为研究对象,随机分为3组,A组检查前40 min口服链霉蛋白酶40000 u;B组检查前60和40 min分次口服2000... 目的探讨双倍剂量链霉蛋白酶的服用时机对磁控胶囊胃镜(MCE)检查质量的影响。方法选取2021年2月-2022年3月于该院行MCE检查的225例患者作为研究对象,随机分为3组,A组检查前40 min口服链霉蛋白酶40000 u;B组检查前60和40 min分次口服20000 u;C组检查前40和20 min分次口服20000 u。记录胃部6个区域的胃腔清洁度和黏膜可视化程度评分(1~4分)、病变检出率和胃观察时间。结果共221例患者完成研究。黏膜可视化程度评分中,C组为(23.56±1.37)分,高于A组的(22.56±1.28)分和B组的(23.00±1.33)分,差异有统计学意义(P<0.05)。胃腔清洁度评分中,C组为(21.44±2.35)分,高于A组的(20.11±2.04)分,差异有统计学意义(P<0.01)。在近端胃(贲门和胃底)的清洁度评分和黏膜可视化程度评分中,C组高于A组和B组,差异有统计学意义(P<0.05)。病变检出率中,C组胃息肉和糜烂检出率分别为17.8%和49.3%,高于A组(6.8%和29.7%)和B组(9.5%和31.1%),差异均有统计学意义(P<0.05)。C组胃观察时间短于A组和B组,差异有统计学意义(P<0.05)。结论在检查前40和20 min分次口服20000 u链霉蛋白酶,可以提高MCE的检查质量。 展开更多
关键词 磁控胶囊胃镜(MCE) 链霉蛋白酶 质量控制 清洁度 服用时间
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氩气和氪气磁控溅射对Zr-Co-RE薄膜微观结构和吸氢性能的影响
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作者 周超 马占吉 +3 位作者 何延春 杨拉毛草 王虎 李得天 《真空与低温》 2024年第1期83-89,共7页
为了获得吸气性能较好的Zr-Co-RE(RE为La和Ce稀土元素)吸气剂薄膜,采用直流磁控溅射方法,分别在氩气和氪气气氛中,通过改变沉积气压研究制备了不同结构的Zr-Co-RE薄膜。运用场发射扫描电镜、X射线衍射仪分析了不同溅射气压下溅射气氛对... 为了获得吸气性能较好的Zr-Co-RE(RE为La和Ce稀土元素)吸气剂薄膜,采用直流磁控溅射方法,分别在氩气和氪气气氛中,通过改变沉积气压研究制备了不同结构的Zr-Co-RE薄膜。运用场发射扫描电镜、X射线衍射仪分析了不同溅射气压下溅射气氛对薄膜结构的影响;采用动态定压法分别测试了在氩气和在氪气中沉积的薄膜的吸氢性能,分析了溅射气氛和薄膜结构对吸氢性能的影响。结果表明,在同等气压下,用氩气溅射沉积的薄膜较致密,用氪气溅射沉积的薄膜表面分布有较多的团簇结构和裂纹结构,薄膜呈明显的柱状结构,且柱状组织间分布着大量的界面和间隙,为气体扩散提供了更多的路径;随着氩气和氪气气压增大,薄膜含有更多的裂纹和间隙结构,连续性柱状结构生长更明显,裂纹更深更宽,比表面积更大,有利于提高薄膜的吸氢性能。 展开更多
关键词 Zr-Co-RE薄膜 直流磁控溅射 氪气 溅射气压 微观结构 吸氢性能
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C/Sn复合薄膜的磁控溅射制备及其作为锂离子电池负极材料的电化学性能
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作者 闫共芹 时孟杰 +2 位作者 王欣琳 蓝春波 武桐 《微纳电子技术》 CAS 2024年第2期78-86,共9页
采用磁控溅射的方法在铜箔上制备了C/Sn复合薄膜并将其作为锂离子电池负极材料,研究了C/Sn复合薄膜中Sn质量分数对其电化学性能的影响。研究发现,随着复合薄膜中Sn质量分数的增加,其首圈放电比容量增加,在一定范围内增加Sn质量分数,首... 采用磁控溅射的方法在铜箔上制备了C/Sn复合薄膜并将其作为锂离子电池负极材料,研究了C/Sn复合薄膜中Sn质量分数对其电化学性能的影响。研究发现,随着复合薄膜中Sn质量分数的增加,其首圈放电比容量增加,在一定范围内增加Sn质量分数,首圈库仑效率增加,但当Sn质量分数过多时其库仑效率降低。Sn质量分数分别为89.20%、91.61%、93.85%、95.81%的四种复合薄膜,在电流密度为500 mA/g时的首圈放电比容量分别为1195.4、1372.97、1574.86、1642.30 mA·h/g,首圈库仑效率分别为86.84%、87.88%、94.06%、80.66%。循环200圈后,四种复合薄膜的比容量衰减率分别为0.70%、6.13%、11.32%、18.88%。研究结果表明,当复合薄膜中Sn质量分数为89.20%时,其具有最优的倍率性能和循环稳定性能,随着复合薄膜中Sn质量分数的增加,其倍率性能及循环稳定性变差。 展开更多
关键词 锂离子电池 负极材料 磁控溅射 C/Sn复合薄膜 电化学性能 循环稳定性
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磁控溅射制备碳化硼薄膜的结构与成分分析
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作者 朱京涛 刘扬 +3 位作者 周健荣 周晓娟 孙志嘉 崔明启 《光学仪器》 2024年第2期63-68,共6页
近年来国际上^(3)He资源的短缺造成了基于^(3)He的中子探测器高昂的成本,而以碳化硼薄膜作为中子转换层的硼基中子探测器逐渐成为了最有前景的替代方案。通过直流磁控溅射制备了Ti/B_(4)C多层膜,并使用透射电子显微镜(TEM)、飞行时间二... 近年来国际上^(3)He资源的短缺造成了基于^(3)He的中子探测器高昂的成本,而以碳化硼薄膜作为中子转换层的硼基中子探测器逐渐成为了最有前景的替代方案。通过直流磁控溅射制备了Ti/B_(4)C多层膜,并使用透射电子显微镜(TEM)、飞行时间二次离子质谱(ToF-SIMS)、X射线光电子能谱(XPS)等手段对薄膜的结构与成分进行表征。结果表明:Ti层存在结晶情况;H、O、N元素为薄膜内部的主要杂质,且多分布于Ti层与B_(4)C-on-Ti过渡层中;更高的本底真空度能够降低碳化硼薄膜内的杂质含量,提高B含量占比;中子探测效率测试结果证明本底真空度的提高能够有效提高碳化硼中子转换层的效率。 展开更多
关键词 中子光学 碳化硼薄膜 直流磁控溅射 透射电子显微镜(TEM) X射线光电子能谱(XPS) 中子探测
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直流、射频磁控溅射制备钌薄膜的微观结构及电学性能分析
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作者 沈月 张以棚 +4 位作者 许彦亭 巢云秀 唐可 王传军 闻明 《贵金属》 CAS 北大核心 2024年第1期1-9,14,共10页
为了探索直流和射频磁控溅射制备钌薄膜的微观结构及性能差异,进而指导薄膜制备工艺优化。采用直流和射频磁控溅射法在SiO_(2)/Si(100)衬底上沉积不同时间和温度的钌薄膜;通过高分辨场发射扫描电镜、X射线衍射仪、原子力显微镜、四探针... 为了探索直流和射频磁控溅射制备钌薄膜的微观结构及性能差异,进而指导薄膜制备工艺优化。采用直流和射频磁控溅射法在SiO_(2)/Si(100)衬底上沉积不同时间和温度的钌薄膜;通过高分辨场发射扫描电镜、X射线衍射仪、原子力显微镜、四探针等方法研究不同溅射电源下制备的钌薄膜的微观结构和电学性能。结果表明,在相同溅射条件下,DC-Ru薄膜的结晶性优于RF-Ru薄膜;其厚度大于RF-Ru薄膜,满足tDC≈2tRF;其沉积速率高于RF-Ru薄膜,满足vDC≈2vRF。然而,其电阻率却高于RF-Ru薄膜,这主要得益于RF-Ru薄膜的致密度较高,从而降低了电子对缺陷的散射效应。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 射频磁控溅射 钌薄膜 微观结构 电阻率
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应用磁控溅射技术的大功率海上风力发电机线圈
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作者 王德山 芦泽仲 《机械制造》 2024年第1期39-41,74,共4页
介绍了磁控溅射的原理,进行了磁控溅射镀膜试验。在此基础上,将磁控溅射技术应用于大功率海上风力发电机线圈,实现防腐蚀保护。同时对大功率海上风力发电机线圈的绝缘技术进行了分析。
关键词 风力发电机 线圈 磁控溅射 应用
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碳化硅晶圆高温磁控溅射制备铝薄膜异常结晶现象
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作者 王川宝 默江辉 +3 位作者 朱延超 王帅 张力江 付兴中 《微纳电子技术》 CAS 2024年第5期157-161,共5页
在碳化硅表面使用高温磁控溅射法制备铝薄膜过程中有时会出现异常“斑点”现象,针对出现该异常现象可能的原因进行了研究,确认其主要因素为溅射温度和溅射功率,SiC表面状态和金属体系对异常现象的出现影响很小。采用白光干涉仪测定正常... 在碳化硅表面使用高温磁控溅射法制备铝薄膜过程中有时会出现异常“斑点”现象,针对出现该异常现象可能的原因进行了研究,确认其主要因素为溅射温度和溅射功率,SiC表面状态和金属体系对异常现象的出现影响很小。采用白光干涉仪测定正常和异常区域表面形貌和粗糙度,结果表明“斑点”区域粗糙度明显低于正常区域,两者分别为1.7和5.6 nm。采用聚焦离子束分析技术对比剖面结构差异,发现“斑点”区域存在明显晶粒合并现象,金属表面晶界比正常区域少很多。“斑点”形成的可能原因是沉积过程温度过高,导致Al膜沉积初始成核过程中大量晶核合并、晶界消失,从而表面粗糙度显著降低。 展开更多
关键词 SiC晶圆 铝薄膜 磁控溅射 异常结晶 溅射温度
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空间目标远距离磁控方法及应用分析
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作者 赵宏亮 张元文 +2 位作者 杨乐平 黄涣 马天 《系统工程与电子技术》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期261-270,共10页
星间电磁力/力矩作用相对于传统航天器操控方式,具有不消耗推进剂、无羽流污染、可控能力强等优势。因此,在交会对接、编队集群、失效卫星消旋等方面得到了广泛关注。然而,电磁力/力矩的数值与场源作用距离的3到4次方成反比,导致电磁力... 星间电磁力/力矩作用相对于传统航天器操控方式,具有不消耗推进剂、无羽流污染、可控能力强等优势。因此,在交会对接、编队集群、失效卫星消旋等方面得到了广泛关注。然而,电磁力/力矩的数值与场源作用距离的3到4次方成反比,导致电磁力/力矩的有效作用空间有限。磁化同轴枪强流脉冲放电装置可产生高传输速度(~1000 km/s)、高电子密度(~10^(16)cm^(-3))、高能量密度(~1 MJ/m^(2))、具有球马克位形的等离子体环,且等离子体环的放电电流可产生强度可观的环向磁场和极向磁场(~1 T)。此外,等离子体环的生成和输运环境与空间真空环境高度契合。基于磁化同轴枪生成具有球马克位形的等离子体环并将等离子体环所携带磁场远距投送的新型磁控方式,本文研究可控等离子体环远距投送对空间目标的磁控能力以及对空间目标消旋/回收的应用潜力等,并通过初步仿真算例予以验证结论的正确性。 展开更多
关键词 等离子体环 磁场冻结 空间目标磁控 操控能力 创新应用
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磁控溅射制备LiNi_(0.8)Co_(0.1)Mn_(0.1)O_(2)薄膜工艺研究
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作者 李镰池 吴爱民 +3 位作者 宋欣忆 刘延领 王亚楠 黄昊 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期190-197,共8页
目的探究了磁控溅射法制备符合化学计量比且循环性能良好的LiNi_(0.8)Co_(0.1)Mn_(0.1)O_(2)(NCM811)薄膜工艺,有利于进一步提高全固态薄膜电池能量密度。方法从溅射功率、氩氧比、衬底温度中各选取3个水平组成L9(34)正交试验,在不锈钢... 目的探究了磁控溅射法制备符合化学计量比且循环性能良好的LiNi_(0.8)Co_(0.1)Mn_(0.1)O_(2)(NCM811)薄膜工艺,有利于进一步提高全固态薄膜电池能量密度。方法从溅射功率、氩氧比、衬底温度中各选取3个水平组成L9(34)正交试验,在不锈钢衬底上沉积制备NCM811薄膜。利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对薄膜进行表征。利用EDS和ICP对薄膜成分进行分析。利用蓝电测试系统对以NCM811为正极的电池进行循环曲线测试。结果根据极差分析结果发现,影响前50圈放电容量保持率的因素从大到小依次为:温度>功率>氩氧比。其中功率和温度对循环性能有很大的影响,极差R值分别为18.45和26.79;氩氧比对循环性能影响较小,极差R值为3.17。增大溅射功率、提高衬底加热温度、增加氩氧比中氩气的含量有利于制备出符合化学计量比的NCM811薄膜。随着溅射功率的提升,NCM811薄膜的结晶度增强,材料中Ni^(2+)/Li^(+)阳离子的混排程度降低;随着衬底温度升高,薄膜由非晶逐渐转化为晶态,表面由无序非晶形貌过渡到小三角片状晶粒,厚度变薄,且更加致密。薄膜的循环性能也随着功率和衬底温度的增加有着明显的提升。结论正交试验结果表明,薄膜制备的最优工艺条件为:溅射功率110 W,衬底温度650℃,Ar∶O_(2)=2∶1(体积流量比),验证试验表明NCM811薄膜中主元素原子数占比Ni∶Co∶Mn=79.9∶10.2∶9.9,接近理想原子数占比8∶1∶1,且前50圈放电容量保持率达到72.33%。 展开更多
关键词 固态薄膜电池 NCM正极薄膜 正交试验 磁控溅射 电化学性能
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磁控溅射制备高熵碳化物(AlTiVCrNb)C涂层摩擦学性能
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作者 张英豪 侯雪滨 +3 位作者 蔡海潮 薛玉君 裴露露 田昌龄 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期82-89,共8页
为改善高熵合金涂层的摩擦学性能,通过石墨与AlTiVCrNb高熵合金靶共溅射制备(AlTiVCrNb)C涂层,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)分析涂层的成分、表截面形貌和物相,采用纳米压痕仪、球盘式摩擦磨损试验机测试涂层的硬度、弹... 为改善高熵合金涂层的摩擦学性能,通过石墨与AlTiVCrNb高熵合金靶共溅射制备(AlTiVCrNb)C涂层,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)分析涂层的成分、表截面形貌和物相,采用纳米压痕仪、球盘式摩擦磨损试验机测试涂层的硬度、弹性模量和摩擦学性能,采用白光干涉三维形貌仪表征涂层的磨损情况。试验结果表明:随着涂层中碳含量增加,高熵组分从BCC/FCC双相向单一FCC结构转变,且涂层的微观组织结构也随之变化;由于碳化物的形成和固溶强化,涂层呈现良好的摩擦学性能;在涂层碳原子分数为20.83%时,涂层的摩擦性能和力学性能达到最优,此时摩擦因数最低,为0.35,涂层硬度与弹性模量最高,分别为17.84、182.72 GPa。研究表明,在磁控溅射工艺中石墨与AlTiVCrNb高熵合金共溅射,可以获得摩擦学性能良好的高熵碳化物(AlTiVCrNb)C涂层。 展开更多
关键词 磁控溅射 高熵合金涂层 摩擦学性能 高熵碳化物涂层
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基于磁控溅射制备的YIG薄膜结构与磁性能
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作者 肖杨 卢志红 +2 位作者 张振华 赵新 冯金地 《武汉科技大学学报》 CAS 北大核心 2024年第2期101-106,共6页
使用射频磁控溅射在衬底上沉积了纳米级YIG薄膜,借助X射线衍射仪、振动样品磁强计、铁磁共振等研究了溅射气压、溅射功率和退火温度对于所制薄膜结构与磁性能的影响,并基于唯象方程拟合出薄膜样品的Gilbert阻尼系数。
关键词 YIG薄膜 磁控溅射 晶体结构 磁性 Gilbert阻尼 铁磁共振
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磁控溅射用旋转阴极磁场装置的结构设计及磁场分析
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作者 吴纯恩 安辉 +4 位作者 宿泽达 陆艳君 邓文宇 齐丽君 安跃军 《电机与控制应用》 2024年第3期60-68,共9页
针对现有磁控溅射装置在镀膜工作中靶面阴极磁场分布不均匀的问题,设计了一种新型旋转阴极磁场装置。该装置通过旋转机构带动磁场做圆周运动,利用凸轮机构使磁场做上下直线运动。首先,利用3D软件绘制出该装置的三维模型;其次,对阴极磁... 针对现有磁控溅射装置在镀膜工作中靶面阴极磁场分布不均匀的问题,设计了一种新型旋转阴极磁场装置。该装置通过旋转机构带动磁场做圆周运动,利用凸轮机构使磁场做上下直线运动。首先,利用3D软件绘制出该装置的三维模型;其次,对阴极磁场磁感应强度进行了有限元分析;最后,通过调整磁轭高度、伸出臂长度以及磁轭-靶材间距优化了磁场,并将优化前后的数值模拟曲线进行了对比分析。结果表明,优化后阴极磁场磁感应强度曲线的均匀度由21%改善到6%,有效改善了靶面磁场均匀性,有利于保证磁控溅射的稳定运行。 展开更多
关键词 磁控溅射 旋转阴极磁场 有限元分析 磁场均匀性
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磁控胶囊胃镜检查受检者的舒适度调查及相关因素分析
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作者 莫燕冰 赵巧红 +1 位作者 晏星 潘浩泉 《医学理论与实践》 2024年第1期139-141,共3页
目的:探讨磁控胶囊胃镜(MCCG)检查在体检人群中舒适度调查及相关因素分析。方法:研究类型为横断面调查研究,将2022年1—12月于我院体检中心接受MCCG检查的受检者作为调查对象,采集受检者的年龄、性别、文化程度、月收入等一般资料,采用... 目的:探讨磁控胶囊胃镜(MCCG)检查在体检人群中舒适度调查及相关因素分析。方法:研究类型为横断面调查研究,将2022年1—12月于我院体检中心接受MCCG检查的受检者作为调查对象,采集受检者的年龄、性别、文化程度、月收入等一般资料,采用焦虑自评量表(SAS)及抑郁自评量表(SDS)评价MCCG检查前的焦虑与抑郁状况,采用视觉模拟评分法(VAS)评价MCCG检查前的疼痛状况,采用简化舒适状况量表(GCQ)评价MCCG检查后的舒适度,并记录MCCG检查耗时等信息。结果:共192例MCCG受检者纳入分析,GCQ量表调查后平均得分为(88.54±12.67)分,其中低度舒适29例,占比15.10%;中度舒适54例,占比28.13%;高度舒适109例,占比56.77%。多元Logistic回归分析显示:高龄、女性、MCCG检查前焦虑、MCCG检查前疼痛是低度舒适与中度舒适的危险性因子;既往接受普通胃镜检查是低度舒适与中度舒适保护性因子(P<0.05)。结论:MCCG受检者的整体舒适度水平处于中等偏上,高龄、女性、MCCG检查前焦虑、MCCG检查前疼痛是低度舒适与中度舒适的危险性因子;既往接受普通胃镜检查是低度舒适与中度舒适保护性因子。 展开更多
关键词 磁控胶囊胃镜检查 舒适度 现况 影响因素
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磁控溅射法制备的硫化镉缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能
14
作者 陈玉飞 廖华 +2 位作者 周志能 赵永刚 王书荣 《云南师范大学学报(自然科学版)》 2024年第2期18-21,共4页
利用磁控溅射法制备硫化镉薄膜,研究硫化镉薄膜作为缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能.进一步地,采用双功率溅射的方法,减轻溅射过程对吸收层的损伤,增加了铜锌锡硫薄膜太阳电池的开路电压和填充因子,提高了光电转换效率,最终获得了光... 利用磁控溅射法制备硫化镉薄膜,研究硫化镉薄膜作为缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能.进一步地,采用双功率溅射的方法,减轻溅射过程对吸收层的损伤,增加了铜锌锡硫薄膜太阳电池的开路电压和填充因子,提高了光电转换效率,最终获得了光电转换效率为7.0%的铜锌锡硫薄膜太阳电池. 展开更多
关键词 铜锌锡硫薄膜太阳电池 硫化镉缓冲层 磁控溅射法 双功率溅射
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基于磁控溅射和电子束蒸发合成Mn-Co-Ni-O薄膜
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作者 赵媛媛 向阳 宋贺伦 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2024年第1期77-84,共8页
锰钴镍氧(Mn-Co-Ni-O,MCNO)薄膜因为具有优异的负温度系数特性在近年来受到广泛关注,现采用射频磁控溅射和电子束蒸发相结合的方式,在单抛蓝宝石(Al2O3)衬底上制备MCNO薄膜,并采用一系列表征探讨了后道退火(Post Annealing,PA)温度对所... 锰钴镍氧(Mn-Co-Ni-O,MCNO)薄膜因为具有优异的负温度系数特性在近年来受到广泛关注,现采用射频磁控溅射和电子束蒸发相结合的方式,在单抛蓝宝石(Al2O3)衬底上制备MCNO薄膜,并采用一系列表征探讨了后道退火(Post Annealing,PA)温度对所制薄膜的微观结构和光学性质的影响。结果表明,随着PA温度的提高,MCNO膜的晶粒尺寸和间隔均呈现增大趋势。X射线光电子能谱结果表明,Mn3+/Mn4+的比例随着温度的升高而增大。电学和光学特性研究表明,在PA温度为850℃,条件为空气退火1 h得到的MCNO薄膜在温度范围为220~300 K范围内符合VRH模型,TCR系数良好,激活能为0.32 eV,薄膜在红外可见波段具有较高吸收率。 展开更多
关键词 MCNO薄膜 射频磁控溅射 电子束蒸发 后退火工艺 X射线光电子能谱
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射频磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟锡透明导电薄膜性能的影响
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作者 许阳晨 张群 《复旦学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期169-177,共9页
ITO薄膜是目前应用最为广泛的透明导电薄膜,通过在ITO中掺杂其他金属可以进一步改善ITO薄膜的光学和电学性能。本文采用射频(RF)磁控溅射法制备了掺钨氧化铟锡(ITO∶W)透明导电薄膜,研究了薄膜厚度、表面形貌、晶体结构以及光学和电学... ITO薄膜是目前应用最为广泛的透明导电薄膜,通过在ITO中掺杂其他金属可以进一步改善ITO薄膜的光学和电学性能。本文采用射频(RF)磁控溅射法制备了掺钨氧化铟锡(ITO∶W)透明导电薄膜,研究了薄膜厚度、表面形貌、晶体结构以及光学和电学性能与各溅射参数之间的关系。当溅射功率大于40 W时,制备的ITO∶W薄膜为方铁锰矿结构的多晶薄膜,此时薄膜表面光滑平整而且具有良好的结晶性。在基板温度320℃、溅射功率80 W、溅射时间15 min、工作气压0.6 Pa条件下得到了光学和电学性能优良的ITO∶W薄膜,其方块电阻为10.5Ω/、电阻率为4.41×10^(-4)Ω·cm,对应的载流子浓度为2.23×10^(20)cm^(-3)、迁移率为27.3 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)、可见光(400~700 nm)范围内平均透射率为90.97%。此外,本研究还发现通过调节基板温度影响氧元素的状态可以改变ITO∶W薄膜的电学性能。 展开更多
关键词 ITO薄膜 掺钨 透明导电氧化物 射频磁控溅射
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非平衡磁控溅射W掺杂类金刚石薄膜的制备与性能研究
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作者 林颖聪 梁爽 +2 位作者 代伟 林海天 王启民 《真空与低温》 2024年第2期112-118,共7页
为了研究W掺杂对类金刚石薄膜性能的影响,采用非平衡磁控溅射方法,通过改变WC靶功率,在YG6硬质合金基体上制备了5组不同W原子百分数(0%~14%)的含氢类金刚石薄膜(a-C:H:W)。用扫描电镜分析了薄膜的形貌,用拉曼光谱分析了薄膜的微观结构,... 为了研究W掺杂对类金刚石薄膜性能的影响,采用非平衡磁控溅射方法,通过改变WC靶功率,在YG6硬质合金基体上制备了5组不同W原子百分数(0%~14%)的含氢类金刚石薄膜(a-C:H:W)。用扫描电镜分析了薄膜的形貌,用拉曼光谱分析了薄膜的微观结构,分别用纳米压痕仪、划痕仪、摩擦磨损试验仪测试了薄膜的纳米硬度、膜基结合力和摩擦学性能。结果表明,a-C:H:W薄膜表面为丘状颗粒,随着WC靶功率的增加,颗粒尺寸先减小后增加;W掺杂可促进薄膜的石墨化;W原子百分数为4%的薄膜的临界划痕力Lc2值达到78.28 N,磨损率为5.8×10^(-8)mm^(3)/(N·m),摩擦因数为0.09。 展开更多
关键词 磁控溅射 DLC薄膜 元素掺杂 表面形貌 结合力
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磁控溅射制备铝、钛掺杂钽氮化合物薄膜的微观结构与电学性能研究
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作者 杨曌 曾璇 +4 位作者 李依麟 沈琦 宁洪龙 沓世我 姚日晖 《材料研究与应用》 CAS 2024年第1期150-156,共7页
采用反应射频磁控溅射法,在Al_(2)O_(3)陶瓷基片上通过共溅射的方式成功制备了Al-TaN和Ti-TaN薄膜,并通过调节Al和Ti靶的溅射功率以实现了掺杂,研究了掺杂元素变化对薄膜微观结构和电学性能的影响。结果显示,随着掺杂元素Al和Ti的增加,... 采用反应射频磁控溅射法,在Al_(2)O_(3)陶瓷基片上通过共溅射的方式成功制备了Al-TaN和Ti-TaN薄膜,并通过调节Al和Ti靶的溅射功率以实现了掺杂,研究了掺杂元素变化对薄膜微观结构和电学性能的影响。结果显示,随着掺杂元素Al和Ti的增加,TaN薄膜的粗糙度逐渐增大,晶体结构逐渐向非晶转变;Al元素掺杂时,当Al靶掺杂功率由0 W升至70 W,薄膜电阻率由0.88 mΩ·cm增至82.72 mΩ·cm;Ti元素掺杂时,当Ti靶掺杂功率由0 W升至70 W,电阻率由1.03 mΩ·cm降至0.32 mΩ·cm。此时,随着Al和Ti靶材掺杂功率由0 W升至70 W,薄膜的TCR值分别从-1313×10^(-6)℃^(-1)逐渐负偏至-3831×10^(-6)℃^(-1)和从-1322×10^(-6)℃^(-1)正偏至-404×10^(-6)℃^(-1)。该研究为溅射制备掺杂TaN薄膜提供了深刻的理论和实验基础。 展开更多
关键词 TAN 磁控溅射 铝掺杂 钛掺杂 微结构 电性能 薄膜 制备工艺
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磁控溅射镀铝AZ31镁合金等离子体电解氧化揭示的放电通道结构及其腐蚀行为
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作者 胡攀峰 魏兵剑 +1 位作者 程昱琳 程英亮 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第1期139-156,共18页
在硅酸盐-六偏磷酸盐电解液中对覆盖薄磁控溅射铝层的AZ31镁合金进行等离子体电解氧化(PEO),以研究PEO机理并提高合金的耐腐蚀性。使用SEM和EDS检测涂层形貌并追踪涂层中Mg和Al元素的分布。新的涂层主要在靠近涂层/金属基体界面的放电... 在硅酸盐-六偏磷酸盐电解液中对覆盖薄磁控溅射铝层的AZ31镁合金进行等离子体电解氧化(PEO),以研究PEO机理并提高合金的耐腐蚀性。使用SEM和EDS检测涂层形貌并追踪涂层中Mg和Al元素的分布。新的涂层主要在靠近涂层/金属基体界面的放电通道下部形成。在放电通道上部先前形成的氧化物大部分以固态形式保留在原先的位置,只有少部分熔融氧化物通过涂层的微孔流出,到达表层。阴离子可以通过涂层充满电解液的孔传输,自由地进入涂层的最深部位。在3.5%NaCl (质量分数)中进行开路电位、极化曲线和EIS测试。结果表明,致密的磁控溅射Al层可以显着提高AZ31镁合金的耐腐蚀性,其耐腐蚀性甚至优于PEO处理后的样品。 展开更多
关键词 AZ31镁合金 磁控溅射Al层 等离子体电解氧化 放电通道 耐腐蚀性能
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磁控型可控并联电抗器控制绕组过电压保护研究
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作者 韩焦 钟高跃 +3 位作者 邹丰 韩兵 牟伟 施一峰 《变压器》 2024年第5期35-41,共7页
磁控型可控并联电抗器是一种新型的动态无功补偿设备,因其无功容量连续可调且控制方式简单可靠,在高压交流输电领域的应用发展迅速,已经在国内外220kV、400kV、500kV和750kV多个电压等级的交流电网上取得了工程应用。本文作者对其典型... 磁控型可控并联电抗器是一种新型的动态无功补偿设备,因其无功容量连续可调且控制方式简单可靠,在高压交流输电领域的应用发展迅速,已经在国内外220kV、400kV、500kV和750kV多个电压等级的交流电网上取得了工程应用。本文作者对其典型结构和工作原理进行分析,对其电磁暂态建模,重点针对其控制绕组故障过电压及其产生的危害进行了研究并开展了仿真测试;提出了控制绕组第一级旁通对过电压保护回路和第二级氧化锌压敏电阻过电压保护回路设计方案,并通过仿真试验进行了验证。试验结果表明,本文作者提出的过电压保护方法能够有效保护磁控型可控并联电抗器控制绕组侧励磁设备的运行安全。 展开更多
关键词 磁控型可控并联电抗器 电磁暂态建模 过电压保护
原文传递
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